Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 566276

Опубликовано: 25.07.1977

Автор: Никулин

МПК: H01L 21/607

Метки: кристаллов, ножкам, полупроводниковых, приборов, присоединения

...жестко установлена в кассете 12. В планке 7 имеется отверстие 13, которое в про-. цессе работы взаимодействует с коническим штифтом 14 направляющей )5.В направляющей 15 расположены кристал: - 25 лы 16.Толкатель 17 служит для подачи кристаллов 16 на позицию загрузки.В исходном положении электромагнит 2 Фиксирует Г"образный кронштейн 3 относительно каретки 1 горизонтально го перемещения.Под действием привода (на чертеже не показан) ультразвуковая головка 5 вместе с кареткой 4 вертикального перемещения и планкой 7 перемещается 35 вверх, а затем - на позицию забора кристалла 16 и занимает такое положение, чтобы отверстие 13 в планке 7 было расположено над коническим штифтом 14. При движении Ультразвуковой 40 головки 5 вниз конусная...

Номер патента: 570111

Опубликовано: 25.08.1977

Автор: Гильварг

МПК: G21K 1/06

Метки: кристаллов, монохроматоров, фокусирующих

...соединяют за счет сил моопекупярного сцеплен:.я, Процесс соединенияведут в обеспыленной атмосфере.Кристалл-монохроматор изготовляют следуюшим образом. Кристапическую пластинунакладывают на .сферически вогнутою поверхность шаблона, резиновым контратипомс диаметром равным примерно 2/3 диаметра пластины прижимают центральнуючасть пластины к подложке с нажимом, достаточным дпя молекулярного сцепления ( зпСоставитель К. КононовРедактор Т. Фадеева Техред Н, Бабурка Корректор С. Патрушева Заказ 3065/45 Тираж 558 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Ф 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3тического к.лтакта), а затем таким жеобразом...

Номер патента: 574339

Опубликовано: 30.09.1977

Авторы: Иванов, Логинов, Малинин, Папков, Суровиков, Чумак

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов, резки

...и нагревателем 6 нагреваюткристалл до 1300 - 2000 С. Передвигая шток с кристаллом вверх, а штоки 7 - вниз, соприкасают кристалл с графитовой нитью 8 (вольфрамовой проволокой, покрытой графитом). При вращении катушек 9, приходит в движение нить (проволока), которая скользит по направляющим опорным молнбденовым роликам 10, Двигая с определенной скоростью шток 2 и штоки 7 навстречу один другому, производят резание кристалла.Выполнение предлагаемого способа иллюстрируется следующими примерами.П р и м е р 1. Берут кристалл следующих параметров: длина 50 мм, диаметр 60 мм, толщина отрезаемой пластины 0,5 мм.Резание осуществляют в вакууме 5 10 -мм рт. ст. при температуре 1700 С; диаметр графитовой нити 0,05 мм.В таких условиях пластина...

Номер патента: 591210

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Коневский, Кривоносов, Литвинов

МПК: B01J 17/00

Метки: кристаллов, отжига

...кристаллов или элементов из них) и термохимическому взаимодействию с материалом кон тейнера (молибденом)При пористости менее 60% потери при отжиге увеличиваются. При нулевой пориотости, условиям которой соответствует футеровкв из монокриствлла сапфира, напыпе 10 ние исключается, но происходит испарение кристалла.Улучшение качества обеспечивает пориотость 60-70%, Дальнейшее повышение пориотости не влияет нв испарение отжимаемых 15 изделий и материала контейнера,На чертеже показано предлагаемое устройство. Устройство состоит иэ контейнераи системы получения сигнала о достижении 20предплввильной температуры,Контейнер 1 установлен внутри контейнера 2 на реперном кристалле 3, Реперныйкристалл расположен вертикально в лодочке4. Нв крышке 5...

