Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 1798395

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Калугин, Куценогий, Петров

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кремния, кристаллов, расплава

...с нижней опорой 17, приводом 19 кассета устанавливается в положение выращивания, После затравливания и выращивания монокристалла, приводом 21 затравкодержатель 7 поднимается в верхнее положение, приводом 19 кассета 9 поворачиваются в положение перегрузка, при этом как только ось гнезда совпадает с осью выращивания, срабатывает фиксатор 18, удерживая кассету в этом положении, При этом автоматически сраба 1798395тывает самозапирающееся захватное устройство 14, удерживая кристалл от падения, а приводом 21 кристалл 22 опускается в опору 15 нижнего корпуса кассеты 9, таким образом кристалл оказывается зафиксированным по оси выращивания, При дальнейшем повороте кассеты 9 происходит излом шейки кристалла и его отделение от затравки. Затем если...

Номер патента: 1798396

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Курлов, Петьков, Редькин, Россоленко

МПК: C30B 15/28, G05D 27/00

Метки: автоматическом, выращивания, кристаллов, расплава, режиме

...следуюьцие размеры: диаметр - 50 мм, высота - 50 мм, толщина стенки - 3 мм. Тепловая зона была выполнена в виде труб из спеченной окиси алюминия, также использовался платиновый конический экран, Расплав находился при температуре 1160 С, В расплав опускали платиновую пластину диаметром 30 мм и толщиной 1 мм на глубину 2 мм от поверхности расплава. Температуру Тп пластины измеряли при помощи Рс-РЯтермопэры. После затравливания и формирования перетяжки выращивание проводили в автоматическом режиме. При этом перемещение пластины при выращивании кристалла осуществляли таким образом, чтобы расстояние между пластиной и поверхностью расплава сохранялось постоянным. Выращивание проводили при скорости вытягивания 5 мм/час и скорости вращения...

Номер патента: 1801991

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Курлов, Петьков, Редькин

МПК: C30B 15/00, C30B 15/34, C30B 29/32 ...

Метки: выращивания, гадолиния, кристаллов, молибдата, ориентации

...скоростью 20-50 об/мин до достижения толщины кристалла более 15 мм, при вытягивании кристалл вращают со скоростью 90-110 об/мин. Получают кристаллы длиной до 60 мм, шириной 32 мм, толщиной 25 мм хорошего качества, 2 табл. ращивании составляла 40 об/мин. При этом толщина кристалла 25 мм, После разращивания скорость вращения увеличили до 100 об/мин - толщина кристалла осталась прежней. Длина участка разращивания составила 15 мм, Было выращено 12 кристаллов молибдата гадолиния 90 ориентации длиной 50 - 60 мм, шириной до 32 мм, толщиной 25 мм хорошего качества, Из каждого кристалла вырезали 6 элементов шириной 10 мм, толщиной 11 мм, длиной 40 мм,В табл,1 приводятся значения толщин выращиваемых кристаллов в зависимости От толщины кристалла...

Номер патента: 1801993

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Коновалова, Цветков

МПК: C30B 29/14, C30B 33/10

Метки: калия, кристаллов, кт, оро, титания, травления, фосфата, химического

...фиг,1). На обоих рисунках (см. фиг.2 и фиг.З) область 11 относится к сектору роста грани (110), о чем говорит расположение ростовых полос, параллельных этой грани. Таким же образом определяется, что область 1 - сектор роста грани (10). Помимо этого, поверхности делятся на два участка, между которыми обозначивается довольно четкая граница (А и Б). Один из них (Б) покрыт частыми и тонкими полосками(штриховкой). На другом (А) ростовые полосы шире и расположены с большими промежутками либо совсем отсутствуют. Поверхность 11,Б кроме того имеет ямки и борозды травления (фиг,4). Бороздки и направление, трассируемое ямками, параллельны полосам. Приурочен- ность борозд и ямок травления к ростовым полосам свидетельствует, что они являются...

