Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 1442547

Опубликовано: 07.12.1988

Авторы: Куранова, Обмолова

МПК: C07K 1/00

Метки: карбоксипептидазы, кристаллов

...в 300 мкл 0,05 М МЕЯ-буфера рН 6,0, В течение 24 ч отдиализовывают против 250 мл этого же буфера, центрифугируют раствор при 12 тыс. об/мин, сливают прозрачный раствор. Объем раствора 400 мкл. Измеряют оптическую плотность раствора при 280 нм на спектрофотометре, рассчитывают концентрацию белка, принимая оптическую плотность 0,17-ного раствора за единицу, Оптическая плотность А=14, следовательно, концентрация белка 1,4%.К 400 мкл полученного раствора карбоксипептидазы Т добавляют15,б мкл МПД, 53 мкл 4 М раствора сульфата аммония и 53 мкл раствора ЕпБО с концентрацией 1 х 10 М, Суммарный объем раствора 521,6 мкл,144 45 формула изобретения конечная концентрация фермента10,8 мг/мл, т.е. 1,08%,Полученный раствор каплями .по20 мкл...

Номер патента: 1445819

Опубликовано: 23.12.1988

Авторы: Каныгин, Яковлев

МПК: B07B 4/08

Метки: кристаллов, отбора, пневматический, руды, сепаратор, слюды

...сыпучих материалов с помощью воздушных потоков и может быть использовано при обогащении слюдосодержащих руд.Цель изобретения - повышение эффективности сепарации за счет оптимизации аэродинамического режима.На фиг. 1 представлен сепаратор, общий вид; на фиг. 2 - разрез А - А на фиг. 1.Сепаратор состоит из основания 1, вращающегося перфорированного барабана 2 и прилегающего к перфорированному барабану 2 с наружной стороны конфузора 3. На основании 1 установлена перегородка 4, которая размещена концентрично внутри перфорированного барабана 2 в нижней его части на расстоянии от нее, необходимом для прохода слоя сортируемой руды. Перегородка 4 выполнена с поперечным сечением в виде дуги, установлена параллельно перфорированному барабану 2 и...

Номер патента: 1446541

Опубликовано: 23.12.1988

Авторы: Брук, Гамбург, Глазунов, Каратеева, Полукаров

МПК: G01N 17/00

Метки: испытания, кристаллов, металлических, нитевидных, образованию, покрытий, склонность

...реализуется следующим образом.Испытуемые образцы подвергают воздействию ионизирующего излучения лучами, Образцы могут быть подвергнуты облучению на воздухе, в вакууме, инертном газе или в агрессивной атмосфере при мощности дозы 1-10 Мрад/ч в течение 5-500 ч.Образование нитевидных кристаллов значительно ускоряется под воздействием ионизирующего облучения.Проведенные испытания показали, что при облучении образцов оловянного покрытия на металлической подложке у-лучамн кобальтапри экспозиционной мощности поглощенной дозы в воде, равной 5 Мрад/ч в течение 5- 500 ч (0,2"20 сут) возникали нитевидные кристаллы на поверхности тех образцов, которые при натурных испытаниях, хранении или эксплуатации в реальных условиях обнаруживали...

Номер патента: 1454596

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Гапон, Долгов, Моторин, Рабодзей, Светличный

МПК: B23K 1/12, B23K 3/00

Метки: кристаллов, пайки, полупроводниковых, процессом

...в процессеприпайки,Использование устройства в составе установки для пайки диодных кристаллов на основании (траверзы) сконтролем сопротивления контактногоперехода обеспечивает надежную регистрацию момента завершения пайки,повышения производительности процессапайки, надежности паяных соединенийи увеличение процента выхода годныхнапаянных кристаллов за счет исключения риска их перегрева в процессепайки. 20 Формула изобретения Устройство для управления процессом пайки полупроводниковых кристаллов, содержащее генератор тока, выход которого соединен с контактирующим узлом, и блок управления с индикаторным узлом, о т л и ч а ю щ е е с я на припаиваемый кристалл. В промежутках между импульсами нагревающего тока на припаиваемый кристалл...

