Способ получения лазерной среды на основе кристаллов al2o 3

Номер патента: 1403006

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Корниенко, Ларченко, Малый, Понежа, Федорченко

МПК: G02F 1/35

Метки: длины, излучения, лазерного, области, самофокусировки, фокальной

...происходит самофокусировка лазерного пучка и возбуждается процессвынужденного комбинационного рассея"ния (ВКР ). ВКР сопровождается возник,1403006 А 11403006 высить точность ее определения, поскольку базируется на обладающих большой точностью измерениях длины волны,а также поскольку результаты измере"ний не зависят от движения фокапьнойобласти самофокусировки,Формула изобретения Лс Лл (Лс Лд) у;л 1 ь,( -)-ль- Ц где и, и, п ": показатели преломления вещества на длинах волн Л , Л,1 Лс Лл гл,-Л.соответственно. Составитель А.ЮепелевРедактор А.Лежнина Техред Л.Сердюкова 1(орректор М.Максимишинец Заказ 2856/37 Тираж 533 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д....

Номер патента: 1597069

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Колесникова, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: аl2о3, кристалла, лазерной, окраски, основе, приготовления, среды, центрах

1. СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ЦЕНТРАХ ОКРАСКИ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА Al*002O*003, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами или ускоренными ионами, термообработку и обработку оптическим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения оптических потерь при одновременном увеличении концентрации рабочих центров, кристалл облучают во время термообработки ускоренными электронами с энергией 0,35 - 4,8 МэВ, а затем подвергают воздействию оптическим излучением с длиной волны 0,29 - 0,33 мкм.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плотность мощности оптического излучения выбирают в интервале 0,0025 - 280 МВт/см2.

Номер патента: 1018573

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Григоров, Мартынович, Токарев

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазерная, пассивных, среда, элементов

ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ на основе монокристалла с центрами окраски, отличающаяся тем, что, с целью повышения устойчивости кристалла к действию оптического излучения и расширения спектрального диапазона, она выполнена на основе монокристалла окиси алюминия.

Номер патента: 1152475

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Иванов, Михаленко, Парфианович, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, кристалла, лазера, лития, окраски, основе, фторида, центрами, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, содержащего примесь, включающий выращивание кристалла из расплава и облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона генерации лазера, в расплав фторида лития вводят двухвалентные катионозамещающие примеси магния, или никеля, или кобальта при концентрации от 5 10-3 до 10-1 мас. затем кристалл охлаждают до (-196oС) - (-30oС), облучают дозой 108 Рентген с последующим отжигом его при 20oС в течение 0,5 2 ч.

Номер патента: 1264604

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Брюквина, Иванов, Фигура, Хулугуров

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, основе, фторида

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ФТОРИДА ЛИТИЯ для лазерных элементов из расплава, содержащего фторид и гидроксид лития, в тигле, отличающийся тем, что, с целью удешевления процесса при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих F+2-центры в кристаллах, процесс проводят в тигле из никеля или стеклографита в атмосфере инертного газа при добавлении в расплав оксида бора в количестве 0,001 0,100 г/см2 поверхности расплава.