Номер патента: 1431392

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Горилецкий, Неменов, Панова, Эйдельман

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, щелочногалоидных

...1 анаьТаким же способом при предлагаемьех,значениях технологических етараметровполучецье моцокристаллы йодистого цезия, н ИК-спектре пропусканил которыхотсутствуют 1 еолосы поглощения кислородсодержащих приееесей,Сравнительные данцьее способов по"лученил нысокопраэрачееьех моееокреесталлов по предлагаемому способу и прототипу представлены н табл,. следует из табл.1 способ ет выращивать нысокопрозкристаллы беэ исцользонасеечньех и агрессивных соеди гряэееяющих Окружающую сред нодительееьее затраты времен отонку расеыеана к нырашина док меееьше, чем у иэнестны н,ерозрачцости монокрис" ида калия, ныращенцых ех технологических пара-, ставлены в табл.2.следует, что выход за начения предлагаемых панодит к усложнению тех" цологического...

Номер патента: 1402108

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Долгополова, Кудин, Панова

МПК: G01T 1/202

Метки: годности, кристаллов, основе, сцинтилляционного

...лазерного микроспектральноскорости счета ЬБ имп/л при 233 Кго анализа определяют содержание200 имп/с (по ТУ на детекторы СДНталлия в них;, 200 имп/с) .Таким образом,при содер-" Р 1 - 3,9 10 мас.доли,жанни таллия и йодат-ионов в установ- Р 2 - 5,8 10 мас,доли 7ленных пределах:5 Спектр термостимулированной люми.б 10 фмас.доли %501,4-10 мас,до несценции соответствует, (Фиг1, 3) .ли Ж Вся кристаллическая буля пригодна-4Э ф 10 мас.доли %Т 1 сб 10 мас.до- для изготовления радиационно прочныхли 3 детекторо 6, работоспособных в широкойвся кристаллическая буля пригодна 20 области температур (СДН=43), соотдля изготовления радиационно прочных ветствующих ТУ с большим запасомДетекторов (СДН), работоспособных (Ы200 имп/с при 23 ЗК). ув области...

Номер патента: 613544

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Добровинская, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: вытягивания, кристаллов, профилированных

...2 - капилляр, поперечное сечение. соте тигля капиллярами, поперечные сечения которых представляют собой фигуры, ограниченные кривыми, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения длины вытягиваемых кристаллов путем увеличения высоты подъема расплава в капиллярах и емкости тигля, поперечные сечения капилляров представляют собой фигуры, ограниченные гипоциклоидами.2.Устройство поп.1,отличаю щеес я тем, что каждый капилляр образован тремя цилиндрическими элементами с одинаковыми диаметрами, контактирующими один с другим по образующим.%Устройство (см. фиг. 1) состоит иэ тигля 1 с крышкой 2, в которой закреплен формообразователь 3, состоящий из цилиндрических элементов 4 одинакового диаметра, Я прижатых один к другому по всей...

Номер патента: 1804618

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Дмитриев, Зезин, Концевой, Храброва, Шемиот

МПК: G01N 25/18

Метки: алмаза, алмазных, кристаллов, теплопроводности

...55 Ь 0=1 э а ЬО,1 э - ток эмиттера транзистора;а- коэффициент передачи по току транзистораа;ЛО - изменение напряжения на коллекторе транзистора, измеряемое измерительным прибором (16 на фиг. 3).Тепловое сопротивление тракта междуэмиттером транзистора-нагревателя и датчикомтемпературы 6 равно увеличивается. В соответствии с этим увеличивается коллекторное напряжение ЧТ 1 до значения, при котором уходящий поток тепла компенсируется приростом мощности 5 рассеяния тепла на коллекторе, изменениетемпературы транзистора уменьшается и она устанавливается на первоначальном уровне. Прирост напряжения на коллекторе транзистора измеряется измерительным 10 прибором(16 на фиг. 3).Транзистор ЧТ 4 находится в механической и тепловой связи с теплоотводом...