Номер патента: 972702

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Борщевский, Ковалев, Левданский, Плехов

МПК: B01D 45/12, B01D 9/00

Метки: кристаллов, маточного, отделения, раствора

...с окружной скоростью 20-40 м/с, вместе с потоком разделяемой суспензии (согласно изобретению) осуществляют циркуляцию газового потока по замкнутому контуру.При этом газовый поток, контактируя с жидкостью, становится насьпценным, а так как газовый поток замкнут, дальнейшего испарения жидкой фазы не происходит, равновесие между кристаллами и маточным раствором не нарушается и процесс кристаллизации не идет,На чертеже схематично изображено устройство для осуществления предлагаемого способа. Устройство содержит перфорированную цилиндрическую обечайку 1, оканчивающуюся в нижней части сплошнымпатрубком 2 для выгрузки осадка,в верхней части которой жестко закреплена коническая обечайка 3 скрышкой 4 и патрубком 5 для подачисуспензии, В...

Номер патента: 1459729

Опубликовано: 23.02.1989

Авторы: Вершинин, Каныгин, Яковлев

МПК: B07B 1/22

Метки: кристаллов, отбора, руды, слюды

...поворота на осях внутрь барабана.Разгрузочный лоток 9 установлен внутри перфорированного барабана 2 вблизи конфузора 3 на расстоянии от поверхности, необходимом для прохода прилипших кристаллов слюды. Края бортов разгрузочного лотка 9 расположены ниже уровня горизонтальной оси перфорированного барабана 2, а расстояние между ними больше ширины поворотных элементов 4, для загрузки предусмотрен лоток 10. Для приема и удаления породной мелочи предусмотрены лоток 11 и конвейер 12. Для выгрузки крупных кусков руды имеется лоток 13. Перфорированный барабан 2, приводится от привода 14. От поворота наружу поворотные элементы 4 ограничиваются обручами 6 и 7 с Г-образным поперечным сечением. Для обеспечения движения руды и выгрузки крупных...

Номер патента: 1469401

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Инденбом, Точилин, Циглер

МПК: G01N 23/20

Метки: дефектов, исследования, кристаллов, электронно-оптического

...дифрагированных пучков идиффузного фона с глубиной модуляции о. Полученное электронно-оптическое иэображение преобразуют ввидеосигнал, который подвергают синхронному усилению и детектированиюна частоте модуляции сигнала управления объективной линзы 3. Полученный сигнал обычным путем преобразуютв изображение структуры образца, которое регистрируют, например, на фотопленкеП р и м е р. Исследования проводились на электронном микроскопе сускоряющим напряжением 100 кэВ наообразце кремния толщиной 200 А припросвечивании вдоль кристаллографического направления 1113. Диафрагмирование осуществлялось с использованием кольцевой диафрагмы с внутренним диаметром отверстия 0,2 Ьи наружным диаметром отверстия 17 Ь,где Ь - параметр обратной...

Номер патента: 1472153

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Бернштейн, Кастров, Лобанов, Оганесов, Попов, Рассказов, Рубачев

МПК: B07C 5/342

Метки: кристаллов, сортировки

...путем отсеивания ряда размерных фракций на ситах с калиброванными отверстиями, однако и просеянный материал имеет значительный разброс размеров объектов внутри ситовых классов, При просеивании, например, алмазов применяются сита с относительным шагом диаметров отверстий около 0,2: Ф 1,2 мм; ф 1,6 мм, ф 2,0 мм; 62,4 мм и т.д. Нужно учитывать и несовершенство самой процедуры просеивания. Практически в каждом ситовом классе встречаются кристаллы, отличающиеся по размерам более чем в два раза, а по объему - в восемь раз.В связи с этим показатель ослабления вещества кристалла определяется с очень низкой точностью.1472153 налы, пропорциональные массе каждого сортируемого объекта. Затем объекты проходят через фотодатчик 3.Сигналы с датчиков 2...

Номер патента: 1474184

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Аветисян, Аракелян

МПК: C30B 15/20, C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, периодической, структурой

...с периодической структурой. Способ реализуетсяпутем возбуждения в объеме кристаллизуемого раствора или расплаваультразвуковой волны, волновой вектор которой параллелен направлениюкристаллизации, при этом поверхностирастущего кристалла и источникаультразвука служат стенками резонатора. Условия периодического возникновения стоячей ультразвуковой волныобеспечивают движение поверхностирастущего кристалла, которая является отражателем ультразвукового резонатора. 1 ил. ку выращиваемого кристалла и ультразвуковой излучатель таким образом, что они создают ультразвуковойрезонатор, причем одной из стенокрезонатора служит поверхность растущего кристалла, По мере ростакристалла происходит изменение длины резонатора, что, в свою очередь,приводит...

