Способ выращивания монокристаллов

Номер патента: 209417

Авторы: Булах, Ёт, Зад

ZIP архив

Текст

Союз Советских Социалистических Республикстваависимое от авт. свидете 8.Ч 1.1966 ( 1089393/22 л, 12 д,1 Заявлен с присо инением ваяв ПриоритетОпубликова Комитет по делам иаобретений и открыти(088,8) вете Министров ния 17.Х.1969 Дата ликования оп вторзобретени. Булах одников АН УС Заявитель ститут по ВЫРАЩИВАНИЯ СП РИСТАЛЛО 2 нокристалстью пара имер сульчерез па- вытягиваепечью со- ературным выращивания мо высокой упруг лавления, напр кристаллизацие 1" етичной ампуле, ва, создаваемой тикальным темп редложенного способа нагрева создают при авленного вещества, на до более низкой темп ура конденсации паров соединения при услов обеспечивает более иятные условия кристал о, повышение скоростиапета ыения поясняется чертеж изобре ния м погру ество 2,материалоенное вещтивления,температсплава уенсациинения првзаимноеи печи 3плава, Дл исходнымв расплавлью 3 сопроикальныйатурой ратуры кондого соедирегулируяасплавомивания рас ия монокльфида каровую ф аемой со с ны нагрев градиентоь повышени рева созд нного веще ристаллов соеадмия, перекриазу в герметичкоростыо роста а с вертикальт, отличающийя скорости выают при помоства, нагретого лав рный поверх паров и усл распо и инте я комп ности перевиях оженсив- енсаИзвестен способлов соединений спри температуре пфида кадмия, переровую фазу в герммой из зоны нагрепротивления, с верградиентом.Особенностью пляется то, что зонумощи ванны расплтого у поверхноституры, чем температрекристаллизуемоговыращивания, Этобильные и благопрзации, следовательнращивания.Сущность изобре Ампулу 1 с ют полностью греваемое печ создают верт диент с темпер ниже темпера кристаллизуем выращивания, ние ванны с р ность перемеш 8.Ч.1969, Бюллетень18 ции тепловой асимметрии системы ампулу вращают вокруг оси.В расплаве ампула находится в течениевремени, необходимого для спекания и уплот нения загрузки. Затем ее начинают вытягиватьвверх со скоростью роста монокристалла, Монокристалл начинает расти в верхней части ампулы, расположенной в зоне более низкой температуры. При выращивании по описывае мой схеме возможно образование небольшоготемпературного градиента между зонами роста и испарения и крутого градиента за зоной кристаллизации у поверхности расплава. Влияние растущего кристалла на условия кристал лизации благодаря этому значительно уменьшается, Достижение более стабильных условий кристаллизации дает возможность повысить скорость выращивания монокристаллов сульфида кадмия до 1,5,тсмчас. ПредметСпособ выращивандинений, например ссталлизацией через и25 ной ампуле, вытягивмонокристалла из зоным температурнымся тем, что, с цельюращивания, зону на30 щи ванны расплавле209417 Составитель Т. Фирсоваедактор И. Грузова Техред Т. П. Курилко Корректор С. М, Сигал Заказ 2581/2 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4 ипография, пр. Сапунов у поверхности до температуры, меньшеи температуры конденсации паров перекристаллизуемого соединения при условиях выращивания,

Смотреть

Заявка

1089393

Б. М. Булах Институт полупроводников УССР, ЁТ, ЗАД

МПК / Метки

МПК: C30B 23/00, C30B 29/50

Метки: выращивания, монокристаллов

Опубликовано: 01.01.1968

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-209417-sposob-vyrashhivaniya-monokristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания монокристаллов</a>

Похожие патенты