Номер патента: 593124

Опубликовано: 15.02.1978

Авторы: Басария, Кутелия, Санадзе

МПК: G01N 23/207

Метки: исследования, камера, кристаллов, рентгеновская

...1 с подвижным лифтом 2, на котором установлено основание 3. На основании 3 смонтирован механизм колебаний, содержащий двигатель 4, на вал которого насажен кулачок 5, взаимодействующий с большой дугой 6, пружину 7, связывающую рычаг колебания 8 со стойкой 9. На вал двигателя 4 с возможностью расцепления насажен кулачок 10 механизма возвратно-поступательного перемещения камеры, который взаимодействует со штоком 11, продетым в кронштейн 12, который укреплен на основании 3, и упирающимся в стойку 13 на основании 1. Кронштейн 12 со стойкой 13 соединен пружиной 14. На большой дуге 6 установлена гониометрическая головка 15. На оси 16 головки закреплен собственно держатель 17 образца, соединенный с микроэлектродвигателем 18 для вращения...

Номер патента: 595294

Опубликовано: 28.02.1978

Авторы: Болотин, Зерюкина, Курносова, Сафина, Столярова, Шишова, Этинген

МПК: C07C 69/86

Метки: анизотропией, диэлектрической, жидких, качестве, кристаллов, нематических, положительной, транс-п-алкокси-п, цианстильбены

...имеют малую гидролитическую устойчивость - азометины гидролизуются уже влагой атмосферы воздуха.Целью изобретения является выявление новых хкидкцх кристаллов, которые обладают высокой гидролитической устойчивостью.Для этого предлагают неописанные производные стильбена - транс-гг-аклокси-г-ццанстильбены общей формулы595294Наппепп оо Т. пл Н 154 144 81,67 81,90 82,10 82,27 82,44 82,58 92 72 82,95 5,5 6,06 6,50 6,90 7,26 7,59 7,89 8,41 СН С.,Н,- С 3 1 г СНлНз С;Н,5,69 6,13 6,62 6,91 7,29 7,63 7,49 8,48 81,73 81,94 82,21 82,33 82,40 82,6183,00 83,01 145 128,6137 119 117 12 д,д128 88,5 81,2 117,9 126,5123 общей цым хлористым кальцием. Сухой бензольный экстракт пропускают через хроматографическую колонку с окисью алюминия, Элюентом служит...

Номер патента: 557699

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Арефьев, Воробьев

МПК: H01L 21/26

Метки: ионных, кристаллов

...способ обработки ионныхкристаллов путем облучения потокомпозитронов, в результате которогопроводится позиционный отжиг дефектов 33Этот способ не использовался дляповышения радиационной стойкостиионных кристаллов в полях, содержащихнейтронную компоненту.Цель изобретения - повышение стойкости ионных кристаллов к нейтронному облучению.Цеть достигается тем, что накристалл наносят покрытие из материала, взаимодействующего с нейтронамис образованием радиоактивного изотопайсточника позитронов, например измеди. Толщина медного покрытия составляет от 100 до 200 мкм,Способ реализуют следующим образом.До помещения ионного кристалла вридационное поле, содержащее нейтрон 5 ную компоненту, на его поверхностьнаносится медное покрытие....

Номер патента: 351568

Опубликовано: 05.07.1978

Авторы: Громов, Крылов

МПК: B01F 1/00

Метки: воде, ионных, кристаллов, растворения, скорости

...способе ускорениерастворения кристаллов идет за счет электролиза растворе.С целью исключения воздействия на жидкую фазу предлагается растворяемые кристаллы-диэлектрики поляризовать постояннымэлектрическим полем,На фиг. 1 показан график измененияудельной скорости растворения К, в водекристаллов фторидов натрия (кривая 1) илития (кривая 2) после предварительной поляризации их постоянным электрическим полем; на фиг. 2 - график изменения удель 2ной скорости растворения в воде кристалловсульфата стронция (кривая 1) и хлориданатрия (кривая 2),Данные опытов показывают, что независимо от знака приложенного поля, растворение кристалла замедляется, Наиболее заметно скорость растворения понижается ухорошо растворимых солей, что...

