Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 1262998

Опубликовано: 20.05.1998

Авторы: Будаковский, Иванов, Петриченко

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, расплава

Устройство для выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава, включающее вертикальную печь, разделенную горизонтальной диафрагменной перегородкой на две зоны, размещенную внутри печи ампулу для расплава, выполненную в форме цилиндра с коническим дном и снабженную кожухом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов за счет стабилизации положения и формы фронта кристаллизации, устройство снабжено сосудом для хладагента, размещенным в нижней зоне печи, а нижний торец кожуха открыт и погружен в хладагент.

Номер патента: 1322728

Опубликовано: 27.03.1999

Автор: Мартынович

МПК: C30B 29/20, C30B 31/20

Метки: кристаллов, лазерной, основе, среды

Способ получения лазерной среды на основе кристаллов Al2O3 с центрами окраски путем облучения выращенного кристалла потоком быстрых нейтронов с последующей дезактивацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентрации центров окраски с полосой оптического поглощения в области длин волн 0,74 - 0,95 мкм и снижения оптических потерь в спектральной области генерации 0,92 - 1,15 мкм облучение ведут при плотности потока 1 1018 - 4 1024 нейтрон/см2 и после дезактивации кристалл нагревают до 600 - 830 К с...

Номер патента: 1550948

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Жвирблянский, Закоморный, Кац-Ванхадло, Киреев, Науменко, Успенская, Шагаров

МПК: C30B 15/02

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

1. Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее герметичную камеру роста с коаксиально расположенными тиглем для расплава и нагревателем, затравкодержатель, установленный над тиглем с возможностью вращения и осевого перемещения, защитный кожух для стержня из исходного материала с механизмом осевого перемещения стержня, установленный наклонно к вертикальной оси системы вакуумирования камеры роста и подачи в нее инертного газа, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет полунепрерывного режима работы, оно снабжено шлюзовой камерой для выращенного кристалла, размещенной по оси камеры роста и по крайней мере одной шлюзовой камерой для стержня из...

Номер патента: 1261328

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Жвирблянский, Кац-Ванхадло, Розенман, Шутова

МПК: C30B 15/10

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее тигель для расплава, размещенный в подставке, повторяющей его форму и установленной на плите, закрепленной на штоке, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов за счет снижения вибрации расплава, подставка снабжена основанием, установленным на шаровых опорах в виде вкладышей со сферическими рабочими поверхностями и взаимодействующим с ними шара, размещенных в проточках, выполненных в основании и плите, а отношение радиуса сферы вкладыша к радиусу шара составляет 10 - 100.

Номер патента: 570237

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Березин, Жвирблянский, Сухарев, Фрейман

МПК: C30B 15/28

Метки: взвешивания, вытягивания, диаметра, кристаллов, методом, расплава, регулированием

1. Устройство для вытягивания кристалла из расплава с регулирование его диаметра методом взвешивания, включающее герметичную камеру с тиглем и нагревателем, установленную над ней подвижную в вертикальной плоскости каретку, связанную с тягой кристалла и тягой эталонного стержня, расположенного в емкости с жидкостью, и датчик веса, электрически соединенный с системой управления процессом, отличающееся тем, что, с целью повышения точности регулирования диаметра кристалла и упрощения устройства, оно снабжено рычагом, опора которого установлена на каретке, а противоположные концы плеч соединены с тягой кристалла и тягой эталонного стержня, и датчик веса соединен с одним из плеч.2....

Номер патента: 1565084

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Иванов, Хулугуров, Чернышев, Шнейдер

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, фторида

Способ выращивания кристаллов фторида лития для лазерных элементов из его расплава, содержащего ионы гидроксила, в стеклографитовом или никелевом тигле в инертной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью удешевления продукции при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих лазерно-активные F+--центры в кристаллах, ионы гидроксила вводят в расплав путем добавки паров воды в инертную атмосферу при их парциальном давлении 20 - 30 мм рт.ст.

