Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 1589173

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Воронов, Епифанов, Космына, Некрасов, Суздаль

МПК: G01N 25/04

Метки: выращивании, кристаллизации, кристаллов, начала, раствора-расплава

...фазового сдвига, коммутатор и блок синхронизации, реверсивный счетчик, схему сравнения изадающее устройство.Блок 4 управления содержит триггери согласующий блок.Блок 5 фиксации температуры содержит коммутатор, аналого-цифровойпреобразователь и регистр памяти.Блок б фиксации электросопротивлеиия содержит счетчик импульсов, схеМу сравнения, задающее устройство,блок синхронизации.20Блок 7 обработки информации со".держит вычислительное устройство тиПа "Электроника Д 3-28", входящее вуправляющую микросхему ВУМС.Блок 8 индикации содержит дисплей, у 5термопечатное устройство, схему звуковой сигнализации.Момент начала кристаллизации определяют следующим образом,При помощи блока 1 перемещений.измерительный электрод 3...

Номер патента: 1590485

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Балякин, Борисенко, Ерофеев, Кистерев

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

...кристаллов и пбростить технологию процесса. КС, КВг, выколотые по плоскоакрепляют в тефлоновом держаещают в жидкость (керосин) на 0,1 - 2;0 мм от торца волновода, ют ультразвуком в режил)е кавилитудой колебаний 5 - 20 мкм в 0 мин при комнатной темпера- проводят деформацию сжатием ению с 100до величины отноеформации 60-80%. 1 табл. щую 5 мкм, контролируют элек ческим датчиком. Время обрабо Температуру поддерживают на у натной.Обработанный образец вы зажима и деформируют сжатием лению с 100до значения отн деформации 80%,В таблице представлены характеристики предлагаемого способа,Использование предлагаемого способа упрочнения кристаллов КВг и КС), включающего одноосную деформацию сжатием по направлению с 100 до значений относительной...

Номер патента: 1424379

Опубликовано: 15.09.1990

Авторы: Бочкарев, Булаев, Гранковский, Зыкова, Леонтьев, Раскутина

МПК: C30B 15/10

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

...Затем сверху напы- ляется слой кварца, толщиной 3 мм.Устройство работает следуюарам 35 образом.После загрузки тигля 1 кремнием, герметизации и создания вакуума в камере печи электрический ток подают на нагреватель 5, разогревая его до ф рабочей температуры (1600-1750 С). Загрузка (16 кг и более) состоит обычно иэ кусков поликристаллического кремния весом до 2 кг, Плавление загрузки начинается через 30 мин после выхода нагревателя на 1700 С, причем вначале низней ее части. После расплавления загрузки производФт эат" равливание и вытягивание кристалла из расплава.В данном устройстве тигель 1 в процессе работы не меняет своей фор- ию, так как сетка 2, размещенная внутри стенки и дна тигля 1, повышает его механическую прочность....

Номер патента: 1594189

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Иващенко, Лазарева, Плюснина, Прудникова, Румянцев

МПК: C09B 1/36, C09K 19/60

Метки: 1-аминоантрахинона, дихроизмом, жидких, жидкокристаллический, качестве, красителя, кристаллов, материал, основе, отрицательным, производные, устройств, электрооптических

...хлороформом.Получают 0,44 г (557) 1,8-бис-(4-бутилбензамидр)-,4,5-бис-(4-бутилбензоилокси)-З-метилантрахинона.Найдено,: С 76,61; Н 6,41;И 2,98.СН ,ОВычислено,: С6, 60; Н 6, 54,И 3,03.Лм "= 465 нму= -О 34 Тпл )(0,006 моль) хпорангидрида 4-бутилбензойной кислоты в 30 мл пиридина1 ч. Реакционную массу охлаждают докомнатной тегатературы, выливают в100 мл (5 ) соляной кислоты, осадокотфильтровывают, промывают водой исушат; Полученный продукт растворяютв хлороформе и хроматографируют насиликагеле хлороформом. Получают055 г (54,0%) 1,8.-бис-(4-бутилбензамид о) -4, 5-бис- (4-б утилб енз оил окси) -3,6-дибутилантрахинона, Т= 185,0.186,5 С. Найдено, %: С 77,33; Н 7,13; . Я 2,59. С НзОВВычислено, %й С 77,46, Н 7,29;Я 2,74, 1594189(0,0025 моль)...