Номер патента: 623240

Опубликовано: 05.09.1978

Авторы: Бондарев, Добровольский, Кислицын, Мусин, Павлюк, Россошинский

МПК: H01L 21/04

Метки: арматуре, кристаллов, металлической, пайки, полупроводниковых, приборов, стабилитронов

...стабилизации выше 50 В.Поставленная цель достигается тем, что р- - и переход предварительно нагревают ло температуры, обеспечивающей возрастание обратного тока р - и - перехода выше 0,5 А, а напряжение тока основного нагрева выбирают меньше напряжения стабилизации полу роволни кового кристалла стабилитрон а.Предварительный нагрев может бьть осуществлен током, протекаюпгим в прямом направлении относительно р- - и перехода.В этом случае обратный ток основного нагрева пропускают с задержкой после окончания тока предварительного нагрева. по величине равной или большей времени тепловой диффузии в кристалле. Технологический цикл по описываемому способу следующий. Полупроводниковый кристалл стабилцтроца укладывают между залужеццыми...

Номер патента: 626092

Опубликовано: 30.09.1978

Авторы: Адхамов, Бободжанов, Рахимов, Штанчаев

МПК: C07C 119/06

Метки: жидких, кристаллов, нематическх, стабилизации

...1 ЭББА+0,2% стабилизатор 1 ЭББА+01% 2, 2 6, 6-тетраметилпиперидиноксилизвестны й ингибитор) Таблица 1 6,2 2,9 1,8 0,8 5 15 Понижение температуры просветления, С НЖК МББА без стабилизатора МББА+0,1% стабилизатор 1 МББА+0,2% стабилизатор 1 МББА+0,5% стабилизатор 1 МББА+0,8% стабилизатор 1 7,4 1,3 0,7 0,3 0,1 25 Формула изобретения Составитель Н. Горина Техред Н. РыбкинаКорректор О. Тюрина Редактор Л, Герасимова Подписное Заказ 1639/12 Изд.63 Тираж 526 НПО Государственного комитета Совета Мииистров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, К, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Контролем служит старение МББА без стабилизирующей добавки в аналогичных условиях.Термостарение оценивают по понижению температуры Т,р. Н 5...

Номер патента: 642798

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Кревс, Пашковский, Спитковский, Чеджемова

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, кристаллографической, ориентации, структурой, сфалерита

...исв 15 5 е,типа У тямиы конкретного использования мого способа.м е р 1, Поверхность 1 П( мо НТе, выраженного из гаэоимпульсно индентируют алрамидой микротвердомера тс нагрузкой 5 г. На исс верхности системы полос с уют равносторонний треугольдая иэ сторон которого дает ческое направление типа н и- ледвико длческо лов, произ талла скость скола Нгье, выращениндентируют после чего на; е р 2. Пл кристалла м Бриджмен примеру 1,Прим 1110 ( мо ного метод аналогично преде- нтации Изобретение относится к полупроводниковому материаловедению и можетбыть использовано в кристаллографии,в частности, для определения кристаллографической ориентации непрозрачных кристаллов,Известен способ определения кристаллографическойориентации непрозрачных...

Номер патента: 643351

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Цветков, Шустов

МПК: B28D 5/04

Метки: кристаллов, них, поверхности, полирования

...и достижение эффекта декорировайия. Одновременное добавление в раствор небольшого количества глауберовой соли позоляет получить эффект декорироваие по верхности кристалла. Пример. Пинакоидальнуо ландского шпата размером 1 О после распиловки погружали раствор НС 1, Процесс травле О тоянном перемешивании прот ние 4 мин. Добавление 0,001 -глауберовой соли привело к п поверхности пластины границ та и положений слоев роста 5 положения оптической оси пла, ти крис соляной до 5,00глаубер на 10 л носворе 0,5 00 г аботкой, повер Й из них в рас центрации от и катализаторчестве от 70 до мула изобретения ирования поверх ий из них путем е соляной кислот с целью упроше ния эффекта дек соб по н издераствотем, чгодостиж ности к обработ ы, отлич...

