Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 103592

Опубликовано: 01.01.1956

Авторы: Кузьмин, Мадорский

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслаивания, слюды, станок

...От врйщтельного днимсипя и" я( ,Г 1):ПИБетс ий)рав 151 ощеп (4), креи:ГчПо( Па стапцце. Ниже ножа расположен наклонный роликовый столик (5) для кристаллов и наклонный желобок (6),Сзади столика гп)итцровйн ч, точ)н;); снега (7) и экран (8), отражающий лучи Свет на кристаллы слюды.В П 1(яцси части (тзИ 1 пы удГйиов;1". 1 идР(Б;1 и 1 С(1 пц ИРПБГД Д;51 нож:( Г 1 й(- пр(дслцтслщым устройстгом, спабженпым и, д(Льюи управляющим и(ПрБ:Г(ИЕМ ТИЖ(нц 31 РЗИОЧ(ц ИДК Й И Ирубопр Б :йм, (Бязыв(1 Й)щим (истсу привода с цилиндром (1) (наирзвлецц двцкепи)1;кидкдсти пок3ио Гтр лкзаи).Под(1 ьа жщкостп осуществляется ие(терд 1 П 1 ым мй(л)1 пым исосом ((1): тля пропуск изоытка масла в оак (11) слу;кп иед(орнптсльнь Переиу( кцоп к,щцйн (12).Еристй,л...

Номер патента: 103970

Опубликовано: 01.01.1956

Авторы: Мядзюта, Чуб

МПК: B28D 1/32

Метки: выполнения, кристаллов, расщепления, слюды, способа, этого

...йсолученных вьппеонпсанным способом кусков с;поды производится устройством, нрелставляющим собой неподвижный выложенный резиной корпус коннчсской Фосс 1, внутри которого с неоольппьм съвозн 31 зазором помещен также конической Формы и покрИть резиной вращающийся барабан. Барабан имеет на логерхности неглубокую канавку. расположенную по винтовой линии. Разбираемая слюда подается и зазор сиежлу барабаном и корпусом, Этот зазор выполнен сужающизсся вниз так. что любых рйвмероъ кт сок с гв Ль Окгзывй тся В конце концоВ зйклиггецнс между конусамн, и при относитес,но)с перемещении заклиненных ограничивая)щцх куски плоскостей происхо;псе рггзо 01)кй расщепленного куска на отдельные кристаллы. Ипавка на поверхности Огрйойнй су)кст Л;ся...

Номер патента: 109561

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Рогаткин

МПК: B28D 1/22, B28D 5/04

Метки: кристаллов, проволокой, резки

...известных устройствах подобного типа рскуцая проволокд, сходя с бунксриой катушки, за один ход прохолнт через псрсхОтоВы 1, штякиой и четыре няпрявляющих вз- Л ИКЯ, ЗЯТСХ СНОВЯ На ДВ 11 НЗТЯ 1 КИЫХ И ПЕРЕ.ОТОНЫХ В 11 ЛИКЛэтого постхпаст на приемную кятушку. ОсцгЛяп 1 я достигается зя с 1 СТ поворотных движений одного из пяпрзвляюших роликов. При этом совершаотея возрятно-поступательные движения длинного отрезка проволоки, чтз огряпичивяст число возможпь 1 х ходов, а следовательно, и рсзов.11 редлягяемос устройство более просто и пядежпо в ряботс и д;1 ст возможность увеличить число ходов проволоки.Зто достигаетсяприменены одпп п ТАЛЛОВ ПРОВОЛОКОЙ хо.,5 тет по лезам паобретеийпиетров СССРМ 1095 б Предмет цзоорстсцця Зтв. редактор Л. Г,...

