Способ контроля диаметра кристалла
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е 22 О 961ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Соеетскиз Социалистическиз РеспубликВсесою:,зтатентно-те: библкоте:."К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ висимое от авт. свидетельстваявлено 04 Х 1,1967 (Л 1171364/22-1)присоединением заявки12 д, 17/1 Приор ите Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР. Белогуров и А. В. Радкевич аявител ОСОБ КОНТРОЛЯ ДИАМЕТРА КРИСТАЛЛА ческую форму, измеряют уровни расплава втигле до и после подъема и определяют диаметр кристалла по формуле и- ытивм и 5 ст сгпкр - Дт )ссс етди- ваав 10 я расплав кристалла муществен аллов при опулосап ых с пол оптра- оруно длявырари диа- овиной ени дмет изоо кристалласплава,стоя темвыращ-нимаютысоту и ии после Известный способ контроля диаметра сталла, находящегося в тигле, в процессе ращивания его из расплава заключается сравнении величины поглощения радиоак ного излучения выращиваемым кристалло эталоном.Особенностью описываемого способа явл ся то, что выращиваемый кристалл пери чески поднимают относительно тигля на данную высоту и измеряют уровни расплав тигле до и после подъема. Это позволяет ределить диаметр кристалла в процессе вь щивания без использования сложного об дования. Расплав исходного матери тигле, представляющем собой ческой формы. В процессе ро периодически поднимают отн на небольшую высоту поряд расплава в тигле при подъе. нижается на величину, соот соте подь ем а и ди а м етру кр что часть кристаллаподнята од, имеет вследствие малой ала находится в сосуд цилиндриста кристалла его осительно тигля ка 1 лсл. Уровень 2 ме кристалла поветствующую выисталла, Считая, я в данный пери- высоты цилиндри где Дкр - диаметр кристалД - диаметр тигля;Асар - изменение уровн Лсгр - высота подъемаСпособ предназначен преи определения диамегра крист щивании их по способу Кпр метрах кристаллов, сравним диаметра тигля. Способ контроля диаметра цессе выращивания его из р щегося в тигле, от,гссчшоссси целью упрощения контроля кристалл периодически под тельно тигля на заданную в уровни расплава в тигле до а в про- находячто, с ваемый относимеряюг одъем а.
СмотретьЗаявка
1171364
Ю. П. Белогуров, А. В. Радкевич
МПК / Метки
МПК: C30B 17/00
Опубликовано: 01.01.1968
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-220961-sposob-kontrolya-diametra-kristalla.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля диаметра кристалла</a>
Предыдущий патент: Установка для выращивания кристаллов
Следующий патент: Способ получения сернистого натрия
Случайный патент: Способ формирования деревьев маточно-сортового сада