Номер патента: 1594220

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Владимиров, Губернаторов, Кетов, Соколов

МПК: C30B 1/04, C30B 29/02

Метки: выращивания, кристаллов, металлических

...и первичнойрекристаллизации.После,проведенных обработок получают заготовку с градиентом движущей. силы вторичной рекристаллизации подлине,На. конце заготовки,. где деформацню определяют равной 40%, устанавливают, что вторичная рекристаллизация при часовой выдержке начинаетсяпри Т 1,940 С, а скорость ростакристаллов при этой температуре равна 9 мм/ч, а на другом конце заготовки при Тк = 1020 С, а скорость .ростакристаллитов 15 мм/ч, По определенньм значениям температур и наименьшей скорости роста кристаллитов вычисляют скорость изменения температуры.При окончательном рекристаллиэационном отжиге Чн 12 .град/ч. Заготовку нагревают до 1020 С со скоростью 12 град/ч. По окончании от"жига фиксируют, что заготовка приобрела...

Номер патента: 1599801

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Абдулин, Лапаник, Минько, Муравский, Рачкевич, Ржеусский, Тагер, Яковенко

МПК: G01R 27/00

Метки: автоматической, жидких, кристаллов, регистрации, характеристик, электрооптических

...на измерительную ячейку 3, Учитывая свойства жидких кри"таллов,измерительную ячейку 3 можно представить в виде параллельно соединенных нелинейных емкостей С и сопротивления К, величина которых зависитот действующего значения напряженияна измерительной ячейке 3, 1(роме то 55го, в силу специфических свойств жид,ких кристаллов искажается синусоидальная форма напряжения на измерительной ячейке 3. Это напряжение 11, через переключатель 6 поступает на аналого-цифровой преобразователь 7, который преобразует это напряжение в цифровую Форму и подает его на ЭВМ 8. ЭВМ 8 считывает эти значения Ц (1) в течение одного периоца Т управляющего напряжения,После этого, продолжая задавать по синусоидальному закону управляющее напряжение 11(С), она...

Номер патента: 1603256

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Карпова, Комар, Окороков

МПК: G01N 21/64

Метки: качества, кристаллов

...поглощении как на длинноволновой границе пропускания кристалла (вплоть до сдвига в коротковолновую область), так и на 10,6 мкм, т.е. о низком качестве кристалла.Самоактивированная несценция .селенида цинка с 9О нм обусло лена наличием комплек с3 1603256 4 Количество Наличие люми- Коэффициент по" Качествокристаллов несценции глощение (см ) 7 10 -4 10 Есть Высокое иудовлетворительноеНеудонлетворительное 10 Нет Составитель О.Бад иеваРедактор А.Лежнина Техред М.Ходаннч Корректор Т,Малец Заказ 3380 Тираж 513 Подписное сс ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 В то же время.связывание...

Номер патента: 1604867

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Васильев, Глазунов, Гуреев, Гусев, Забелышенский, Левандовский, Обрывков

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, кристаллов

...16 камеры 1 роста и передаетсяв оптическую систему телевизионнойкамеры 9. Изображение кристалла нафронте кристаллизации формируетсяобъективом 12 телевизионной камеры 9в плоскости светочувствительного элемента видикона, где происходит преобразование светового излучения вэлектрический сигнал, который передается на телевизионный приемник 13.В зависимости от параметров выбранного объектива 12, черно-белоеили цветное изображение на экране телевизионного приемника 13 может бытьполучено с различной кратностью увеличения. Регулировка масштаба изображения производится перемещением телевизионной камеры 9 вдоль оптической оси и соответствующей фокусиров-кой объектива 12. Регулировка яркости и контрастности изображения производится...

