Патенты с меткой «оксидно»

Номер патента: 211671

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Марченко

МПК: H01G 9/052

Метки: анодов, конденсаторов, объемно-пористых, оксидно, полупроводниковых, электролитических

...температуре.На чертеже представлен разрез устройства для изготовления объемно-пористых анодов.Технологию спекания анодов из порошка металла, например, танталового порошка, при температуре 1900 - 2000 С, осуществляют под высоким вакуумом. В процессе спекания идет непрерывно дегазация анодов путем вакуумной обработки их в кварцевой камере 1, установленной в вертикальном положении и имеющей сообщение через фланец 2 с вакуумным насосом, Во внутренней части кварцевой камеры на кварцевой подставке 3 установлен короткозамкнутый цилиндр - основание, на который насажены поэтажно плоские танталовые 10 кольца с размещенными по окружности спекаемыми анодами 4, Б, 6. Танталовые экраны 7, 8, 9 экранируют внутреннюю поверхность кварцевой камеры,...

Номер патента: 447766

Опубликовано: 25.10.1974

Автор: Буров

МПК: H01G 9/048

Метки: анодов, конденсаторов, объемнопористых, оксидно, полупроводниковых, формовки, электролитических

...уровнем электролита.На фиг.1 представлена схема 5 устройства для формовки объемно=пористых анодов оксидно=полупроводниковых конденсаторов;на фиг.2 - график значейия формовочного тока в процессе формовки 1 о на предлагаемом устройстве приподаче номинального формовочйогонапряжения; на фигЛ - графикзначений формовочного тока в процессе формовки на многоступенчатом устройстве с постепенным по, вышенйем формовочного напряженияДО НОМИНИЛЬНОГОеУстройство состоит из ванны Тс электролитом, звездочек Ртранспортирующих несущую ленту 1, катодной пластины 4, контактных роликов О и изолирующего экрана ЯНесущая лента 3 с закрепленны .ми на неи анодами транспортирует447766ся звездочками 2 в ванну с электро ,но-пористых анодов оксидно-полупро литом...

Номер патента: 871243

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Каган, Корсун, Манченко, Шинянская

МПК: H01G 9/00

Метки: конденсаторов, ниобиевых, оксидно, полупроводниковых, танталовых

...240-290 С поднапряжением совмещенную с монтажомсекций, герметизацию, разбраковкупо электропараметрам и повторную термообработку под напряжением, последнюю проводят при температуре, состав-ляющей О,б 5-0,9 температуры термообработки секций. 10Ниже приведен пример реализациипредлагаемого способа.Из 1537 ниобиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов типономинала 20 Вх 47 мкф, монтаж секций которых 15в корпуса был совмещен с термообработкой (240 фС) под напряжением, былоотделено 103 конденсатора с дефектами внешнего вида, дефектами герметизации и конденсаторы, на которые во 2 Овремя пайки не подавалось напряжение.После исправления дефектов проводилась повторная термообработка при200+10 С под напряжением 17,5 В длительностью 90 сек....

Номер патента: 983776

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Бочарова, Гельперин, Дубрава, Евсеева, Зегжда, Нестеровский, Салитра

МПК: H01G 9/04

Метки: анодов, выводов, конденсаторов, оксидно, полупроводниковых

...с пазами для фиксации выводов, используемая при про-, ведении операций приваривания выводов к ленте, выдавливании пуклевок на ленте и разрезке металлической ленты из тантала, причем пазы в скобе также расположены в шахматном порядке, разрез Б-Б.Предлагаемый способ изготовления выводов анодов можно продемонстрировать при помощи следующих операций, выполняемых в бпределенйой последо" вательности,К металлической планке 1 присоединяют танталовые выводы 2, например, с помощью контактной точечной сварки с шагом, равным двойной шири" не вывода анода 5. Концы выводов 2 отрезают до длины 1 и одновременно расплющивают до заданной толщины (фиг. 1 и 2)4При этом инструмент для отрезки и расплющивания располагают строго параллельно базовому торцу а...

