Матрица оптической памяти

ГГ0 П И С А Н И Е (и) 469992 ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик 61) Дополнительное к авт, свид-ву(23) ПриоритетОпубликовано 05.05,75. Бюллетень17Дата опубликования описания 05.08.75 осударственнын квинтетСовета Мнннстроа СССРпо делам нэооретеннйн открытий(71) Заявите Институт металлургии им. А, А. Байкова(54) МАТРИЦА ОПТИЧЕСКОЙ ПАМ Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть применено,в ЗУ для многократной записи и стирания информации при помощи облучения носителя,инрормации в ячейках матрицы сфокусированным лучом лазера,Известны матрицы оптической памяти, содержащие подложку с нанесенным на,нее слоем рабочего материала - халькогенидного полупроводника,и,нанесенное поверх рабочего слоя прозрачное защитное термостойкое покрытие. В этих матрицах механизм записи и стирания информации основан на свойстве некоторых халькогенидных полупроводников обратимо изменять под воздействием луча лазера и свое фазовое состояние тем самым коэффициенты поглощения и отражения светового потока,Однако в таких матрицах каждый цикл записи и стирания информации сопровождается усилием неоднородности химического состава рабочего материала в области воздействия луча лазера. Из-за этого при осуществлении сравнительно небольшого числа циклов запись - стирание, рабочий материал настолько изменяет свой химический состав, что,матрица выходит из строя.Цель изобретения состоит в том, чтобы создать стабильно работающую матрицу. Отличительной чертой данной матрицы является то, что рабочий материал наносится несплошным слоем, а в виде дискретных ячеек,которые окружены со всех сторон термостойким веществом, инертный по отношению к рабочему материалу внутри ячеек. При этом вещество, окружающее ячейки хотя бы с однойиз сторон, должно быть прозрачно для лучалазера. Размеры ячеек должны быть соизме 1 О римы с размерами экспериментально наблюдаемых проводяших шнуров в рабочем материале (обычно 5 мкм). В предлагаемой матрицеразмеры ячеек в трех измерениях должныбыть от 1 до 5 мкм.15 На чертеже показана матрица,Матрица состоит из подложки 1, термостойкого вещества 2, ячейки 3 с рабочим материалом и защитного покрытия 4,При записи и стирании информации с помощью луча лазера происходит импульсный нагрев и затем быстрое охлаждение локальныхмикрообъемов слоя рабочего материала, что ивызывает фазовые переходы в нем (аморфный - кристаллический - жидкий - аморфный и т. д.). Возникающие при этом большиеградиенты температуры, особенно при наличии больших объемов вещества, способствуютразвитию диффузии различных компонентоврабочего материала в соответствии с гради469992 Предмет изобретения Составитель В. СтраховТехред Т, Миронова Редактор Л, Утехина Корректор И. Позняковская Заказ 186512 Изд675 Тираж 648 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, К, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 ентом температуры. Поэтому многократные повторения циклов записи и стирания информации приводят к усилению неравномерности химического состава рабочего материала в облучаемой зоне, в результате нарушается кинетика фазовых переходов и усиливается неоднородность оптических характеристик материала. В замкнутых ячейках малого размера градиент температур значительно меньше, поэтому изменения химического состава при цикличвском нагреве и охлаждении не могут получить существенного развития. Из-за ограниченности объема вещества в ячейке быстро устанавливается равновесный химический состав, и длительное время сохраняются свойства вещества. Запись и стирание единичной информации можно проводить параллельно в нескольких ячейках, что позволяет повысить надежность матрицы. 5Матрица оптической памяти, содержащаяподложку, нанесенный на нее рабочий слой 10 халькогенидного полупроводника и нанесенное поверх рабочего слоя прозрачное защитное термостойкое покрытие, о т л и ч а ю щ а яс я тем, что, с целью стабилизации ее характеристик, в ней рабочий слой халькогенидного 15 полупроводника выполнен в виде дискретныхячеек с линейными размерами от 1 до 5 мкм.