Номер патента: 1604868

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Еськов, Кривцов

МПК: C30B 15/32

Метки: выращивания, затравкодержатель, кристаллов

...штока, при меньшей длинехвостовой части возможна разориентация затравки. Соотношение длин элементов затравки определены экспериментально,Высота прямоугольного выступа(0,15 внутреннего диаметра + толщинастенки керамического штока) определяется внутренним и внешним диаметрами штока. В затравочном,кристаллеи в штоке выполнены соосные отверстия 6 для металлического штифта 5.Диаметр отверстия в штоке равен диаметру штифта + О, 1 мм, диаметр отверстия в кристалле равен диаметруштифта + 0,15 мм, что соответствуеттехнологическим допускам,Это позволяет заклинивать затравку поворотомштифта. Для этого штифт имеет изгиб,радиус кривизны которого определяютопытным путем.Затравочный .кристалл вставляютв шток хвостовой частью, совмещаяего...

Номер патента: 1604869

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Петьков, Редькин, Татарченко

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных

...фронта кристаллизации.П р и м е р. Проводят выращивание кристаллов ниобата лития из тигля диаметром 40 мм, высотой 35 мм. Формообразователь имеет среднюю кривизну сопрягающей поверхности 0,1 б К в - 10, причем изменение средней кривизны ЬК по всей поверхности сопряжения не превышает 0,2. Тигель и формообраэователь выполнены из платины.Результаты экспериментов представлены в таблице.Использование изобретения позволя ет осуществлять выращивание монокристаллов в виде стержней, пластин иразличных замкнутых профилей. Формула и з обретенияСпособ выращивания профилированныхкристаллов, включающий затравление сторца формообразователя, зацеплениемениска расплава за рабочую поверхность формообразователя и выращивание при подвижном мениске...

Номер патента: 1604872

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Епифанов, Суздаль, Цуранов, Шевченко

МПК: C30B 29/20

Метки: алюмоаммонийных, выращивания, квасцов, корунда, кристаллов, шихты

...степени ее загрязнения, вкачестве неконденсированной среды используют водяной пар, нагретый до 95 - 120 С,давление поднимают до 150 - 200 кПа, а и роцесс проводят в течение 5-10 мин. аемыйть сте- тепени ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(56) Авторское свидетельство СССРМ 1189831, кл, С 04 В 7/00, 1984,Авторское свидетельство СССРМ 1024563, кл. Е 02 Р 5/30, 1981,(54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ШИХТЫ ИЗАЛЮМОАММОНИЙНЫХ КВАСЦОВ ДЛЯВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КОРУНДА Изобретение относится к области выращивания кристаллов, в частности к способам обработки алюмоаммонийных квасцов при приготовлении шихты для выращивания монокристаллов корунда.Целью изобретения является повышение степени измельчения шихты при снижении степени ее...

Номер патента: 1604873

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Криштопов, Куличенко, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

...увеличения предела текуче- сти в 3 - 5 раз. 2 табл. сти электрического поля Е. Определяют по ней, что пороговая величина Епор электрического поля, при которой эта зависимость начинает отклоняться от линейности, равна 25 кВ/см. Измеряют по дислокационным ямкам травления скорости перемещения краевых дислокационных диполей Ч при напряженности электрического поля 140 кВ/см и устанавливают, что она равна 1 мм/с. Берут кристалл КС в виде пластины толщиной Ь, равной 2 мм. Определяют для него минимальную 1 мин и максимальную 1 макс длительность воздействия электрическим полем напряженностью 140 КВ/СМ, раВНуЮ СООтВЕтСтВЕННО тмин ==,23 с.Воздействуют на кристалл постоянным электрическим полем напряженностью 140 кВ/см в течение 5 с. Для...

Номер патента: 1032615

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Ковалев, Левданский, Плехонов

МПК: B01D 45/12, B01D 9/00

Метки: кристаллов, маточного, отделения, раствора

...и, как следствие 25этого, к снижению производительностиЦелью изобретения является предотвращение инкрустации стенок перфорированной обечайкивПоставленная цель достигается тем, 30что известное устройство, содержащеевнутреннюю перфорированную обечайкус патрубком ввода суспензия и наружную обечайку с патрубком вывода жидкой фазы, снабжено соосно расположенным обечайкам колесом с лопатками,установленным с возможностью вращения, и трубой, установленной под колесом, а обечайки снабжены герметичнымкожухом, при. этом образуется замкну" 40тый.закрученный газовый поток, который, контактируя.с жидкостью, становитая насыщенншм А так как газовыйпоток замкнут и насыщен, дальнейшего 1испарения жидкой фазы не происходит, 45равновесие между...

