Способ выращивания монокристаллов фосфидабора

85087 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Осюе Ссввтских Социалистических Республик. 400, 1/3 присоединением заявкиМПК С 221УДК 546.181.1(088 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРриоритет Опублико то ЗО,Ч 11,1966, Бюллетень16 Дата опубликования описания 29,1 Х.1966 Авторыизобретени А. Горюнова, Б,нов и В. Д. Прочухан изико-технический институт им, А, Ф, Ио аявитель ПОСОБ ВЫРА 1 ЦИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА БОРАФосфид бора относится к одной из групп полупроводниковых соединений типа Аи Вт, обладающих высокой точкой плавления и высоким давлением паров в точке плавления,Способы, позволяющие выращивать моно- кристаллы фосфида бора, достаточно крупные для практического применения, не известны.По предложенному способу выращивание монокристаллов фосфида бора осуществляют из системы ВР - СцзР, что создает условия для получения достаточно крупных монокристаллов фосфида бора.Описываемый способ получения монокристаллов фосфида бора сводится к перекристаллизации его из системы ВР - Сц,Р на специально сконструированной установке. Растворитель СцзР и спек В + ВР предварительно синтезируют из элементов в двухтемпературной печи при температуре холодной зоны 450 С и горячей зоны 1150 С. Около 200 г СцзР переносят в толстостенную кварцевую ампулу внутренним диаметром 18 - 20 лм, в нижней части которой путем вдавливания стенок при высокой температуре закреплен под вакуумом плотный спек В + ВР (около 5 г) Установлено, что процесс достижения равновесия в системе ВР + СцзР протекает крайне медленно, поэтому для ускорения достижения равновесия в ампулу добавляют еще 2 г тонко растертого фосфида бора и ампуле сообщают вибрацию с частотой 50 гтрк.Кристаллы выращиваются в специальносконструированной печи, питаемой от сети с двойной стабилизацией тока. Печь помещается в термостатированный шкаф. Колебания температуры в течение суток составляют + 4=С. Печь имеет дополнительную обмотку, состоящую из пяти секций, позволяющих установить заданный температурный градиент.Конструкция печи допускает установку ее в горизонтальном и в вертикальном положении.На первом этапе работы печь располагается горизонтально (большая поверхность рас плава способствовала ускорению растворенияпорошка ВР) и во всех точках ампулы устанавливается температура 1180 С, Через 50 час при интенсивной вибрации система прибли.кается к равновесному состоянию (весь поро.20 шок растворяется). После этого печь устанав.ливают вертикально, При этом высота столба расплава составляет около 180 мл. При медленном понижении температуры (со средней скоростью 1 С в 1 час) около мениска распла.25 ва создается пересыщение и происходит вы.падение кристаллов, которые в дальнейшем служат затравками. Температура мениска снижается с 1180 до 1060 С в течение 120 час, а в нижнем конце ампулы, где закрепляют зо подпитывающий спек, с 1180 до 1150 С. ТакимЗаказ 2732/5 Тираж 900 формат бум, 60)(90/8 Объем 0,13 изд. л. ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д, 4 Типография, пр. Сапунова, д. 2 образом, в печи устанавливается градиент в 5 С на 1 сл,Рост кристаллов происходит в зоне мениска на затравках, полученных при понижении температуры. Слабая вибрация способствует растворению подпитывающего спека и препятствует срастанию кристаллов в зоне роста.Выращивание кристаллов проводится в течение 250 час, после чего печь выключают и кристаллы фосфида бора отделяют от СпзР при помощи растворения последнего в азотной кислоте,Полученные кристаллы представляют собой прозрачные полиэдры темно-красного цвета с размерами ребер до 4 лм, Рентгеноструктур.ный анализ показал, что полученные кристаллы представляют собой фосфид бора,5 Предмет изобретенияСпособ выращивания монокристаллов фосфида бора, сочетающий процесс выращивания затравок при снижении температуры расплава с процессом выращивания монокристаллов 10 на них при наличии температурного градиента, отличаюш,ийся тем, что, с целью получения монокристаллов, достаточно крупных для их практического использования, проводят кристаллизацию из системы ВР - СцаР.