Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 1651173

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Кшевецкий, Стецко

МПК: G01N 23/20

Метки: выявления, дефектов, кристаллов, рентгенотопографический, структуры

...С,Мигунова Корректор Н.Ревс актор О.Голова з 160 Тираж 410 одписн НТ ССС 1 И Государственного комитета п 113035, 11 ос.ква, Ж изобретениям иРаушская наб,крытиямд. 4/5 Производствснно-издательский комбинат "Патент", и. Ужгород, ул. Гагарина, 10 16511 ют вокруг вектора дифракции так, чтобы угол входа падающего пучка в кристалл был близок углу полного внешнего отражения, и фиксируют дифракционную картину на фотопленку,5 о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения искажений изображения дефектов кристаллической струк 136туры субмикронных слоев и повышениячувствительности к рельефу поверхности монокристалла, в качестве отражающих выбирают плоскости, составляющие угол разориЕнтации по отношениюк входной поверхности кристалла,близкий...

Номер патента: 1316323

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Войтович, Калинов, Михнов, Овсейчук

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: активной, кристаллов, лития, среды, фторида

...предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1 13Изобретение относится к кванто" вой электронике и может быть использовано для создания активных элементов лазеров с перестраиваемым по частоте спектром излучения.Целью изобретения является расширение диапазона генерируемого лазером излучения на область 520-580 нм.П ри и е р. Оптически обработанный кристалл фторида лития (толщина 2 им, площадь отполированной грани 10 10 ииф) помещают во влагонепроницаемую оболочку (чтобы избежать воздействия на кристалл конденсирующейся при охлаждении из воздуха влаги). После этого кристалл охлаждают в термосе с сухим льдом. Применение в качестве охладителя сухого льда позволяет достигнуть температуры кристаллиэации углекислоты...

Номер патента: 1663060

Опубликовано: 15.07.1991

Автор: Рыбкин

МПК: C30B 23/00, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбида, кремния, кристаллов

...ЯС не фиксирована и зависит от температуры кристаллизации. Однако в любом случае зона активного испарения шихты или эона 10 сублимации в данном методе в несколько раз меньше по высоте, чем высота всей загрузки порошка ЯС,в контейнере, Это составляет одно иэ преимуществ предлагаемого метода, поскольку позволяет увеличить объем загрузки шихты ЯС иувеличить время кристаллизации. Последнее в свою очередь позволяет увеличить размеры выращивеамых кристаллов, используя перемещение кристалла и контейнера с шихтой в противоположныхнаправлениях10 В исходном положении (фиг.2) послеподьема со скоростью 250 - 300 С ч до2100 С температуры в зоне роста и создания ваккума(1 - 5) 10 ммрт.ст,впечидлякристаллизации ЯС создается осевое рас 5 пределение...

Номер патента: 1663062

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Анистратенко, Концевой, Оксанич

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, хрупких

...фотоупругости измеряют внутренние механические напряжения и фиксируют, что в результате обработки они уменьшились от 1,0 до 0,3 МПа.П р и м е р 2. Процесс проводят как в примере 1, но меняют тип пластины и коорОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Завод чистых металлоСССР(57) Изобретение относится к способам о работки хрупких материалов, преимуще венно полупроводниковых пластин позволяет уменьшить внутренние меха ческие напряжения в них. К поверхнос кристалла прижимают острием зонд сплава серебра и платины. Усилие прижат создают не менее 1 сН, а выдержку в так условиях проводят в течение 0,1 - 5,0 Достигают уменьшения внутренних меха ческих напряжений до двух раз без вне ния термических изменений в...

Номер патента: 1172316

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Зубова, Севастьянов, Станишевский, Старостин, Циглер, Чиркин

МПК: C30B 35/00

Метки: выращивания, кристаллов

...камеры повернут на 90 вокруг оси 0-0 относительноосвоего положения, изображенного на фиг. 1) .На фиг.4 - устройство, смонтированное для выращивания кристаллов вертикальными методами, с вертикальным расположением продольной оси 0-0 корпуса камеры, горизонтальным расположением оси 0- 0 фланцев, механизмом вытягивания, установленным на 20 фланце одной из крышек и подсоединением патрубка вакуумно-газовой системы к одному иэ фланцев корпуса камеры (для этого корпус камеры повернут относительно своего положения, изображенного на фиг.1, на 90 вокруг точки пересечения осей 0-0 и 0 -0 в плос 1 4 - кости, определяемой этими осями).Возможны и другие варианты размещения указанных элементов устройства относительно друг друга.. Устройство содержит...