Номер патента: 1804922

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Артамонова, Безрядин, Смыслов, Шенфельд

МПК: B07C 5/16, G01G 23/26

Метки: автоматической, кристаллов, сортировки

...1, откуда они попитателю 2 поступают в барабан 4, скапливаются внизу последнего и захватываютсяпри вращении барабана 4 со скоростью йИрасходящимися полочками 12, а затем скатываются с них и попадают на вибротранспортер 13. При этом часть кристалла 3"соскальзывает" с полочек 12, падает внизи вновь захватывается полочками 12, постоянно перемешиваясь, соответственно, испытывая электризацию. Кристаллы 3, попавшие на вибротранспортер 13, возбуждаемый вибратором 15, совершают поступательное движение, походя к вакуум-пинцету 7,При этом, в результате подачи сухого воздуха 19 через распылитель 23, он, проходя в виде пузырьков 28 через воду 26, насыщается ее парами и поступает через трубопровод 33 во внутрь вращающегосябарабана 4.Пары...

Номер патента: 1808887

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Барсукова, Кузнецов, Набахтиани, Реснянский, Сулайманкулов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: 6ос, кристаллов

...кристалла, Выращивание кристалла методом сниже . ния температуры позволяет более точно регулировать процесс роста. Регулирование температуры осуществляется контактным термометром. Средняя скоровть снижения температуры 0,2 С/сут. 30Выращивание кристалла нэ точечной затравке, укрепленной на вращающейся платформе, создает благоприятные гидро- динамические условия для роста. Вести и роцесс выращивания при скорости вращения 35 платформы меньше чем 40 об/мин нецелесообразно, так как уменьшаются скорости роста кристалла, Увеличение скорости вра. щения платформы выше 60 об/мин ведет к образованию воронки в растворе, распле скиванию раствора, вследствие чего образуются паразитические кристаллы.П р и м е р 1. Для получения Ч=165 мл раствора взято...

Номер патента: 820277

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Апилат, Ефременко, Заславский

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, кристаллов, расплава

...размера смотрового окна.2. Устройство по и. 1, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что уплотняющие прокладки выпол-.нены из антифрикцион ного материала.Это устройство имеет сложную конструкцию, трудоемко в изготовлении и малопригодно для наблюдения при выращивании кристаллов из расплавов, содержащих летучие компоненты. Во время наблюдения оператор периодически (через 10-30 мин) осматривает всю,поверхность растущего кристалла, Практически одно наблюдение длится в течение одного оборота кристалла 1-5 мин.При выращивании сцинтилляционныхкристаллов, активированных таллием; этого .времени достаточно, чтобы одно из стекол потеряло прозрачность из-за осаждения конденсата. Устройство наблюдения долж. но иметь большое количество стекол, чтобы...

Номер патента: 1122015

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Апилат, Даниленко, Заславский, Лисовиченко, Мюлендорф

МПК: C30B 15/02

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

...сечения,Внешний диаметр питателя равен 600мм(500 Х 1,2), внутренний 400 мм(500 Х 0,8),высота 200 мм, толщина стенок 1 мм,Дозатор 5, представляющий собой цилиндрический сосуд диаметром 30 мм и высотой 120 мм,. расположен с внешней стороны тигля 2 параллельно его оси на кратчайшем расстоянии и соединен с тиглем Горизонтальной переточнай трубкой 7 с внутренним диаметром 5 мм, Перетпчная трубка 7 вварена в нижних частях конического тигля 2 и дозатара 5, что дает возможность задавать л,обой исходный уровень расплава в .Тигле. Транспортнач трубка 4 диаметрам 5 мм для подачи расплава из питателя 3 в дозатор 5 введена вер 1 икальна из объема питэтеля в дозатор через ега дно, причем ось трубки 4 смещена ат оси дозато,ра 5 на четверть...

