Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 926089

Опубликовано: 07.05.1982

Авторы: Зильберман, Исаков, Савинцев

МПК: C30B 33/00

Метки: ионных, контактного, кристаллов, плавления

...электростатического поля для системы ЕМО-Маей.Цилиндрические образцы из кристаллов ИаМО и КМО помещают в термостат и приводят в контакт. Образцы располагают между двумя плоскими 20 электродами, служащими для полученияоднородного электростатического поля.Электроды подключают к высоковольтному стабилизированному выпрямителю, Между образцом и электродом остав- р 5 ляют воздушный промежуток 1-2 мм. После прогрева до заданной температуры 2800 С с появлением жидкой фазы включают электростатическое поле. Наблюдение за процессом ведут с помощью микроскопа через наблюдвтельное окошко термостата. Изменяя величину напряженности электростатичес, кого поля, можно изменять и скорость протекания самого процесса.35При наличии внешнего...

Номер патента: 574011

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Грибковский, Паращук, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, ориентации, полупроводниковых

...импульсэлектрического поля в режиме возникновения стримеров, в кристалле измеряют углымежду стримерами и по измеренным значениям судят оо ориентации поверхностискола,574011 Подписно зд. Мо 15 Тираж 73 ПО Поиск Заказ 713 ография, пр. Сапунова,определению плоскость скола и укрепленному на стеклянной пластинке 3, через раз. рядный промежуток подводят высоковольтный импульс электрического поля. Образец и разрядный промежуток помещают в ди электрическую жидкость: трансформаторное масло, метилметакрилат или этиловый спирт.При амплитуде напряжения У)20 кВ в образце возникает сетка тонких (толщиной 10 4 - 8 мкм) нитевидных разрядов - стримеров, составляющих в приповерхностной области данного образца определенные углы между собой или с...

Номер патента: 929376

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Скоморохов, Соколов, Сологуб, Щепин

МПК: B23K 31/02

Метки: кристаллов, напайки, полупроводниковых, приборов

...прибора, после чего происходит пайка. После выхода рычага 3 в исходное положение. включается механизм перемещения корпусов б, который перемещает кассету с корпусами на шаг. Для повторения цикла в полуавтоматическом режиме необходимо нажать кнопку фПуск.В автоматическом режиме цикл повторяется непрерывно совмещение проекции кристалла с трафаретом производится оператором в момент присоединения кристалла.Изобретение позволяет разместитьрычаг с вакуумным захватом и кронштейн проектора в стороне от нагретого столика, тем самым исключить температурное воздействие на них,Формула изобретения ватом, механизм перемещения и подьема кристаллов размещены между механизмом установки кристаллов и механизмом подачи и нагрева корпусов, а в. рычаге...

Номер патента: 934317

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Карамурзов, Федоров, Хоконов

МПК: G01N 13/02

Метки: волокон, длины, изгиба, кристаллов, критической, нитевидных, самопроизвольного

...при 1200-1250 К не мене 6 ч. Охлаждение образца производят вместе щс печью со скоростью не болей 2 градусов в минуту, При комнатной температуре производят ступенчатое нагружение волокна в пределах упругойдеформации. Измерение удлинения образца под нагрузкой производят с помощьюразвернутой на 90 градусов оптическойсистемы микроскопа МВС, По полученным из эксперимента величинам удлинения кварцевого волокна в зависимостиот растягивающей нагрузки определяютмодуль упругости. Величину поверхностного натяжения кварца в твердом состоянии можно взять из справочной литературы.45Критическую длину самопроизвольного изгиба волокна определяют поФормуле (1) подставив в нее найденные величины Е=10 Па; б =0,30 Н/и;Иф=1, 12; 1= , Ь=Ф; 4=10 м. 50...