Номер патента: 1666584

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Авхутский, Квашнин, Синев, Сурков, Чернявец

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, группового, кристаллов

...графитовых дисковемным пироуплотнение поверхностным слоем 11 пирографита, полученным за счет поверхностного пироуплотнения. По крайней мере в одном из дисков 9 и 10 выполнены фрезерованием каналы 12, В загрузочном бункере 1 и тиглях 4 условно показан момент перетекания расплава 13. Диски 9 и 10 и тигли 4 могут быть склеены карбонизуемым клеем с добавкой углеродной крупки (смола ФФН) с последующей термообработкой,им обраУстроиство работает следующ зом,В загрузочный бункер 1 помещ ту СаР 2 и нагревают до 1420 С, и образующийся расплав 13 перете отверстие 3 и центральный иэ т каналы 12 и заполняет равномерн ли 4, устанавливаясь на одинаковочто обеспечивает симметричность теплового поля ао время кристаллизации, начинающейся от конусов...

Номер патента: 1668846

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Гаврилов, Коварский, Новгородская, Твалчрелидзе

МПК: G01B 5/06

Метки: кристаллов, мелкодисперсных, плоских, толщины

...кристаллов, заключающийся в том, что осуществляют разделение кристаллов на фракции по размерам в восходящем потоке жидкости, после чего каждую фракцию помещают в раствор ацетон-толуола, содержащий 3 части ацетона и 1 часть толуола, перемешивают раствор и высушивают фракцию путем пропускания через нее воздуха, давление которого поддерживают ниже атмосферного, определяют удельную поверхность в каждой фракции и определяют толщину кристаллов в каждой фракции,. СОд 60000 СОЪ3 ьгде д - средняя толщина(фракции, мкм;Ч - плотность кристаллов, г/см;Яуд - удельная поверхность кристаллов-й фракции, см 2/г,Слипание мелкодисперсных плоскихкристаллов устраняется нейтрализациейэлектростатических сил сцепления междуповерхностными зарядами...

Номер патента: 1670000

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Болдырева, Нардов, Руссо, Чебанов

МПК: C30B 7/00

Метки: водорастворимых, кристаллов, соединений

...кристаллиэа 30 ции,ДРК в осадке - около 63%,П р и м е р 11, Раствор дигидрата хло.рида бария готовят, как в примере 9. В качестве растворителя используют смесь воды и35 раствора примесей набора М. 1 в количествах 980 мл и 20 мл соответственно (концентрация каждой из примесей лежит винтервал 10 - 10 г/л). Раствор охлаждают до температуры кристаллизации40 ДРК и осадке - около 47%,П р и м е р 12, Раствор дигидрата хлорида барияотовят, как в примере 9, В качестве растворителя используют смесь воды ираствора примесей набора М. 1 в количест 45 вах 800 мл и 200 мл соответственно. Содержание каждой из примесей при этомсоставляет 10 - 10 г/л. Раствор охлажда-зют до комнатой температуры.ДРК в осадке - около 46%.50, П р и м е р 13. Раствор...

