Элемент памяти

о 628536 Своз СоветскихСоциалистическихРеспублик К АВТОУСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ полиительиое к авт, свиа-ву 23907/1(23) Приоритет явки ооударстввнный комитетСовета Министров СССРоо долам иэабретонийн открытий Опубликован) Дата опубликования аиия 6.69.7 И. Золотарев и(72) Авторы изобретен Ракиги 71) Заявител ЭЛЕМЕНТ ЛАМ яна ение а- и- д та явл данияэлем ходящ чно габ ка неп гиалам ике с з неогр ется ди 1Изобретение относится к области вычис. лительной техники и может быть использовано для построения запоминающих устройств.Известны элементы памяти с использованием структур проводник - диэлектрик с пороговой поляризацией - полупроводник, служащие для долговременного хранения двоичной информации . Их недостатком является низкая степень ийтеграции н сложность записи аналоговой информации.Наиболее близким по технической сущности к изобретение является элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку, слой диэлектрика с пороговой поляризацией, на котором расположен числовой электрод, а также диффузионные шины 12). Недостатком указанного элемен ется ограниченная возможность соз ннх матриц с высокой плотностью тов, так как диффузионные шины, в в их состав, должны быть достато ритные. Кроме того, известная ячей годна для работы с аналоговыми си так как запись заряд в лиэлектр роговой поляризацией происходит и ниченного источника, которым явля фузионная шина..10,78,Бюллетень38 Цель изобретения - уменьшение площади элемента,Это достигается тем, что предлагаемыйэлемент содержит установленные на полупроводниковой подложке последовательно расположенные диэлектрический слой и разрядный электрод, причем в диэлектрическомслое выполнен паз, в котором расположенслой диэлектрика с пороговой поляризацией.На фиг.изображен разрез описываемого элемента памяти; на фиг. 2 - располо.жение элементов в плоскости матрицы.Элемент памяти выполнен на полупроводниковой подложке 1, например, и-типа про.водимости. Подложка покрыта днэлектри.ческим слоем 2 с пазом 3, например, окисьюкремния, толщиной 2000 А. На слое 2 расположен разрядный электрод 4, образуяодин запоминающий МДП.конденсатор, итолщиной 20 А. В пазу 3 расположены слой5 диэлектрика с пороговой поляризацией,толщиной 600 А, н числовый электрод 6,образуя другой запоминающий МДП кон.денсатор, числовая 7 и разрядная 8 шины.Работа описываемого элемента памятиоснована на возможности захвата заряда вдиэлектрике запоминающего конденсатора ийа зависимости поверхностям о нм( нциалаподложки под ним от величины захваченного заряда,При записи вначале производится накопление зарядов в диэлектрике всех конденсаторов, подсоединенных к выбранной числовой шине 7, путем подачи на нее положительного импульса (40 В), Затем в ячейках тех разрядов, где диэлектрик в запоминающем конденсаторе должен остаться полностью илн частично разряженным, под электродом 4 накапливают неосновные носители, для чего на разрядные шины 8 подают отрицательный импульс напряжения с амплитудой, пропорциональной аналоговому сигналу, (Накопление носителей может быть ускорено, например, за счет фотогенерации или путем инжекции, из подложки, для чего в ней достаточно сделать общий для всей матрицы р - п-переход). После того как неосновные носители накопились на границе раздела слоев- 2, на числовую шину 7 подается отрицательный импульс ( 25 В) а напряжение с разрядных шин 8 снимается. В результате подвижные носители попадают под электрод 6 запоминающего конденсатора н частично нли полностью компенсируют ранее накопленный заряд в его диэлектрике,Прн считывании на числовую шину подается небольшое отрицательное напряжение (5 - .О В), 14 под элЕктродом 6 запомина ющего конденсатора накапливается заряд не- основных носителей, пропорциональный заряду, захваченному в его диэлектрике. Затем методом плавающего потенциала (по разрядной шине) происходит его считывание,а сам заряд потом инжекти 1)уется в подложку.Использование предлагаемого изобретения позволяет значительно повысить степень интеграцйн матриц на МДП-конденсаторах, так как из нх состава исключаются наиболее критичные к уменьшению разрядов компоненты, каковыми в настоящее время являются диффузионные шины. Прт существующей технологии изготовления интеграль.1 в ных схем плотность ячеек в матрице можетсоставлять 10 - 10 а ячеек на квадратный сантиметр, т. е, выше, чем в других ячейках полупроводниковой памяти, Возможность записи аналоговой информации эквивалентна повышению информационной емкости 1 а ЗУ на предлагаемых элементах. Формула изобретенияЭлемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку, слой диэлектрика сд20 пороговой поляризацией, на котором расположен числовой электрод, отличающийся темчто, с целью уменьшения площади элемента,он содержит установленные на полупроводниковой подложке последовательно расположенные диэлектрический слой и разрядныйэлектрод, причем в диэлектрическом слое выполнен паз, в котором расположен слой диэлектрика с пороговой поляризацией.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Патент США3590337,кл, 317 - 234, 972.2. Патент Франции2154620,кл. Н О д 1/00, 1972.РедакторЗакаа 58 О 4 Составитель Ю. УиТехред О. ЛуговаяТираж 7 Пственного коннтета Соделак изооретений иоскаа, Ж ЗЗ РаугнскаГ 1 атент, г. Ужгород С. Хейфиц/43ИИИПИ Госудано33035, Мфилиал ГП Г 1 КорректорГодоисноеетд Миннстрооткрыл ийнао д. 4/5ул Ироектна Л. Веселовск