Номер патента: 935747

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Анисимов, Лагунов

МПК: G01N 11/00

Метки: вращательной, вязкости, жидких, коэффициента, кристаллов, реализации

...проницаемости жидкогокристалла в плоскости вращения магнита.8 устройстве для реализации способа, содержащем магнит, установленный на платформе С возможностью вращения, расположенную в зазоре междуего полюсами камеру для исследуемогожидкого кристалла, передающую систему, связанную с измерителем, навыходе которого включен регистрирующий прибор, соединенный с датчикомотметок направления магнитного поля,передающая система выполнена в виде.конденсатора, плоскости пластин которого перпендикулярны плоскостивращения магнита.При вращении директора жидкогокристалла внешним магнитным полемвеличина диэлектрической проницаемости меняется, достигая экстремальных значений, Наличие вращательной вязкости приводит к тому, чтоэкстремальные значения...

Номер патента: 938200

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Брилингас, Григас, Шугуров

МПК: G01R 27/04

Метки: диэлектрической, комплексной, кристаллов, нитевидных, проницаемости, сверхвысоких, частотах

...нитевидного кристалла сторонними токами, что приводит к изменению коэффициента отражения от нигевидного кристалла. При некотором положении исследуемого кристалла наступают условия для возникновения резонансных явлений и коэффициент отражения достигает максимального значения на данной частоте, При данном положении нитевидного кристалла, соответствующем максимальному коэффициенту отражения точность измерений существенно повышается, вопервых, за счет уменьшения влияния коэффициента отражения отрезка прямоугольного согласованного вопновода, и во-вторых, за счет того, что коэффициент отражения при резонансных явления( становится более чувствительным к малым изменениям аиэлектрической проницаемости.Таким образом, измерение модуля и фазы...

Номер патента: 396913

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Бутузов, Бутэрус, Голиков, Гордиенко, Зуева, Ковалевский, Меньшиков, Хаджи, Цинобер, Цыганов, Шапошников

МПК: B01J 19/00

Метки: гидротермального, кварца, кристаллизатор, кристаллов, синтеза

...фиг. 3 - сечение Б - Б фиг. 2.Кристаллизатор содержит цилиндрический корпус 1 с затворами 2, создающими герметизацию, нагреватель 3, контейнер с шихтой 4, диафрагму 5. Кольцо 6, удерживаемое на внутренней поверхности корпуса 1, является опорой для скалок 7, на которые подвешивают обоймы 8 с однорядным набором Г-образных кристаллодержателей 9 и с двухрядным набором, Размещение обойм 8 с кристаллодержателями 9 производят так, чтобы конвекционные потоки раствора проходили бы между рядами кристаллодержателей по проходам 10, Кроме того, для лучшего омывания кристалла потоками раствора расстояние а между горизонтальными частямп кристаллодержателей устанавливают равным двум толщинам выращиваемых кристаллов. Для получения этого расстояния на...

Номер патента: 941433

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Касяненко, Матвеева, Скропышев

МПК: C30B 33/00

Метки: исландского, кристаллов, обесцвечивания, окрашенных, природных, шпата

...в процентах от наи"более мощной линии в ультраФиолете).50При использовании известного способа основная энергия излучениясконцентрирована в линии 253,7 нм.При использовании предлагаемогоспособа ( в данном конкретном примере использованы лампы ДРШ с фильтром) исключены линии с )260 нм.В качестве фильтра используют частьоптической системы спектрометра СДЛ 3 4Конкретный вид фильтра не важен, гла вное, чтобы от с екали с ь ли нии с длиной волны, меньшей 260 нм. В частности, подобных результатов можно добиться при использовании стандартного фильтра, выделяющего только линию 312,6 нм.Обработке подвергают розовые кристаллы исландского шпата одинаковой толщины ( 10 мм), имеющие одинаковый спектр поглощения в исходном состоянии (фиг. 2, кривая 1)...

