Гаряинов

Номер патента: 1839140

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Берг, Габсалямов, Гаряинов, Колосов, Коновалов, Лурье, Морозов, Пятышев, Шейдин

МПК: B23Q 41/00

Метки: гибкая, полупроводниковых, производственная, структур

...структура. Диагностика полупроводниковойзаготовки позволяет использовать в производстве только ее бездефектные участки,В модуле 3 подготовки полупроводниковых подложек последняя размещается в50 герметиэированной кассете и по командесистемы автоматического управления и контроля передается на транспортно-накопительное устройство 4, осуществляющеемежмодульное перемещение герметизиро 55 ванных кассет и выполненное, например, ввиде транспортного робота с гибкой программой перемещения, формируемой системой 1 автоматического управления иконтроля для текущего. технологическогомарш рута. С транспортно-накопительного1839140 5ус ройства 4 герметиэированная кассетаи ступае в устройство 10 загрузки локальн й гермозоны 9 технологического модуля2, где...

Номер патента: 898507

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Асадов, Гаряинов, Зуев, Исмаилов

МПК: G11C 29/00

Метки: матриц, памяти

...ватель видеосигналов 16 и сигнапы середины маркера, поступающие в логичес кий бпок 23. Еспи маркер изображается в виде крестика, то он образуется с помощью сетки, распопоженной внутри координатной сетки. Выдепение крестика (перекрестия сетки маркера) осуществпяет ся сигнапом, поступающим с выхода схемы сравнения 19,. Адрес маркера определяется кодом, находящимся в блоке адреса 1.Формирователь видеосигиапа 16, на 30 вход которого поступают сигналы координатной сетки с формироватепя 17, сигналы маркера, синхросигнапы и информация, считанная из контролируемой матрицы памяти 27, формирует попный видеосигнал, который поступает на вход телевизионного приемника 15 Блок местного управления 6 осуществпяет считывание и перезапись (т.е. дозапись,...

Номер патента: 688922

Опубликовано: 30.09.1979

Авторы: Васильев, Гаряинов, Глебов, Соловьев, Халецкий, Шорин

МПК: G11B 5/38

Метки: головка, магнитная, многодорожечная, потокочувствительная

...Холла является одновременно базовьм контактом указанных транзисторов, помещенных ца этом датчике.Нд чертеже схематично показана предлагаемая мдгцитцая головка.На основании 1 расположены токопроводы 2 и датчики Холла 3.На поверхности датчиков Холла помещены МТ 4, имеющие коллекторы 5 и 6 н один эмиттер 7. Контакты 8 и 9 являются токовыми электродами соответствуюцего датчика Холла, а контакт 8, кроме того, базовым для всех МТ, расположенных на этом датчике. Соединение же элементов между собой осуществляется при помощи металлцзированной разводки, обозначенной позициями 10, 11, 12, 13 и 14. Токопроводы выполнены сквознымн н выходят наЗаказ 2367/11 Изд,590 Тираж 681 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и...

Номер патента: 320225

Опубликовано: 25.02.1975

Авторы: Гаряинов, Ржанов, Хренов, Шергольд

МПК: H01L 3/00

Метки: матрица, полупроводниковая

...образованы в полосках монокристаллического кремния, предварительно покрытых пленкой диэлектрика. Это 30 позволяет выполнить и е межсоединепия (разводку) без паяных или сварных соединений и, таким образом, повысить надежность диодных матриц. Создание диодных структур в полосках монокристаллического кремния с малой плотностью дислокаций позволяет получить хорошую воспроизводимость параметров диодов в матрице. Низкоомный слой снижает рассеиваемые мощности, а уменьшение значений паразитных емкостей увеличивает быстродействие матрицы.На чертеже изображена предлагаемая матрица в разрезе,Матрица состоиг из диэлектрической подложки 1, например, из стекла, имеющей углубления, например полоски, заполненные моно- кристаллическим полупроводником...

Номер патента: 142700

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Гаряинов

МПК: H03K 7/08

Метки: длительностей, импульсов, преобразования

...длительности в широких пределах.Принципиальная схема описываемого устройства приведена на чертеже.На входные зажимы 1 подают импульс желаемой длительности. Амплитуда входного сигнала больше тока переключения полупроводникового прибора 2 из состояния с большим сопротивлением в состояние с малым сопротивлением. На полупроводниковом приборе 2 возникает импульс, длительность которого пропорциональна амплитуде входного сигнала. Этот импульс через ограничительное сопротивление поступает на диод 3, на который подано напряжение смещения от батареи 4. Величину напряжения смещения выбирают одного порядка с падением напряжения на полупроводнике 2, когда он переключен в состояние с малым сопротивлением. На выходных зажимах 5 получают импульс...