Номер патента: 109635

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Кравченко

МПК: C13F 1/02, G01N 21/01

Метки: вакуум-аппарату, варке, кристаллов, наблюдения, образованием, прибор, сахара, утфелей

...до 50 т, конденсср ), пгев ю к(1)1 ру 4 с просматриваемыми мазками утфеля, фотоувеличительиьш объектив о Гнягример от фотоувлич 1 теля 6 Х Х 9 с.11 и экран 6.Шелв 1 я кимср 4, имкнция дугообразный верх и незначительную (2 - 3 11,1) ширину внутри между ооковыми стенками, моптировПГ) ня верхней чати корпус 7 вдкуум-иппяряти и сообщснд с его ниутреннимрабочим прострянстом через прорезь 8 в корпусе.Шелевая камера рясположсгя между конденссром 3 и ооъсктивом 5.11 я боковых стенках камера снабжена двумя смотроыми стсклями - левым стеклом 9 и правым стеклом О, с которым н периодически взаимодействуют щетки 11 и 12 крыльчятки 13, вращающейся внутри камеры со скоростью 15 - 20 оо 1 мнн. Ось 14 крыльчатки пропущена внутрь камеры через...

Номер патента: 112754

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Гоголев, Костылев, Федосеев

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, раскалывания, слюды, станок

...Л 3.:(15:ОЖ(3".113.Е иисываех(о с)21:кс;т 1; )с;(Оста-к):. с)ацспы тс, цто ожи;)Яс:ОГ 10:)С Ы Н(1 ВП 21 ПЯ 10)ИС 105 ПСКС,32 (1)и".сх(у) 1 и 15 с к Паоор) ж(В 1(Л с Гапка улк(: 112 ф 1 Г. 13:313; 13 . ,: , ь у ф и. 3 (у.( . Я 13 , Я . и у. Я, и О р 0 О (. 1 ( ; . ,1, 1 1. , . 1 с, .О, т В ) О ) . ( . Т 11 1) О Х 0 Ж, 3 С 1 И 5( ):, 1, .1 11 Ж .,12 СТЯНИ)С У (С 1);В:15 КО ЗЯКОС 15 СИЬ ОСВ;1 ОП(11,:ОГ)ООК 1, В КО ГСРыс (ксп 5,.В 3 коист(1, 11сс 1(:.,ь, 2 1 О.1 ХОРОО:2.",. (1 спототксп )РЯ- п(2:опНЙс 53;ск 7 с:10 .;:111 1. 110 жи, 1:31 ГЯ 5;с 1. и;):; коРООК).си, О 1,2- ЛЫВ 110 ОТ КРИСТЯГ 1 Л(1: , 110;,Ь(Ь 1(:1 Г( . (5 ОСЯ:0111 , КОРООКЯХП П:1 С.(С: . ,(и )1( 5 КЯ)( П ИЬ( ., . К 11. К 1 (1 1С 1 (.,103 С 11 О,(Ь. ( зу 1 х)12 сту вояця...

Номер патента: 113403

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Пинес, Фистуль

МПК: H01L 21/363

Метки: детекторных, кристаллов, сверхвысоких, частот

...кремний. Пары этого вещества ионизируются в дуговом разряде источника и ионы втягиваются в камеру, помещенную в магнитное поле. Напряженность магнитного поля и потенциал ускорения ионов подбираются так, чтобы ионы кремния высаживались на графитовую подложку, используему 1 а в качестве коллектора ионов. Аналогично ионы бора или другого легирующего элемента направляются на коллектор 2 из второго ионного источника 3, Ионы посторонних примесей попадают на коллектор 4, не достигая подложки, что позволяет снизить требования, предъявляемые к чистоте испсльзуемых для нанесения на нее веществ.Для получения кристаллической структуры графитовую подложку вместе с нанесенными на нее слоями кремния и бора нагревают до 1 емпературы...

Номер патента: 113626

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

Номер патента: 114575

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Воробьев, Старцев

МПК: B24B 21/04, B24B 7/26

Метки: водорастворимых, кристаллов, пластин, полуавтомат

...На главном валу 36 этого устройства находятся эксцентрики сс столом, а также сттотттирована свободно перемещающаяся на валу 36 качатотцаяся паттелт 36, имеютцая куласк и клинообразный выступ (на фигуре не показаны), осеспечивающие ка ание панели 36.На нижнем листе 2 станины уста новлены: элетлтродвтлгатс,.тт, 37, рсдуктор 38 привода, две катушки 39 для тканевой ленты 4. Кроме тсгс, полуавтомат снабжен транспортером 40, лента которого является одновременно и протирочтюй лсттт" т. Вращение транспортера 40 осуцест. вляется двуттт Ьрикцттонттт тмт дт - сками (на фиг. не показаныт.Работа погтчавтомата пропсходиг следуюним образом.Пластинки 13, подготовлснныс для равлени, укладыватот в ттагазин 12, котопый монтируется па кондукторе 9,...