Номер патента: 943264

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Демишев, Игнатенко, Лобанова, Назарова, Окатов, Силаева, Стальнов, Сясина

МПК: C09K 3/14

Метки: кристаллов, полирования, состав, шлифования

...в течение часа при перемешивании высокоскоростной мешалкой. Далее в состав вводят алмазный абразив и высокодисперсный кремнезем аэросил и перемешивают в течение 10-15 мин, после чего состав готов к использова. ниюП р и м е р 1. Готовят состав, - содержащий, вес.4:(АСМ 3/2)Высокодисперсныйкремнезем (аэросил марки "380") 3,0 Вода Остальное 1,0 Лейкосапфир подвергают полированию по плоскости. Режим полирования аналогичен указанному в примере 1. Получают следующие результаты: скорость съема 12 мн /ч,плотность поверхностных дефектов 3,0 10 см,В -2размер царапин: ширина 0,2 мкм,глубина 0,045 мкм. Класс шероховатости поверхности 14 а.П р и м е р 3. Готовят следующийсостав, вес, 7.: 25 Сополимер акриловойкислоты с...

Номер патента: 949434

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Белянин, Буленков

МПК: G01N 21/958

Метки: внутренних, кристаллов, кристаллографической, несовершенств, ориентации, прозрачных

...образца параллельно горизонтальной оси вращения. кристалла. Операция проводится при помощи двух дуг гониометрической головки. После этого одна из боковых граней образца соответствующей ручкой становится в горизонтальное положение. Горизонтальная установка проверяется по достижению одновременности фокусировки двух параллельных ребер этой грани. Другой ручкой производят перемещение кристал. ла для введения анализируемого участка несовершенства в поле зрения окуляра микроскопа. Риску на стекле окулярного микрометра 7 устанавливают параллельно ребру пересечения боковых граней кристалла 5 и фиксируют показания шкалы барабана 8. Затем ту же риску путем вращения окулярного микрометра 7 устанавливают параллельно анализируемому участку...

Номер патента: 951129

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Адамян, Безирганян

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллов, пьезоэлектрических, рентгеновской, топографии

...узким пучком рентгеновскогоизлучения и регистрации в геометрии.25 "на просвет" дифрагированного различными участками кристалла излученив условиях воздействия на кристаллпостоянного электрического поля,исследуемый кристалл предварительно30 облучают по всей исследуемой поверх951129 Составитель К.КононовРедактор Т, Парфенова Техред М,Рейвес Корректор И. Муска Заказ 5934/47 Тираж 887 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-Д 5, Раушская наб., д.4/5Филиал ППП ".Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4 ности рентгеновским излучением в условиях воздействия на кристалл постоянного электрического поля.Сущность изобретения заключается в следующем.При облучении кристаллов кварца...

Номер патента: 425420

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Гаврилова, Козин

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, дигидрофосфата, калия, кристаллов

...пере сыщения.Это достигается тем, что в процессе выращивания в кристаллизационную камеру добавляют ненасыщенный раствор при комнатной температуре, а конденсат отво дят в количестве, равном количеству растворителя, добавленному с раствором.П р и м е р. Путем синтеза, например, по реакции КОН+НзР 04 = КНР 04+ Н,О из ранее приготовленной соли готовят пасы щенный раствор данной концентрации. Раствор перегревают выше температуры его насыщения на 1 - 2 С и заливают в кристаллизационную камеру с заранее укрепленными и нагретыми в нем затравками, 30 Одновременно с этим к кристаллизационной камере подсоединяют устройство для подпитки раствора и отвода конденсата. Вещество, с помощью которого производят подпитку, вводят в кристаллизационную...

Номер патента: 958508

Опубликовано: 15.09.1982

Автор: Гернанд

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кристаллов, лития, монодоменных, ниобата, расплава

...кристаллов по методу Чохральского, задачей данного изобретения является указание простого метода для выращивания однодоменных кристаллов ниобаталития из расплава.В основу изобретения положен тотфакт, что мероприятия для реализацииоднодоменной структуры по известнымдо сих пор методам и дополнительныемероприятия не только усложняют процесс выращивания кристаллов ниобаталития, но также могут отрицательносказываться на качестве кристаллов,например в отношении оптической однородности и пропускания. Кроме того,однодоменность обеспечивается не повсей полезной длине кристаллов.Существо предлагаемого изобретениязаключается в том, что в противоположность к до сих пор распространеннойтеории однодоменные кристаллы ниобаталития могут...