Номер патента: 1609211

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Зеленская, Кривошеин, Пирогов, Рыжиков

МПК: C30B 29/32, C30B 33/04

Метки: кристаллов, сцинтилляционных, термообработки

...кристаллы со ско" ростью 50-100 град/ч до 930+30 С и д- лее до комнатной температуры со скоростью 100-20 ф град/ч. После охлаждения ячейку вынимают нз печи и извле 1609211кают кристаллы (или сцинтилляторы),Кристаллы передают на оптико-механи:ескуа обработку, а спинтилляторына измерение сцинтилляционных параметров,Были проведены лабораторные испытания известного.и предлагаемого способов, Термообработке. подвергалосьболее 35 кристаллов германата висмута и сцинтилляторов из них, Характерные результаты испытаний приведены втаблице (для сцинтилляторов размером4040 мм и 5 ПМ 50 мм),В абсолютном значении световой выход увелицивается на 3,0-393, энергетицеское разрешение улучшается на2,0-7,33,Относительное улучшение сцинтилляционных параметров...

Номер патента: 1810402

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Кожевников, Колесников

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллов, оптически, прозрачных, селенида, цинка

...к низуТребуемый для проведения отжига по кристалла 3 град/см и скорости сниженияпредлагаемому способу интервал темпера- температуры 26 град/ч так, что по окончатур верха кристалла в начальный момент 5 нии отжига температура верха кристалла соотжига 1240 - 1280 С выбран эксперимен- ставляет 650 С. Получен кристалл селенидатально и соответствует температуре верха цинка с коэффициентом поглощения излукристалла по окончании его выращивания. чения свето ИК-уиапазона с длиной волныПри начальной температуре свыше 1280 С 10,6 мкм 1,3 10 см .происходит термическое травление верх Дополнительные примеры приведены вней части образца за счет испарений селе-таблице (строки 1 - 8).нида цинка, что ведет к неоправданным...

Номер патента: 1813126

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Калинин, Сипягин

МПК: C30B 29/04, C30B 33/04

Метки: кристаллов, упрочнения

...к упрбчнениюкриСталлбв в результате быстрого обжигайапряжений в областях, прилегающих к указаннь 1 м микродефектам,Облучение осуществляют с плотностьюмощнбсти излучения В импульсе определяемой из зависимости;ом-КБВеличина коэффициента К изменяется в диапазоне 2,5 - 4,2 и его изменение обратно пропорцйональнс изменению линейного размера кристалла. Для малых размеров Я = 0,2, К=4,0-4,2, адля 8=2,0-2,8 и К=2.5 - 2,6.Следует Отметить, что если даже принять прямую линейную завйсимость 3 = 0,2 - -К=4,2; Я =2;8 - К= 2,6, для нахождения по известной величине, значений К и псдстановки их в экспериментальную зависимость, то полученная величина р обеспечит эффект упроцнения, но не максимальновозможный, В действительности же зависимость К- Я...

Номер патента: 1813817

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Александров, Демидов, Юшкевич

МПК: C30B 11/02, C30B 29/54

Метки: веществ, кристаллов, органических

...когда закристаллизовано 80-857 ь расплава. После этого останавливают привод возвратно-поступательного движения и термостат, нагнетающий теплоноситель в рубашку 2. Теплоотводящий элемент 15 с кристаллом поднимают над уровнем расплава, Обогащенный примесями расплав стекает на днососуда 1, Разделительную диафрагму 8 поднимают до верхнего уровня расплава и с помощью дополнительной емкости через патрубок 13 вытесняют из нижней части рубашки 2 термостатирующую жидкость, заменяя ее хладоагентом, Уровень хладоагента доводят до диафрагмы 8, В холодильник 12 пропускают охлажденную воду и понижают температуру хладоагента под диафрагмой 8 до температуры несколько ниже температуры кристаллизации расплава. При этом загрязненный расплав...

Номер патента: 1558041

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...25 цинка и магния и селенидами примесныхэлементов. Затем температуру в печи снижа)от со скоростью 10-30 в час до температуры плавления хлоридов калия 770 С и печь отключают. В пересыщенном растворе 30 образуется очень много центров кристаллизации и кристаллы растут в виде. пластин-чешуек толщиной примерно 0,1-3 мм в поперечнике. При такой кристаллизации достигается очистка селенида цинка от при мясных элементов как за счет обменныхреакций между хлоридами цинка и магния и сепенидами примесных элементов, так и за счет различных коэффициентов распределения примеси в растворе-расплаве, а размеры ,40 кристаллов не имеют решающего значения.Удельная поверхность монокристаллического селенида цинка снижается; а насыпной удельный вес...

