Устройство для регулирования диаметра кристалла
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 209412
Авторы: Вольп, Воронов, Забелышенский, Каморин, Лагутин, Макеев, Миттельштейн, Чистов, Щипунов
Текст
2 О 9412 Ссаз Советских Социалистических Рвспублинавт свичетельства висимо Кл 12 ь, 17l дь 1114999/2 явлено 21.Х 1.1 с присоединением заявки Ь ПК В О 11 Приорите Опублико Дата опу Иомитет по делам ивоооетеиий и открытипри Совете МинистровСССР УДК 621.365.58:669-17проектный институтнности аявител ледовательскии ческой промыш ноетал УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГУЛИРОВАНИЯ ДИАМЕКРИСТАЛЛА Известно устройство для регулирования диаметра кристалла в процессе бестигельной зонной плавки, состоящие из оптической системы, установленного неподвижно фотоприемника, импульсного преобразователя и регулятора.Особенностью предложенного устройст ва является то, что его оптичеокая система включает в себя последовательно установленные па оптической оси две призмы, обращенные одна к другой параллельными основаниями, собирающу 1 о,и рассеивающую линзы и проекционный экран. Прн этом фотоприемник визирован на проекциопный экран и снабжен приводом вращения его в направлении продольной оси проецируемого изображения, а преобразователь выполнен с каскадом сравнения входного и эталонного импульсов по длительности. Зто дает возможность, повысить точечность стабилизации заданного диаметра.На чертеже изображена схема устройства для регулирования диаметра.Изображение раоплавленной зоны 1 кристалла 2 формируется объективом 3 со светофильтром 4, Размер изображения по высоте ограничивается щелевой диафрагмой 5. С помощью оптических призм б и 7, обращенных одна к другой параллельными основаниями,и линз 8 и 9 изображение преобразуется таким образом, что большая часть его середины вырезается, а периферийные части имеют увеличенный линейный масштаб.5 Преобразованное изображение проецируется на полупрозрачный проекционный экран 10, за плоскостью которого установлен фогоприемник 11, снабженный приводом 2, вращения его в горизонтальной плоскости, в,на правлении,продольной оси проецируемогоизображения. Скорость вращения фотоприемника должна быть больше скорости вращения кристалла с тем, чтобы изменение скорости вращения кристалла не влияло на точность 15 измерения диаметра.Фотоприемник 11 вырабатывает имгпульсыпрямоугольной формы, длительность которых зависит от изменений размера изображения диаметра расплавленной зоны, соответствую щего заданному диаметру кристалла. Импульсы поступают в преобразователь 13 с время-импульсной схемой измерения, вырабатывающий эталонный импульс и снабженный каскадом сравнения входного и эталонного 25 юипульсов. При отклонении величины диаметра от заданного значения на выходе каскада появляется сигнал разбаланса, по величине и полярности пропорциональный величине иЗаказ 5019 Тираж 530 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изооретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр, Серова, д, 4 Типография, пр. Сапунова, 2 знаку отклонения величины диаметра от заданного значения, который подаегся на вход электронного регулятора 14, вырабатывающего управляющие сигналы в цепи управления генератора 15 высокой частоты. При этом изменяется мощность высокочастотного поля в индукторе 16 и, следовательно, тепловые условия процесса, до установления вели- чипы диаметра, равной заданной.Устройство может быть применено и для автоматического регулирования диаметра кристалла по заданной программе. Предмет изобретения Устройство для регулирования диаметракристалла, например растущего кристалла, в процессе бестпгельной зонной плавки, включающее оптическую систему с фотоприемником, импульсныи преобразователь и регула тор, отличающееся тем, что, с целью повыше ния точности стабилизации заданного диаметра, оптическая система включает последовательно установленные на оптической оси дв( призмы, обращенныс одна к другой параллельными основаниями, собирающую и ряс сеивающую линзы и проекционный экран, причем фотоприемнпк визирован на проекционный экран и снабжен приводом вращения его в направлении продольной оси проецируемого изображения, а преобразователь выполнен с 15 каскадом сравнения входного и эталонногоимпульсов по длительности.