Номер патента: 1671574

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Завада, Масленков, Ярош

МПК: B65G 47/31

Метки: бракованных, гибкого, демонтажа, кристаллов, него, носителя, полупроводниковых, рамки-спутника, удаления

...4 подает рагку-спутник 1 на цневгодорогкУу 10 7 (фиг. 2) несущей плигы 6 цо с и г цлбо чую зону, где фиксиру гся уцорлл 10 таУ что край раглки-ступцка 1 находися н;д Окном 8 несущей цлиПод д:.йствис.л привода 21 под ру",;,я тр; .рса 22 с 45 закрепленныгл на н=и цус оногл 24 цо вор тйкальньм направляющим 23 псэреглещается вниз, Пуансон 24 ерег. ещаясь низ открыгяет край гибкоо с-,ситлля 1.1 от рс 1 ки-спутни, а 4 по;,аег о о в оунс 8 ц су "., "0 плиты 6 и пэрегибае с доль цар валиУОз 25 и 26 глеханизма 14 за атаибкого носится13 (фиг. 4), Отср: лци край гибкого ногителя 13 афпг, 2 О,и:" ый адгез;",цо поверхностью х цуэнсс у 24. воздушныгл 55 потоко,л из сопла 9 по 1 уцмается к паре валиков 25 и 26 гехаг 11 эслл 14 захвата гибкого...

Номер патента: 1673650

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Азаров, Клубович, Кондрашов, Сысоев, Толочко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...однонаправленное вращение кристаллиэатора с раствором и кристаллодержателя с кристаллом вокруг общей вертикальной оси и периодическое реверсивное изменение направления обтекания кристалла раствором, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения качества кристаллов за счет создания статистически равномерных условий роста и исключения эапараэичивания раствора, изменение направления обтекания кристалла раствором проводят путем периодического повышения и понижения скорости вращения кристаллодержателя относительно скорости вращения кристаллизатора,25 30 35 40 Составитель В, БезбородоваРедактор Л, Пчолинская Техред М,Моргентал КоРРектоР Т, Малец Заказ 2899 Тираж 251 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и...

Номер патента: 1673652

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Гресь, Ковалева, Смирнов, Сухостат

МПК: C30B 11/00

Метки: ампула, выращивания, кристаллов, расплава

...стенки 3 - 4 мм. Кольцевые углубления 3 имеют глубину 1,5 - 2 мм и ширину " 0,3 мм (угол смачивания расплавом галогединов щелочных металлов кварцевого стекла 10). Углубление получают путем сварки цилиндрической поверхности ампулы с конусным дном по наружной поверхности с предварительной их установкой на расстоянии, равном заявляемой ширине зазора. Углубление может быть еще получено механической выборкой внутренней по1673652 верхности ампулы в месте соединения цилиндра с конусом с помощью алмазного диска толщиной, равной заявляемой ширине.В таблице приведены данные испытаний при различных значениях глубины и ширин ы кол ьцево го углубления. В 85 случаях из 100 на стадии оплавления происходило быстрое отделение конусного дна и кристаллы...

Номер патента: 1673933

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Абоян, Безирганян, Хзарджян

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, кристаллов, рентгеноинтерферометрический

...даже до их проектирования, не полны - они преимущественно представляют картины полей деформации, возникших в направлении нормали отражающих плоскостей.В рентгеноинтерферометрических исследованиях, кроме перечисленных, регистрируемые дифракционные изображения (муаровые картины) сильно зависят от направления поворотов отражающих плоскостей, вызванных несовершенствами кристаллов интерферометра, от характера изменения межплоскостных расстояний отражающих плоскостей, от как абсолютного, так и относительного месторасположения несовершенств кристаллов интерферометра. Если в случае отдельного кристалла при формировании дифракционного изображения основную роль играет относительное расположение векторов Бюргерса и дифракции, то в...

Номер патента: 1674036

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Березинский, Бялельдинов, Васильева, Карпов, Смирнов, Степанов, Тлисов, Ясюков

МПК: G01W 1/00

Метки: исследования, кристаллов, ледяных, образования

...м 5, смачиваемым перед проа, С наружнои сторопластин 2 расположееплообменниками 7, ется вода или другая я проба воздуха чеельного охлаждения дной пластине 2, проо входной коллектор стеклом 10, плоский меру 1, выходное отй коллектор 13, Горие обеспечивается1674 О 36 Формула изобретения Пмоп 0 о 70 цх 0 фход Проба дог йдод дода нц тщоюдеюеТираж 268 ПодписноеГосударственного комитета по изобретениям иоткрытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 415 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 1 стенку на место. Подаот воду на охлаждение теплообменников 7 и напряжение на термобатарею 6 для создания температурного и влажностного режима в предварительном охладителе 8 и рабочей камере 1. Исследуемая...

