Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 1730223

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Васев, Зайцева, Пополитов, Спицына

МПК: C30B 29/14, C30B 33/04

Метки: аналогов, дейтерированных, дигидрофосфата, калия, кристаллов, оптических, элементов

...К на длинах волн светового излучения 200 и 700 нм, 10 - полоса поглощения при 220 нм; на фиг, 4 - зависимости изменения величин К части призмы кристалла КДР, содержащего полосу поглощения при 280 нм и слабую полосу при 220 нм, от дозы гамма-излучения, где 11 - интенсивность ПП при 280 нм; на фиг, 5 - зависимости изменения величин КЛ-среза пирамиды кристалла ДКДР, содержащего ПП при 220 и 280 нм, от дозы гамма-излучения; на фиг, 6 - зависимости изменения величин К части призмы кристалла ДКДР, содержащего ПП при 220 и 280 нм, от дозы гамма-излучения,Наиболее распространенные изделия из кристаллов КДР и ДКДР - удвоители и утроители частоты лазерного излучения. В этих изделиях наиболее полно используются ИК- и УФ-области спектра. Поэтому...

Номер патента: 1741035

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Алексеев, Гайфуллин, Сизова, Тихонов

МПК: G01N 24/10

Метки: кристаллов, кристаллографической, направления, одноосных, оси, парамагнитных

...Затем поворачивают кристалл вокруг оси, параллельной вектору индукции СВЧ-поля Щс), одновременно детектируют сигнал ЭПР и фиксируют положение кристалла, при котором интенсивность этого сигнала минимальна. В последнем положении реализуется одна из двух возможных ориентаций кристаллографической оси; параллельно или перпендикулярно вектору индукции Во (т,е. параллельно или перпендикулярно к плоскостям полюсных наконечников магнита спектрометра (ЭПР).Для уточнения направления кристаллографической оси необходимо, не нарушая достигнутой таким образом ориентации кристалла, ориентировать вектор индукции модулирующего низкочастотного поля параллельно вектору индукции статического магнитного поля, т.е. создать новую супер; позицию магнитных...

Номер патента: 1747384

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Горшков, Давыдов

МПК: C01D 3/06

Метки: кристаллов, натрия, хлорида

...в потоке составляет 160-200 С, Эта вызвано тем, чта при больших температурах начинают растрескиваться кристаллы соли, ухудшая ее1747384 Таблица 1 качество, а при меньших не происходит полного удаления влаги из кристаллов соли,П р и м е р. Данный способ был осуществлен на установке, представляющей собой цилиндрический корпус, в который 5вводилась нагретая соль и горячий воздух,Изменяя температуру воздуха, можно изменять температур соли. Движение воздуха и. соли в корпусе осуществлялось по спирали.Насыщенный раствор соли вводился через 10патрубок в виде трубы с боковыми отверстиями, расположенный коаксиально в. корпусе, В проведенных опытах изменяласьлинейная скорость слоя частйц соли, плотность потока раствора, падающего на слой 15соли,...

Номер патента: 1749784

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Гречушников, Константинова, Степанов, Улуханов

МПК: G01N 21/21

Метки: анизотропных, кристаллов, оптических, параметров

...с поляризационной приставкой, метод может быть реализован лишь нэ автоматизированном устройстве с использованием ЭВМ. Уста новкэ должна содержать держатели поляризаторов и кристалла с возможностью вращения вокруг оптической оси прибора, фотометрическую систему, мондхроматор и обеспечивать следующие функции; установ ку угла между образцом и системой первыйполяризатор - второй поляризатор зэ счет поворота образца либо за счет синхронного вращения поляризаторов; измерение интенсивности прошедшего света, а также 25 ввод данных в ЭВМ для определенияФурье-амплитуд.Определение Фурье-амплитуд численным.интегрированием по формулам Фурье экспериментальной зависимости= 1( а) ЗО либо методами линейно-регрессивного анализа оказывается в...

Номер патента: 1749787

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Кузьмина, Никитенко, Стоюхин, Терещенко

МПК: G01N 21/64

Метки: качества, кристаллов, оксида, оценки, цинка

...излучения достаточйо хорошо разцов является то, что температурное по- разрешен, чтобы можно было оценить пол- ложение максимума полосы А-Ьо не уширину полос А- О и АЫ, сравнитель подчиняется указанной зависимости и стань 1 й анализ совершенства кристаллическойновится по характеру смещения близким к структуры достаточно прост, При заметном полосе АЬ. Это указывает на то, что форперекрытии полос в спектре излучения, что, ма полосы А-Ьо от квазимаксвелловского например, может быть вызвано наличием распределения переходиткмаксвелловскомощного побочного канала люминесценции 50 му, что характерно для дефектных кристалсвязанных экситонов, упрощенный вариант лов.анализа, основанный на сравнении полуши- Температурный интервал для исследо- рины...

