Туннельно-диодно-транзисторная ячейка памяти

Номер патента: 466550

Авторы: Назаров, Трусевич

ZIP архив

Текст

ч Яфв,т0 П И С А Н И Е1111 466 ЯО Союз Советских Социалистических Республик(51) б 11 с 1 Гасударственные комитет Совета Министров СССР 3) УДК 681.327(088,8) елам изобретеии и открытий та опубликования описан 26.06.7(71) Заявитель ЧЕЙКА ПАМЯТ 4) ТУННЕЛЪНО-ДИОДНО-ТРАНЗИСТОР Яче диодь вания резис денса ренци 1 - 9, обращенные ранзисторы считыистор нагрузки 14, аторы 18, 19, Конобразуют диффеика содерж 1 О, 11 (пар 12 и записи оры 15 - 17 ор 18 и ре рующее звент диоды а Гото) 13, трап и конден истор 1 15 ание устщно стью, по цепям ыстродейЦел ройств больш записи ствием изооретен меньшейнагрузочно считывая я является созд потребляемой м й способностью я и большим б и и ельного тактового имывания 12 эмиттерным 10 в низковольтное, вольтное нулевое соэта цель достиом транзистора ары Гото вклюру транзистора 25 транзистор надключен к шине рез резистор ко ад напряжения диффером и персдним фроний транзистор записи. епи транзистора считыпара Гота, находится в ьтном) состоянии, и ма ячейки. 30 Предлагаемое устройство относится к области вычислительной техники,Известна туннельно-диодно-транзисторнаяячейка памяти, содержащая два транзистора,два обращенных диода, дифференцирующую 5цепь, диоды развязки и фиксации.Однако в известном устройстве считывающий транзистор, подключенный непосредственно к средней точке пары Гото, не обеспечиваетвысокой нагрузочной способности по цепи считывания, а наличие резистора в коллекторнойцепи транзистора записи не позволяет получить высокую нагрузочную способность по цепи записи. В предлагаемом устройстве гается тем, что между эмиттер считывания и средней точкой и чен девятый диод, к коллекто записи подключен эмиттером грузки, коллектор которого по источника питания, а база - че второй тактовой шине.На чертеже представлена с Ячейка работает следующим образом.При отпирании транзистора записи 13 в его коллекторной цепи течет ток, который переключает триггер на обращенных диодах 10 и 11 в единичное состояние. При этом диод 10 находится в высоковольтном состоянии, а диод - 11 - в низковольтном. Так как транзистор нагрузки 14 заперт (тактовое напряжение в его базовой цепи отсутствует), то весь ток транзистора записи 13 используется для записи на М аналогичных ячеек,При подаче отрицатпульса транзистор считтоком переводит диода диод 11 - в высокстояние.Отрицательный переренцируется конденсаттом отпирает следующДиод 9 в эмиттерной цвания 12 заперт, еслинулевом (высоковол466550 Предмет изобретения Составитель Ю, Трусевич едактор Л. Утехина Техред Е. Подурушина Корректор Н. АукЗаказ 143515ЦНИИ Тираж 648Совета Министрои открытийя наб., д. 4/5 Изд, Ме 643осударственного комитет по делам изобретени Москва, Ж, Раушс ПодписпоСССР пография, пр, Сапунова, 2 транзистор записи 13 считывает со следующих Ж - 1 ячеек, из которых т ячеек могут находиться в единичном состоянии (к(У - 1),При подаче тактового напряжения в базовую цепь нагрузочного транзистора 14 его эмиттерный ток восстанавливает начальные значения напряжений на конденсаторе 19 и на коллекторе транзистора записи 13. Таким образом, осуществляется передача сигнала по ячейкам в каждом такте,Диоды 1, 2 и 7 служат для развязки ячеек между собой при подключении У - 1 параллельных ячеек. Диод 3 обеспечивает протекание тока считывания через нижний обращенный диод пары Гото, Диоды 4, 5 фиксируют напряжение тактового импульса, ограничивая его при больших амплитудах. Диод 6 служит для быстрого восстановления начального напряжения на конденсаторе 18 после записи, а диод 8 - для восстановления напряжения на конденсаторе 19. Диод 9 служит для расширения нагрузочной способности и развязки обращенных диодов при подключении У - 1 ячеек к транзистору считывания.Конденсатор 19 обеспечивает развязку в цепи питания. Туннельно-диодно-транзисторная ячейка памяти, содержащая пару Гото, к средней точке 5 которой подключены два последовательно соединенных диода и дифференцирующее звено, третий диод, включенный между шиной источника смещения и парой Гото, транзистор считывания, к базе которого подключены после довательно соединенные четвертый и пятыйдиоды и резистор, подключенный к первой тактовой шине, а к коллектору - шина питания; транзистор записи, база которого через конденсатор дифференцирующего звена под ключена к средней точке пары Гото и к анодушестого диода, катод которого соединен с шиной нулевого потенциала, коллектор транзистора записи через разделительный конденсатор подключен к средней точке последова тельно соединенных седьмого и восьмого диодов, отличающаяся тем, что, с целью повышения быстродействия, между эмиттером транзистора считывания и средней точкой пары Гото включен девятый диод; к коллектору 25 транзистора записи подключен эмиттеромтранзистор нагрузки, коллектор которого подключен к шине источника питания, а база - через резистор ко второй тактовой шине.

Смотреть

Заявка

1751138, 21.02.1972

ТРУСЕВИЧ ЮРИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ, НАЗАРОВ ОЛЕГ ПЕТРОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 11/38

Метки: памяти, туннельно-диодно-транзисторная, ячейка

Опубликовано: 05.04.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-466550-tunnelno-diodno-tranzistornaya-yachejjka-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Туннельно-диодно-транзисторная ячейка памяти</a>

Похожие патенты