Номер патента: 1816815

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Бережкова, Васев, Перстнев

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: кристаллов, оптического, повышения, пропускания, свинца, хлорида

...Уф-части спектра до указанного в формуле изобретения флюенса. После такой обработки пропускание этого образца в Уф-области спектра возрастает на 11-15, Спектр поглощения обработанного световым потоком кристалла показан на фиг, 1, кривая 2, Далее этот образец используют для практических целей в УФ-части спектра,Одним из достоинств предлагаемого способа является то, что толщину кристаллов хлорида свинца не доводят до минимальной величины, при которой механические свойства образцов резко ухудшаются. За счет увеличения пропускания образцов после их обработки по заявляемому способу толщину кристаллов можно увеличивать на 11-157 Э, поэтому механические свойства образцов повышаются. Кристалл становится более устойчивым к внешним механическим...

Номер патента: 1624925

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Терейковская, Файнер

МПК: C03B 11/02, C30B 29/50

Метки: кристаллов, соединений

...газов избыточное давление в печи 50 устанавливают на уровне 50-100 мм водя- ного столба. Включают электронагреватель и .температуру в печи доводят до 1100 С, которую и выдерживают в течение 20 ч при слабом токе аргона. 55Рекристаллизованный в этих условиях сульфид кадмия имеетудельную поверхность 2,4 м /г и насыпную плотность 2766 г/л,Навеску рекристаллизованного сульфида кадмия в количестве 300 г помещают в графитовый тигель и устанавливают на штоке механизма перемещения компрессионной печи. Печь вакуумируют и заполняют аргоном до давления 60 ат. Повышают температуру до 1500 С и при этом избыточное давление аргона достигает 100 ат, Протягивают тигель со скоростью 30 мм/ч через градиент температур нагревателя для сплавления загрузки...

Номер патента: 1818363

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Балдин, Борисов, Бройтман, Качанова, Коробицын, Подкопаев, Ратников

МПК: C30B 13/28, G05D 27/00

Метки: бестигельной, выращивания, зонной, кристаллов, методом, плавки, процессом

...ил. Устроиство,содержит модуль 1 заданной высоты фронта кристаллизации (переменной при разращивании кристалла), модуль 2 задания диаметра (переменного в момент разращивания кристалла), модуль 3 определения отклонения фактического положения фронта кристаллизации от заданной, модуль 4 определения отклонения фактического диаметра от заданного, модуль 5 преобразования отклонения положения фронта кристаллизации в сигналуправления напряжением на индукторе, модуль 6 преобразования отклонения диаметра кристалла от заданного в сигнал управления двигателем растяжения-сжатия, блок 7 регулятора напряжения, блок 8 регулятора скорости перемещения подплавляемого слитка, индукционная система 9 с переплавляемым слитком, исполнительный двигатель 10,...

Номер патента: 1818364

Опубликовано: 30.05.1993

Автор: Колесников

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кадмия, кристаллов, теллурида

...Из таблицы (строки 1 - 2) видно, что при температурах ниже 930 С значение Т 1 о 6 остается низким. Испольэо- Б вание температур выше 950 С нецелесообразно, т.к. при этом начинается интенсивная сублимация СОТе, происходит термическое стравливание поверхности обрабатываемого кристалла (см, таблицу, строка 8),Снижение продолжительности отжига Сд(менее 60 ч) приводит к получению кристал лов с недостаточно высоким светопропуска- фь нием (см,таблицу, строка 3), а увеличение (свыше 70 ч) нецелесообразно, т,к. не приводит к росту величину Т 1 о б (см, таблицу, строка 4).Известных технических решений, имеющих признаки, сходные с признаками, отличающими заявленное решение от прототипа, не обнаружено. Следовательно заявленное решение...