Номер патента: 649299

Опубликовано: 25.02.1979

Автор: Дитер

МПК: B01J 17/08

Метки: бестигельной, выращивания, зонной, кристаллов, плавке, процессом

...1 Л1 3 с 1 Т ( ) 1) 1 Ь С Ь 5 1: 3 с1 1 Г 1 3 1) 1 Р 5 1 ;) 1 1 1 вт с.с 1, 0 с) Р с зм 51 с. 113 и Г Р и т(.,1 ь ы )1 т Р с и с( ) 01) .Мс 1 ТОР 03) КОИТР (1 ДС)И 1 ИЗЗ 1(ИИ Л(йСТВМ 10 ИССгс) тока ИИЛМггорд.ДСТС)1111 Й:3 с 1 лс 1 Т 1 К 1 ),111 с 11 ГТРс 3Т 1,1,1 с 1 СС,ВИСИ (. (СвфрБЫМ Чс 1 СТОТО(1 еро)3 1 ски 1)ифроднд 1010 ББ 1 м иреобрдЗОВ;11(и."1 19,с) б р я 3 ( 53 к 01 ", ) с т а О и г и 3 д 1111 и л и д (1 Г 1 1) с 1 к 1)сталл д.Устройство работает .лелуюиим ор;:3 м,ИЗ 1 ГИ(.3 ИС ЛИДМСТРс 1 КРИСТс 1 ЛЯ 1 В 3 ВД(.Г3 С 1 СЛСТВ 31 Г ИЗМ(НСНИ 51 И нлмк ГИБНОИ (Б 513 Имежлу прутком 3 и инлуктором 2 левид(ию1 ДСТОТЬ И ИЛ)КТОРНОП) ТОКД, КОТОР 151 И 31 Ср 5 Гтсв трснсфор 1 яторОм1, нос ) и 1 Г) и 11 ДСТОТОМСР 18 СРЯВНИБс 1 СТС 53 С ДС 1...

Номер патента: 656554

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Аллан, Эрнст

МПК: G02F 1/13

Метки: жидких, кристаллов, ориентации

...5, например, посредством шарового шарнира, На держатели 4 накладывают пластины 6 с электродами, на поверхность которых и наносят ориентирующие слои.35В камере 1 посредством насоса 2 создают вакуум с остаточным давлением порядка 10 5 торр, после чего посредством источника тока 7 нагревают проволочный нагреватель 8 и имеющий с ним тепловой контакт испаритель 9 до температуры более 1000 С. 40В качестве испаряемого материала используют, например, моноокись кремния.Сущность предложенного способа ориентации ЖК заключается в том, что ориентирующий слой наносят в два этапа, причем ф на каждом из этапов углы встречи испаряемого потока частиц и поверхности пластин различаются и изменяются режимы напыления.50Угол встречи у потока частиц с...

Номер патента: 659300

Опубликовано: 30.04.1979

Авторы: Абрамов, Григорьев, Деулина, Мерлин

МПК: B23K 3/00

Метки: кристаллов, напайки

...элемент 1 с направляющими 2, магазины 3 с ленточным носителем 4, грейферный механизм 5 и элементы привода б,В отличие от известных устройство снабжено установленным на входе в направляющие наклонным лотком 7, имеющим уступ 8, и подвижным упором 9, например, электромагнитным, установленным таким образом, что расстояние между упором 9 и уступом 8 превышает длину ленточной кассеты 4. Грейферный механизм выполнен в виде штанги 10, смонтированной с поворотными захватами 11 и с возможностью возвратно-поступательного перемещения.Устройство работает следующим образом. Механизм выгрузки оснований 12 выдает из магазина 3 на приемный поворотный лоток 13 ленточный носитель оснований, срабатывает привод 14 лотка и ленточный носитель 4...