Номер патента: 1179699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Залетин, Лях, Ножкина, Рагозина

МПК: C30B 23/00, C30B 29/12

Метки: дийодида, кристаллов, ртути-hgj2

Способ получения кристаллов дийодида ртути - HgJ2, включающий статическую сублимацию дийодида ртути из его источника в зону осаждения в вакууме при температурном перепаде по длинам ампулы, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и повышения их качества, исходный дийодид ртути берут в количестве 0,55-0,75 г/см3 объема ампулы, дополнительно вводят свободный йод в количестве 0,01-0,03 мас.% от веса HgJ2, а процесс ведут при температурном градиенте в зоне осаждения 8-12 град/см и давлении (5-10) 10-3 Торр.

Номер патента: 940453

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Ильин, Ламбрев, Пеклер, Филатов

МПК: C01F 7/58

Метки: алюминия, кристаллов, хлористого

Способ получения кристаллов хлористого алюминия путем подвода паров последнего к охлаждаемой поверхности с последующим удалением закристаллизовавшегося продукта с этой поверхности, отличающийся тем, что, с целью получения однородных по гранулометрическому составу кристаллов размером до 10 мм и повышения производительности процесса, пары хлористого алюминия, имеющие температуру 160 - 195oC, подводят к поверхности, на которой происходит кристаллизация хлористого алюминия, имеющей температуру 40 - 120oC, со скоростью 0,03 - 0,5 см/с при избыточном давлении 0,001 - 0,7 кг/см2.

Номер патента: 1364146

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Кулешов, Панин, Редькин, Юнкин, Якимов

МПК: H01L 21/306

Метки: p-n-переходов, кадмия-ртути, кристаллов, основе, п-типа, проводимости, теллурида, формирования

Способ формирования р-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку кристаллов потоком ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества р-n-перехода за счет снижения радиационного воздействия на кристаллы, обработку проводят в плазме аргона ВЧ-разряда при давлении от 6,7 10-1 до 66,5 Па и величине удельной мощности на единицу поверхности от 0,6 до 1,3 Вт/см2.

Номер патента: 1450428

Опубликовано: 27.02.2000

Авторы: Голов, Матвеев, Молгачев

МПК: C30B 15/36, C30B 29/02

Метки: алюминия, выращивания, кристаллов

Способ выращивания кристаллов алюминия из расплава на затравку, ориентированную по оси <111> в вакууме не ниже 1 10-5 мм рт.ст., отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты кристаллов, выращивание ведут одновременно на затравку, ориентированную по оси <110> и параллельно присоединенную к затравке, ориентированной по оси <111>, со скоростью не более 60 мм/ч.

Номер патента: 1445280

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Геталов, Сербуленко, Яковлева

МПК: C30B 29/16, C30B 33/10

Метки: граней, кристаллов, парателлурита, селективный, травитель

Селективный травитель для граней {110} кристаллов парателлурита, содержащий углекислую соль щелочного металла и воду, отличающийся тем, что, с целью упрощения и сокращения времени травления, в качестве соли травитель содержит углекислый натрий и дополнительно гидроокись калия при следующем соотношении компонентов, мас.%:Углекислый натрий - 2-5Гидроокись калия - 10-20Вода - Остальное

Номер патента: 1579088

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Богомолов, Дульцев, Исаенко, Позднякова, Пыльнева

МПК: C30B 29/22, C30B 7/08

Метки: выращивания, затравочных, калия, кристаллов, пентабората

Способ выращивания затравочных кристаллов пентабората калия, включающий нагрев насыщенного водного раствора и кристаллизацию путем снижения температуры при спонтанном зарождении на кристаллоносце, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов изометричной формы с развитой поверхностью (001), в качестве кристаллоносца используют вертикальную поверхность, которую помещают в раствор после его нагрева, и выращивание ведут при рН раствора, равном 6-7.

Номер патента: 1345685

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Геталов, Сербуленко, Яковлева

МПК: C30B 29/16, C30B 33/10

Метки: граней, кристаллов, парателлурита, селективного, травления

Способ селективного травления граней {110} кристаллов парателлурита с удаленным нарушенным поверхностным слоем в водном растворе соединения щелочного металла при комнатной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения точности ориентации граней {110} методом световых фигур, травление осуществляют в 20-50%-ном водном растворе углекислого калия в течение 30-60 мин.