Номер патента: 958509

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Руденко, Скропышев

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, обесцвечивания, окрашенных, природных

...(0,25 мм), В результате получены три группй по пять кристаллов, по одной пластинке от каждого кристалла. Кристаллы пер- вой группы подвергают. термической обработке по известному способу - с изотермическим отжигОм при 300-350 фС, кристаллы;второй и третьей групп .по предлагаемому способу с изотермическим отжигом при 400 и 500 С, Термическую обработку производят на воздухе в муФельной печи. Средняя сйорость нагрева составляет 9 С в минуту. Для установления временной зависимости процесса на каждой Фиксированной температуре проводят серию последовательных изотермических отжигов общей продолжительностью до25, ч. Для контроля характера изменения светопропускания при термообработке. снимают спектры оптического поглощения кристаллов в...

Номер патента: 965793

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Булавцев, Вайнблат, Ерин, Кузаков, Федоров, Хохлов

МПК: C01B 33/18

Метки: кристаллов, расслоения, слюды

...работы.Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для расслоения кристаллов слюды цилиндрические тела выполнены полыми из эластичного ленточного материала, уложенного по крайнеймере в два слоя и снабжены грузами,равномерно расположенными на их внутренней поверхности,На фиг, 1 изображены вращающиеся цилиндрические тела; на фиг, 2 - развернутая внутренняя поверхность одного из цилиндров разрез по А-А на фиг, 1; на фиг. 3 - узел 1 на фиг. 1.Цилиндрические тела выполнены полыми и состоят мз внутренних колец 1Э 965793выполненных из эластичного ленточного материала, например, конвейернойленты и снабжены грузами 2, равномерно расположенными на их внутреннейповерхности, закрепленными винтами 3,и внешних колец 1,Устройство работает...

Номер патента: 968632

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Волкова, Танаева, Фаерман

МПК: G01J 5/50

Метки: дигидрофосфата, калия, кдр, кристаллов, нагрева, неоднородности

...лазер 1, матовую пластинку 2, кристалл КДР 3, поляриза. тор 4 и экран 5, Осуществление способа возможно в результате обнаружЕнного свойства кристаллов КДР - изменения аномальной двуосиости кристалла в зависимости от градиента температуры.Луч лазера 1, проходя через матовую пластинку 2, расширяется и попадает на кристалл КДР 3, который в силу своих оптимальных свойств Формирует на экране 5 при Положении968632 формула изобретения оставитель В.Петуховехред Т.Маточка Корректор С. Шекм Редактор Г.ус 7./6 8 Тираж 887 ВНИИПИ Государственного коми по делам изобретений и от 113035, Москва, Ж, Раушскаказ 814 Подписноета СССРытийнаб., д, 4/5 П Патент, г. Ужгород,Филиа ктная,пропускания света поляризатором 4 коноскопическую картину,...

Номер патента: 970207

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Анисимов, Геворкян, Лагунов

МПК: G01N 29/00

Метки: вязких, жидких, кристаллов, свойств, упругих

...азмереЦель достигается тем, что возв жидком крнсталле ультразвуковыколебания и используют их часточестве анюотропного параметра207 3 970На чертеже изображена принципиальнаясхема устройства, реализующего определения вязких и упругих свойств жидких кристаллов,Устройство содержит два расположенных напротив друг друга приемный 3. иизлучающий 2 пьезопреобраэователи,усилитель 3, вход которого соединен сприемным пьеэопреобразователем 1, авыход - с излучающим пьезопреобразователем 2, последовательно соединенные. сусилителем 3 частотомер 4 и регистрируюший блок 5, электромагнит 6 и регулируемый источник 7 напряжения, Позицией 8 обозначен слой жидкого кристалла.. Способ определения вязких и упругихсвойств жидких кристаллов заключается,в том,...

