Ячейка памяти

Номер патента: 434022

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Гвоздев, Киселев, Кочержинский, Медведев, Петрунин

МПК: B29C 35/06

Метки: быть, вулканизации, длинномерных, использо, может, непрерывной, области, относится, полимеризации, псевдоожиженном, слое, слое1изобретение

...камеры 1 выполнен с 1.1-образным продольным сечением, обращенным вершиной навстречу подаче обрабатываемого изделия, и посредством узкой щелевидной горловины 6 и диффузора 7 соединен о воздуховодом 4. На продольных стенках камеры 1 смонтированы вихреобразователи 8, выполненные в виде наклонных пластин (см. фиг. 2), установленных рядами вдоль движения изделия с чередованием направления наклона, например, в шахматном порядке.Работа устройства осуществляется следующим образом.Обрабатываемое изделие 9, например обрезиненная ткань, непрерывно подается по центру камеры 1 снизу и отводится сверху. В камеру через воздуховод подается ожижающий агент, например нагретвш газ, скорость которого в щелевидной горловине б достаточна для предотвращения...

Номер патента: 1559983

Опубликовано: 09.01.1995

Автор: Маковийчук

МПК: H01L 21/66

Метки: ионно-легированных, операционного, слоев

СПОСОБ ОПЕРАЦИОННОГО КОНТРОЛЯ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ, включающий пропускание постоянного стабилизированного электрического тока через ионно-легированный слой, измерение разности потенциалов и ее флуктуаций и определение по ним электрофизических параметров слоя, по которым судят о его дефектности, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и экспрессности измерений, а также повышения их информативности, разность потенциалов и ее флуктуаций измеряют совместно за один цикл пропускания тока, выделяют 1/f составляющую шума из спектра флуктуаций, на основании полученных значений определяют сопротивление слоя, спектральную плотность флуктуаций типа 1/f и их взаимосвязь.

Номер патента: 1424638

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Калинин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремния, легированных, мелких, ним, слоев

Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним, включающий ионную имплантацию примеси и кремний, постимплантационный отжиг, нанесение пленки силицидообразующего металла и термический нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств n-p-переходов за счет формирования мелких n-p-переходов в бездефектной области кремния, пленку силицидообразующего металла наносят толщиной от где Rp - проецированная длина пробега ионов примеси; Rp - рассеяние величины проецированного пробега ионов примеси;...

Номер патента: 1313257

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин, Титов, Эрмантраут

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, контактных, областям, отверстий, схем, типа, формирования

...Удаляют маску и под" ложкц подвергают облучению ионамиазота в диапазоне энергий 15-100 кзВи доэ 1 О -5 10 си . Для сравце 14 1 аиия облучению подвергают только поДоза Ионов аоа, си Энергиянапав Параметр Етте.ттвевтеетттие ет тееев ттЕтвввее 1 С 10 10 4 ф 10еееей твеее азота,кзВ5 10 49 ОО 100 84 "11 ОтсутствиеоплавленилФСС Отношение вьжадаГо,плых контактные 1,1.отверсти:Й в %к дале аабраковелньжпо аатвкщппа кантапчьиотверстнЦ, ре,эмерсонЗхЗ мкм В % у 2лави 11 у каждой подложки, в результатецеоблучецнал часть подложки изготав"лццлстсл ц саатлетст 1 ии с црототипойеПосле облучения подложки отжигдютпри 1000 С в течение 30 мин для оплавлеццл слоя ФСС. Дпл сравнешгл прототипа и предлагаемого способа на изготовленных та" кцм образом...

Номер патента: 1361627

Опубликовано: 23.12.1987

Авторы: Аваев, Наумов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...слое 2 р-типа у боковой поверх 272ности 7 углубления и отделен от затвора слоем 1 О параэлектрика (транзистор типа металл-параэлектрик -полупроводник). Одновременно в структуре сформирован МДП-транзистор совстроенным каналом п-типа, истокомкоторого является полупроводниковыйслой 9 в месте его контакта 15 сослоем 13, стоком - шина 17, затво- "ром - слой 9, а канал образуется вслое 13,В режиме хранения напряжение нашине 23 строки равно нулю, МДП-транзистор 21 закрыт и бистабильный элемент отключен от шины 24 столбца,При записи на шине столбца устанавливается напряжение логического нуля или логической единицы, После этого на шину строки 23 подается импульс, отпирающий МДП-транзистор 21.,При считывании на шине 24 столбцапредварительно...