Номер патента: 1478104

Опубликовано: 07.05.1989

Автор: Кравченко

МПК: G01N 21/41

Метки: кристаллов, показателя, преломления, сцинтилляционных

...от источника. -излучения до фотопленки, мм, 2 ил. онным образцом по его центру. Облучают сцинтилляционный образец руизлучением. При этом продольное излучение выходит из исследуемого сцинтилляционного кристалла с углом раскрытия, ограниченным углами М полного внутреннего отражения (ПВО) для данного образца. Следовательно, на фотопленке получим негативное изображение вьппедпего из образца света сцинтилляций. Согласно закону преломлениявыходе света из твердого тела н где и - показатель преломл дуемого образца. Из геометрических постро веденных на фиг.1, следует478104 Фиг с известными способами, Пля его реализации требуется только наличиет-источника и фотопленки. Способ нетребует наладки и юстировки сложныхоптических систем и временных...

Номер патента: 1482804

Опубликовано: 30.05.1989

Авторы: Булавцев, Вайнблат, Кузаков, Марков

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслоения, слюды

...8, выполненный в виде зубчатого диска, и ротор 9 с рычагом 10. Фиксатор 7 подпружинен пружиной 11. Рычаг 10 снабжен роликом 12 и подпружинен пружиной 13.Устройство работает следующим образом.Кристаллы 14 слюды помещают в загрузочный лоток 2. При этом нижниекристаллы ложатся на опорную плитуи фиксатор 7 прижимает их к отбойному элементу 8 таким образом, чтобызубья отбойного элемента 8 при вращении выхватывали из-под стопы нижние кристаллы 14 и в прижатом котбойному элементу 8 положении транспортировали их к месту ударного воздействия, При этом рычаг 10 с роликом 12 перемещаются под воздействием зубчатых направляющих ротора 9, арычаг 4, жестко связанный с рычагом10, снимает пружину 6. Ударная частьупругого элемента 3 отводится в...

Номер патента: 1490513

Опубликовано: 30.06.1989

Автор: Нуриев

МПК: G01L 11/00, G01L 9/04

Метки: давления, кристаллов, льда, моделируемой, растущих, среде

...равновесие с переохлажденной тонкой прослойкой водыв зазоре эксперименты прекращают,а возникшее при этом боковое радиальное давление в цилиндре и есть искомое Кристаллизационное давление льда.Переход от относительных тангенциальных деформаций, т.е. от показанийтензорезисторов к соответствующим имдавлениям, осуществляют по тарировочной зависимости, полученной при калибровке идентичных цилиндров путем создания в них гидростатическогодавления. Составитель А,СоколовскийТехред А, Кравчук Корректор Л,Бескид Редактор А.Ревин Заказ 3744/47 Тираж 789 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул,...

Номер патента: 1497541

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Варшава, Курило, Перепичка, Пилат

МПК: G01N 25/18

Метки: коэффициента, кристаллов, нитевидных, термо, эдс

...токов Тл и 1 нагревают концы кристалла и регистрируют разность потенциалов Пмежду средними контактами. Рассчитывают термо- ЭДС по Формуле А е=11-(1 К -1 лК ). Определяя температуры концов кристалла через температурные зависимости сопротивлений концов, находят коэффициент термоЭДС. 2 ил. средние 2 и 3. Проводят предварительную градуировку, регистрируя температурные зависимости К(Т), К (Т), К,(Т) и Кк(Т) путем термостатирования (см, фиг, 2). Пропускают че- Р ез контакты 1-2 и 3-4 постоянные токи 1 л и 1, ФиКсируют напряженияи 11 и определяют величины солпротивлений Кл=Цл/1, К=У/1 . С помощью графика на фиг, 2 определяют температуры концов, кристалла, Рассчитывают падения напряжения на контактах 2 и 3 Пл и 11 Измеряют разность...

Номер патента: 1509682

Опубликовано: 23.09.1989

Авторы: Дементьев, Калинин, Максимов

МПК: G01N 21/21

Метки: кристаллов, параметров, электрооптических

...поглощения(й = 380-420 нм).После установления "темнового фо-,на" поверхность кристалла заряжается в поле коронного разряда, На коро-.нирующие электроды от двуполярногоисточника подают высокое напряжение, возрастающее по линейному закону от 2 до 10 кВ,При достижении максимальногопросветления фиксируют соответствующее этому моменту коронирующеенапряжение У, которое затем отключаютМаксимальное просветление всейсистемы наблюдается при создании на .поверхности кристалла разности потенциалоЬ, равной величине полуволнового напряжения Б , которая можетбыть определена какЦ 1= 2 (и- Ц )Фоточувствительность кристалла оценивают по времени полуспада потенциала на кристалле при его экспонировании активным светом или, учитывая 50 (1), по времени...

Номер патента: 1518729

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Габа, Романюк, Урсул

МПК: G01N 21/23

Метки: двупреломления, измерении, кристаллов, параметров, полной, разности, хода

...между ними в дцагов 1 и 2(и,1 и) С 1х с где 1 - амплпгудцое значение ццтено сцвности света; и-.и ф - значение двупреломленця+дг) = 1,з 1 и, - аг, а огсюда, дробнаячасгь разности хода буде равна При определении по формуле (2) надо учесть, что одному значению 1могут отвечать два дробные значения разности хода. Для правильного определения дробной части разности хода следует определить соотношение между расстояниями от центра коноскопической фигуры до крайних минимумов в двух , взаимно перпендикулярных цаправлециях - а и Ь (Фиг. 1)Легко видеть, что в случае а(Ь дробное значение разности хода равно лг, а в случае аЬ составляет Л - д г.Дробную часть разности хода можно гакже точно и легко определить по соогношецию расстояний а и Ь в...

Номер патента: 1518834

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Данилов, Пеков, Перелыгин

МПК: H01L 21/60

Метки: диэлектрической, кристаллов, монтажа, подложке, полупроводниковых

...предварительного крепления кристаллов, При40этом появляется возможность осуществлять групповое присоединениевсех кристаллов, что приводит к повьппению производительности, а использование однократного теплового воздействия на кристаллы при присоединении повыщает надежность. Кроме того способ позволяет производить совмещение каждого кристалла с диэлектрической подложкой вплоть до термонаг - рева, что обеспечивается простотой их отсоединения, Для этого достаточно удалить постоянные магниты данного кристалла, после чего его можно заменить или возвратив магниты на место, произвести повторное совмещение.Формула и э обретения1. Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке, включающий нанесение на поверхность...

Номер патента: 1528665

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Булавцев, Вайнблат, Кузаков, Марков

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, линия, поточная, расслоения, слюды, сортировки

...грохота, которая является началом грохоцения и обеспечивает максимальную эффективность классификации материала.На фиг. 1 изображена поточная линия, продольный разрез; на фиг. 2 - узел 1 на фнг. 1; на фиг. 3 - разрез А - А на фиг. 1; на фиг. 4 - узел 11 на фиг. 1,Поточная линия для расслоения и сортировки кристаллов слюды включает ускоряющееприспособление 1, барабанный грохот 2, роликовый грохот 3, общую раму 4, Основание 5, транспортер 6 и разгрузоч5ные бункера 7. Рабочая поверхность 8 барабанного грохота 2 жестко соединена с корпусом 9 роликового грохота 3, который совместно с барабанным грохотом 2 вращается от привода 10, расположенного на торцовой стенке роликового грохота 3. Ускоряющее приспособление 1 включает два валка 11,...

Номер патента: 1533867

Опубликовано: 07.01.1990

Авторы: Барсуков, Золотухина, Комаров, Муромцев, Яковлев

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расщепления, слюды

...е р 2, Расщеплению подвергают полуоцищенные подборы слюды(флогопит) условного размера 20 вколичестве 500 г отдельными порция"ми весом по 20-30 г каждаяТолщинаполуочищенных подборов 1-3 мм. Полу"очищенные подборы условного размера20, взятые из разных мест ящика,взвешивают с тоцностью до 0,1 г, Масса каждой обрабатываемой пробы составляла 20-30 г,Обработку проводят одновременнона двух параллельных пробах, одну изкоторых предварительно замачиваютв воде при комнатной температуре,затем обрабатывают перекисью водорода, а другую обрабатывают перекисьюводорода беэ предварительной замочкив воде, Время обработки обеих пробв перекиси водорода одинаковое,После обработки перекисью водоро "да вспученные кристаллы разделяют наотдельные пластины с...

Номер патента: 1543342

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Гукалов, Гулый, Дашковский

МПК: G01N 33/02

Метки: кристаллов, размеров, сахара, утфелях

...0,4-20 МГц, а также величиныразмеров кристаллов, которые при данньгх значениях длин волн становятсяисточниками рассеяния упругой энергии в режиме уменьшения длины волны(по фиг, 1),Гранулометрический состав кристаллов сахара в зависимости от частотыариведен в таблице.Процесс варки утфелей прекращают,.когда кристаллы сахара достигают размеров 1,2-1,5 мм, но в ряде случаевкристаллы наращивают и до больших размеров. В частности, на некоторыхсахарных .заводах варят кристаллы размером до 5 мм. Контролировать кристаллы таких размеров возможно, еслив качестве нижнего предела частотного диапазона выбрать частоту 0,4 МГц,ниже которой лежит неинформативнаячастотная зона.Верхний предел частотного диапазона 20 МГц выбран из условия...

Номер патента: 1551749

Опубликовано: 23.03.1990

Автор: Рогальский

МПК: C30B 15/34

Метки: композиций, кристаллов, профилированных, эвтектических

...на токарномстанке, шлифуют на наждачной бумагес зерном 50/40, 40/28, 28/20, а затем полируют алмазными пастая с зерном 14/10, 10/7, 7/5, 5/3, 2/1,1/О мкм,Капиллярные каналы 7 изготовлены 25из платиновой трубки внутренним диаметром 0,9 10 м, а наружным 1,1"10 м, длиной 2,5 10 м и закреплены на боковой поверхности формообразователя 5 с помощью закрепляющих колец, изготовленных иэ материала, невзаимодействующего с расплавом, в данном случае из молибдена.В углубление тигля 1 устанавливают формообразователь 5, вокруг которого размещают кристаллы ИаГ и СаГв соотношении 58 и 42 об.Б, что соответствует соотношению компонентовв точке энтектики. Затем тигель 1устанавливают ца подставку 2 и помещают в нагреватель 3, после чего припомощи...

Номер патента: 1553846

Опубликовано: 30.03.1990

Авторы: Артамонова, Безрядин, Вейгман, Смыслов, Шенфельд

МПК: G01G 23/36

Метки: автоматической, весовой, группам, кристаллов, сортировки

...мере повышения угла наклонаполочек 14 относительно линии горизонта при вращении барабана 4 кристаллы 3, попавшие на полочки 14,начинают "скатываться" вниз, попадая на вибролоток 18.При этом часть кристаллов 3 "соскальзывает" с полочек 14, падаетвниз и вновь захватывается полочками 14, постоянно перемешиваясь. Кристаллы 3, попавшие на вибролоток 18,возбуждаемый вибратором 19, совершают поступательное движение по вибролотку 18, соответственно от егозагрузочного конца 20 до выходногоконца 22, подходя к роторному вакуум-пинцету 7. Последний своимиотверстиями 38 присасывает к ротору37 кристаллы 3 (по одному) с вибро1553846 30 где Еи 1 - масштабные коэффициенты;К- сопротивление опорногорезистора 52.АЦП 53 преобразует указанное падение...

Номер патента: 1556924

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Бочаров, Кирпиченко, Корочкин, Севостьянов, Скорынин, Черных

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, кристаллов, центрирования

...90 и смещают кристалл на величину 1 г. 2 ил. После этого поворачивают шпиндели на угол , смещают кристалл по линии ЮР системы координат станка на вел ич и ну Поворачивают шпиндели на угол 90 и смещают кристалл по линии ЫР на величину гг. Контроль величины смещения осуществляют с помощью датчика перемещений.В результате измерений значений локальных экстремумов расстояний четырех сторон основания по оси врагцения шпинделей повышается точность и и ронзводитльность ориентирования кристалла. так как на р- зультаты измерений не влияют морфологические особенности распыленных криталлов и погрешности профиля рундита.Пример. Кристалл гр) ппь; РОП с размером основания 5,0 Х 5,2 мм устанавливают г, оправки обточного станка модели ПО - 2, на...

Номер патента: 1557104

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Болдырева, Руссо

МПК: C01F 11/24

Метки: бария, дигидрата, кристаллов, хлорида

...насьпценного раствора приданной температуре, и перемешиваютдо полного растворения реактива, Враствор, имеющий температуру 35 С,вводят примесь хлористого стронция втаком количестве, чтобы содержаниестронция составляло 0,75% от массырастворенного ВаС 1 2 НО, т.е,0,68 г, и перемешивают до полногорастворения примеси, Раствор охлаждают до комнатной температуры, в ходе процесса из пересьпценного раствора выпадают кристаллы дигидрата хлорида бария, Контроль за содержаниемдвойниковых кристаллов в осадке ведут путем тотального их подсчета,В данном примере доля двойниковыхкристаллсв составила около 13% (серия измерений дает точность +2,5%).Среди кристаллов осадка практическинет расщепленных кристаллов, кристаллов с...

Номер патента: 1562790

Опубликовано: 07.05.1990

Автор: Погребняк

МПК: G01N 21/35

Метки: качества, кварца, кристаллов, оценки

...коэффициентов поглощения, определяемая по фмуле1 Д т 00) 6 - пропускание дляволновых чисел 38 и 3196 смсоответственно;- толщина образца в2. Для определения тойкости образца его апись спектра проводя 1. Затем определяют. 1 к 1 звоо - 1 я Т,396т тетегде То и Т,6 - пропускание дляволновых чисел 3800 и 3196 см соответственно,- толщина образца, см.тете тт етт тт/ Коэффициент поглощения для пирамиды роста (1120 е) Величина добротности для пьезоэлементов, изготовленных из ма,териала пирамиды (0001) на частоте1 МГц до облучения после облучения т3385 см 3196 см3385 см3196 сме 0,677 0,537 0,408 0,259 0,250 2,7 103,6 10 4,7 10 7,0 10 7,3., 10 0,745 0,657 0,523 0,275 0,328 0,155 0,444 0,290 0,152 0 327 0,137 0,33 0,276 0,130 0,230...

Номер патента: 1562804

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Асланян, Безирганян, Мартиросян, Симонян

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллов, рентгеновской, топографии

...9 овЫ 9 лАгде 8, и В - углы наклонов левойи боковой поверхностейОА и О+Псоответственно. При одинаковых наклонах боковые поверхности Ь, и Дравны. Этот способ позволяет получить маят" никовые полосы от достаточно толстых клиновидных кристаллов, от которых можно получить и эффект Бормана.Когда в толстых кристаллах (фиг.8) первичная волна падает ближе к боковой поверхности, из верхней части кристалла в направлении отражения выходят ворны с волновыми векторами Ки К ь и образуют маятниковые по"Илосы, а от основания в результате эффекта Боомана выходят волны второФ, Уго поля К и К. На Фиг. 9 привеР 2.дена схема распределения интенсивности в зависимости от расстояния линии падения первичной волны до боковой поверхности призмы, показанной на...

Номер патента: 1564524

Опубликовано: 15.05.1990

Автор: Омельченко

МПК: G01N 23/20

Метки: жидких, кристаллов, параметров

...полученного набора интенсивностей 1(9 + 0,Я, Х) рассеяния рентгеновских лучей в окрестности узла обратной решетки и в узле обратной решетки определяют интенсивность 1(Чуе Ч) Ч) в системе координат Ч)в Ч Ч 2 пользУЯсь для перехода следующими соотношениями между установочными углами 9,Ц, Х и координатами Чд, Ч , Ч обРатного пРостРанства.4 . Ы Ч = - ядп(9 + -)х Х 2 Ых соя (Я -) соя Х2Ч = - Я 1 п(0 + -)яж(Я - -)4 . Ы ФТ24 лЯ 1"( ВВ+ 2)"О к соя(И - ") я 1.п Х,2 Рассчитывают параметры жидких кристаллов: межслоевые Ы расстояния, корреляционные длины , , 1 и ихфтемпературные зависимости. С целью более точного определения параметров жидких кристаллов рассчитывают В (Ч) поперечное сечение рассеяния рентгеновских лучей в окрестности узла обратной...