Номер патента: 593338

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Кидяров, Шелопут

МПК: C01B 35/00, C01B 7/00

Метки: водных, выращивания, кристаллизатор, кристаллов, растворов

1. Кристаллизатор для выращивания кристаллов из водных растворов, включающий центральный сосуд роста кристаллов и боковые сосуды растворения, соединенные с центральным сосудом посредством трубок, нагреватель и охладитель, отличающийся тем, что, с целью выращивания кристаллов йодата лития гексагональной модификации методом температурного и концентрационного перепада, соединительные трубки выполнены в виде U-образных и П-образных трубок, причем нижние части U-образных трубок снабжены конусными отводами с вентилями и стаканами с испаряющейся водой.2. Кристаллизатор по п.1, отличающийся тем, что нагреватель расположен по периметру центрального сосуда на 1/3 его высоты вниз от середины...

Номер патента: 666700

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Александров, Матвеев, Райман, Симун, Соколов, Фритсше

МПК: C30B 11/00

Метки: вертикальной, выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, нескольких, расплава

Устройство для выращивания нескольких кристаллов вертикальной направленной кристаллизацией расплава, включающее несколько контейнеров, имеющих форму чаш, с отверстиями, установленных в стопу, и питатель, расположенный сверху, отличающееся тем, что, с целью упрощения изготовления устройства за счет исключения притирки контейнеров друг к другу, облегчения выгрузки кристаллов вследствие предотвращения затекания расплава в места контакта контейнеров и возможности очистки расплава от летучих примесей, отверстия выполнены в виде вертикальных каналов в боковых стенках контейнеров, соседние контейнеры установлены со смещением отверстий относительно друг друга.

Номер патента: 1037690

Опубликовано: 27.07.2000

Авторы: Лисицын, Лисицына, Рейтеров, Трофимова, Чинков

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, металлов, фторидов, щелочноземельных

Способ получения кристаллов фторидов щелочноземельных металлов из расплава шихты, содержащей добычу фторида иттрия, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационно-оптической устойчивости кристаллов, процесс ведут из шихты, содержащей одновременно примесь фторида натрия или калия при весовом соотношении между добавкой фторида иттрия и примеси 0,2 - 0,5 и концентрации фторида иттрия не более 1 мол.%.

Номер патента: 1639344

Опубликовано: 27.07.2000

Авторы: Намм, Олешко, Толмачев, Штанько

МПК: H01L 21/66

Метки: а2в6, возбуждением, кристаллов, отбраковки, приборов, растворов, соединений, твердых, электронным

Способ отбраковки кристаллов соединений группы A2B6 и их твердых растворов для приборов с электронным возбуждением, включающий возбуждение кристалла электронным пучком и измерение люминесценции, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности, ускорения и упрощения способа, возбуждение осуществляют электронным пучком в диапазоне плотностей энергий от 0,01 до 0,3 Дж/см2, регистрируют спектры импульсной катодолюминесценции в направлении под острым углом к нормали к поверхности кристалла при различных плотностях энергии электронного пучка, строят зависимость интенсивности катодолюминесценции при произвольно выбранной фиксированной длине волны из области...

Номер патента: 805667

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Сытин, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методу

Устройство для выращивания кристаллов по методу Вернейля, включающее кристаллизатор со смотровым окном и горелку, установленную над ним, отличающееся тем, что, с целью более равномерного обогрева торца растущего кристалла и улучшения за счет этого его оптической однородности, нижний торец горелки выполнен сферическим с радиусом R = 2F, где F - расстояние от нижнего торца горелки до оси смотрового окна, и имеет зеркальную поверхность.

Номер патента: 522567

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Пискун, Сытин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейлю, выращивания, кристаллов

Устройство для выращивания кристаллов по Вернейлю, содержащее кристаллизационную камеру с переменным поперечным сечением, отличающееся тем, что, с целью увеличения диаметра выращиваемого кристалла, кристаллизационная камера выполнена в виде четырех секций при следующем соотношении диаметров d1 : d2 : d3 = (3 - 4) : (6 - 7) : (5,5 - 5) и высот h1 : h2 : h3 : h4 = (11 - 13) : (4 - 6) : (3 - 4) : (15 - 32).

