Способ определения температурной стабильности полупроводниковых приборов

(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕ ТУРНОЙ СТАБИЛЬНОСТИ НИКОВЪХ ПРИБОРОВ (57) Изобретение относит технике. Цель изобретен дсстоверности и снижени разрушающем контроле стабильности полупрово ров. При реализации сг чально на достоверной в обучающий эксперимент, определяют оптимальный зирования по резугьтата формативных электрическ его помощью прогнозируе пературной стабильности ной температуре,НИЯ ТЕМПЕРА- ПОЛУПРОВОДинстит Н.С,Об ази интег - М.: Соехнология ектронной росхем. -Изобретение относится к производству электронной техники, в частности к определению температурной стабильности электрических параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем. купности значений некоторых признакоизделия, называемых его "образом". Сущность способа заключается в том, что в конкретном образце измеряют начальное значение электрического параметра У при комнатной температуре и по оптимальному оператору прогнозирования, полученному по результатам обучающего эксперимента, определяют значение этого параметра Ундля заданной температуры Т 1; Цель изобретения - повышение достоверности и снижение затрат при неразрушающем контроле термостабильности полупроводниковых приборов и ИМС.Способ определения температурной стабильности попупроводниковых приборов разработан на основе теории распознавания образцов с использованием информативного электрического параметра и регрессивных тлоделей, Индивидуальное прогнозирование базируется на том, что у каждого )-го экземпляра информация об изменении прогноэируемого параметра У при воздействии те 1 лпературы заложена в сово=Кст(Т 1)(а 0+а 1 У,ар У). (1),ар - коэффициенты уравнения , определяемые по методу наиквадратов экспериментально,- текущие значения номера коного экземпляоа;казатель степени полинома; где ао, а регресси меньших 1=а, Ь,)=1, тролируеР - и ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ К АВТОРСКОМУ СВИД(56) Физические основы надежнральных схем,/Под ред. Г,Миллеветское радио, 1976, с,56,Глудкин О.П., Черняев В,Н.испытания микроэлементов элаппаратуры и интегральных миМ.: Энергия, 1980, с.155-161. 1626225 А 1 ся к электронной ия - повышение е затрат при не- температурной дниковых прибоособа первонаыборке проводят в ходе которого оператор прогнсм измерения иних параметров. С тся значение темпри произволь(2) 10 15 20 25 30 35 40 45 У ТКст(Т) =н 5055 Кс () коэф ициец т температурной с лбильности, о ределлеглый в процессе обучающего эксперимента по формуле У(Т) среднее зачение параметра для достовернойл выборки при температуре Т;Ул - средее значение для той же вьборки при комнагнои температуре (20"С).Реализация способа требует проведения следуощих этапов: обучающего экспериме га, обучения, экзамена и собственнопрогнозирогния,Обуг ций эксперимент проводится сцелью полу ения массива исходных данных,необходимых для построения оптимальнойгрогнозируощей модели, и заключается впроведении испытаний экземпляров исследуемых изделий на заданном отрезке а,Ьвоздействующего фактора, Обьем обучающей выборки М определяется нэ основаниитеоремы Бернули о достаточно большихчслах, Для доверительной вероятностиР=0,95 и относительной ошибки 0,1,К=96,Далее составляется план температурного эксперимента. Г 1 ри этом число температурных точек в зэданногл диапазонедолжо бть не гле е трех, Снимается зависигость пр гно руеглого параметра Унот т 1 РГа т,Г ,Для+ ения е да оператора ,1) порезул, обу люпего эксперимента использ, , регГ. ссвьй анализ, Эта процед;рз ,лзнает следующие этапы: выборвида г г гаи еской глодели (1); определение независимых коэффициентов этой модели; проверка значимости коэффициентови адекгэтности модели, Оценки коэффициентов уравнения регресгии определяют методом наименьших кл;,дратов.Подбор математической модели (1) начина о с лнейной, Б случае, если эта модельне удовлетворяет треГованлям точности,переходят к кладратичной модели и т,д.ддекватность модели проверяют по Р-критерио Фишера з чмость коэффициентов -по т критерию Стьодегга,После полу ге:ия адекватности моделиопределяют среднюю ошибку прогноза порезультатагл э залена. Для проведения экзагленл берется вьбарка, объем У которойопредгля. ся по ГОСТУ, Измеряют прогнозируегый электрический параметр У,н вормальных услогиях и по полученномуоператору прогнозирования рассчитываютЗнаение этого параметра для заданнойт; мпературы Ть 3 агегл контролируемые полупроводниковые приборы выдерживают в течение 30 мин при температуре Т и измеряют параметр У при этой температуре. Ошибка прогноза определяется по формуле При удовлетворительной ошибке прогноза (10 - 15 полученная модель вида (1) принимается.Таким образом, предлагаемый способ определения температурной стабильности позволяет дать оценку значениям электрических параметров объекта для заданной температуры путем измерения эгого параметра в нормальных условиях (20 С) и проведения расчета по оператору прогнозирования, полученному для этого параметра в процессе обучающего эксперимента. Формула изобретения Способ определения температурной стабильности полупроводниковых приборов, заключающийся в том, что из испытуемых йолупроводниковых приборов формируют статистически достоверную выборку, определяют информативные электрические параметры полупроводниковых приборов, измеряют и запоминают информативные электрические параметры полупроводниковых приборов из статистически достоверной выборки при различных значениях температуры, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения достоверности и снижения затрат по результатам измерений информативных электрических параметров для статистически достоверной выборки определяют среднее значение информативных электрических параметров при комнатной и заданных значениях температуры, определяют коэффициент температурной стабильной по формуле где У(Т), Ун - средние значения информативного электрического параметра, соответственно при заданном .значении температуры Т и комнатной температуре, измеряют значения информативного элекгрического параметра испытуемых полупроводниковых приборов, не вошедших в выборку, при комнатной температуре. а их температурную стабильность определяют по оптимальному оператору прогнозирова ния:1626225 Составитель В,СтепанкинТехред М,Моргентал Корректор С. Шекмар Редактор Н,Яцола Заказ 278 Тираж 422 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент". г, Ужгород, ул,Гагарина. 101 УиКс (Т 4 а,+а 1 У 1 н+ ф арУрР).где У 1 н - значение информативного электрического параметра для 1-го полупроводникового прибора; Т; - заданное значение температуры; ао, а 1ар - коэффициенты уравнзния регрессии, определяемые по методу наименьших квадратов.