Номер патента: 1819920

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Клубович, Мозжаров, Толочко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...прохо. дя через патрубок 5, выходит из отверстий 7 а гидронасадки 6 в виде нисходящего потока, ОО) образованного системой незатопленных струй, падающих на кристалл 3, При этом вся поверхность кристалла покрывается пленкой стекающего, постоянно обновляющегося раствора,П р и м е р 1, Выращивают кристалл С) КДР из водного раствора в предлагаемом устройстве. Емкость кристаллизационного сосуда 5 л. Внутри него на расстоянии от дна 8 см установлена кристаллическая затравка с размерами вдоль осей х и у 2 см (вершина пирамиды направлена вверх). Над кристаллом на расстоянии 4 см установлена гидро- насадка в виде цилиндра диаметром 3 см и высотой 5 см, в нижней торцевой стенке которого выполнена система отверстий диаметром 1,5 мм,.отстоящих...

Номер патента: 1820925

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Гусев, Каргин, Царев, Циглер, Чиркина

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом

...одного материала к другому в ходе одного циклакристаллизации при выращивании многослойного кристалла.Так, в эксперименте установлено, чтопри выращивании сложного кристалла, например лейкосапфир-рубин-лейкосапфира,.с постоянным диаметром при переходе отодного материала к другому расход кислорода, согласно программе автоматическогорегулирования расхода газов, меняется на 4 - 6 от общего расхода. кислорода центральной горелки и соответственно берется тем больший процент измерения расхода,. тем больше диаметр вцращиваемого кристалла.Процесс выращивания кристаллов повышенной оптической однородности диаметром от 10 до 100 мм с использованием вновь разработанных систем нагрева и расположения Фронта кристаллизации эффективно осуществляется при...

Номер патента: 1445277

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Василенко, Кандыбин, Косилов

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, группового, кристаллов, меди, основе, профилированных

...1 подводят эатравочиыекристаллы б, закрепленные в затрав"кодержателе 7.Устройство работает следующимобразом.После заполнения капиллярнвп каналов Формообразователей 1 к их рабочим торцам подводят затравочные 40кристаллы 6 и начинают вытягиваниекристаллов. При высоте сужающейсяверхней части Формообразователя 1равной (2-4) й, где (1 - толщинакристалла, и угле сужения равном30-50 уровень расположения фронтакристаллизации (вблизи середины сужающейся, верхней части формообразователя) соответствует максимальномуградиенту температуры вдоль оси вытягивания. Кроме того, отсутствует50охлаждение периферии столба распла 7 2ва, Эти условия необходимы для получения моиокрнсталлов с максимальной скоростью выращивания. Изобретение...

Номер патента: 1822944

Опубликовано: 23.06.1993

Автор: Духовников

МПК: G01N 21/55

Метки: кристаллов, ориентации, полупроводниковых

...вещества. При пересе снии нескольких трещин происходит выкалывание части вещества. В кристаллических веществах трещины образуются в направлении кристаллографических плоскостей, 1822944соответствующих минимальной прочности межатомных связей. Таким образом, стенки выколок являются своеобразными "микроэеркалами", параллельными плоскостям скола и, очевидно, параллельными друг другу, Это приводит к тому, что матовая шлифованная поверхность кристалла отражает свет не диффузно, а почти направленно, При освещении шлифованного участка лазерным узким лучом на экране наблюдаются очень резкие максимумы интенсивности света. Полупроводники типа баАз, 1 пЗЬ, ОаЯЬ, пР дают максимумы различной интенсивности, т. к. их скалывание происходит...

Номер патента: 1455786

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Ковтун, Полторацкий, Проценко

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, нарушенного, поверхности, слоя, толщины

...слоя. В качестве активного газа исг.альзуют газ из элементан, не нходягпих н состав .кристалла и потока, В процессе травления осушествляю; контроль степени дефектности структуры поверхности по концентрации активного газа на поверхности кристалла. За талпгиФ ну нарушенного слоя принимают толщину удаленного слоя, при каторгам концентрация составляет 107. ат первоначальной. Достигают точности апре- Саделения до 1 О А,Затем н камере откачивают вакуум и проводят травление кристалла патокам ионов аргсна с энергией 0,7 кэВ и плотностью тока 10 А см, В процессе травления осуществляют массспектрометрический контроль концрнрации кислорода нг поверхности кристалла и измеряют толцину удаленнго слоя, При тотнпине удаленного слоя, равной 80 А,...

