Ячейка памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 631986
Автор: Иванков
Текст
631986 Своз Советских Соцмалистицескнх ЬспЕлии, Кл.11 С вием заявкиюоваво 0511,78 с присоедин (23) Приорит (43) 0 публик Йсуаарственний оинтет Совета Мнннетрое СССР а данаи нзабрвтеннй и отнрытнй,6 45) Дата опубликования описания 05.11.78(71) Заявитель ЯЧЕЙКА ПАМЯ Изобретение относится к области выьельной техники н может быть нсо в качестве элемента иамяти в устройствах автоматики немеханнки. числит ьзованЦВМ н ый тнрнсторныйащнй тнрнстор ст анзисто ы и Известен интегральнэлемент памяти, содержпродольной структурой, р р резисторы 1Однако такой элемент сложен в уп- равле нии. ескнм решэя ячейка пары, тиристо й резнсто торой реывания, ра о потенци соед энст рядн 20 имеет т пам яч днако этельныеность последовабующей слож и импульсов ные шины с раз ю управления, т ской схемы под ел ой считыва пи аиболее близким технич к изобретению являетс , содержащая транзнсто д: которого через первы ннен с шиной питания, ор, шину записи - счит ую шину и шину нулево 2 ль изобретения - упрощение ячей памяти,Поставленная цель достигается тем,что в предложенной ячейке управляющийэлектрод тнристора соединен через. второй резистор с коллектором первого трапзнстора база которого соединена с шиной записи-считывання, Эмиттер первоготранзистора соединен с базой второго транзистора, эмнттер .которого соединен с разрядной шиной, а коллектор -екатодом тиристора, анод которого соединен с шиной нулевого лотенцнала,На чертеже представлена электрнческая схема предложенной ячейки памяти,Она содержит тнристор 1, транзисторь.2, 3, резисторы 4, 5, шину 6 запнсисчитывання, разрядную шину 7, выходную клемму 8 н шину 9 питания,В выключенном состоянии тнрнсторана клемме 8 напряженке близко к напряженню источника питания, что соответствует "0 информации, .На управляющем электроде тнрнстора н коллекторетранзистора 2 присутствует напряжение,631986 ставитель А. Воронинхред О, Андрейко Корректор Д, Мельниченко Утехина дакт 6359/52 5ЦНИИПИ Госуд комитета Советаобретений и о113 , Ж, Раушска Тираж 67 арственного по делам из 035, Москва/5 наб тент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 П или полярность и величина которого такая же,что и на клемме 8.В такт записи и считывания разряднаяшина 7 коммутируется с шинОЙ нулевогопотенциала, 3При записи 1" на шину 6 подаетсяимпульс отрицательной полярности, Приетом открывшийся транзистор 2 черезтранзистор 3 включает тиристор 1,При повторной подаче импульса отрицательной поларности на шину 6, чтосоответствует записи "0, тиристор вьюключается ра счет тока протекающегочерез коллекторно-эмиттерный переходтранзистора 3, Этот ток снижает ток 3тиристора до величины, меньшей; чемток выключения, и тиристор выключается,Третий импульс включает тиристори те де ЗфВыходнью импульсы ф 1 ф и фО снимаются с клеммы 8.Наличие двух связанных транзисторовв пепи ущ)авлениа тиристора позволилосоздать простую схему включения и вы- Зключениа тиристора импульсами Одной подлярносщ, подаваемыми на один вход.Такое техническое решение снижаетан затраты на управление ячейками памяти, в которых применяютсятиристоры,Формула изобретения Ячейка памяти, содержащая транзисторы, тиристор, катод которого через первый резистор соединен с шиной питания, второй резистор, шину записисчитыания, разрядную шину и шину нулевого потенциала, о т л и ч а ю щ а яс я тем, что, с целью упрощения ячейки памяти, в ней управляющий электрод тиристора соединен через второй резистор с коллектором первого транзистора, база которого соединена с шиной записи-считывания; эмиттер первого транзистора соединен с базой второго транзистора, эмиттер которого соединен с разрядной шиной, а коллектор - с катодом ти,ристора, анод которого соединен с шиной нулевого потенциала.источникй информации, принятые во внимание при экспертизе;1, Авторское свидетельство СССР % 343299; кл. С, 11 С 11/00, 07.10.71.2. Авторское свидетельство СССР % 354471, кл.С, 11 С 11/40, 31.05.71.
СмотретьЗаявка
2028732, 03.06.1974
ИВАНКОВ ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/34
Опубликовано: 05.11.1978
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-631986-yachejjka-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Ячейка памяти</a>
Предыдущий патент: Запоминающее устройство
Следующий патент: Ячейка памяти на мдп-транзисторах
Случайный патент: Приспособление к шелкомотальным станкам для автоматического впуска пара в запарный таз