Номер патента: 778363

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Зелигман, Малахова, Сытин, Циглер

МПК: C30B 11/10, C30B 29/16

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом, окислов, тугоплавких

Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом Вернейля, включающий подачу кислорода по внутренним, центральному и соседнему с ним каналам и последующее чередование раздельных потоков водорода и кислорода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения более широкого фронта кристаллизации и увеличения за счет этого диаметра выращиваемых кристаллов, скорость истечения кислорода по внутренним каналам поддерживают равной 0,5 - 3,0 м/с, а в каждом последующем внешнем потоке в 1,5 - 4,0 раза большей.

Номер патента: 1279279

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Ковалев, Стоян

МПК: C30B 13/10, C30B 29/40

Метки: insb, антимонида, висмутом, индия, кристаллов, легированного

Способ получения кристаллов антимонида индия InSb, легированного висмутом путем направленной кристаллизации из раствора - раствора исходных InSb и In2Bi, отличающийся тем, что, с целью получения высокоомного антимонида индия, исходный InSb берут с содержанием не более 4,6 1015 см-3 фоновой примеси, раствор-расплав содержит 2,6-22,5 мол.% In2Bi и кристаллизацию ведут со скоростью 0,8-3,2 мм/ч.

Номер патента: 976726

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Стоян

МПК: C30B 15/10, C30B 25/02

Метки: выращивания, кварце, контейнер, кристаллов, облицовки, расплава, углеродсодержащей

1. Контейнер для выращивания кристаллов из расплава, выполненный из кварца с углеродсодержащей облицовкой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения смачивания стенок контейнера расплавом и обеспечения возможности наблюдения за процессом кристаллизации, облицовка выполнена из -карбида кремния в виде пленки с шероховатой поверхностью.2. Способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце путем термического разложения CH3SiCl3 в потоке водорода, отличающийся тем, что, с целью получения облицовки в виде оптически прозрачной шероховатой пленки, осаждение ведут при концентрации...

Номер патента: 1746756

Опубликовано: 10.07.2003

Авторы: Денисевич, Иванов, Радучев, Штейнберг

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

Устройство для выращивания кристаллов тугоплавких веществ, содержащее герметичную камеру из диэлектрического материала, размещенный в ней холодный тигель, выполненный из трубчатых элементов, расположенных с зазором, и снабженный штуцерами для ввода и вывода хладагента, и индуктор, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства и уменьшения потерь исходного материала, холодный тигель выполнен в форме двух полусфер, навитых вокруг оси, перпендикулярной оси индуктора, герметичная камера выполнена в виде сферической оболочки, на внутренней поверхности которой размещен герметизирующий слой, контактирующий с холодным тиглем, а штуцеры для ввода хладагента расположены соосно с...

Номер патента: 816206

Опубликовано: 20.06.2005

Автор: Гамазов

МПК: C30B 15/30

Метки: вытягивания, кристаллов

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава в герметичной камере, содержащее установленный по оси камеры направляющий стержень и полый шток с затравкодержателем и электромагнитным приводом, отличающееся тем, что, с целью стабилизации скорости вытягивания, устройство снабжено двумя магнитными полумуфтами, соосно размещенными друг над другом на направляющем стержне, который установлен с возможностью вращения во втулке, закрепленной на стенках камеры, верхняя магнитная полумуфта жестко соединена с направляющим стержнем, а нижняя установлена с возможностью вращения и снабжена дополнительными стержнями, установленными параллельно оси направляющего стержня, шток снабжен шайбой с...

Номер патента: 963328

Опубликовано: 27.06.2005

Автор: Гамазов

МПК: C30B 15/30

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава в герметичной камере, содержащее установленные по оси камеры вал и полый шток с затравкодержателем, снабженный шайбой с прорезями, электромагнитный привод, включающий две магнитные полумуфты, соосно размещенные друг над другом на валу, верхняя магнитная полумуфта жестко соединена с валом, а нижняя установлена с возможностью вращения и снабжена направляющими стержнями, установленными параллельно оси штока, отличающееся тем, что, с целью увеличения длины вытягиваемых кристаллов, вал выполнен полым с внутренней винтовой нарезкой, а шток выполнен из отдельных трубчатых элементов последовательно уменьшающегося диаметра, имеющих внутреннюю и...

Номер патента: 1565088

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Байцар, Воронин, Красноженов, Мустафин, Островская

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06, C30B 29/62 ...