Номер патента: 116935

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Витовский, Земцов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов, расплава

...устанавливаемая вне высокотемпературной зоны печи, ниже кольца, мало зависит от колебаний температуры верхней горячей зоны печи, что позволяет вести процесс без нарушения его скорости, при устойчивом положении изотер. мической поверхности кристаллизации.3) Изотермическая поверхность кристаллиза обращенная в случае отсутствия кольца выпуклостью книзу, ст тся обращенной кверху, в результате чего нарастание нового слоя алла начинается в середине сосуда и идет к периферии.Это обстоятельство позволяет получа стые (без включений) кристаллы, даже не пользуясь безук стыми исходными материалами. ции,ановикрист ть более чи оризненно чи1116935 Устройство позволяет, кроме того, вести кристаллизацию при зна;ительном перегреве расплава, что...

Номер патента: 117541

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Румянцев

МПК: C30B 1/02

Метки: кристаллов, перекристаллизации

...способа по п, 1, отл и ристаллу сообщают вместо вращения винтовое частности кристаллов, тличающийся тем, статическом поле при ля.чающееся тем, чперемещение,Изобретение относится к спосооам перекристаллизации кристаллов,обладающих пьезоэлектрическими свойствами.Отличительной особенностью предлагаемого способа ято, что перекристаллизацию ведут в электрическом статическопри вращении или кристалла, или электрического поля.Кроме того, перекристаллизацию можно также производить присообщении кристаллу винтового перемещения,Сущность способа заключается в следующем, Кристалл, общий пьезоэлектрическими свойствами, помещают в статическообразовавшееся между соответствующими электродами, и вращабо сам кристалл, либо электроды (или то и другое...

Номер патента: 119253

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Рубинштейн, Фистуль

МПК: G01R 27/08

Метки: кристаллов, поверхностной, полупроводниковых, проводимости

...по результатам измерений эффективного сопротивления кристалла, по спаду тока фото- проводимости, либо по измерению контактных потенциалов.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что в процессе измерений непосредственно определяют градиент потенциала вдоль образца, выполненного в виде клина с углом наклона не больше 7, к которому ток подводится через контакты, имеющие постоянное переходное сопротивление.На чертеке изобракена принципиальная схема определения поверхностной проводимости полупроводников по предлагаемому способу,Образец, с помощью которого производятся измерения, выполняется в виде клина 1 с углом наклона не более 7. К этому образцу через контакты с постоянным переходным сопротивлением подводится электрический...

Номер патента: 120764

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Рогаткин

МПК: B26D 1/48, B26D 1/50, B28D 5/04 ...

Метки: германия, кремния, кристаллов, разрезки, станок, частности

...повышения скорости резания, является применение в нем двух дополнительных барабанов, огибаемых указанными петлями проволоки и установленных на противоположных сторонах рамки, получающей периодические возвратно-поступательные перемещения от электродвигателя.На кинематической схеме предлагаемого станка П - натяжная пружина, К, - барабан с новой проволокой, Кз - барабан с изношенной проволокой, приводимый во вращение электродвигателем Э Р - рамка, получающая возвратно-поступательные перемещения от электродвигателя ЭР, - натяжной барабан; Рз - барабан перемотки, приводимый во вращение электродвигателем Эз, Рз и Рз - барабаны на рамке Р; Р 4 и Р, - направляющие барабаны; Ре и Ре - рабочие барабаны; Г - кристалл,120764В механизм натяжения...

