Устройство для рафинирования полупроводниковых материалов и их соединений

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК А б 4 б 51)5 С 22 В 9/О ГОСУДАРСТВЕННОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ЕНТНОЕ ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ НТ ие "Комбинат Ура, А.А,Фролов, О,А.Си А.Плеханов и С.А,Ма е "Комбинат Уратво СССРО, 1984,свидетел . С 22 В 9 ования(через 1 ч) ьтровальном элеПо окончан осадок, оставш менте, удаляли. Очищенный матери имел степень чистоты 99ии рафини ийся на фи л (напр Те ЯР)999.(56) АвторскоеМ 1295762, кл Изобретение относится к металлургии, в частности к устройствам для рафинирования металлов и сплавов, и может быть использовано для очистки полупроводниковых материалов и их соединений, например Те,5 е, Аз, РЬ, РЬТе, СОТе.Целью изобретения является повышение качества рафинирования полупроводниковых материалов и их соединений.На чертеже показано устройство для рафинирования полупроводниковых материалов и их соединений.Оно содержит фильтрующую камеру 1 с фильтровальным элементом 2, материалоприемник 3, контейнер 4, камеру 5,Устройство работает следующим образом.В фильтрующую камеру 1, представляющую собой стеклоуглеродный тигель (объемом 1 дмз, с диаметром дна 70 мм), загружали (2 кг) порошок очищаемого материала (напр. Те - 99,9%, Яе - 99,5).Фильтрующую камеру устанавливали над материалоприемником 3, представляю(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ РАФИНИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И ИХ СОЕДИНЕНИЙ .(57) Сущность изобретения заключается в том, что устройство содержит фильтрующую камеру с фильтровальным элементом и материалоприемником, размещенные в контейнере. Фильтрующая камера, материалоприемник и контейнер изготовлены из стеклоуглерода, боковая поверхность фильтрующей камеры выполнена в виде конуса, фильтрующая камера размещена над материалоприемником, контейнер помещен в камеру, заполненную инертным газом. 1 э,п. ф-лы, 1 ил,щие собой стеклоуглеродный тигель (объемом 0;5 дм, Я дна = 50 мм). Всю сборку помещали в стеклоуглеродный контейнер, находящийся в герметичной камере 5, заполненной инертным газом и нагревали для расплавления материала. В фильтрующей камере происходил процесс интенсивного плавления, при котором содерхгащиеся в материале не металлические включения и газы интенсивно выделялись и всплывали на поверхность материала, Расплавленный материал, проходя через фильтровальный элемент 2 интенсивно рафинировался и опускался на дно металлоприемника 3. В свою очередь продукты реакции рафинирования (окислы, газы и др. включения) всплывали на поверхность материала.1836463 ставитель Ф. Хусаинохред М.Моргентал ектор М, Куль Редактор Е, Полионова аз 3010 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного. комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 45 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10 Использование заявляемого устройства обеспечивает по сравнению с известным устройством следующие технические преимущества; повышение качества рафинирования (до 99,9999); возможность использования устройства для рафинирования таких материалов, как теллур, селен, мышьяк, свинец и их соединений (РЬТе, СбТе).Общественно-полезные преимущества заявляемого устройства могут быть выражены в снижении стоимости рафинирования, эыергозатрат на 1 кг очищаемого материала, рбеспеченйи экологической чистоты процесса рафйнирования, воспроизводимости ф "И стабильности его, улучшении охраны тру%а; Кроме того, материал устройства предполагает его многоразовое использование (стеклоуглерод - практические не расходимый конструкционный материал). Формула изобретения 1, Устройство для рафинирования полупроводниковых материалов и их соединений, содержащее фильтрующую камеру с фильтровальным элементом и материалоприемник, помещенные в контейнер, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что фильтру ющая камера, материалоприемник и контейнер выполнены из стеклоуглерода, боковая поверхность фильтрующей камеры выполнена в виде конуса, фильтрующая камера установлена над материалоприемни ком, контейнер помещен в камеру,заполненную инертным газом, а фильтровальный элемент выполнен в днище камеры в виде перфорированной поверхности.2. Устройство по п.1, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что фильтровальный элемент выполнен в виде щелей размерами: ширина 100-300 мкм, длина 50-200 мм притолщине днища 1-3 мм, расположенные по всей поверхности,или в виде отверстий размерами: диаметр 100 - 20 300 мкм, равномерно расположенных повсей поверхности с концентрацией 20-100 отверстий на 1 см поверхности.2

Смотреть

Заявка

5036296, 09.04.1992

АРЕНДНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "КОМБИНАТ УРАЛЭЛЕКТРОМЕДЬ"

ШЕПАТКОВСКИЙ ОЛЕГ ПАВЛОВИЧ, ФРОЛОВ АЛЕКСАНДР АЛЕКСАНДРОВИЧ, СИМОНОВА ОЛЬГА АЛЕКСАНДРОВНА, МАТСОН СЕРГЕЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ПЛЕХАНОВ КОНСТАНТИН АНАТОЛЬЕВИЧ, МАСТЮГИН СЕРГЕЙ АРКАДЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: C22B 9/00

Метки: полупроводниковых, рафинирования, соединений

Опубликовано: 23.08.1993

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1836463-ustrojjstvo-dlya-rafinirovaniya-poluprovodnikovykh-materialov-i-ikh-soedinenijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для рафинирования полупроводниковых материалов и их соединений</a>

Похожие патенты