Номер патента: 1577181

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Косоплеткина, Солодова, Чопоров

МПК: B23K 3/00

Метки: выводами, кристаллов, нагревательное, напайки, полупроводниковых, приборов, рамки

...стенки б прот)чки 5 ныполнеиы под углом Ю 8690 относительно рабочей понерхнос"тй 4 этого ролика. А расстояние (ши"рина В проточки 5) между ними на вход, в проточку 5 составляет 0,5"О,7диаметра подаваемой проволоки 1. Под-жмной ролик 2 содержит коническуюпроточку 7. Угловые участки 8 и 9 зуб чатого приводного ролика 3 н процессеработы вдавливаются в металлическуюоболочку проволоки 1.Устройство работает следующим образом,45При вращении зубчатого приводногоролика 3 порошковая проволока 1, прижатая к нему поджимным роликом Впроталкивается с силой Р. При этом зубчатая рабочая поверхность 4 приводного ролика 3 захватывает проволоку 15 О(располагающуюся по центру проточки5 и не касающуюся ее внутренней поверхности).Прн поджнме проволоки 1...

Номер патента: 1580606

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Кужелев, Шерешовец

МПК: H05K 13/02

Метки: загрузки, кассеты, кристаллов, полупроводниковых, преимущественно

...3продольные пазы 24, параллельные желобам 3 и расположенные между гибкимитрубопроводами 13,Для загрузки деталей в вибрационный питатель 2 предназначен бункер25 с электромагнитным приводом 26,."а у выходного конца платы вибрационного питателя 2 установлен сборник27. Полость 18 накопителя 10 соединена с вакуумной системой через вакуумный распределитель 28,Лля поворота крышки 9 вибрационного питателя 2 предназначена рукоятка 29, установленная с возможностьювзаимодействия с микропереключателями 30, Кассета 31 для деталей 4 размещается под корпусом 15 накопителя10, Устройство может быть использовано для сборки диодов, В этом случаев гнездах кассеты 31 размещаются нижний вывод 32 и стеклотрубка 33. Иежду корпусом 15 накопителя и кассетой31...

Номер патента: 1583477

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Демьянец, Мельников, Триодина

МПК: C30B 29/14, C30B 7/10

Метки: выращивания, гидротермального, кристаллов, ктр, структурой, типа

...Р, КН РО 4 при 1000 СПРоцесс ведут при соотношениижидкой и твердой Фаз, равном 10:15:1 по объему.4 1583477 Шнхт Концентрация ра створите ие ическая а мас. Стекло КГКА 1 РО Г 5О,КА 1 РО Г 100% 0,7 0,6 КА 1 РО Г (скоростьроста уменьшаетсяна порядок) КА 1 Р 04 Г (100%)кристаллы в видепластин 150 О,РО с талл100%) иэомермы 0 0,8 0 ской 5 КАУРО,Г (100%) КА 1 РОГ размером 0,5 см удлиненно Формы (100%)длиненная форма 0 4 10 100 0,7 У Г (г 0%),о КА 1 РОГ (80%)4 Г (50%) р+ Си (50%) 300 ст 5 5КНГ На дно автоклава объемом 160 см,футерованного медным вкладышем, помещают 40 г шихты, представляющейсобой фториднофосфатное стеклостехиометрического состава (КА 1 РОГ).Вкладыш с шихтом заполняют растворителем КГ концентрацией 5 мас.%с коэффициентом...

Номер патента: 1583478

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Большакова, Елкин, Козлов, Масленников, Сорокина

МПК: C30B 29/30, C30B 33/00

Метки: кристаллов, лития, танталата, травления

...1. представлена структураполидоменного образца, выявленнаяс помощью известного и предлагаемогспособов; на фиг,2 - поверхности крталла танталата лития, подвергнутогтравлению предлагаемым способом втечение 5; 7 и 10 с; на фиг.3структура монодоменного и полидоменго образцов,Гранулированный едкий кали в колчестве 7 г засыпают в керамический ится к обралата лития астности к и доменной етодами опти кроскопии.ить и сокра нокристаллы едкого кали5-7 с.нижена до роводится расплава, получитьЦов в течение 5 с (фиг.2 а), 7 с (фиг.2 б) и 10 с (фиг.2 в) в расплаве дкого кали.П р и м е р 3. Полидоменный (фиг,Зб) и монодоменный (фиг.За) образцы, изготовленные из монокристалла танталата лития, одновременно Оодвергают травлению в расплаве едкого кали при...