Номер патента: 1753375

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Белый, Пашкевич, Ропот, Шепелевич

МПК: G01N 21/21

Метки: гиротропных, кристаллов, кубических, постоянных, фотоупругих

...основании измеренных ф,ф,ф) и 2)4 из системы линейных неоднородных уравненийапсМц - фд уп = АЛЬМф,= Е 10011р, - азимут падающего линейно поляризованного света; 5фЪ - азимут дифрагированного света;1 и - длина области акустооптическоговзаимодействия;г 41 - электрооптический коэффициент;114 - пьезоэлектрический коэффициент;я, - статическая диэлектрическая проницаемость кристалла;р- удельное вращение плоскости поляризации;Р 1 - компоненты тензора фотоупруго 15сти;п - 1,2,3,4 - индекс, соответствующийгеометрии взаимодействия,рассчитывают фотоупругие постоянные гиротропных кубических кристаллов,В предлагаемом способе проводятсяизмерения только азимута ф (угла) дифрагированного света и угла поворота плоскости поляризации р 1 при...

Номер патента: 1756972

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Гамаюнова, Коппе, Физгеер

МПК: H01J 49/26

Метки: анализа, диэлектрических, кристаллов, масс-спектрометрического

...пучка первичных ионов и площади входной диафрагмы системы сбора вторичных ионов позволяет сохранить условия выбивания и сбора вторичных ионов, исключая влияние 30 35 40 45 50 55 ионов меди, ее поверхностных и обьемных загрязнений и их соединений с медью, компаундов, образующих вследствие взаимного перезапыления образца и сетки, а также ионов, выбиваемых с поверхности держателя, что приводит к повышению достоверности результатов анализа.При несоблюдении соотношения указанных параметров 3231 45 э происходит снижение достоверности результатов анализа эа счет влияния ионов, выбираемых изматериалов держателя,На фиг,1 схематически изображено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг,2 - в большем масштабе часть устрайствэ, включающая...

Номер патента: 1466286

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Алешин, Божевольнов, Карелин, Шавер

МПК: C09K 11/61, C30B 29/12

Метки: кальция, кристаллов, основе, термолюминофор, фторида

...скорость 18 мм/ч; нрси 1 синтеза 3 ч. Создание фтор;и;уц,н,ей тмос3 1466286ф(эры осуществляют Продуктами пироли- известных люминофоров с разными акэа тефлона. гиваторами.После охлажденйя кристалл иэвле- Чувствительность к о/ - и р -иэлу кают иэ тигля и разрезают на таблет- чениям определяли при облучении обкй толщиной 1 мм, При необходимости раэцов источниками Рц и г Ка5 гЗ 9 ггф полученный кристалл может быть рас-. соответственно, фединг - сравнением тбрт в порошок с последующим таблети- светосумм после облучения источнированием его для полуения детекто- ком Ка через 0,5 ч и через 1 мес.ггпура Запасенную светосумму регистрироваоПри приготовлении термолюминес- . ли в интервале температур 20-320 СЪ о центного материала в виде...

Номер патента: 1757895

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Габец, Герловский, Киселев, Марцинкевич, Минченя, Савицкий, Старовойтов

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, кристаллов

...ударного импульса, а следовательно, размер скалываемых микрочастиц, т,е, изменение амплитуды колебаний (или выключение одного из двух преобразователей) позволяет управлять качеством (высотой микронеровностей) поверхности рундиста,Способ по изобретению заключается в том, что перед началом обработки выбирается типоразмер оправки 4 (фиг,2-3) в зависимости от размера обрабатываемого сырья. Оправка 4 устанавливается в посадочное отверстие ультразвукового преобразователя 1. Далее в оправку 4 устанавливается алмаз-резец 11, который крепится прижимом 3 при помощи винта 9, Обрабатываемый кристалл алмаза устанавливаетсе в шпинделе станка между двумя оправками и центрируется, Инструмент устанавливается на опору обточного станка и подводится...

