Ячейка памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 483710
Авторы: Баринов, Контарев, Крамаренко, Мошкин, Орликовский
Текст
ПИСАЙИЕ ОБРЕТЕНИЯ4837 Санга Советски оциалистическ И еспубл ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС) Заявлено 29,05.73 (21) 1923018/18-2 присоединением заявки32) При Гасударственные комитет Совета. Министров СССР по делам изобретений тет 53) УДК 681.327(088 публиковано 05.09,75. Бюллетень33 открыта исания 10.02.76 Дат ликова(72) Авторыизобрете В, В. Баринов, В. Я. Контарев, О, Л, Крамаренко,В, И, Мошкин и А, А. Орликовский Московский институт электронной техники71) Заявител 4) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ чить паразитные токи и повысить помехоустойчивость.Эта цель достигается за счет расположения сильно легированного скрытого слоя под инжектирующей областью и теми коллекторными областями, которые соединены с противоположными базовыми областями.Структура ячейки памяти представлена на чертеже.Ячейка содержит полупроводниковую подложку р, эпитаксиальный слой гг, со скрытым сильно легированным слоем и+, инжектирующую область рь базовые области рз и рз, коллекторные области пз, из, из, ггз, вывод инжектора 1, шину адреса 2 и разрядные шины 3 и 4.Ячейка памяти работает следующим образом. тся поий тот игВ реж20 ложительковый ргерныхп+ (и,) - р(предпол25 считыванПри этошине 3)хранимуюмации н Изобретение относится к области полупроводниковых интегральных схем памяти и может быть использовано в оперативных ЗУ ЦВМ среднего и высокого быстродействия.Известны ячейки памяти, представляющие собой триггер с нагрузочными и развязывающими транзисторами, выполненными в структуре с совмещенными диффузионными областями, Такая ячейка памяти изготовляется в одном изолированном кармане в эпитаксиальной пленке п-типа со скрытым сильно легированным и+-слоем, расположенной на подложке р-типа проводимости, В эпитаксиальной пленке созданы базовые и инжектирующая области р-типа, причем каждая базовая область содержит по две коллекторные области. Скрытый п+-слой расположен под всей структурой и служит сильно легированным эмиттером п - р - п-транзисторов, которые в этом случае работают в инверсном режиме. Низкая помехоустойчивость известной структуры обусловлена наличием больших паразитных токов в разрядных шинах,Целью изобретения является разработка структуры ячейки памяти, совмещающей триггерные транзисторы с высокими инверсными коэффициентами усиления по току и развязывающие транзистор с низкими коэффициентами усиления, Это позволяет исклюме хранения на шину 1 подае ный потенциал, определяющ жим работы схемы. Один из ртранзисторов и+(и 1) - рз - и, или з - из включен и насыщен, а другой ожим, последний) выключен, При ии повышается потенциал на шине 1. ч с включенного плеча триггера (наснимается сигнал, определяющийинформацию, Для записи инфоршину 4 подается открывающий по483710 Предмет изобретения Составитель В. Баринов Техред Т. МироноваКорректор О. Тюрина Редактор Л. Утехина Заказ 857 Изд,74 Тираж 648 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 3тенциал. При этом понижается потенциал базы рг, и открывается транзистор и+ (а) -- Рз - пз Ячейка памяти, содержащая полупроводниковую подложку со скрытым сильно легированным слоем, на подложке расположен эпитаксиальный слой противоположного типа проводимости с диффузионной инжектирующей и базовыми областями, причем каждая базовая область содержит первую и вторую коллекторные области, каждая первая коллекторная область соединена с противополож ной базовой, отличающаяся тем, что, сцелью повышения помехоустойчивости и надежности ее работы, сильно легированный скрытый слой расположен под инжектирующей и теми коллекторными диффузионными 10 областями, которые соединены с противоположными базовыми областями.