Номер патента: 122306

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Генделев

МПК: G02B 21/26

Метки: конфигурации, кристаллов, мелких, микроскопа, например, объектов, предметному, сложной, столику, установки

...плиты-основания 1 с отверстием 2 в центре для присоединения к предметному столику таким образом, чтобы оно свободно поворачивалось вокруг вертикальной осн микроскопа. На плите монтирован подъемный винт 3, несущий державку 4 для кристалла. Поворачивание державки вокруг своей оси обеспечивается винтом 5, соединенным с обоймой движка б, который может перемешаться на любой заданный угол по транспортиру 7. Вертикальное перемещение транспортира осуществляется подъемным винтом 3 с консольчо укрепленным на нем транспортиром. Вспомогательный ползунок 8 служит для точной установки движка б на транспортире 7 под любым углом. Для сообщения державке 4 поступательного перемещения в направлении ее оси она сочленена с винтом 9, монтированным также в...

Номер патента: 123841

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Брейтвейт, Бромберг, Поляков, Трабский, Эпштейн

МПК: B01F 7/04

Метки: аппарат, кислованных, кристаллов, расщепления, слюды

...на расположенный в верхней части устройства лоток с золотниковым затвором.На чертеже изображено предлагаемое устройство в общем виде.Устройство выполнено в виде мешалки 1 с лопастями укрепленными на горизонтальном приводном валу 2 и соединенными с черпальным колесом 3, снабженным открытыми ковшами 4. В верхней части устройства имеется лоток 5 с золотниковым затвором. В этот лоток, обработанная в мешалке кислотой, слюда подается ковшами черпального колеса. Перестановка золотникового затвора производится при помощи пневматического прибора б, управляемого команд-аппаратом.Обработка слюды описываемым устройством производится следующим образом.Сначала в мешалку подается кислота и затем загружается в нее прощелоченная слюда, которая...

Номер патента: 124864

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Жибицкий, Соболев, Черняк

МПК: B07B 1/40, B26D 3/12, B28D 1/32 ...

Метки: кристаллов, механизированной, подготовки, полуавтомат, слюды, щипке

...сжимаются роликами 14.При дальейшем движении лент транспортера, каждый обрезаццыЙ кристалл своей обрезанной кромкой прижимается к абразиву 15, в результате чего осуществляется процесс шоркация кристаллов слюды, но для того, чтобы кристаллы во время шоркания це изменяли своего положения, ленты на этом участке также дополнительно сжимаются роликами 16. Для рассортировки по размерам плоских кристаллов разной конфигурации у выходного конца транспортера установлен плоский вибрирующий лоток 17, получающий колебания от эксцентрика 18, через шатун 19. Зксцентрик вращается от того же электродвигателя 6, через второй шкив 20 редуктора 7, связанный со шкивом 21 эксцентрика 18 ремнем 22.Кристалл слюды, двигаясь под действием вибрации, по...

Номер патента: 127123

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Пересецкий

МПК: B06B 1/00, B24B 1/04

Метки: алмазных, кристаллов

...г ботки алмазных кристаллов с щих концентраторов, при котор подают на алмазный кристал Известен способ об ультразвуковых вибриру рирующий концентратор суспензию.Описываемый спосо рирующий концентратор дают не абразивную сус ленную азотно-натриеву 200 рименением через виб- абразивную отличается от известного тем, что через вибна обрабатываемый алмазный кристалл по- пензию, а в небольших количествах расплавили азотно-,калиевую соль, нагретую до или азотно-калиевая очетание химического мехайическим воздейст коряя процесс, ловыша кристаллов. 200, рас- алсоли, нагретые до воздействия капелек вием этих капелек н ет производительность ри ет изобретения Способ обработки алм ковых вибрирующих конц с целью увеличения прои ратор на обрабатываемый...

Номер патента: 127409

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Белецкий, Ковшинов, Рапопорт

МПК: C22B 9/02

Метки: действия, кристаллов, непрерывного, отделения, паллет-фильтр, силуминовой, эвтектики

...электрическим обогревом. В зоне температур приблизительно 575 лента с чушками проходит под вакуумными секциями и находящаяся в жидком состоянии силуминовая эвтектика просасывается в сборник, расположенный под лентой.Для дополнительного извлечения силумина из фпльтруемого материала можно механически воздействовать на него во время прохождения над очередной вакуумной камерой, например, закрепленными неподвижно над лентой штырями, разрыхляющими фильтруемый материал при движении ленты; вращающимися гребками; опускающимися периодически штырями; гладкими или рифлеными валками и т. п.Для очистки фильтров от остатков застывшей эвтектики и мелких кристаллов, например, при обратном движении ленты (когда палетты опрокинуты), палетты проходят через...