СмотретьЗаявка
1114999
Государственный научно исследовательский, проектный институт, редкометаллической промышленности
А. Е. Волп нский, В. И. Щипунов, В. И. Забелышенский, А. С. Чистов, А. Г. Лагутин, О. И. Каморин, Б. М. Миттельштейн, И. Макеев, И. Н. Воронов
МПК / Метки
МПК: C30B 13/30
Опубликовано: 01.01.1968
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-209412-ustrojjstvo-dlya-regulirovaniya-diametra-kristalla.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для регулирования диаметра кристалла</a>
Система автоматического регулирования диаметра кристалла, выращиваемого из расплава
Номер патента: 599403
Опубликовано: 05.04.1980
Авторы: Максимов, Сиваков, Туровский, Шендерович, Шубский
МПК: B01J 17/08
Метки: выращиваемого, диаметра, кристалла, расплава
...фильтр 4, Фотоприемник 5, соединенный с формирователем 2 сигнала,который подсоединен к регулятору 6диаметра. Система содержит также регулятор 7 перемещения скорости кристалла, связанный с электроприводом58, датчик 9 температуры, регулятор10 температуры, соединенный с блоком11 управления мощностью нагревателя,регулятор 12 перемещения тигля, связанный с электроприводом 13, вычислитель 14, подключенный на вход регулятора 12, водоохлажденную камеру 15,тигель 16, нагреватель 17, электроприводы 18 выращивания кристалла и тигель 19.После расплавления материала и раз ращивания конусной части кристалла20 оператором осуществляется выход ина заданный диаметр, который сопровождается возникновением световогокольца вокруг. кристалла. На световое...
Просветно-отражательный экран для проекционных устройств бляхера
Номер патента: 1831713
Опубликовано: 30.07.1993
Автор: Бляхер
МПК: G03B 21/62
Метки: бляхера, проекционных, просветно-отражательный, устройств, экран
...углом 60 к оси экрана. Как видно из фотографии, качество изображения в сравнении с фото на фиг.2 (под углом Оо к оси экрана) практически не ухудшилось. Это позволяет сделать вывод о том, что соответствующее нормам проецирование на просвет при использовании предлагаемого экрана осуществимо в любых самых широких (до 7 м) школьных кабинетах. Расчеты, приведенные выше, и опыты показывают возможность осуществления качественного изображения на экране, используя выпускаемые нашей отечественной промышленностью проекторы, как при проекции на отражение, как и при проекции на просвет. При этом качество изображения на просвет и на отражение примерно одинаково, что не достигается в известных экранах. Это связано с тем, что обнаружена зависимостьткани...
Способ контроля диаметра кристалла
Номер патента: 220961
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: C30B 17/00
...темвыращ-нимаютысоту и ии после Известный способ контроля диаметра сталла, находящегося в тигле, в процессе ращивания его из расплава заключается сравнении величины поглощения радиоак ного излучения выращиваемым кристалло эталоном.Особенностью описываемого способа явл ся то, что выращиваемый кристалл пери чески поднимают относительно тигля на данную высоту и измеряют уровни расплав тигле до и после подъема. Это позволяет ределить диаметр кристалла в процессе вь щивания без использования сложного об дования. Расплав исходного матери тигле, представляющем собой ческой формы. В процессе ро периодически поднимают отн на небольшую высоту поряд расплава в тигле при подъе. нижается на величину, соот соте подь ем а и ди а м етру кр что...
Устройство для автоматического регулирования диаметра кристалла
Номер патента: 776101
Опубликовано: 15.05.1985
Авторы: Иванов, Лейбович, Сухарев, Федоров, Шушков
МПК: C30B 9/00, G05D 27/00
...Второйвход усилителя через аттенюатор 19подключен.к выходу основного интегратора 20, Выход усилителя 18 непосредственно соединен с интегратором 20. Для уменьшения ошибки оценивания сигнала производной следящей система 3 содержит дополнительйый интегратор 21, который подключен к входу основного интегратора 20..На фиг. 1 показаны также водоохлаждаемая камера 22, находящийсяв ней кристалл 23, выращиваемый изтигля 24 с расплавом, нагреватель25 с силовым блоком 26, электроприводы с регулятором 27 перемещенияи регулятором 28 вращения кристалла, с регулятором 29 перемещения ирегулятором 30 вращения тигля.Введены следующие обозначения;Ч иЪ у а - скорости перемещения, вращения кристалла и тиглясоответственно;С - температура нагревателя;.К...
Способ контроля диаметра кристалла
Номер патента: 899740
Опубликовано: 23.01.1982
Авторы: Миняйло, Шархатунян
МПК: C30B 15/22
...раз 2 .Однако при контроле диаметра кристалла данным способом выручитывать действие сил поверхностногонатяжения и вес гидростатического столба расплава, что усложняет контроль,11 ель изобретения - упрощение и повышение чувствительности контроля диаметра кристалла в процессе вытягивания егоиз сопла по методу Чохральского.Поставленная цель достигается тем,что контроль диаметра кристалла, вытягиваемого из расплава по методу Чохральс 1кого путем измерения параметров процесса, осуществляют измеряя в процессе выращивания момент сопротивления на валупривода и по его изменению судят об изменении диаметра кристалла.15Пример реализации предлагаемого способа изображен на чертеже.Кристалл 1 вращается с постояннойугловой скоростью И и...
Предыдущий патент: Способ приготовления скелетного
Следующий патент: Устройство для дозированной подачи паров
Случайный патент: Способ получения порошкообразного гидролизованного полиакрилонитрила