СмотретьЗаявка
1923018, 29.05.1973
МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
БАРИНОВ ВИКТОР ВЛАДИМИРОВИЧ, КОНТАРЕВ ВЛАДИМИР ЯКОВЛЕВИЧ, КРАМАРЕНКО ОЛЕГ ЛЕОНИДОВИЧ, МОШКИН ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ, ОРЛИКОВСКИЙ АЛЕКСАНДР АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Опубликовано: 05.09.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-483710-yachejjka-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Ячейка памяти</a>
Устройство для непрерывной вулканизации длинномерных изделий в псевдоожиженном слое1изобретение относится к области вулканизации (полимеризации) длинномерных изделий в псевдоожиженном слое и может быть использо
Номер патента: 434022
Опубликовано: 30.06.1974
Авторы: Гвоздев, Киселев, Кочержинский, Медведев, Петрунин
МПК: B29C 35/06
Метки: быть, вулканизации, длинномерных, использо, может, непрерывной, области, относится, полимеризации, псевдоожиженном, слое, слое1изобретение
...камеры 1 выполнен с 1.1-образным продольным сечением, обращенным вершиной навстречу подаче обрабатываемого изделия, и посредством узкой щелевидной горловины 6 и диффузора 7 соединен о воздуховодом 4. На продольных стенках камеры 1 смонтированы вихреобразователи 8, выполненные в виде наклонных пластин (см. фиг. 2), установленных рядами вдоль движения изделия с чередованием направления наклона, например, в шахматном порядке.Работа устройства осуществляется следующим образом.Обрабатываемое изделие 9, например обрезиненная ткань, непрерывно подается по центру камеры 1 снизу и отводится сверху. В камеру через воздуховод подается ожижающий агент, например нагретвш газ, скорость которого в щелевидной горловине б достаточна для предотвращения...
Способ операционного контроля ионно-легированных слоев
Номер патента: 1559983
Опубликовано: 09.01.1995
Автор: Маковийчук
МПК: H01L 21/66
Метки: ионно-легированных, операционного, слоев
СПОСОБ ОПЕРАЦИОННОГО КОНТРОЛЯ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ, включающий пропускание постоянного стабилизированного электрического тока через ионно-легированный слой, измерение разности потенциалов и ее флуктуаций и определение по ним электрофизических параметров слоя, по которым судят о его дефектности, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и экспрессности измерений, а также повышения их информативности, разность потенциалов и ее флуктуаций измеряют совместно за один цикл пропускания тока, выделяют 1/f составляющую шума из спектра флуктуаций, на основании полученных значений определяют сопротивление слоя, спектральную плотность флуктуаций типа 1/f и их взаимосвязь.
Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним
Номер патента: 1424638
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Васильев, Герасименко, Калинин
МПК: H01L 21/28
Метки: контактов, кремния, легированных, мелких, ним, слоев
Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним, включающий ионную имплантацию примеси и кремний, постимплантационный отжиг, нанесение пленки силицидообразующего металла и термический нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств n-p-переходов за счет формирования мелких n-p-переходов в бездефектной области кремния, пленку силицидообразующего металла наносят толщиной от где Rp - проецированная длина пробега ионов примеси; Rp - рассеяние величины проецированного пробега ионов примеси;...
Способ формирования контактных отверстий к областям -типа интегральных схем
Номер патента: 1313257
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Верходанов, Камбалин, Титов, Эрмантраут
МПК: H01L 21/265
Метки: интегральных, контактных, областям, отверстий, схем, типа, формирования
...Удаляют маску и под" ложкц подвергают облучению ионамиазота в диапазоне энергий 15-100 кзВи доэ 1 О -5 10 си . Для сравце 14 1 аиия облучению подвергают только поДоза Ионов аоа, си Энергиянапав Параметр Етте.ттвевтеетттие ет тееев ттЕтвввее 1 С 10 10 4 ф 10еееей твеее азота,кзВ5 10 49 ОО 100 84 "11 ОтсутствиеоплавленилФСС Отношение вьжадаГо,плых контактные 1,1.отверсти:Й в %к дале аабраковелньжпо аатвкщппа кантапчьиотверстнЦ, ре,эмерсонЗхЗ мкм В % у 2лави 11 у каждой подложки, в результатецеоблучецнал часть подложки изготав"лццлстсл ц саатлетст 1 ии с црототипойеПосле облучения подложки отжигдютпри 1000 С в течение 30 мин для оплавлеццл слоя ФСС. Дпл сравнешгл прототипа и предлагаемого способа на изготовленных та" кцм образом...
Ячейка памяти
Номер патента: 1361627
Опубликовано: 23.12.1987
МПК: G11C 11/40
...слое 2 р-типа у боковой поверх 272ности 7 углубления и отделен от затвора слоем 1 О параэлектрика (транзистор типа металл-параэлектрик -полупроводник). Одновременно в структуре сформирован МДП-транзистор совстроенным каналом п-типа, истокомкоторого является полупроводниковыйслой 9 в месте его контакта 15 сослоем 13, стоком - шина 17, затво- "ром - слой 9, а канал образуется вслое 13,В режиме хранения напряжение нашине 23 строки равно нулю, МДП-транзистор 21 закрыт и бистабильный элемент отключен от шины 24 столбца,При записи на шине столбца устанавливается напряжение логического нуля или логической единицы, После этого на шину строки 23 подается импульс, отпирающий МДП-транзистор 21.,При считывании на шине 24 столбцапредварительно...
Предыдущий патент: Элемент памяти
Следующий патент: Устройство для извлечения многозначного ответа из ассоциативного накопителя
Случайный патент: 334490