Номер патента: 127619

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Пономарев

МПК: C13G 1/06

Метки: вакуум-аппарате, варке, кристаллов, массы, сахара, утфеле

...пзобретсний7 за 1960 г именен прибор, построравновесного моста. едмет изооретени массы кристаллов в утфеле при варке сахара и ч а ю щ и й с я ч см, что масса кристаллов иным измерением величин электропроводности Й патоки и устанавливается их отношение друг Способ определения в вакуум-аппарате, отл определяется одновреме утфеля и межкристальн к другу,Известные способы определения массы кристаллов в утфеле, основанные на измерении его электропроводности при варке сахара в вакуум-аппаратах, не дают возможности полного суждения о процессе варки, так как показания измерительных приборов зависят от доброкачественности раствора, температуры и массы кристаллов.Предложенный способ определения массы кристаллов в утфеле в процессе варки сахара...

Номер патента: 128451

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Иванюков, Крылов, Лисицын, Петрова, Пирогов, Цветкова, Чирков

МПК: B01J 27/135, B01J 37/16

Метки: алюминия, кристаллов, смешанных, титана, треххлористого, хлористого

...128451 Предмет изобретения Способ получения смешанных кристаллов треххлористого титана и хлористого алюминия восстановлением четыреххлористого титана металлическим алюминием, отл ич ающийся тем, что, с целью получения мелкодисперсного продукта, процесс восстановления четырех- хлористого титана ведут в среде нормального насыщенного углеводорода, например н-гексана, н-октана, при температурах 110 - 150. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРРедактор Н. И. Мосин Гр. 44 Подп, к печ, 24.7-60 г.Тирам (00 Цена 25 коп. Информационно-издательский отдел.Объем 0,17 и. л. Зак. 4732 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14, н-гептан. В этом случае процесс...

Номер патента: 132613

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Васильева, Степанов, Хаимов-Мальков, Шефталь

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов, расплава, ускоренного

...печи в не обогреваемую нижнюю часть, где соосно с тиглем установлен сосуд 2, заполненный легкоплавким металлом или сплавом (олово, сплав Розе или Вуда),Стенки сосуда охлаждаются током протекающей жидкости (вода, антифриз) или охлажденного газа, Сосуд имеет широкий слив 3, рас. положенный немного ниже его верхнего края, и приемник 4 для вытекающего из слива металла,Для успешного действия устройства расплав перегревается значительно выше температуры плавления, примерно на 200 и более. Горячий тигель с расплавом опускается в охлаждяемый сосуд с легкоплав. ким металлом и плавит последний, что приводит в результате интенсивного теплообмена к резкому охлаждению растущего кристалла прп одновременном перегреве расплава. Вытекающий из...

Номер патента: 132614

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Васильева, Степанов, Хаимов-Мальков, Шефталь

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов, расплава, ускоренного

...и повышает чистоту кристалла.На фиг. 1 изооражено устройство в разрезе; на фиг. 2 - кольцоохл адитель.Тигель 1 с расплавом укреплен на подставке 2, при помощи которой может перемещаться из обогреваемой верхней камеры 3 трубчатой вертикальной печи в ненагреваемую нижнюю камеру 4. Камеры печи разделены массивным металлическим кольцом-диафрагмой Б, внутри которого по трубам циркулирует охлаждающая жидкость (вода, антифриз и др,) или охлажденный газ. Ось кольца-диафрагмы совпадает с осью тигля, а величина зазора между стенками нагретого тигля н кольцом должна быть минимальной (порядка 0,3 - 0,5 м,я).Тигель с расплавом опускается в охлаждающее кольцо-диафрагму, что позволяет производить сильное локальное охлаждение растущего кристалла с...

