Элемент памяти

(и)474849 О П И С А Н "И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик(32) Приоритет -Опубликовано 25.06,75. Бюллетень23 11 с 11/О осударственнын комитет овета 1 йиннстров СССР 681.327.66(53 евам изобретении и открытий опубликования исания 21 10 / 2) Авторы изобретениякибернетики АИ Украинской СС(54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТ Изобретенне относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах.Известный элемент памяти, содержащий слои ферраматнапного материала, числовую птину считывания и выходную шину, расположенные параллельно и разделенные слоем изоляцион)ного материала, а также числовую м разрядную шпаны записи, расположенные параллельно и разделенные слоем изоляционного материала, характеризуется сложностью технолопии изготовления из-за большого количества слоев, расположенных один над другим.Цель изобретения огни изготовления элемент упрощение тынола памяти. Это достелгается тем, что числовая штина засвиси,и разрядная шина запиаи, числовая пдина считывания и выходная шина попарно обхвачены слоями изоляционнаго материала, поверх которых расположены слои ферромагнитного материала, между слоями ферромагнитного материала расположен заполнитель, прлчем оба слоя ферромагнитного материала вместе с заполнителем обхвачены оощим слоем ферромагнитного материала, толщина которого равна толщине слоев ферромагнитного материала, обхватьпвающих каждую пару шин. итель Ордена Ленина ин Предлагаемый элемент памяти, по сравнению с известным, проще по технологии изгоговления, так как содержит меньшее числослоев, расположенных один над другим.5 На фиг. 1 представлена кон "труктивнаясхема предлагаемого элемента памяти; нафиг, 2 - диаграмма изменения намагниченности участков магнитопровода элементапамяпи; на фнг. 3 - временная диаграмма10 его работы,Устройство состоит пз разрядной швны 1записи, числовой шины 2 записирасположенной под шиной 1 и отделенной от нееизоляционным слоем 3, выходной шины 4,Б числовой шины 5 считьевання, расположенной под выходной шиной 4 и отделенной от нее изоляционным слоем б, изоляционных слоев 7 н 8, обхватывающихсоответственно, пары цвин 1, 2,и 4, 5, слоев9 и 10 ферромагнитного,материала, расположенных поверх изоляционных слоев 7 и 8 соответственно, заполнителя 11, общего слояферроматнитного,материала 12. Заполнитель11 расположен между слоями 9 и .10 и служит для нанесения общего слоя 12 ферромагнитного материала. Слой 12 являетсяобщим;магнитньвм слоем для всего элемента,памяти, расположен на слоях 9, 10, заполнителе 11 и обхватывает,их, Толщины слоев 9.10 и 12 равны. Площади сечений, перемычек474849 1 2 5 а и 1 одинаковы и в два раза больше площадей сечений каждой из перемычек Ь, с, е, 1.Устройство работает следующим образом При считывании информации по числовой шине 5 считывания подают импульс тока счгитызання 1,. При этом перемычка (фнг. 1, 2) из размагничеиного состояния (фгиг. 2,б) намагничивается до насыщения в направлении, юиказанном на фланг, 2, в. Согласно закону непрерьгвности магнитного потока, магнитный поток геремычки а замыкается через перемычку с, намагниченность которой изменилась на противоположную. Намагггпченность остальных перемычек осталась прежней. В результате изменения намагниченности перемычгки Ы при действни тока 1 в выходной шине 4 индуктируется ;высходной оипнал 1. Если элемент пагмяти находится в исходном состоянии О (фиг.2, а), то под действием тока считьгвания намагниченность всех перемычек гне изменяется, и в выходной шине оигнал отсутствует (фиг.2, в, фнг. 3). Прги записи 1 в числовую шину 2 загдиси по окончанои установления состояния намагниченности (фиг. 2, в) подают импульс тока запиои 1, который,перемапничивает перемычку а. В результате мапнитный поток пееемычки а замыкается через перемычки Ь,с, е; перемычка д размагничивается (фиг.2, д). После установки состояния (фиг. 2, д) в разрядную шину 1 запиеи подают игмпульс тока установки 1который меняет направле)ние потоков;в перемычках а, Ь, с, е, 1 на обратное. Перемычка г 1 ври этом остается размагниченной (фиг. 2, ж),При записи О в числовую шину 2 записи подают,ток запнси 1. Одновременно в разрядную штину 1 записи, подают импульс тока запрета 1,. Поля этнх токоз напразлеиы встречно, так что суммарное магнитное поле, воздействующее на перемычку а, равно нулю, При этом намагниченности всех перемычек не меняюпся (фиг. 2,г). Ток установки подают в шину 1 после тока запрета, и он только подтверждает предыдущее состояние (фиг. 2, е).Предлагаемый элемент памяти имеет одноотороннее ограничение управляющих токов (по минимуму), что указывает на его высокую функциональную надежность,Предмет изобретения Элемент памяти, содержащий слои ферроматнитного матерниада, числовую шину считывания и выходную шину, расположенные ,пар аллельно и р азделенные,слоем,изоля ционного матернала, а также числсвую,и разрядную шины записи, расположенные парал лельно и разделенные слоем изоляционногоматериала, отличающийся тем, что,с целью упрощения технолопни изготовления элемента, в нем числовая шина записки и разрядная шина записи, числовая шина счгитывания и 30 выходная шина попарно охвачены слоямиизоляционного матергиала, поверх которых расположены слои ферромапнитного материала; между слоями ферромагнитного,материала расположен заполнитель, гпричем оба слоя З 5 ферромагнитного материала вместе с заполнителем охвачены обгцим слоем ферромагнитного материала, толщина которого равна толщине слоев феррсгмагнивного материала, охватываюших каждую пахру шин.474849 Ииооное сосптоянце 0 Иск 7 ное сосптояние 1 73 - 77 апР 7 усп 7 чст чиг г Рани Счилыоание Залр Составитель В Степан Редактор А. Батыгин Текред Е, Подурушинорректор В. Гутман каз 837/1272ЦНИИПИ Подииснов СССР и, Харьк. фил, пред. сПатент Изд,806 сударственного комитета по делам изобретенийМосква, Ж, РаушскаяТираж 648 овета Мин открытий аб., д, 4/5