Метки: выращивания, кремния, кристаллов, нитевидных

1. Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния для струнных резонаторов в вакуумированной кварцевой ампуле, содержащей исходный легированный бором кремний, добавки золота и оксида бора, путем переноса паров галоидом из "горячего" конца ампулы в "холодный" при постоянной температуре "горячего" конца и снижении температуры "холодного" конца в процессе выращивания, отличающийся тем, что, с целью увеличения механической прочности кристаллов, в качестве исходного кремния берут кремний, легированный бором до номинального удельного сопротивления 20 Ом·см, в ампулу дополнительно вводят медь с концентрацией (2,54-2,64)·10-3...

Номер патента: 1746755

Опубликовано: 10.06.2006

Авторы: Барабаш, Лапчинский, Морейнис, Перепеченко, Черницкий, Шулым

МПК: C30B 1/00, C30B 35/00

Метки: кристаллов

Устройство для получения кристаллов, включающее камеру роста, держатели кристалла, нижний из которых закреплен в опорной плите, электронно-лучевой нагреватель, кинематически связанный с приводом вертикального перемещения, и высоковольтный источник питания, отличающееся тем, что, с целью повышения чистоты получаемых кристаллов, расширения технологических возможностей устройства и повышения его надежности, нижний держатель кристалла снабжен съемным теплопроводным кольцом, закрепленным в опорной плите, выполненной охлаждаемой и разделяющей камеру на две части, привод и источник питания установлены в нижней части камеры, а нагреватель - в верхней.

Номер патента: 1840391

Опубликовано: 20.11.2006

Авторы: Виноградов, Жежерин, Закс, Киселев, Круглов, Лисовский, Несмелов, Парняков, Подлегаев, Савин, Салов, Самойленко, Сидоров, Скрипниченко, Студентова

МПК: B25H 7/00

Метки: кристаллов, разметки, центрирования

Установка для разметки и центрирования кристаллов, например, алмазов, содержащая оптическую систему с линзами и светоделительным зеркалом, контурную сетку, механизм ориентации размещаемого кристалла и микроскоп, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности разметки, она снабжена лазерной головкой с диафрагмой, под которой размещено светоделительное зеркало, блоком линз со сквозным осевым отверстием для свободного прохождения лазерного луча на поверхность размечаемого кристалла, объективом, установленным соосно с осью отверстия на его выходе; двумя кинематически связанными между собой манипуляторами, один из которых несет контурную сетку, а другой - механизм ориентации размечаемого кристалла.

Номер патента: 1840392

Опубликовано: 20.11.2006

Авторы: Дубовиков, Закс, Мишунич, Подлегаев, Савин, Силин

МПК: B25H 7/00

Метки: кристаллов, разметки

1. Установка для разметки кристаллов, содержащая оправку для установки кристалла и механизм вертикального перемещения оправки, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности центрирования кристалла по заданной оси его вращения и получения оптимального размера бриллианта, оправка выполнена из двух частей: одна из них - верхняя установлена с возможностью перемещения в горизонтальной плоскости относительно нижней части, которая установлена с возможностью перемещения вокруг своей оси посредством механизма, выполненного в виде соосно расположенных цилиндра, стакана и размещенных между ними шариков, а механизм вертикального перемещения оправки выполнен в виде отдельного привода, кинематически связанного с механизмом перемещения нижней...

Номер патента: 1492912

Опубликовано: 10.10.2008

Авторы: Билан, Войтович, Гуревич, Калинов, Матюшков, Михнов, Салтанов, Чучалов, Шалапенок

МПК: G01N 21/17

Метки: заготовок, кальция, кристаллов, отбора, фтористого

Способ отбора заготовок кристаллов фтористого кальция, включающий измерение показателя поглощения a1 в диапазоне длин волн 200-800 нм, проведение отбора по предельно допустимому значению показателя поглощения на длинах волн измерений, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности отбора заготовок со стабильными оптическими характеристиками при радиационных воздействиях, отобранные заготовки дополнительно подвергают воздействию гамма-излучения дозой 2,6-26 Кл/кг, измеряют показатель поглощения a 2 на тех же длинах волн и проводят вторичный отбор заготовок по критерию a2/a1 <3.