Номер патента: 1608063

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Вайнблат, Кузаков

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслоения, слюды

...воздействия на торцы кристаллы статически сжимают вдоль плоскостей совершенной слойности до момента нарушения целостности структуры кристалла Способ позволяет уменьшить повреждение полезнои площади и тем самым снизить потери и повысить выход деловой слюды. 1 ил. Две жесткие металлические пластины 1 закрепляют на шарнире 2, установленном на опоре 3. По обе стороны от пластины 1 размещают приводные (приводы не показаны) валы 4 с эксцентриками 5 и насаженными на них подшипниками б. Между пластинами 1 закрепляют пружину 7 и размещают трапецеидальный рабочий стол 8. Способ осущеразом.После включе нают вращаться Одновременно с шипники б, насаж прижатые наружн В течение одного подшипники б за с носительно валов стин 1 уменьшают сжимая...

Номер патента: 1608539

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Варшава, Георгиев, Курило, Мычуда

МПК: G01N 25/18, H01L 35/02

Метки: кристаллов, нитевидных, термоэдс

...токовыводов подкл 1 очены соответственно через первый 7 и второй 8 диоды к общей шине, В состав управляемого дели.теля 2 входят сопротивления 14 и 15.1008539 ставитель И,Атмановх ред М.Моргентал Корректор Л.Бес Редактор И. Горна 05 Подписноеитета по изобретениям и откоытиямва, Ж, Раушская наб., 4/5 аказ 3611 ВНИИПИ Гос Тиражвенного ко113035, Мо ГКНТ ССС оизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул, Гагари Фазорасщепитель 3 выполнен, например, на операционном усилителе 16, транзисторе 17 и резисторах 18 и 19, а источники тока по компенсационной схеме - на операционных усилителях 20 и 21, транзисторах 22 и 23 и резисторах 24 и 25,.Устройство работает следующим образом.Выходное напряжение источника 1 делится управляемым...

Номер патента: 1610412

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Волошин, Карбачинский, Лопатин, Никольский, Смольский

МПК: G01N 23/20

Метки: исследований, кристаллов, рентгеноструктурных

...посредствомадгезионного слоя 22Такая биморфнаяпластина 17 состоит из двух секций,причем внешние части электропроводящих слоев 20 одной секции электрически соединены с частями внутреннихэлектропроводящих споев 20 другой сек"ции и наоборот.В другом варианте (Фиг.4) биморФная пластика 17 образована двумя пьезоэлектрическими пластинами 19, каждая из которых различно поляризованав своей верхней и нижней половине.Характер деФормации таких биморФных пластин 17 приведен на Фиг,5,Устройство для рентгеноструктурныхисследований кристаллов работает сле"дующим образом.Мо нохро мати ческо е рент гено вско еизлучение от источника 1 падает наисследуемый кристалл 6, а отраженноеот кристалла б излучение детектируется счетчиком 7, сигнал которого...

Номер патента: 1622429

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Дуров, Козлов

МПК: C30B 7/00

Метки: белка, выращивания, кристаллов

...и может 5 ыть использовано в биохимии, кристаллографии и кристаллохимии при выращивании кристаллов в условиях невесомости,Цель изобретения - повышение надежности устройства, а также уменьшение его массы и габаритных размеров.На фиг.1 показано устройство для выращивания кристаллов белка в рабочем положении, продольный разрез; на фиг,2 - сечение Л - Л на фиг,1,Устройство состоит из двух выполненных в форме дисков неподвижных блоков 1 с соосными цилиндрическими камерами, заполненными белковыми и солевыми растворами, расположенного между ними и имеющего форму диска подвижного блока 2 с каналами буферного раствора, в которых установлены мембраны 3 ерметично уплотненные резиновыми кольцами 4 и гайками 5, двух запирающих прозрачных дисков 6,...

