Ячейка памяти

63064 О Сооз Советскнх Соцвалистннескнх реслублнкОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(64) ЯЧЕЙКЛ ПЛМ Б ижайшей к заявля шению является я щая МДП-транзист го подключен к ши рядной шине и сток тывания, исток котинформационного твор которого по транзистора запис к конденсатора, иемому техническочейка пахяти, соор записи, затвор не записи, сток - у МДП-транзистоорого соединен соМДП-транзистодключен к истоку и и одной из общину считывания держа ,которо к раз ра счи стоком ра, за МДП- кларо Е 4 Изобретение относится к вычцслтельной технике и предназначено для использования в качестве элемента оперативных запоминающих устройств.Известны трехтранзисторные МДП-яче- ки памяти 1" 11, содержащие транзистор записи, транзистор считывания, информационный транзистор, разрядные шины, шины записи и соитывания, а также накопительный конденсатор. При одинаковом соединении элементов они имеют разл.чное поджлочение затворов транзисторов записи и считывания к соответствующим шинам, а тдкже разлиное подсоединюете соков этих транзисторов к разрядным штнам.К недостаткам этих ячеек относятся малое время хранения информации и низкое быстродействие,при считьввании. Прц работе ячейки в режле зап:.сцтранзистор записи отпирается и запцсывдемый уровень напряженця запоминается на накоптельном конденсаторе. Высокий уро вень напряжения, хранящийся на,конденсаторе, с течением времени теряется вследствие разряда емкости конденсатора током утечки р - а-перехода, причем для качестве:.ного очцтьввднця низкого выходного 0 уровня ячейки напряжение на конденсаторев тцпчных случаях может уменьшаться до уровня не ниже 3 Ьо, где (, - пороговое напряжение МДП-транзистора.Прототипу присущи те же недостатки,что и описанным аналогам, а именно: малое время хранения информации ц низкое быстродействие прц считывании.Цель изобретения - увеличение времени хранения и повышение бьстродействця 0 ячейки прц счтываццц.Поставленная цель достигается тем, чтов ячецке пдъят 1 вторая обкладка конденсатора подключена к затвору МДП-транзистора считывания и шине считывания, и ис ток иформационного МДП-транзисторак шине записи. Прс;тлагаемая ячевка памяти представлена на чертеже,Она содержит транзисторы счцтыванцч 00 1 и записи 2, стоки которых подключены кразрядной шине 3, исток транзистора 1 соединен со стоком информационного транзистора 4. Затвор транзистора 1 считывания и одна пз об(кладок конденсатора 5 под(ключены к шине б сч(итывания, Исток транзистора 2, а также другая о(бкладка конденсатора 5 подсоединены к затвору транзистора 4, Зат(вор транзи(стара 2 и (исток транзистора 4 подключены (к шине 7 записи.Ячейка (памяти ра(ботает в режимах записи, считывания и хранения информации.В режиме записи на (шине 7 (возбуждается (высокий уровень напряжения, и транзистор,2 открывается (транзистор 1 считывания (при этом находится,в открытом состоянии), Записываемый уровень напряжения (посту(пает (с разрядной (шины 3 на обплад(ку (конденсатора 5, соединенную с истоком транзистора 2 за(писи, При этом, если (в ячейку за(п(исывается высокий уровень на(пряжения, емкость конден(сатора резко возрастает, а если низкий уровень напряжения, емкость (конденсатора не изменяется (и имеет малое значение. После проведения за(плси информации транзистор 2 за(крывает(ая и ячейка наход(ипся в режиме хранения.В режиме считывания на шину б,подается (высокий уровень на(пряжения, транзистор 1 откры(вается, а транзистор 2 находиткя в закрытом самостоянии. Если,в конденсаторе 5 записан высоцкий уровень на(пряжения, то повышение напряжения на,шине б считывания (вызы(вает (соответлвующее (приращение напряжения на затворе информационного транзистора 4. В предельном случае это на(пряжение (повыщается до (величины Л=У, +У,4, где У 4 - напряжение на затворе информационного транзистора 4 после подключения высокого уровня напряжения на,шине б считывания; 1/, - на(пряжение на занворе ин(форгмационного транзистора 4 до (подключения, высокого уровня на(пряженпя на шине б считывания; У - ам(плитуда им(пульса считы(вания, подаваемого на шину считывания.(Повышение напряжения на,затворе лнформа(ционного транзистора 4:вызывает увеличение (величины тока, протекающего в (цепи транзисторов 1 и 4 и тем (самым павы(шение бьвстродейспвия при формировании низкого уро(вня,на(пряжения на выходе ячейки, С другой стороны, напряжение на конденсаторе 5 может уменьшаться вследствие наличия тока утечки до уровня напряжения, близкого к Уо, при этом за счет 5 эффекта (повышения напряжения на затворе информационного транзистора 4 при увеличении напряжения на шине счнтызания обеапечивается качественное считывание низкого уровня выходного напряжения 1 О ячейки.Е(сли же на конденсаторе 5 хранитсянизкий уровень напряжения (У,(Г/0), то приращение напряжения на зат(воре информационного транзи(стара 4 близко (к нулю и этот транзистор находится при считывании в закрытом состоянии.В связи с тем, что шина нулевого потенциала в (предлагаемой ячейке отсутствует, размеры ее значительно уменьшаются.Таким Образом, указанное включениеэлементов ячейки позволяет,повысить время хранения информа(ции(в три раза, а быстродейспвие ячейки (в режиме считывания - в два раза. За счет устранения шины 25 нулевого (потенциала существенно уменьшаются габариты ячейки в интегральном исполнении.Формула изобретения30Ячейка памяти, содержащая МДП-транзистор за(писи, затвор которого (подключен к шине записи, сто(к - ,к разрядной, шине и стоку МДП-транзистора считывания, исток 35 которого соеди(нен со стоком информационного МДП-транзистора, затвор которого подключен к истоку МДП-транзистора записи и одной из обкладок конденсатора, и шину считывания, отлич а ющаяс я 40 тем, что, (с целью повышения быстродействия ячейки и увеличения (времени хранения, в ней другая об(кладка конденсатора подключена к затвору МДП-транзистора считывания и шине считывания, а исток ин формационного МДП-транзистора подключен к ш(и,не за(писи.Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе:50 1. 1 ЕЕЕ Лоцгпа о 1 Яо 11(1, Яа 1 е С 1 геп 11 з,чо 1. ЯС - 8, 5, 1973, р. 252 - 257.2, Элакпроника,4, 1971, с. 33.Заказ 736/1166 Изд.675 Тираж 692 Подписное НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий