C30B 1/00 — Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния

Номер патента: 678748

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Горина, Калюжная, Киселева, Максимовский, Мамедов, Строганкова

МПК: C30B 1/00

Метки: кристаллов

...перемешинанием расплава при 840 С, выдержку в 40течение 2 ч и снижение температурысо скоростью 30 ц/ч В интервале температур 840-600 С. Затем печь ныкйперают, Йетодом рентгенодифракционного1 епиза устанонленор что синтеэиРо 4ванный материал является однофазными гомогенным по составу, Выращинаниеведут по примеру 1, но со скоростьюОр 2 мм/чо ПолУчают кРисталлыр состоящие из одного или нескольких моно- я)кристаллических блоков, часто с выходом естественных монокристаллических блоков, часто с выходом естестВенной грани (100) на поверхностькристалла, За 4-5 сут, удается вырастить кристалл длиной 20-25 мм идиаметром 15-18 ич, По окончаниипРоцесса ВьрРащинаниЯ пповоДЯт Гомогенизирующий отжиг и течение 2 сут.В той же печи при 500"С.П р и и е...

Номер патента: 1746755

Опубликовано: 10.06.2006

Авторы: Барабаш, Лапчинский, Морейнис, Перепеченко, Черницкий, Шулым

МПК: C30B 1/00, C30B 35/00

Метки: кристаллов

Устройство для получения кристаллов, включающее камеру роста, держатели кристалла, нижний из которых закреплен в опорной плите, электронно-лучевой нагреватель, кинематически связанный с приводом вертикального перемещения, и высоковольтный источник питания, отличающееся тем, что, с целью повышения чистоты получаемых кристаллов, расширения технологических возможностей устройства и повышения его надежности, нижний держатель кристалла снабжен съемным теплопроводным кольцом, закрепленным в опорной плите, выполненной охлаждаемой и разделяющей камеру на две части, привод и источник питания установлены в нижней части камеры, а нагреватель - в верхней.