Номер патента: 1473382

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Александров, Мартинсон

МПК: C30B 11/02, C30B 29/54

Метки: веществ, кристаллов, органических

...7 с отнерстием, через которое теплоотводящий элемент 5 соединен непосредственно или с помощью соеди-нения 8 с термостатирующей трубкой 9.П р н м,е р. В сосуд 1 загру- фф жают шихту нэ нафталина и вводят в нее теплоотводящий элемент 5. Через .термостатврующую рубашку 2 и тепло- отводящий элемент пропускают воду,ф /онагретую до 86 С т.е, на 5 С выше1473382 ние 1 О ч получают кристалл дифениласо степенью чистоты 99,999% диаметром 46 мм и длиной 170 мм.Таким образом, способ по изобретеноо позволяет повысить степеньчистоты на порядок и в три раза увеличить производительность процесса.Фо рмула изобретенияСпособ получения кристаллов органических веществ, включающий расплавление шнхты. с введенным в нее тепло-отводящим элементом, его...

Номер патента: 1675408

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Барабошкин, Вакарин, Калиев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/14

Метки: бронз, кристаллов, оксидных, электрохимический

...медную проволоку диаметром 0,37 мм, в качестве анода - платиновую проволоку диаметром 0,5 мм. Между электродами пропускают постоянный электрический ток плотностью 3 мА/см. Наблюдают образование на катоде зародыша кристалла и его рост в виде иглы, ограненной по бокам плоскостями 1110), а по вершине 1 ОЯ). Через 2 мин по достижении кристаллом заданной длины 3 мм плотность тока увеличивают в 1000 раз до 3000 мА/см. Наблюдают разращивание кристаллической иглы в боковых направлениях и по истечении 5 мин преобразование ее в бипирамиду, ограненную плоскостями типа 1310). Получают кристалл калий-натрий-вольфрамовый бронзы размером во всех направлениях 2,8 - 3,2 мм.Пример 2. Процесс проводят, как в примере 1, но изменяют плотность тока и...

Номер патента: 1680643

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Дуров, Козлов

МПК: C30B 29/58, C30B 7/00

Метки: белка, выращивания, кристаллов

...для более удобного заполнения канала 20 и проточки-секции 13 буферным раствором и удаления пузырьков воздуха, С этой же целью более удобного заполнения проточки-секции 14 солевым раствором и удаления пузырьков воздуха предусмотрены два канала 22, размещенных во взаимно противоположных угловых зонах проточки- секции 14.Устройство работает следующим образом. 5 10 приводят. в исходное положение, при котором под каналом 20 в корпусе 3, ведущим к кристаллизационной камере 4, располагается проточка-секция 13 поршня. Устройст 20 во устанавливают в положение, при котором каналы 21 и 22 располагаются сверху, Через каналы 21 и 22 проточки-секции 13 и 14 заполняются соответственно буферным и солевым растворами, При этом добиваются 25 более...

Номер патента: 1680810

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Абловацкий, Калугин, Куценогий, Петров

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кристаллов, расплава

...шток 16 тигля 8, снабжненный центрирующим элементом 17. Устройство может быть снабжено по меньшей мере двумя нижними частями 2 камеры.Устройство работает следующим образом,Перемещают шток 16 тигля 8 вниз, при этом последний с подставкой 9 устанавливается на опорном кольце 11, С помощью привода 15 перемещают; Е-образные кольца 14, образуя зазоры между частями 1 и 2 камеры и нижней частью 2 камеры с поддоном 3. Нижнюю часть 2 камеры выкатывают на колесах 4 или поворачивают вокруг колонны 7, Производят загрузку тигля 8 исходным материалом, которую могут осуществлять в отдельном чистом помещении. Устанавливают нижнюю часть 2 камеры в первоначальное положение, Приводом 15 перемещают кольца 14, герметизируя камеры роста. Продувают камеры...