Номер патента: 971922

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Белицкий, Ковалевский, Прилепо, Урсуляк

МПК: C30B 9/00

Метки: кристаллов, раствора, роста, скорости

...состоящий из компонентов раст-ворителя и кристаллообразующих компонентов нагревают до температуры на 30 - 100 С зОвыше температуры начала кристаллизации,при этой температуре раствор выдерживаютдо полной гомогенизации и в него вводяткапилляр, через который подают инертныйгаэ. 25Скорости подачи газа регулируют такимобразом, чтобы через раствор проходило 5 -10 пузырьков в минуту, Давление в системеподачи газа регистрируют микроманометром,Далее раствор охлаждают до температурыниже температуры кристаллизации, содаваязаданное пересыщение, При этом на внутренних стенках капилляра образуются зародыши кристаллов, которые при своем ростеизменяют его внутренний диаметр. За счет35этого происходит увеличение максимальногодавления в газовой пузырьке....

Номер патента: 972339

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Конышев, Шарафутдинов

МПК: G01N 19/08

Метки: дефектности, кристаллов, поверхности, скрытой

...проверка способа проводится на при- у 5 иере избирательного травления кристаллов 1 Г е одном растворе ГеС 1, который известен как травитель за" медленного действия.Исследованию подвергаются кристал лы размером 5 5 35 мм , выколотые3из предварительно отожженных блоков. Образец одним концом закрепляется в держателе и помещается вертикально в сосуд с травителем так, чтобы его35 большая часть ( 30 мм ) находилась в жидкости, а нижний конец кристалла на расстоянии л 40 мм от дна сосуда, Время травления в этом положении составляет 10 мин. Перемешивание раствора и перемещение образца за время травления исключается. Такая длительность травления выбирается для стаЬилизации диффузионных потоков вблизи поверхности кристалла, По45 окончании...

Номер патента: 973194

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Боболович, Качулис, Сендо

МПК: B07C 5/342

Метки: кристаллов, слюды, сортировки

...шипке слюда (пластины слюды)о ГОСТ 3028-68 п.2,11,3 Результаты контроля приведены в т Нагреву подвергается любой участок полезной площади кристалла, по плошади достаточный для визуального сравнения его цвета с контактирующей с ним поверх 10 ностью кристалла, Учитывая, что минимально допустимая величина полезной плошади кристаллов идущих в обработку сосоставляет 4 см 2 площадь участка нагрева должна быть не более 2-3 см, Ис 132. точник тепла должен быть нагрет до 235- 265 оС. При температурахменьше 238 С изменение цвета гидратированных кристаллов либо совсем не наблюдается либо наблюдается в малой степени, т.е, сорти й ровка при этих температурах невозможна. Гри температурах больше 265 фС наблюдается изменение цвета у части...

Номер патента: 973480

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Аннопольский, Гитис, Карпов, Савостьянов, Стригунов

МПК: C01F 11/36

Метки: бария, кристаллов, нитрата, технического

...кислоты., Выбранный интервал рН 2-4 на вто рой стадии кристаллизации также является оптимальным, так как именно при этих условиях получают кристаллы с минимальным количеством деФектовтрещин и др.), а значит и возможость захвата маточного раствора, а с ними и красящих примесей, уменьшаетсяСпособ осуществляют следующим об" разом, , бОГорячий Исходный раствор нитратабария подвЙргают кристаллизациипутем охлаждения. Кристаллизацию ведут в две стадии: на первой - доконцентрации аэотнокислого бария в 65 осветленной части суспензии 9,5- 10,5 мас.Ъ, после чего кристаллы отделяют от осветленного раствора; на второй - к осветленному раствору добавляют азотную кислоту до получения рН 2-4 и проводят кристаллизацию до концентрации аэотнокислого бария...

Номер патента: 980831

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Вайнблат, Ерин, Кузаков, Федоров

МПК: B02C 23/08

Метки: кристаллов, расслоения, слюды, сортировки

...величину классифицирующих щелейи тем самым, задавать нужную толщинурасколотой слюды на выходе устройстваНа фиг. 1 предстамена общая кинематическая схема устройства; на фиг. 2- 46поперечное сечение грохота-элеватора;на фиг. 3 расположение регулируемойперегородки над классифицирующей щелью,Устройство включает метатель, состо- ффящий из пневмобалонных роторов 1 и 2со встречным вращением и приемногобункера 3 для его загрузки, отбойнуюплиту 4, грохот-элеватор 5,состоящийиэ уголков 6, образующих, классифици- форующие щели 7, расположенные параллельно оси вращения- грохота 5, и из перегородок 8, выполненных в виде Г-об- .разных пластин, загнутых в,сторону вращения грохота 5 и расположенных над фклассифицируюшими щелями 7, с помошью пластин 9,...