Номер патента: 132615

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Беляев, Витовский, Добржанский, Карпенко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллизатор, кристаллов, раствора

...сосуда 1 - растворение кристаллизуемого вещества и прием конденсата; промежуточный сосуд 2 служит проводником раствора и затвором против попадания зародышей во внутренний сосуд 3, Во внутреннем сосуде происходит рост кристалла на подвешеннойг на нити 7 затравке 8,132 б 15Кристаллизатор снабжен магнитной мешалкой 9 для механического перемешивания раствора в сосуде 3.Выращивание кристаллов из раствора происходит так. Кристаллизатор заполняется насыщенным при заданной температуре раствором. Уровень заполнения кристаллизатора показан на чертеже. На дно между стенками сосудов 1 и 2 вводится избыток кристаллического вещества 6, заведомо больше веса кристалла, котоый желательно получить. За счет некоторого повышения температуры в донной...

Номер патента: 136724

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Глебский, Красильников, Хохлов

МПК: C01F 7/38

Метки: аппарат, выращивания, корунда, кристаллов

...корунда; на фиг. 2 - схема кристаллизации.Аппарат для динамического вырашивания кристаллов корунда дискообразной формы состоит из керамической вертикальной печи 1, помещенной в разъемный чугунный корпус 2, В передней стенке имеется окно 3 для наблюдения за ходом процесса кристаллизации. От центра верхней стенки, в осевом направлении, проходит конусообразный канал 4 с дискообразным расширением 5, куда в струе водородно-кислородного пламени подается в расплавленном состоянии пудра (шихта). Пудра эта попадает на вращающийся стержень-затравку 6, закрепленньш в керамических держателях 7. Вращение стержня вокруг своей горизонМ 136724тальной оси осуществляется от цепной передачи со скоростью 0,1. об/люие., Вверху аппарата, над центральной...

Номер патента: 137893

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Дубровский, Мельник, Одинец

МПК: C30B 7/12, H01L 21/316

Метки: защиты, кремния, кристаллов

...окисление кремния в чистой обессоленной воде с применением кремниевого катода. Спосоо обеспечивает необходимуо чистоту и достаточнуо толщину оксидного покрытия,Практическое осуществление способа заключается в следуощем. Надне сосуда из органического стекла монтируют кремниевый катод высокой степени чистоты, после чего параллельно ему на расстоянии 5 - 10лл в специальной ячейке закрепляют кремниевый анод, подлежащийпокрытию оксидной пленкой. Вода, используемая для электролиза, предварительно очищается ионнообменным способом и имеет удельное сопротивление 1 - 1,5 лгол. сл,После того как электрохимическая ячейка собрна электроды подаот ток напряжением 20 - 30 в. В137893 вания ток непрерывно падает (особенно сильно в...

Номер патента: 142641

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Панов

МПК: C01C 1/16

Метки: кристаллов, нашатыря

...получения кристаллов нашатыря в массовом производстве путем введения добавок других веществ заключается в том, что для предотвращения дендритного роста кристаллов нашатыря и получения малослеживающегося продукта в качестве добавки применяют полиакриламид.В присутствии полиакриламида в кристаллизующихся растворах нашатыря значительно уменьшается пересыщение раствора в начале кристаллизации, рост кристаллов происходит при меньшем пересыщении, что, как известно, способствует образованию более правильнои формы кристаллов. Нарушается обычная структура дендритов нашатыря, состоящих из стволов и перпендикулярных к ним игл второго и последующих порядков, В присутствии полиакриламида ветви лендМ 142641 Предмет изобретения Способ получения...

Номер патента: 142771

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Ремпель, Тюрин

МПК: B01D 9/00

Метки: активации, алюминия, кристаллов, например, растворов, реактор, роста, смешения, ультразвуковой, фтористого

...1 для раствора, змеевика 2 для подачи подогревающего пара, выпускного патрубка 3, корпуса реактора 4, трубки 5 для возврата части раствора вниз реактора,концентратора б многополочного, магнитострикционного излучателя Тультразвука и бронзового стакана 8 для излучателя с патрубками дляподачи охлаждающей воды. Продукт, продлежащий ультразвуковойобработке поступает снизу вверх.Магнитострикционный излучатель и концентратор рассчитываючсяна частоту 25 кгпв. аллов многих неорганических веществ типа р. из горячих пересыщенных растворов дл ся так называемая затравка, в виде навески,.Пропуская через реактор определенную час расор (в суае вторичного алюминия около трех сотых долей раствора), в нем образуется громадное число активных...