Номер патента: 667346

Опубликовано: 15.06.1979

Авторы: Амнуэль, Колкин, Савицкий

МПК: B23K 1/06

Метки: кристаллов, пайки, ультразвуковой

...без прокладки засчет увеличения объема эвтектики, поверхности и скорости смачиваемостипри разрушении. окисных пленок контактиРующих поверхностей.На чертеже представлена схемапредлагаемого устройств а.Устройство содержит механизм 1 подачи корпусов с основанием 2 корпуса, механизм 3 подачи кристаллов скристаллом 4, ультразвуковуюсварочную головку 5 с закрепленным на нейинструментом 6 для захвата и присоединения кристаллов и механизм наложения низкочастотных колебаний,выпол-"ненный в виде пружины 7 сзащемленнымодним концом. Другой конец пружинырасположен между двумя электромагнитами 8, при этом пружина через шатун9 соединена с ползуном 10, на котором закреплен электромагнит 11, соединенный с кареткой 12 механизма перемещения 13...

Номер патента: 388498

Опубликовано: 25.07.1979

Авторы: Ангерт, Гармаш, Клюев, Колбацков

МПК: C01D 15/00

Метки: кристаллов, лития, метатанталата, монодоменных

...заполнения тигля,Затравку 2 х 2 х 10 мм, вырезанную внаправлении оси У (90 к направлениюооси Я ), закрепляют платиновой проволокой на платиновом штоке. 15В верхней части индуктора устанавливают экран 50 х 2 х 50 мм в керамическомэкране и затравку опускают в зону надзакристаллизовавшимся расплавом. Включают БЧ генератор и, увеличивая мощ йность, подаваемую на индуктор, повышают температуру и расплавляют в тиглетаблетки (температура в зоне экрана должна быть 1400-1500, С),Процесс в сращивания производитсяпри следующих технологических параметрах: скорость вытягивания 6 мм/ч, скорость вращения затравки 50 об/мин. Размер выращенного кристалла: диаметр 16 мми длина 30 мм. После отрыва кристаллаот расплава мощность ВЧ генератора постепенно...

Номер патента: 674987

Опубликовано: 25.07.1979

Авторы: Сазикова, Серебренникова, Тараненко, Фалин, Чичерина

МПК: C01F 11/36

Метки: бария, кристаллов, нитрата

...что пересыщение кристаллизуемого раствора постоянно поддерживают равным 9-11 на период стадии кристаллизации.П р и м е р . К 1 л насыщенного раствора нитрата бария, содержащего674987 КоличестВОВВеденноймл ВремяВЕДЕНИЯпроцессармин Зг. . 4 Р 8;ь Формула изобретения 160 170 180 190 200 СОставитель РРарасимовРедактор Л.,Пашкова Техред И, АсталошКорректорБ. Папп Тираж 590 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпа делам изобретений и открытий113035, ИОсква, Бр Раушская Ндб.р д. 4/5 Заказ 4214/16 а Филиал ППППатент , г. Ужгород, ул, Проектная, 4 9 р 25% Ва (КОЗ) добавляют при комнатной температуре концентрированнуюазотную кислоту (а: 1,41 г/см") порассчитанной программер Обеспечивающей пОстОянное ВО Времени пересыщение 9-11, Временная...