Номер патента: 984503

Опубликовано: 30.12.1982

Авторы: Данилов, Кротова, Кузаков, Литвинов, Маршуев, Пономарева, Шаньков

МПК: B07B 1/40

Метки: кристаллов, отбора, руды, слюды

...внешней стороны камеры 3 расположен конфузор 24 (фиг. 1), состоящий из корпуса 25 (фиг. 5) и крышки 26, внутри которых закреплены регулирующие заслонки 27 и 28. Конфузор 24 закреплен на раме 20. С внешней стороны конфузор 24 соединен со всасом вентилятора (не показан). Внутри перфорированного барабана размещен колосниковый вибрационный грохот 29 в виде колосниковой просеивающей поверхности, рабочие колосники 30 (фиг. 5) которой расположены по радиусу. Кроме того, установка имеет перфорированный лоток 31 и вибраторы 32 (фиг. 1). Колосниковый вибрационный грохот 29 установлен на амортизаторы 33 и 34, опирающиеся на стойки 35 и 36, закрепленные на раме 20. Кроме того, внутри перфорированного барабана размещен лоток 37 (фиг. 4) для вывода...

Номер патента: 989381

Опубликовано: 15.01.1983

Автор: Геворкян

МПК: G01N 11/00

Метки: вращательной, вязкости, жидких, коэффициента, кристаллов

...сдвига между вектором магнитной индукциии директором жидкого кристалла, нажидкий кристалл в течение всего времени испытания дополнительно воздей"ствуют постоянным магнитным полем,причем вектор магнитной индукции пос;тоянного магнитного поля перпендикулярен плоскости вращения вращающегосямагчитного поля,Зависимость директора И = (ИОСО 5 УиИоМИЧИИ)от времени в магнитном полеуказанной выше конфигурации определяется системой двух гидродинамическихуравненийЙИз- ЗЮо ЬОИО С 05 Ч+ ЬЪИь) Ь 5 ИС 05 ЧИО)-08)фЧМ" " "%о)=ф Р)И где аф - - критическая угловаяскорость во вращающемся магнитном поле,"Чи " азимутальный угол пово.рота директора,ЧИ,-Щ - напряженность магнитного поляНЬОСОЫМ, 5 иц, д)(,=М,-Стационарйое решение автономной системы уравнений...

Номер патента: 989403

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Молочников, Морозов

МПК: G01N 21/41

Метки: главных, кристаллов, одноосных, показателей, преломления

...на поверхность кристал-ла, выделяют два луча, идущих подразличными углами, после отраженияот кристалла лучи разводят по двумканалам, измеряют коэффициент отражения кристалла в каждом канале и поизмеренным коэффициентам отражениявычисляют искомые покаэател и преломления исследуемых кристаллов,после разведения по двум каналам отраженные лучи одновременно поляризуютв ортогональных направлениях.На фиг, 1 показана принципиальнаясхема устройства, реалиэуюцего данный способ; на фиг. 2 - зависимостьзначений коэффициентов отражения(К) от показателя преломления (и) дляразличных значений угла падения 8.Оптическая схема устройства содержит осветительную систему 1, диафрагму с двумя щелями 2, снабженнымимеханизмом изменения расстояния...

Номер патента: 994046

Опубликовано: 07.02.1983

Автор: Литвинов

МПК: B07B 1/40

Метки: кристаллов, отбора, руды, слюды

...перфорированного барабана подконусами 2 и 3 расположен лоток 19 для вывода породной мелочи из установки, атакже лоток 20 для вывода округлых сростков и кусков породы после вакуумной се 994046парации. Кроме того, устройство содержитемкость 21 для крупных кристаллов, лоток22, емкость 23 для сбора кристаллов слюды, выбранных с помощью вакуума, лоток24 и конвейер 25 для транспортированиякрупных сростков и крупных кусков породы в рудоспуск.Устройство работает следующим образом,Рудная масса по загрузочному лотку 1поступает в грохот 6, на колосниковую просеивающую поверхность 7, выполненную подуге, где происходитотделение крупныхсростков, кусков породы и передача их налоток 24 с последующей транспортировкойконвейером 25 в...