Номер патента: 890666

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Аникин, Бетуганов, Горелик, Гундорова, Дигилов, Костиков, Нагорный, Непрошин, Харитонов

МПК: C01B 31/04

Метки: кристаллов, монохроматоров, пирографитовых

...5 структурные изменения, приводящие к улучшению текстуры,слишком слабы, а при номере (28 например, вольфрам) глубина проникновения таких тяжелых ионов в углерод невелика.Ионная бомбардировка не изменяетФизико-химических характеристик пирографитового образца,Выбранный интервал температуры .нагрева пирографитового образца (до2450 - 2650 С) необходим для Формирования текстуры материала, позволяющейпровести ионную бомбардировку.П р и м е р 1. Образец пирографита/см и микротвердостью 8 кг/мм , диаметром 30 мм и высотой 12 мм в графитовой матрице помещают в пресс инагревают пропусканием электрического тока в течение 30 мин до темпераотуры 2450 С в инертной среде - аргоне, после чего повышают давление соскоростью 1,0 МПа в мин до 35 МПа,11 осле...

Номер патента: 1624063

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Багдасаров, Кеворков, Сытин

МПК: C30B 11/00

Метки: веществ, выращивания, кристаллов, тугоплавких

...с возможностью осевого перемещения. Под нагревателем расположены система горизонтальных экранов и гистел 1 а до- -,О, НитЕЛЬНЫХ ЭКраНОВ, ВЫПОЛНг.ННя В форме усеченных конусов с углол 1 раскрытия 9 - 11, установленных на вепем горизонтальном экране раструбами вверх, Получены кристаллы иттрий-алюминиевого Я граната и его модификации. 1 ил,Контеинер 4 с исходным материдгом пол 1 ещают в рабочее пространство коаксиально нагревателю 2 В камере роста 1 создают необходимые температурные условия и давление Выращивание кг)исталлов осуществляют опусканием контейнера 4 через температурный градиент, создаваемый диафрагмой (не указано) нагревателя 2. Часть энергии, излучаемой нагревателем 2, попадает нд внугреннюю повеохносгь конусов 7 и...

Номер патента: 1624066

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Беляев, Ларионов, Лизунова, Павлюк

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кристаллов

...затравкодержателя, Высота камеры снижена на 50(, 4 ил,женный нагревателем 14, Тигель 13 размещен на штоке 15, который связан с датчиком массы 16, жестко закрепленным на нижней плите 3 Устройство включает пульт управления 17, в который входят блои управления двигателями механизма вращения и вытягивания монокристаллов, уравновешивания весов, формирования задания веса, формирования закона регулирования, автоматического регулирования температуры, регистратор температуры и регистратор веса автокомпенсационный(не показаны).Устройство работает следующим обраПосле загрузки ши устанавливают через лю ская тигель вертикально крышку 10 с механизмом камеру. Включают элек теля 14, плавят шихту в затравливание идалее и проводится в автоматич...

Номер патента: 1624356

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Беккауер, Васев, Крючков

МПК: G01R 27/26

Метки: кристаллов, одноосном, параметров, поле, сжатии, электрическом

...соответственно.Начальная емкость С и сопротивлениеВо кристалла определяют по формулам(7)Из (6) и(7) по известным формулам можноопределить начальную проводимость( оф ) и диэлектричес к, ю и рани цаемость ( г ) образца до начала активного сжатия.".61) 11(эи дэбе л,11 "г 11н Г 1 сэСто:(1 НОл 1 Э,; Ос З С . ",ОЛЕ ( 2 ;9 От ВЕЛИ" И,. (."НС о3ЕН(;11 ПЕ,"ЕЛ 1 Е 11 ного напгя ен 1(я.; Ппс 1 оя(11(ел у( п= 30 . 5 10 1)Тк 11; о -.,.пог.,бз изМЕРЕНИЯ С ПС"1 ОШ О Л 11 П О УС РО( Сгна ПО В О Л Я Е П 1 ,; Р,г С Л;1 т, 01 О Л Н 111 Е Л Ь Н О д 1,лекг и,ес :кэ .1 ро 1111 асл 1 .с 1 нс 11 и те 1 ь 11 ость(- 1, е 1(ср 35;/. и,эо(од(1 мость м гс р 1 а 1 а обрз эцов с чунствительн;1 сть( эп крайней мере до 0,1; НаРЯДУ С В Л 1(И(1 Г й МЕ...

