H01L 21/72 — H01L 21/72

Номер патента: 807915

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Айзенштат, Игнатьев, Ковязина, Липин

МПК: H01L 21/72

Метки: полупроводниковых, приборов, создания

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование областей истока и стока, нанесение контактного слоя, создание активной области и формирование с помощью фотолитографии затвора, отличающийся тем, что, с целью получения полупроводниковых приборов с субмикронными длинами канала и затвора путем увеличения его поперечного сечения, формирование затвора осуществляют путем нанесения на контактный слой первого защитного материала, травления окон в нем, нанесения второго защитного материала на слой фоторезиста с находящимся на нем материалом второго защитного слоя, вытравливания контактного слоя с одновременным подтравливанием его под края защитного слоя, нанесения фоторезиста под края защитных слоев, осаждения барьерообразующего...