Диодно-конденсаторная ячейка памяти

) 483714 Союз Советских Социалистических Республик) Приорите Совета Министров СССРло делам изобретений(088,8) Опубликовано 05.09,75. Бюллетень3 и открыт опубликования описания 11,12.75(71) Заявител 4) ДИОДНО-КОНДЕНСАТОРНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ 15 Згишсь сигнала иаИ,)0 осуществляетЗдпомицяемьй ца коцредается цл выходячейки 1 срез полевой0 тирующий элемент 10,цсятор 6 и при ез диоды 1, 2.оре 6 уровень пено-конденсаторной Стор 7 и козреккодс я чср денсят диод тряцз Изобретеничислительнойзоваться приформации.Известны различные схемы дцодно-конденсаторных запоминающих устройств (ДКЗУ),Одним из недостатков указанных устройств является ограниченное время хранения, которое опредслястся утечками применяемых элементов, причем определяющими являются утечки диодов, подсоединяемых к конденсатору. е относится к апалоговои вытехнике и может испольсоздании систем обработки инУвеличение времени хранения в известных устройствах осуцсствляется зд счет стабилизации входного базового тока ц соответствующего ему выходного сигналя ицтеграторд при применении стабилизирующего усилительного каскада, Использовать этот способ для увеличения времени хранения сигнала в диодцо-конденсаторном зяомицгиощем устройстве не представляется возможным, так как в ДКЗУ основное влияние ця хранение оказывают утечки цолуцроводшковых диодов цепи записи н стирания, д в указанном интеграторе -- входной ток усилителя интегратора,Цель изобретения - увеличиь ремя храцения аналогового сигнала при несложном схемном решении,Указанная цель достигается тем, что к истоку полевого транзистора подсоединен корректирующий элемент, выход которого соединен с ключом стирания и катодом диодастирания и анодом диода обратной связи, катод которого соединен с катодом дополнительного диода записи, яцод которого соединен со входом ячейки и через резистор - сшиной нулевого потенциала.Иа чертеже 1 представленд схема предложенной диодно-конденсаторной ячейки памяти, где 1, 2 - диоды цепи записи, 3 -диод обратной связи, 4 - диод стирания,5 -- резистор обратной связи, 6 - запоминающий конденсатор, 7полеой транзистор, 8 - - цлгрузочцый резистор полевоготранзистора, 0 . диодцо-конденсаторный элемент яндтц, 10 -- корректирующий элемент,1 - ключ стир;цця. И И, ИИсоответственно входной, выходной, дополнительный выходной и сцгцлл стирания, 11потьчщиял точки а, И, - напряжение зяпомиилющего конденсатора,("1 Составитель Р. Яворская Техрсд Т. Миронова Корректор Н. Лебедева Редактор В, фельдма Заказ 3006/18ЦНИИП Изд.987 Государственного по делам изо Москва, Ж, Тирани 648комитета Совета Мннистробретений и открытийРаушская наб., д. 45 ПодписноССР я, пр Сапунова,ипог При соответствующем выборе параметров коректирующей цепи выходное напряжение схемы с некоторым приближением равно уровню, запоминаемому на конденсаторе памяти 6. В результате обратное напряжение, прикладываемое к диоду 4, и его ток утечки в значительной степени снижаются и в идеальном случае равны 0.Ток утечки через диод 2 снижается при включении диода 3 между выходом схемы и анодом диода 2. Реально необходимо выдержать некоторые условия, обеспечивающие стабильность режима хранения аналогового сигнала: в 7 с = сУс - 7 а =с,где д, с - сколь угодно малые, но положительные (а, в)0) значения во всем диапазоне изменения входного сигнала Ив.Ограничения, накладываемые на величины а и в, определяются конкретными условиями применения диодно-конденсаторной ячейки памяти (например, дрейфом элементов).Корректирующий элемент 10 применяется для исправления передачи характеристики полевого транзистора 7 и в общем случае является нелинейным функциональным преобразователем, В простейшем случае это может быть схема диодного ограничителя, состоящего из одного диода, трех сопротивлений и дифференциального усилителя постоянного тока (при двух отрезках линейной аппроксимации). Для более точной коррекции можно увеличить число отрезков аппроксимации, однако реально, их число не должно превышать 3 - 4 вследствие слабой нелинейности передаточной характеристики полевого транзистора, которую корректирует элемент 10,Таким образом, в простейшем случае схема корректирующего элемента несложна. При значительном разбросе передаточных характеристик полевых транзисторов для получения хорошего эффекта от применения корректирующего элемента необходимо применять подстроечные сопротивления для выбора требуемого режима работы дифференциального усилителя постоянного тока.С учетом изложенного время хранения аналогового сигнала может быть увеличено по сравнению с известными схемами, не использующими корректирующих обратных связей на три и более порядков,Предмет изобретения 20 Диодно-конденсаторная ячейка памяти, содержащая диодно-конденсаторный элемент, состоящий из диода записи, катод которого соединен с анодом диода стирания, одной из обкладок запоминающего конденсатора и с 25 затвором полевого транзистора, сток которогосоединен с шиной питания, исток - через резистор - с шиной нулевого потенциала, отличающееся тем, что, с целью увеличения времени и точности хранения, к исто ку полевого транзистора подсоединен корректирующий элемент, выход которого соединен с ключом стирания, катодом диода стирания и анодом диода обратной связи, катод которого соединен с катодом дополнительного ди ода записи, анод которого соединен со входомячейки и через резистор с шиной нулевого потенциала.