Кальпус

Номер патента: 1638577

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Голод, Кальпус, Осинцева

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, полупроводниковых, преобразователей

...с помощью процесса фотолитографии открывают окна под контакты 6 и осуществляют металлизацию поверхности пластин- заготовок с тензорезистивными схемами путем вакуумного, например термического, распыления алюминия. С помощью процес 1638577са фотолитографии формируют омические контакты и электрическую разводку тензорезистивных схем, Затем осуществляют металлизацию противоположной поверхности пластин-заготовок путем вакуумного нэпы ления алюминия 7. Режим металлизации противоположной поверхности пластин-заготовок аналогичен режиму напыления алюминия для создания омических контактов и электрической разводки тензорезистивных 10 схем чувствительного элемента, Для осущесгвления атомарной связи металлического слоя с поверхностью кремния и с его...

Номер патента: 1265466

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Архарова, Кальпус, Круглов, Лукашин

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...11 и 12 - сзатворами МДП-транзисторов 13-16.МДП-транзисторы 13-17 на упругомэлементе 1 выполняются методамипланарной технологии в едином тех 5 О 15 20 25 ЗО 35 40 50 55 нологическом цикле 1 используется дляих изготовления стандартная КМОПтехнология) и располагаются на немв зоне деформации, а именно в областях 2 и 3.Тензочувствительная схема из МДПтранзисторов 13-17 изготавливаетсяна плоскости кремния с ориентацией(100) . Каналы 1 ЩП-транзисторов 1316 ориентированы вдоль взаимно перпендикулярных направлений типа 110.Такой выбор ориентации каналов делается с целью получения максимальной чувствительности. Размеры каналов определяются заданным выход-ным сопротивлением схемы, Остальныеразмеры соответствуют стандартнымтребованиям к топологии...

Номер патента: 459693

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Кальпус, Фирсов, Шадрин

МПК: G01L 1/20

Метки: величин, механических, полупроводниковый

...а свободный конец пластины связан через измерительный прибор с минусом источника питания.На чертеже изображена схема предлагаемого преобразователя,Преобразователь содержит три р-и-перехода 1 - 3, причем переходы 2 и 3 смещены в прямом направлении и являются компенсационными, а переход 1 является основным и смещен в обратном направлении до области пробоя, Между переходами имеются проводящие слои 4 и 5, представляющие собой сплав Ацсй и сплав А 1 с%. Два токовывода 6 и 7 изготовлены нанесением никеля с последующим его вжиганием. Токовывод 6 соединен с плюсом источника питания, а токовывод 7 - с измерительным прибором,При увеличении температуры вольтампер ная характеристика прямо смещенных р-и-переходов 2 и 3 сдвигается в область малых...