Динамический элемени памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 627541
Авторы: Баринов, Орликовский, Подопригора
Текст
О Л И С А"И"Й Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик, Кл011 С 11/ рисоединеиием заявки-аудвратвенвый ваматвтавета Мвввстрав СССРаа делам вэаарвтевнви аткрытийЬ) Дата опубликован описания 18.08,орибретеиия Н. А, Подопригора, В. В. Баринов и Орликэвский 1) Заявитель овский институт э ннэй техники ДИНАМИЧЕСКИИ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯ иод и одключен иттер транница. Рие на слэ -апряже ется н зрядИзобретение относится к полупроводниковым схемам памяти на биполярных транзисторах, может быть испэльзоввно в различнътх устройствах,кранения информации. 5Известны динамические элементы памяти (ДЗП) на бипэляоных полупроводниковых приборах 1. В каждом из них информация хранится в виде заряда на емкости обратносмещенногэ р п-перехода, тоНаиболее близэк к предлагаемому динамический элемент памяти, содержвший и-р-и транзистор, эмиттер которогэ сэе"диней сэ словарной шиной, коллектор - с разрядной шиной, а база - с катодомт 5 диода, причем анод диода соединен с адресной шиной 2).Для управления этим ДЗП испэльэуются три шины с большим кэличеством пересечений, чтэ снижает надежность 20 элемента и увеличивает габариты эапэминаюшего устрэйства (ЗУ). Цель изобретения - повышение наде ти элемента. Достигается она тем,зисторв.На фиг. 1 представлена принципиальная электрическая схема предлагаемогоДЭП, пв фиг, 2 - временная диаграммаего работы.ДЭП содержит и-р-л транзистэр 1,барьерную емкость 2 базо-коллектэрногор-тт-перехода (емкость хранения); диод3, словарную шину 4, разрядную шину 5.К слэварной шине подключены эмиттертранзистора и внэд диода, катод диэдаподключен к базе транэистэрв, а к эллектэр пэследнегэ - к разрядной шине.На диаграмме обозначены:О - изменение напряжения не словарной шине4, б - изменение напряжения на разрядной шине 5, в - изменение тока в разряднэй шине 5,Предлагаемый элемент памя ет следующим эбразэм,На этапе записывается ед это время пэвышается н варной шине 4 и пэнижа гэй шине 5, открывается диод и заряжа627541 Составитель Н. Подопригораедактор Б. Федотов Техред Н. Бабурка Корректор Д. Мельниченк 634/50 Тираж 717 ЦН 1 ИПИ Государственногопо дедам изобрете 113035,Москва,Ж, Р Подписноеета Министров СССР омитетаний и откущская н, д.4/ илиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектна ется емкость. На этапахиобеспечивается режим хранения.На этапе 1 происходит считывание еди ницы за счет понижения потенциала на саовар ной шине 4. Емкость перезаряжается че рез базовую цепь и эмиттерный р-и-пере-ход транэйстора усиливается, и в разряд ной шине 5 появляется импульс тока 2. На этапесчитывается нуль, и в разрядной шине 5 появляетсЯ импульс помехи д, который во много раз меньше1 О импульса г,Благодаря уменьшению количества шин управления ДЭП сокращаются площадь ДЭП и ИС, количество взаимопересе35 чений шин управления и существенно новышается надежность З на предлагаемомДЭП,Ф ормула изобретения. Динамический элемент памяти, содержащий -р- д транзистор, эмиттер котррого соединен со словарной шиной, коллектор - с разрядной шиной, а база - скатодом диода, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения его надежности, анод диода подключен к эмиттерутранзистора.Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе:1. Патент США М 3898483,307-238, 18.10,73.
СмотретьЗаявка
2359814, 11.05.1976
МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
ПОДОПРИГОРА НИКОЛАЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, БАРИНОВ ВИКТОР ВЛАДИМИРОВИЧ, ОРЛИКОВСКИЙ АЛЕКСАНДР АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Метки: динамический, памяти, элемени
Опубликовано: 05.10.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-627541-dinamicheskijj-ehlemeni-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Динамический элемени памяти</a>
Предыдущий патент: Доменное запоминающее устройство с произвольным доступом
Следующий патент: Постоянное запоминающее устройство с фазо-импульсным представлением чисел
Случайный патент: Способ получения дикальцийфосфата