Номер патента: 1626145

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Богданов, Буланаков, Геворкян, Чернов

МПК: G01N 29/00

Метки: жидких, кристаллов, физико-механических, характеристик

...ультразвуковых колебаний, которые пропускают в плоскости, перпендикулярной оси колебания магнитного поля. Затем измеряют фазовый сдвиг между колебаниями величины коэффициента поглощения ультразвука и колебаниями угла поворота направления магнитного поля. Время х ориентационной релаксации определяют по величине фазового сдвига Ф с учетом колебания поля. Выбор условий проведения способа обусловлен следующими причинами.По теории Лесли-Эриксона коэффициент а поглощения ультразвука равен Ла=а(у=О) - а(р=90 ) =2 лг Р- э (Ьо+со):рч где - момент инерции единицы обьема ЖКпри его переориентации; иэ решения которого следует, что директор Б совершает колебания с амплитудой ъ (в ) и фазовым сдвигом Ф между колебаниями директора Б и вектором В...

Номер патента: 1627600

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Дуров, Козлов

МПК: C30B 7/00

Метки: белка, выращивания, кристаллов

...29, как и кольцевая полость5, после заполнения соответствующимирастворами, герметично затворяются одно 45 типныгли затворами 19 при помощи уплотнительных колец 20, шайб 21 и резьбовыхвтулок 22 (фиг, 4). Затвор 19 представляетсобой втулку 37, закрытую с торцов тонкимиэластичными стенками 38, внутренний обьем которой заполняется буферным раствором (нейтральной жидкосгью).Эластичные стенки 38 закреплены на втулке 37 при полющи ниток 39 (фиг. 5), Зд счет 5 тонких эластичных стенок такой затвор позволяет легко компенсировать изменения давления и обьемон жидкостеи, закл:оченных в камерах и кольцевой полости, д зд счет объема жидкости, заключенной в затворе, 10 предотвращается высыхание жидкостей в камерах и кольцевой полости, 1 ри...

Номер патента: 1120628

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Балакир, Гундорова, Дигилов, Звонков, Костиков, Малючков, Нагорный, Харитонов

МПК: C01B 31/04

Метки: кристаллов, монохроматоров, пирографитовых

...ппотностью мощности свыше 10 Вт/см г приводит к нагреву образцов, при котором происходит испарение поверхности монохроматоров, аоно неприемпемо, меньшая плотностьмощности недостаточна для существенных структурных изменений пирографита и, следовательно, достижения поставленной цели.Лазерное облучение не изменяет физико-химических характеристик пирографитовых образцов.Нагрев пирографитовых образцовдо температуры пластичности до 2450 о2650 С необходим для формированияпредварительной текстуры материала,позволяющей провести лазерное облучение.П р и м е р 1. Образец пирографита(марки МГП-РД) с плотностью 2,25 г/смУи микротвердостью 8 кг/мм, диаметгром 80 мм и высотой 8 мм в графитовойматрице помещают в пресс и нагреваютпропусканием...

Номер патента: 1640219

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Дуров, Козлов

МПК: B01D 63/00, C30B 7/00

Метки: белка, выращивания, кристаллов

...например стали, и гуммируется селиконовой резиной для получения эластичных камер белкового раствора.Эластичные камеры позволяют компенсировать температурные изменения давления внутри камер, изменения давления прикристаллизации.В таком положении камеры белкового 5 10 15 20 25 3035 ао45 50 ния более эластичной камеры белкового раствора.Крышка 10 затягивается гайкой 11, герметизируя камеры 3 белкового раствора.Камеры 7 буферного раствора, расположенные в прижимном диске 6,.имеют выход в полость корпуса 1, образуя общую дополнительную камеру 22 буферного раствора, в которой расположен конусный клапан 13 гидроразьема.В камеры 7 буферного раствора диска 6 предварительно вставляются фитили из стекловаты с выходом в общую камеру 22,...