Номер патента: 681056

Опубликовано: 25.08.1979

Авторы: Дюмаев, Ковшев, Павлюченко, Смирнова, Титов

МПК: C07D 213/79

Метки: 5-алкоксипиколиновой, алкоксиникотиновой, жидких, качестве, кислот, кристаллов, нематических, п-замещенные, фениловые, эфиры

...0 0 О ооМ0 0лсО оэ СО оо г- аао м с О х ГЧ -0 0 О ОООООГ Г Г ГГ 4 1 1 1 3 оо О оО ч со ч оо ГЧ аЮ то 0 10 ФГ сГ СО мО л Г- СЧос 0 0 Г- СО 0 О0 л 0 а с ос М о о х х О 1 1О х хо о2 2 2 Х Х х ч о х ч с.гП р и м е р 2. п.ексилоксифениловый эфир 6-бутоксиникотиновой кислоты. Смесь 0,01 мо. ля 6-бутоксииикотиновой кислоты и 0,05 моля хлористого тионила кипятят на водяной бане 2 ч. Избыток хлористого,тиоиила отгоняют в вакууме, к остатку добавляют 20 мл абсолют- а ного бензола, 0,02 моля триэтиламина и кипятят 2 ч на водяной бане, К этой смеси при пе ремешивании и охлаждении (+5 С) прибавляют раствор 0,01 моля п.гексилоксифенола в 10 мл абсолюгного бенэола и оставляют на 1 сут при 1 е комнатной температуре. Выливают в 5%.ный водный раствор...

Номер патента: 685934

Опубликовано: 15.09.1979

Авторы: Волошин, Касьянов

МПК: G01J 3/02

Метки: галогенидов, кристаллов, окон, установки

...так как максимальное изменение температуры от 300 до 0 К-- = 3 4 300+10" = 0,036. ЧСжимаемость от давления имеет следующие значения: 4Аналогично подготовлеццый поршень 10 вставляют в камеру 7 и фиксируют гайкой 11.Поршнями 10,12 создают давление до 10 кбарв рабочем объеме 9. Это давление необходимодля того, чтобыпри последующих операциях ма.териал окон не вытек в рабочий объем.Далее начинается собственно обработка окон,Она аналогична для верхнего и нижнего окна.Поршень 12, передающий давление на поршень10, извлекается, и на его место вставляютсяключ 13 и поршень 14, который через втулку15 передает давление на кристалл 4, Затем соз.дают давление до 10 кбар, и это давление фиксируют гайкой при помощи ключа 13, В результате поверхностный...

Номер патента: 686739

Опубликовано: 25.09.1979

Автор: Чепцов

МПК: B01D 9/00

Метки: аппарат, кристаллов, отделения, раствора

...- весовой расход пресной воды, насыщенной агентом, которая отводится из аппарата.Из материального баланса потоков аппарата еле;дует также, что необходимо поддерживать соотношение Она = (3 зсаПри этом постоянство расхода паров агента 6может регулироваться по уровню границы 3 пористого слоя и суспензии, а постоянство расходаотводимого из аппарата жидкого агента Сжавпо уровню И жидкого агента, Указанные соотношения справедливы, если пренебречь отличи.ем концентраций агента в суспензии, рассоле ипресной воде. Учитывая то обстоятельство, чтоагент в аппарате находится в избытке (присутствует го жидкая фаза), отличие концентрацийбудет незначительным. Если указанные соотношения будут выдержаны, то давления в аппарате,Р 1, Рг и Рз будут...

Номер патента: 688777

Опубликовано: 30.09.1979

Авторы: Пискун, Сытин, Хаимов-Мальков, Циглер

МПК: F23D 21/00

Метки: вернейля, выращивания, горелка, кристаллов, методу

...горелки позволяет получить, например, кристаллы рубина с изменением показателя преломления ЛУ: 110 -на диаметре 20 мм при длине 240 мм. центральодного маИзобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов и может быть спользовано в электронной промышленноти,Известна горелка, содержащая корпус сцентральным каналом для подачи исходного материала и размещенные по концентрическим окружностям сопла для выходатопливовоздушной смеси 1.Недостатком описанной горелки является трудоемкость ее изготовления, подгорание соли в процессе работы и низкое качество выращиваемых кристаллов.Целью изобретения является стабилизация процесса горения и улучшение качества выращиваемых кристаллов,Цель достигается тем, что отношениядиаметров...