Номер патента: 1050475

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых, структур

...над элементами ной канавкой 13.структуры подложки и в разделительных П р и м е На пол ир и м е р, а полупроводникоои.от 5 до 5 мкм. вые пластины кремния 1 с интегральл и сводникКроме того, травящая среда для по- ными структурами 3 после Форм ру р , овой подложки не должна 15 ния металлизированной разводки 5 изи овавоздействовать на открытое маскирую- алюминия методом плаэмохимическогот бщее диэлектрическое покрытие, Таким осаждения наносят " " 6тре ованиям отвечает указанное в спозащитныи слои особе идвуокиси кремния в режиме: темпера"со е плазмохимическое травление, но тура подложки Т = 200+10 Сне в полной ме ео ожки = + , давлениеой мере, поскольку диэлект О кислорода Р = (2-2,5) Па с добавлеием моносилана до давления 25...

Номер патента: 1102433

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Дмитриев, Колычев

МПК: H01L 21/48, H01L 21/76

Метки: кристаллов, полупроводниковых, приборов

...подложка с пассивирующей пленкой, нанесенной на рельеФную поверхность; на Фиг,5 - завершенная полупроводниковая транзисторная структура со вскрытыми контактными площадками55На фиг.1-5 изображены полупроводниковая подложка 1, базовая область 2, эмиттерная область 3, за 33 4щитное покрытие 4, контактные площадки металлизации 5, слой Фоторезиста 6, канавки 7 диэлектрической изоляции, подтравленные канавки8 диэлектрической изоляции, пассивирующая пленка 9.П р и м е р. В полупроводниковойподложке кремния 1 толщиной 300 мкм,служащей коллектором, Формируют диФФузией бора из трехбромистого бораВВг базовую область 2 глубиной залегания - 10 мкм и противоположногоподложке р-типа проводимости,ДиФФузию проводят в две стадии:загонка примеси при...

Номер патента: 1827534

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Каримов

МПК: G01B 7/18

Метки: кристаллов, тензочувствительности

...К =(Ьй/йой, где Во - начальное значение сопротивления кристалла, При этом исследуют ряд кристаллов, имеющих следующие геометрические размеры: длина = 0,6-1,0 мм (в направлении оси Х),ширина Ь = 0,2 - 0,4 мм(в направлении оси Е), толщина б = 0.10-0,15 мм (в направлении оси У), Параметр и/б лежал в интервале 1,5-4,0, На фиг, 3 (график 1) приведена зависимость Ьй( а )/Во для одного из кристаллов, По результатам измерения К на всех кристаллах строится график зависимости К (и/б) (фиг. 4), который затем экстраполируют в область значений (и/б) - з.О и получают точное значение Ко = 7,1 при (Ь/б) = О, что является непосредственно экспериментально недостижимым.П р и м е р 2. В отличие от примера 1 измерения проводят на кристаллах...

Номер патента: 980568

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых, структур

...на общей полупроводниковой подложке структур друг от друга.П р и м е р, Полупроводниковую подложку кремния 1 и-типа проводи" мости, служащую коллектором, подвер" гают термическому окислению при тем" пературе 1150 С в течение 3 ч. Процесс проводят в комбинированной среде сухого и. увлажненного водяными парами кислорода, выращивая маскирующее дизлектрицеское покрытие 2 двуокиси. кремния БхО. 8 результате получают пленку толщиной 0,8 мкм, достаточной для маскирования подложки 1 от последующих операций диффузии и селективного травления кремния. Через вскрытое Фотогравировкой окно в покрытии 2 Формируют базовую область. 3; например, термической загонкой бора из борного ангидрида ВОз с последующей его разгонкой при температуре 1150 С...