Номер патента: 1641898

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Бичурин, Дыменко, Пополитов, Телегенов, Черкасов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/04

Метки: кристаллов, оксидно-галогенного, соединения, теллура

...свидетельствует об иххорошей чистоте,П р и м е р 2, В кварцевый реактор емкостью 1 л загружают 350 гТеО, устанавливают кварцевую перегородку с отверстиями и заливают водный раствор НВг концентрацией40 мас.Х. Соотношение жидкой и твердой фаз 4, б: 1, 5. Реактор герметизируют фторопластовым затвором с капилпяром, соединенным с резиновой трубкой, которая отведена в кварцевуюемкость с водой. Подготовленный реактор помещают в печь сопротивления,где его нагревают до 80 С с температурным перепадом 5 С Время выдержкикварцевого реактора в стационарномрежиме составляет 5 сут. Исходнаяшихта при указанных параметрах растворяется и конвекционным движениемЗОпереносится в обьем раствора, гдеза счет температурного перепадаи испарения растворителя...

Номер патента: 1647043

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Клубович, Кондрашов, Семенович, Толочко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, растворов

...и других техни кристаллов.Целью изобретения явля ние надежности работы устр щение его конструкциии.На чертеже изображен продольный разрез,Устройство включает к онный сосуд 1 и кристалл Средство спирального пере сталлодержателей 2, содер лерную мешалку 3, уста возможностью свободного в сительно горизонтальной ос креплена на консоли 4, Консо на штоке 5, установленном с вращения вокруг вертикальн вочные кристаллы б установл сти работы онструкции. зационный м с возможзакреплена новлена меи располодикулярно ешалки уста- Устройство ещение кривода вертиил.1647043 5Составитель В,Захаров-Черненко гулич Техред М,Моргентал Корре В,Гирняк Рада ор каэ 1380 Тираж 265 Подписное БНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при...

Номер патента: 1647045

Опубликовано: 07.05.1991

Автор: Цирульник

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, иодистого, кристаллов, цезия

...выращивания кристаллов, конкретно щелочногалоидных кристаллов иодистого цезия, и позволяет уменьшить пластичность кристаллов. В тигле расплавляют шихту соли иодистого цезия. Кристалл вытягивают из расплава на затравку, ориентированную вдоль оси 100 . На лазерных окнах, вырезанных из кристалла перпендикулярно оси роста, достигают предела текучести 1 кг/мм,дой, Рост кристалла осуществляют в воздушной атмосфере в вертикальной муфельной печи из платинового тигеля с расплэвом соли иодистого цезия, Печь закрывают керамической крышкой со смотровым окном. Перед началом цикла выращивания соль расплавляют, отжигают при 680 С. Через смотровое окно опускают кристаллодержатель с затравкой под крышку печи. Прогретую в течение 3 - 5 мин затравку...

Номер патента: 1649397

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Жухлистов, Звягин, Кязумов, Фоминенков

МПК: G01N 23/20

Метки: косых, кристаллов, пластинчатых, текстур, типа, тонких, электронограмм

...образца вокруг нормали к плоскости препаратодержателя (крнсталла) на угол в пределах до 360 .При этом для получения. отдельных составляющих полной дифракционной картины моно- кристальную пластинку перед ее нак-,. лоном устанавливают таким образом, чтобы радиусы того или иного рефлекса оказались параллельными оси наклона препаратодержателя, и экспозицию производят при вращении кристалла на такие углы (60-180 в. зависимости от геометрии злектронограммы в перпендикулярном положении), чтобы узловые ряды от разных рефлексов одинакового радиуса не перекрывались вдоль элпипса. При неблагоприятных для дифракции условиях съемку электронограмм можно производить при вращении в меньших угловых интервалах,,и требующаяся дифракционная информа,ция...

Номер патента: 1650797

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Азаров, Клубович, Кондрашов, Толочко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...и удаляют с его поверхности капельки раствора путем легкого встряхивания кристалла, Нагревают кристаллизатор с раствором и вазелиновым маслом до 48 С и выдерживают при этой температуре до полного растворения пара- СЬ зитных кристаллов (в течение 4 ч), Охлажда- (Я ют раствор до первоначальной температуры О роста 38 С и вводят в него кристалл. Пленка с ваэелинового масла на поверхности кристалла не наблюдается. Выращивают кристалл в течение 24 ч до достижения им размеров 15 мм. Исследование выращенного крисалла показывает, что он является визуально прозрачным, не содержит вклю- ф чений, оптических неоднородностей.П р и м е р 2. Выращивают кристалл КДР в тех же условиях, что и в примере 1, но без ваэелинового масла. В период растворения...