Номер патента: 695531

Опубликовано: 30.10.1979

Автор: Бернхард

МПК: B01J 17/06

Метки: кремния, кристаллов, пластинчатых

...СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Я(-35, Раушская наб д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 100 К 100 Р,70 мм. С помощью индукционного нагревателя из графита в виде трубы нагревают литейную форму перед заливкой в нее расплава и одновременно дно формы охлаждают с помощью медной плиты, охлаждаемой водой, таким образом, чтобы поверхность формы, контактирующая с большей поверхностью расплава, имела температуру около 800 С, Свободную поверхность расплава подвергают воздействию теплового излучения нагретой до 1500 С графитовой пластины, установленной на расстоянии около 2 см от поверхности расплава. Расплав кремния кристаллизуется при этих условиях, не смачивая графитовой формы. 3 акристаллизовавшуюся пластину кремния медленно...

Номер патента: 698075

Опубликовано: 15.11.1979

Автор: Никулин

МПК: H01L 21/607

Метки: автомат, кристаллов, напайки, ультразвуковой

...установленных нанаправляющих 8 кронштейна 9, размещенного на диске 10 общего привода.Диску 10 со сварочными головками 1 и5 сообщаются перемещения как в вертикальной, так и в горизонтальной плоскостях, Составной частью автомататакже является устройство 11 для поворота круглой кассеты 12 с кристаллами, механизм 13 резки и подачи золотых прокладок 1 4, нагреватель 15,включающий в себя корпус 16 с дугообразным пазом 17, нагревательныйэлемент 18, посредством которого осуществляется предварительный нагревкристаллов с золотой прокладкой и ножек полупроводниковых прибоэв 19,установленных в ленточной кассете 20,неподвижный и подвижный ножи 21 иЗГ)22, окно 23,Устройство работает следующим образом.При включении привода (на чертеже не...

Номер патента: 714254

Опубликовано: 05.02.1980

Авторы: Лабушкин, Саркисян

МПК: G01N 23/207

Метки: дифракционные, кристаллов, максимумы, настройки, ядерные

...амплитудного анализатора 8, импульсов, фиксируют положение максимума в спектре и убирают источник 3, На кристалл 6 через коппиматор 4 направляют пучок рентгеновского излучения с непрерывньм спектром от рентгеновской трубки 1, Кристапп 6 и детектор 7 устанавливают приблизительно в положение, соответствующее отражению без структурного погасания дпя длины волны мессбауэровского излучения 4 спомощью гониометра 5 и амплитудного анализатора 8 импульсов набирают амппитудный спектр,дифрагировавшего, излучении, получая спектр, аналогичный приведенному на фиг, 2 а. Здесь пику 1 соответствует первый порядок отражения с длиной волны А , пику И - второй порядок отражения с дпиной волны - , ЕсЛ 2пи положение пика 1 не совпадает с попожеиием пика...

Номер патента: 723452

Опубликовано: 25.03.1980

Авторы: Бажал, Дроздович, Требин

МПК: G01N 33/02

Метки: кристаллов, размера, сахара-песка, среднего

...сахара,растворившегося при перемешивании в ненасыщенном растворе одинаковых навесок кристаллов при прочих равныхусловиях;йи й - средние размерталлов в этихмм. СледователРа й1 р Сущность способа можно охарактеризовать следующим образом. Если взять две навески по С г сахарного сиропа 2 концентрацией С, и растворять в равных условиях в течение равных интервалов времени (50 -: 150 сек) в одной из них контрольную пробу сахара-песка с известным среднйм размером крис- З таллов Й мм, а в другой - такую же навеску исследуемого сахара, средний размер кристаллов й которой надо определить, то в результате частичного растворения кристаллов сахара в конт- З рольной пробе растворится РР к а в исследуемой - Рг. В результате этого концентрация...

