Ячейка памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 483710
Авторы: Баринов, Контарев, Крамаренко, Мошкин, Орликовский
Текст
ПИСАЙИЕ ОБРЕТЕНИЯ4837 Санга Советски оциалистическ И еспубл ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС) Заявлено 29,05.73 (21) 1923018/18-2 присоединением заявки32) При Гасударственные комитет Совета. Министров СССР по делам изобретений тет 53) УДК 681.327(088 публиковано 05.09,75. Бюллетень33 открыта исания 10.02.76 Дат ликова(72) Авторыизобрете В, В. Баринов, В. Я. Контарев, О, Л, Крамаренко,В, И, Мошкин и А, А. Орликовский Московский институт электронной техники71) Заявител 4) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ чить паразитные токи и повысить помехоустойчивость.Эта цель достигается за счет расположения сильно легированного скрытого слоя под инжектирующей областью и теми коллекторными областями, которые соединены с противоположными базовыми областями.Структура ячейки памяти представлена на чертеже.Ячейка содержит полупроводниковую подложку р, эпитаксиальный слой гг, со скрытым сильно легированным слоем и+, инжектирующую область рь базовые области рз и рз, коллекторные области пз, из, из, ггз, вывод инжектора 1, шину адреса 2 и разрядные шины 3 и 4.Ячейка памяти работает следующим образом. тся поий тот игВ реж20 ложительковый ргерныхп+ (и,) - р(предпол25 считыванПри этошине 3)хранимуюмации н Изобретение относится к области полупроводниковых интегральных схем памяти и может быть использовано в оперативных ЗУ ЦВМ среднего и высокого быстродействия.Известны ячейки памяти, представляющие собой триггер с нагрузочными и развязывающими транзисторами, выполненными в структуре с совмещенными диффузионными областями, Такая ячейка памяти изготовляется в одном изолированном кармане в эпитаксиальной пленке п-типа со скрытым сильно легированным и+-слоем, расположенной на подложке р-типа проводимости, В эпитаксиальной пленке созданы базовые и инжектирующая области р-типа, причем каждая базовая область содержит по две коллекторные области. Скрытый п+-слой расположен под всей структурой и служит сильно легированным эмиттером п - р - п-транзисторов, которые в этом случае работают в инверсном режиме. Низкая помехоустойчивость известной структуры обусловлена наличием больших паразитных токов в разрядных шинах,Целью изобретения является разработка структуры ячейки памяти, совмещающей триггерные транзисторы с высокими инверсными коэффициентами усиления по току и развязывающие транзистор с низкими коэффициентами усиления, Это позволяет исклюме хранения на шину 1 подае ный потенциал, определяющ жим работы схемы. Один из ртранзисторов и+(и 1) - рз - и, или з - из включен и насыщен, а другой ожим, последний) выключен, При ии повышается потенциал на шине 1. ч с включенного плеча триггера (наснимается сигнал, определяющийинформацию, Для записи инфоршину 4 подается открывающий по483710 Предмет изобретения Составитель В. Баринов Техред Т. МироноваКорректор О. Тюрина Редактор Л. Утехина Заказ 857 Изд,74 Тираж 648 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 3тенциал. При этом понижается потенциал базы рг, и открывается транзистор и+ (а) -- Рз - пз Ячейка памяти, содержащая полупроводниковую подложку со скрытым сильно легированным слоем, на подложке расположен эпитаксиальный слой противоположного типа проводимости с диффузионной инжектирующей и базовыми областями, причем каждая базовая область содержит первую и вторую коллекторные области, каждая первая коллекторная область соединена с противополож ной базовой, отличающаяся тем, что, сцелью повышения помехоустойчивости и надежности ее работы, сильно легированный скрытый слой расположен под инжектирующей и теми коллекторными диффузионными 10 областями, которые соединены с противоположными базовыми областями.
СмотретьЗаявка
1923018, 29.05.1973
МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
БАРИНОВ ВИКТОР ВЛАДИМИРОВИЧ, КОНТАРЕВ ВЛАДИМИР ЯКОВЛЕВИЧ, КРАМАРЕНКО ОЛЕГ ЛЕОНИДОВИЧ, МОШКИН ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ, ОРЛИКОВСКИЙ АЛЕКСАНДР АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Опубликовано: 05.09.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-483710-yachejjka-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Ячейка памяти</a>
Предыдущий патент: Элемент памяти
Следующий патент: Устройство для извлечения многозначного ответа из ассоциативного накопителя
Случайный патент: Вегетационный сосуд