Номер патента: 1687649

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Кузьмина, Мошкин, Нардов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: кристаллов

...по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 13035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5Производственно-издательский комбинат "Патен", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Те, Пеоатурц В 3 сЗС 3 воре, ОдиНВКОВОИ для Всех о,ьггов являлась "акже методика обрабп ки зксга-,име-п.ащ нцх результатов, котора."; заключалась в следующем. Из ка 3 кдого Опыта отбиралось 30 наиболее ;.) пнь 1 х кристаллов.,Салее с испОльзовднием микроскопа МИН-б с гониометрической гол Овкой, на котОрой закреплялись кристацлц, для каждОГО к)3 исталла В отраженном свете Определялось нличие взаимно О-, кло- НЯЮЩИХСЯ УЧВСТКОВ ПОВ 8 РХНОСТИ, ПРИнслдлеиащим разным блокам, и измерялся размер Оло;ОВ, Затсм подсчитывалось суммарное число моноблоков размером более 1 х 1 х 0,1 мм для Всех...

Номер патента: 1689089

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Данилюк, Копыл, Слынько, Хандожко

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов, полупроводниковых, резки, струнной

...со средним размером зерна 15 мкм,Подача кристалла на струну осуществляется с помощью электродвигателя с регулируемой частотой вращения, Сопротивление цепи, содержащее сопро нвление 9, сопротивление самоо кристалла от зоны до контакта 4, и сопротивления между струной и кристаллом в зоне резания В(т) измеряют с помощью схемы, приведенной на фиг, 1, В начале реза измеряют Вопт, Цилиндрический слиток ФЗО мм с удельным сопротивлением р = 2,8 Ом см, закрепленный ,на подвижном столике, до подачи абразивной суспенэии приводят в соприкосновение со струной, после чего приводят в движене нить и после подачи абразивной суспензии следят за изменением В В начальный момент В(т) = 2 кОм = Яо, Изменение В(т) со временем изображено на фиг. 4,...

Номер патента: 1691433

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Курлов, Редькин

МПК: C30B 15/34, C30B 29/22, C30B 29/30 ...

Метки: выращивания, кристаллов, оксидов, профилированных, сложных

...Включение материала формообразователя и дефекты,связанные контактом с формообразователем, наблюдаются только на поверхностнойчасти кристалла,Измерить давление в замкнутом объемене представляется возмокным но онолегкорассчитывается из следующих условий;рЧ = сопэт(закон Бойля-Мариотта) и Р -Р.= рцэр,где Р - давление в замкнутом объеме;Р - давление в камере;р - плотность расплава;о - ускорение свободного падения;Ь - высота поднятия расплава в замкнутом обьеме относигельно уровня расплава.Но в данном случае наиболее вахнойхарактеристикой является расстояниеотпластины затравки до места схлопывания(фиг. 4), в зависимости гп Р - давления в 10 15 20 25 30 35 40 45 50 камере. Зто расстояние рассчитывают поформуле Н-Н+ Нф,Ну р цРгде Н -...

Номер патента: 1693479

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Кузнецов

МПК: G01N 21/35

Метки: кристаллов, поверхностной, энергии

...волновому числу надольных колебаний, измеряют толщину ггластинки Т и по формуле 1 Р Е Г/;Т д) определяют поверхностную энетию, 2 ил,способу М.С.Мецика определяют морль Юнга Е, который равен 210 дин/см . У этой же пластинки измеряет ИК-спектр отражения на серийном спектрометре ИКСв области 800 - 1150 см г с помощью приставки ИПО, а также записывают отражение от алюминиевого зеркала. По значению коэффициента отражения В определяют максимум отражения с волновым числом Рз = 1040 см, который согласно фиг. 1 равен-г 0,61,и по формуле рассчитывают толщину поверхностного слоя дд-дд дыод8 яив 25,121040 =5,8106 см, Затем проводят эксперимент по измерению пропускания пластинок разной толщины и определяют из них такую, чтобы начало роста пропускания...

Номер патента: 1694716

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Мельникова, Сафин, Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02, C30B 33/04 ...