Номер патента: 143445

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Блинова, Ермолаев, Матвеева, Сандеров, Хайт

МПК: H05K 13/00

Метки: держателям, диодов, кристаллов, переходов, полуавтомат, полупроводниковых, припайки, стержневого, типа

...тем, что для повышения точности установки кристалла на торце держателя по его оси и улучшения качества пайки в нем применен слабо подпружиненный вакуумный присос, установленный на сильно подпружиненном подвижном стакане, снабженном конусным пояском, служащим для вдавливания кристалла в штифт, а вращающаяся печь выполнена в виде дюралевой гильзы с конусным каналом, заканчивающимся призмой с прижимной пластинкой, снабженной в верхней части нагревательной обмоткой,На фиг. 1 показано конструктивное выполнение механизма захвага кристалла предлагаемого полуавтомата; на фиг. 2 - конструктивное выполнение печи предлагаемого полуавтомата.Полуавтомат для припайки полупроводниковых кристаллов конструктивно выполнен в виде трех синхронно...

Номер патента: 144304

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Левин

МПК: G01B 9/02, G01N 21/45

Метки: изменений, интерференционный, кристаллов, показателя, преломления, прибор, стекол, термических

...стороны объектива 5, также в его фокальной плоскости, устанавливается ирис-диафрагма 7. Источник монохроматического света 8, имеющий несколько линий точно известных длин волн (например, кадмиевая, ртутная или гейслерова лампа) изображается конденсором 9 на ирис-диафрагму 7 в плоскость последней. Полупрозрачная пластинка 10 направляет пучок света на объектив 5. Благодаря этому на столик прибора будет падать параллельный пучок лучей. Объектив 11, установленный вблизи ирис-диафрагмы 12, дает в своей фокальной плоскости, совпадающей с коллектором 13, изображения трех систем интерференционных полос, т. е. от термометра и образцов на преломление и расширение. Это интерференционное поле с помощью двух ромбических призм 14 и 15, а также зеркал...

Номер патента: 151179

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Комлягин, Малышев, Шпанов

МПК: B23Q 7/02

Метки: автомату, германиевых, кристаллов, ориентированных, подачи, припайки

...9 с электромагнитом 1 О. Зазор между диском 7 и полюсом электромагнита 10 регулируется при помощи установочных винтов 11 и 12. Сила притяжения электромагнита 10 регулируется автотрансформатором, включенным в его цепь так, чтобы кристалл притягивался только никелевой стороной. Конец второй части вибролотка 1 примыкает к пазу шибера автомата151179припайки, а начало передней части вибролотка стыкуется со спиралью И цилиндрического вибробункера 14.Кристаллы из вибробункера по спирали И поступают в прямолинейное русло передней части вибролотка 1, доходят по нему до вращающегося диска 7 и поочередно заходят в его пазы. Попадая в зону действия электромагнита 10, кристаллы, расположенные германиевой стороной вверх, не притягиваются...

Номер патента: 151400

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Калинин, Соболев

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактных, измерений, кристаллов, малогабаритных, низкоомных, полупроводниковых, сопротивления, удельного

...изобретенияУстройство для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов, работающее на принципе наведения з образце вихревых токов, содержащее генератор высокочастотных колебаний и индуктор, который размещается вблизи плоской части измеряемого образца, о т л и ч а ющеес я тем, что, с целью снижения влияния размеров образца на результаты измерений удельного сопротивления, между индуктором и образцом помещена проводящая диафрагма, локализующая поле в облас ти пространства, прилегающего к отверстию диафрагмы.Редактор Н. С, КутаФина Техред Т. П. Курилко Корректор Г. Куцривцева Глода. к пеи. 1 О.Х.62 т. Формат бум 70 Х 108,и Объем 0,18 изд. л. Заи. 10496 Тираж 1150 Цена...