Номер патента: 996921

Опубликовано: 15.02.1983

Автор: Ушаков

МПК: G01N 21/62

Метки: кристаллов, люминесцирующих, сложной, спектрах, структуры

...2,90 2,89 20 2,86 Формула изобретения 2,81 2,82 2,74 2,65 2,74 25 2,67 2,62 30 2,60 2,57 2,57 2,54 2,44 2,45 Составитель В.филипповРедактор К.Волощук Техред О. Неце Корректор М.Демчик Заказ 923/61 Тираж 871 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ми прямоугольными однополярными импульсами длительностью 100 мкс ичастотой следования 150 Гц и 10 Гц,При высокочастотном возбуждениисложной структуры в спектре не про-.является. При низкочастотном возбуждении при помощи данного способаудается выделить сложную структуруспектра.В таблице дано сопоставлениеэнергетических положений максимумов,выделенных в спектре...

Номер патента: 997842

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Вайнблат, Кузаков, Хохлов

МПК: B07B 4/08

Метки: кристаллов, плоских, сортировки

...регулироночными рычагами 17 и 18.,В нижней части устройства размещеныприемные лотки, разделенные перегородками 19-21,Устройство для сортировки плоских 1 О 15 20 кристаллов работает следующим образом.Кристаллы слюды, подлежащие сортировке по тол)гине, подают на рабочую перфорированную поверхность 1 по загрузочному лотку б, За счет того,что в пустотелых лопастях 7, сообщенных с вентиляторами 2 и 3 через аспирационные камеры 4 и 5 и окна 15 в цилиндрах 13 и 11, создают разрежение воздуха, достаточное для присасывания кристаллов заданной толщины. Сортируемая масса, попадая нарабочую перфорированную поверхность 1, рассредотачивается на ней таким образогл, что кристаллы, имеющие толщину меньше заданной, присасываются к рабочей поверхности, а...

Номер патента: 1005905

Опубликовано: 23.03.1983

Авторы: Вайнблат, Дуркин, Ерин, Кузаков

МПК: B02C 23/08

Метки: кристаллов, расслоения, слюды

...17 и привод 18 постоянного тока.Устройство работает следующим образом.Кристаллы 19 слюды в виде забойного или промышленного сырца направляют при помощи конвейера 7 и приемного бункера 3 в зону между роторами 1 и 2, которые захватывают кристаллы и за счет двухстороннего упругого контакта с внешними плоскостями кристалла обеспечивают ориентированное перемещение его в направлении отбойной плиты 4 со скоростью, обеспечивающей расслоение кристалла. После расслоения на грохоте-элеваторе происходит классификация пластин слюды: те пластины, которые тоньше классифицирующих щелей проваливаются сквозь грохот (направление, показанное стрелкой), а те, которые толще, транспортируются грохотом- элеватором наверх и разгружаются в отводящий лоток 6,...

Номер патента: 860645

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Бакланов, Земсков, Митькин, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: кристаллов, полирующий, полупроводниковых, травитель, травления

...увеличения скорости гидролиза дифторида ксенона в воде, что может привести к нарушению стабильности процесса травления,20 25 30 П р и м е р. Раствор дифторидаксенона в воде готовят растворениемв бидистиллированной воде навесокдифторида ксенона, представляющего 35 собой белый порошок. Травление полупроводниковых кристаллов Са, 5,5 Аз п 5 Ь, СаР проводят в водномрастворе дифторида ксенона на травильной установке с вращающимся 40 фторопластовым стаканом, наклоненным под углом 70 . Образец погружаоют в стакан. Скорость вращениястакана 60-80 об/мин. Скорость травления оценивают по изменению весаобразцов за время эксперимента. Исходную концентрацию дифторида ксенона в воде в выполненных экспериментах варьируют от 0,1 до 2...