Метки: кристаллов, молекулярных, примесей, щелочно-галоидных

...электрод заменяли на плоский, Замена острийного электрода на плоский осуществлялась для прекращения введения электронных центров и осуществления дальнейших процедур очистки. Температуру в ячейке поднимали до 610 С, а через образец пропускали ток 10 мА (при больших1694716 Формула изобретения Способ очистки щелочно-галоидных кристаллов от молекулярных примесей путем введения электронных центров окраски, о т л и ч а ю щи й с я тем, что, с целью повышения степени очистки, центры вводят с помощью острийного электрода, после чего проводят отжиг кристалла при температуре на 10 - 15 С ниже температуры плавления при пропускании электрического тока не более 10 мА и одновременном облучении светом УФ-диапазона до исчезновения полос поглощения...

Номер патента: 1700112

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Аверьянов, Атаманенко, Дубинин, Евтодий, Кузьминов, Лейбович, Митин, Середа, Сухарев, Талят-Келпш, Федоров

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллов, профилированных, процессом, расплава

...сил, приложенных к затравке растущего кристалла.Кроме того, известный способ автоматического управления технически трудно осуществить в технологических установках, в которых при вытягивании кристалла трос наматывается на барабан лебедки, т,к. в этом случае для измерения сил поипоженных к затравке растущего кристалла, необходимо взвешивать большегрузную лебедку с барабаном.Целью предпа. емого изобретения является улучшение качества регулирования процесса выращивания профилированных кристаллов,Поставленная цель достигается тем, что в способе автоматического управления процессом получения профилированных кристаллов из расплава, включающем регулирование технологических переменных процесса кристаллизации, например, температуры...

Номер патента: 1701759

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Крылюк, Куликовская, Раренко

МПК: C09G 1/02, C30B 29/10, C30B 33/08 ...

Метки: композиция, кристаллов, поверхности, полировки, полупроводниковых, химико-механической

...1. В качестве твердой фазы использовали ультрадисперсные порошки немодифицированного кремнезема размером 20-38 ОА с поверхностью, содержащей группы 9 ОН, Химически активный компонент - моноэтилендиамин.Гидрофильный характер аминоэтоксиазросила (АЭА) позволяет очень легко вводить его в водные среды и получать стабильные водные дисперсии Е = Я - О - СНг - СНг - ИНг.Продукты, образующиеся при полировке, удаляются с поверхности за счет хорошей абсорбцион ной способности, обусловленной сильноразвитой поверхностью АЭА, а также благодаря комплексообразованию за счет наличия аминогрупп, что позволяет избежать "замазывания" дефек.тов поверхности и обеспечить высокую эфФективность на протяжении всео процесса,При приготовлении полировальных...

Номер патента: 1702242

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Скупов, Скупова, Цыпкин

МПК: G01N 3/42

Метки: кристаллов, нарушенного, слоя, толщины

...ТОЛЩИНЫНАРУШЕННОГО СЛОЯ КРИСТАЛЛА(57) Изобретение относится к испытательной технике, в частности к способам определения толщины нарушенного слоякристалла. Целью изобретения является поИзобретение относится к испытательной технике, в частности к способам определения толщины нарушения слоя кристалла, и может быть использовано, например, в электронной промышленности,Целью изобретения является повышение точности, определения .толщины нарушенного слоя кристалла путем учета возможности постоянства твердости при разных значениях дефектности кристалла.Способ осуществляют следующим обраверхностн ют толщиым стравиндентор и остоянных нах выдер ометричес Послойно стравливают по слои кристалла, определя стравленных слоев, перед кажд ванием в кристалл...

Номер патента: 1711050

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Волнухин, Никифоров, Феклистов, Шестаков

МПК: G01N 23/22

Метки: кристаллов, перемещения, рентгеновском, спектрометре

...спектрометре содержит ревнешним приводом, требующим вакуумных вольверную головку 1 с пьезоприводом 2 уплотнений, которые всегда "газят" в боль- вращательного движения и кристаллодершей или меньшей степени, что снижает ка- жателями 3, на внешних поверхностях коточество исследований. Эти недостатки не рых закреплены кристаллы 4, Каждый позволяют повысить точность фокусировки 45 кристаллодержатель 3 опирается на две кристаллов при любых взаимоположениях скрещивающиеся биморфные пьезопластиисточника рентгеновского излучения, кри- ны 5, которые, в свое очередь. консольно сталла и детектора. закреплены и расположены по касательнымЦель изобретения - повышение точно- к цилиндрической опорной поверхности б. сти фокусировки кристалла....