Номер патента: 725001

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Фомин, Шумский

МПК: G01N 23/20

Метки: гексагонального, кристаллов, ограненных, пластинчатых, типа

...не более 3, и регистрацию рентгеновских дифракционных отражений, запрещен. ных структурным фактором, с .помощью счетчика квантов, Отражения получают,по схеме съемкиБрэгга. По угловому положе. нию запрещенных отражений определяют, 20 состоит кристалл из одного политипа или является" сростром:Известен также способ контроля кристаллов на присутствие включений полатипов 12, в котором облучают кристалл моно. 25 хроматическим пучком лучей, направлен. ным перпендикулярно кристаллографическому направлению 1 ОООЦ пластины кристалла, покачивая объект, регистрируют рентгеновсиие дифракционные отражения; полу- З 9 2ченные по схеме съемки Брэгга, на фотопленку и, анализируя положения и интенсивности разрешенных отражений, определяют, состоит кристалл...

Номер патента: 725887

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Азоян, Говорков, Егоров, Затуловский, Костандян, Смирнов

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов

...изготовления иэделий.из корунда.На фиг,1 изображено устройстводля обработки кристаллов, продольное сечение; на фиг.2 - то же,поперечное сечение.Устройство для обработки кри"сталлов содержит корпус 1 и закре-,пленную на нем кювету 2 в виде полого цилиндрического многогранника,Соосно кювете 2 на корпусе 1установлен стержень, геометрическая форма которого подобна геометрической форме кюветы 2.Кюветы 2,и стержень 3, выполйенные иэ графита, одинаково ориенированы друг относительно другаДержатель 4 кристалла установленна кювете 2,Держатель 4 и корпус 1 выполнены из молибдена.В кювете 2 выполнена система каналов 5, равномернорасположенных по высоте кюветы,.-:Вокруг кюветы 2 смонтированыподвижные экраны б, в которых выполнены сквозные...

Номер патента: 727469

Опубликовано: 15.04.1980

Авторы: Ахметов, Давыдченко, Нефедов, Полянский, Шабалтай

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов

...происходит растворение части кристалла, так как он находится в неравновесных условиях с расплавом.Так как расплав не содержит иныхкомпонентов кроме входящих в составкристалла, то обрабатываемая поверхность не загрязняется постороннимипримесями в процессе травления,Равномерность травления обеспечивается изотермической выдержкой крис-талла в расплаве в течение 0,01-0,1часа,Скорость травления поверхностив глубину составляет 1-3 мм в минуту, а продолжительность выдержки кристалла в расплаве зависитот толщины-снимаемого слоя,Обработка кристалла состава Аможет проводиться в области температури составов расплава смеси компонентов А и С, лежащей внутри замкнутой кривой 1-2-3-4-5-7-1. Областьсоставов и температур расплава дляобработки...

Номер патента: 731355

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Богданов, Лагунов, Лукьянов

МПК: G01N 11/00

Метки: вращательной, вязкости, жидких, коэффициента, кристаллов

...самописца) отметок направления вектора магнитной индукции и возникающими вследствие анизотропии коэффициента поглощения ультразвука экстремальными значениями амплитуд ультразвуковых импульсов.При вращении вектора магнитной индукции детектор вращается с запаздыванием по фазе таким, что момент тренияЖ и магнит.ный момент -ьхВ 262 руравновешиваются, Исследования угловой зависимости скорости и коэффициента поглощения ультра. звука в ориентированных статическим магнитным полем жидких кристаллов, когда вектор 731355мдггггг 1 ггой шщукнии и дсдек 1 ор совпадают,покдзыВдю 1 наличие днизотрОпии, прояВляюцю.еся в гом, что ультрдзвуковые параметры (вчастности, коэффиииеггт поглощения) имеютмдксимдльные значения в случае распрострд.нения...