Номер патента: 1262586

Опубликовано: 07.10.1986

Авторы: Кречко, Моргунов

МПК: H01G 13/00

Метки: выводы, изоляторов, конденсаторов, корпуса, механизм, оксидно, оксидно-полупроводниковых, припоя, сборки, секций, установки, шайб

...упругого материала (резины). Под лотком вибробункера 36 размещены центрирующие гребенки 43 и 44. Приводной механизм 2 содержит кулачковые валы 45 и 46, которые управляют движением всех механизмов устройства посредствем кинематических связей в виде рычагов . и толкателей.Механизм для установки изоляторов 34 на выводы 27 секций конденсаторов содержит лоток 47 вибробункера 35, соединенный гибкой тягой 48 с электромагнитным вибратором 49. Лоток 47 имеет воэможность качания относительно оси 50, величина которого ограничена винтом 51, На нижней поверхности лотка 47 выполнен паз 52, дно 53 которого имеет скос 54, направленный в сторону установленных на выходе лотка 47 элементов фиксации изоляторов 34, выполненных в виду двух призматических...

Номер патента: 1499667

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Горлева, Ковалев, Красников, Марамзин, Новаковский, Рогов, Толстогузов, Шаргунов

МПК: H01M 10/30, H01M 4/26

Метки: аккумулятора, активного, никелевого, оксидно, щелочного, электрода

...карбоната натрия с концентрацией 217 г/л для осаждения кобальта в виде углекислой соли и перемешивание продолжалось еще в течение 25 мин.Готовую смесь выгружали в репульпатор, из которого центробежным насосом перекачивали в нутч-фильтр на отмывку. Отмывку производили проточной водой при 70 С в течение 3 ч. Расходы воды составляли 8,5 м на 1 т смеси,Отмытый гидроксид никеля с добавкойкобальта подавали шнеком на сушку в печикипящего слоя. Сушку производили при150 С в течение 15 мин, Высушенный про 5 дукт смешивали с электропроводной добавкой - аккумуляторным графитом - вколичестве 38 по отношению к никелю,Из полученного активного материалабыли изготовлены ламельные электроды10 для определения электрохимических...

Номер патента: 1556485

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Гурвич, Ковалев, Литвинов, Марамзин, Новаковский, Рогов, Толстогузов, Чернов, Шаргунов

МПК: H01M 10/30, H01M 4/26

Метки: аккумулятора, активного, никелевого, оксидно, щелочного, электрода

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ОКСИДНО-НИКЕЛЕВОГО ЭЛЕКТРОДА ЩЕЛОЧНОГО АККУМУЛЯТОРА путем введения в раствор сульфата никеля щелочи и гидроксида бария, фильтрации, сушки осажденной смеси гидрата закиси никеля и сульфата бария, отмывки, повторной сушки, дробления и смешивания с графитом, отличающийся тем, что, с целью повышения емкости и сокращения длительности процесса, гидроксид бария вводят в два приема 30 - 50 мас. % : - при совместном осаждении и 50 - 70 мас. % - после отмывки осажденной смеси.

Номер патента: 1556420

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Воробьева, Елютин, Касенов, Ковалев, Патрикеев, Петухова

МПК: H01G 9/05

Метки: анодов, конденсаторов, материал, оксидно, полупроводниковых, электролитических

МАТЕРИАЛ ДЛЯ АНОДОВ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИХ И ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОНДЕНСАТОРОВ, содержащий тантал или ниобий, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного заряда и снижения токов утечки, он дополнительно содержит водород 0,1 - 1 мас. % .

Номер патента: 1556422

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Воробьева, Елютин, Зверик, Ковалев, Патрикеев, Пшеницын, Ринас, Розанов, Скоморохов, Цыплакова

МПК: H01G 9/05, H01G 9/24

Метки: анода, конденсатора, объемно-пористого, оксидно, полупроводникового

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБЪЕМНО-ПОРИСТОГО АНОДА ОКСИДНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОНДЕНСАТОРА, включающий приготовление порошка из материала, содержащего ниобий или тантал, или их сплав, или сплав ниобия или тантала, с молибденом или вольфрамом, прессование анодов из порошка, спекание и оксидирование, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного заряда, снижения токов утечки и снижения материалоемкости, для приготовления порошка используют материал, дополнительно содержащий водород в количестве 0,05 - 1 мас. % , а перед спеканием проводят выдержку анодов при 600 - 850oС в течение 15 - 30 мин, причем спекание проводят при 1000 - 1600oС.