Номер патента: 1712473

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Антонов, Крымов, Овчинникова, Токарев, Юферев

МПК: C30B 15/34

Метки: кристаллов, методом, степанова, трубчатых

...показано, что при Яверт41 будутувеличиваться напряжения на фронте кри 5 сталлизации, а при Я 8 ерт41 будет уменьшаться величина градиента температуры нафронте кристаллизации, что приведет куменьшению скорости вытягивания, т,е.приведенное соотношение является опти 10 мальным и существенным для получения эффекта улучшения структуры кристалла.Существенно также расположение вертикальных экранов на расстоянии от поверхности формообразователя Яор 2 Г,15 При большем расстоянии нарушается локальный режим работы экранов, т,е. на каждую точку экрана попадает излучение не спротиволежащей точки, а с широкой области, и тепловое воздействие на область у20 фронта кристаллизации становится неэффективным, Минимальное расстояние докристалла...

Номер патента: 1725777

Опубликовано: 07.04.1992

Автор: Рыбалко

МПК: H01L 21/66

Метки: диагностики, кристаллов, пластинах, функционирования

...которые следует подать на растровую систему, чтобы совместить координаты реально контролируемой структуры с эталонной, будут соответственно при скомпенсированной нелинейности развертки (8=2).Ь х=0,024 А:Ь у=0,036 А,Далее подают эти постоянные корректирующие сигналы и тем самым добиваются того, что электронный пучок, который будет перемещаться от контролируемого узла к контролируемому узлу по программе, координатносопряженной с эталонным изображением, будет попадать именно в требуемые участки реальной поверхности кристалла. Далее подают на контактные площадки с помощью механических зондов рабочие напряжения и облучают первый тестируемый элемент, например, токоведущую до рожку. Ге н е ри руем ы й при этом поток вторичных электронов...

Номер патента: 1725945

Опубликовано: 15.04.1992

Автор: Бакум

МПК: B01D 9/02

Метки: выделения, кристаллов, солей

...раствора и жидкого агента (этот уровень ус; танавливают выше уровня ввода патрубка с вентилем 20). Кристаллы соли, отделенные от рассола, с жидким агентом перемещаются шнеком 7 (обороты шнека малые, 8 - 10 об/мин, не препятствующие осаждению кристаллов соли) в цилиндрическую часть корпуса 1. Здесь кристаллы уплотняются, а первая и основная часть жидкого агента при этом выдавливаются через перфорацию поверхности 17 в отстойник 2. Так как отстойник 2 выше поверхности 17 укорочен до уровня кармана 10 на длину, равную глубине, на которую введена цилиндрическая часть корпуса в отстойник, то поток выдавливаемого через перфорированную поверхность 17 жидкого агента не препятствует Оседанию кристаллОв соли, подаваемых в составе суспензии через...

Номер патента: 1726573

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Береснев, Карлов, Мелентьев, Надгорный, Осипян, Пересада, Понятовский, Прохоров, Сисакян, Трушин

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, упрочнения, щелочно-галоидных

...к пределу упругости исходного кристалла при испытании на сжатие; Р - максимальное давление обжатия образцов.Кристаллы подвергают при комнатной температуре воздействию гидростатического давления до величины, при которой кристалл претерпевает фазовый переход первого рода, т.е, до величины, при которой исходная гранецентрированная решетка кристалла перестраивается в объемноцентрированная решетку. После достижения фазового превращения давление в камере сбрасывают до атмосферного. В процессе сбрасывания давления кристаллическая решетка упрочняемого материала перестраивается в исходную, т,е. происходит1726573 Формула изобретения Составитель В. БезбородоваТехред М.Моргентал Корректор О.Ципле Редактор А.Огар Заказ 1252 Тираж Подписное ВНИИПИ...