Номер патента: 1758913

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Веприков, Каздоба

МПК: H05B 3/64

Метки: выращивания, кристаллов, нагревательное

...с одним из теплообменников, а теплоизоляционные вставки установлены между центральной и крайними зонами рабочей камеры.Нэ фиг. 1 изображено устройство для выращивания кристаллов; на фиг. 2 - конструкция теплопроводного элемента; на фиг, 3 - графики температурных полей при различных режимах работы устройства,Нагревательное устройство содержит верхний 1 и нижний 2 теплоизоляционные кожухи (фиг. 1), Внутри кожухов 1 и 2 расположены теплопроводные (тепловые) трубы 3-6. Вокруг труб 3 и 6 намотаны электронагреватели 7 и 8. Трубы 3 и 6 создают соответственно верхнюю и нижнюю рабочие камеры. Данные камеры разделены между собой теплопроводным элементом, создающим переходную температурную зону. Теплопроводный элемент (фиг. 1 и 2) состоит из...

Номер патента: 1761823

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Дуров, Козлов

МПК: C30B 29/58, C30B 7/00

Метки: белка, выращивания, кристаллов

...только в такую же белковую камеру. Общая полупроницаемая мембрана гарантирует проникновение солевого раствора в камеры белкового раствора только путем диффузии через мембрану. Известно поименение эластичной емкости с нажимным устройством, например, в передвижных уплотнениях, где необходимо соблюдение точно абсолютной герметичности поршневой системы. Однако известное устройство применяется как передвижное уплотнение в отношении агрессивных сред5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 или усиления давления, но не может использоваться для выращивания кристаллов белка.Предлагаемое устройство служит этой цели. Наличие корпуса с полостью с присоединенными двумя эластичными емкостями, каждая из которых имеет сообщение с полостью корпуса через клапан...

Номер патента: 1763526

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Нищий

МПК: C30B 23/00, C30B 29/62

Метки: игольчатых, кристаллов

...температуру повышают до 1 200 и полученную воздушно-аэрозольную смесь охлаждают до 14-15 С,Способ осуществляют следующим образом. Для получения аэр новую лодочку заклад лического цинка. Прогрев металла, пр для получения аэрозолей чах СУОЛ - 1/2-25 с автома ровкой температурных ре помещается в титановых л печи размещены кварцевь ненные со специальнымЗаказ 3432 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент, г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 для охлаждения полученных испаренныхаэрозолей металлов;В печи металл расплавляютдо 800 С, досостояния "возгонов" (испарения), затем через реометры подают воздушно-аргоннуюсмесь...

Номер патента: 1767584

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Гужавин, Калинин, Трубин, Чиненков

МПК: H01L 21/70

Метки: кристаллов, монтажа

...обрарегулируют пружиной 8 так, чтобы не быложесткого контакта между кристаллом 2 иопорными поверхностями 4 инструмента 1.Инструмент 1, удерживающий кристалл2, вместе с кареткой 9 при помощи механизма 10 перемещения поднимается и монтажный столик 11 подает под инструменткорпус 12 изделия с соединительной прокладкой 13. С помощьЮмеханизма 10 перемещения каретку 9 опускают до тех пор,пока кристалл 2 не начнетсжимать соединительную прокладку 13. Каретка 9 останавливае"гся;ЭксперИментально установлено, что сила Рот (Н), с которой газ давит на кристалл 2,подчиняется соотношениюг.,=р.я. - вч 1 - , 1 уб 1где Ро - давление газа в системе (Па);Я - площадь кристалла (м );г,и - величина зазора (м);б - диаметр аксиального отверстия...

Номер патента: 1770849

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Войтукевич, Лапицкий, Лившиц

МПК: G01N 21/45, G03H 1/00

Метки: кристаллов, одноосных, оптически, ориентации, прозрачных

...монохроматическим когерентным излучением. обеспечивающее достижение положительного эффекта - повышение точности определения ориентации оптической оси кристалла, Следовательно, заявляемыйспособ ориентации одноосных оптическипрозрачных кристаллов представляет собой новую совокупность признаков как сочетание известных признаков и нового технического свойства, что позволяет признать его соответствующим критерию "существенныеотличия",На чертеже представлена оптическая схема устройства, реализующего предлагаемый способ,Схема устройства содержит источник 1монохроматического плоскополяризованного когерентного излучения, двухосевой20 гониометр 2, исследуемый кристалл 3, систему 4 сбора оптической информации и оптический регистратор 5.Процесс...

Номер патента: 1772223

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Васев, Спицына

МПК: C30B 33/04

Метки: кристаллов

...ОР со скоростями нагрева От 1 до 8 град/мин, Более низкие и более высокие скорости нагревания кристаллов приводят соответственно к отжигу с уменьшением концентрации палучаемьо; ЦО и к быстрому переходу К-ЦО из одно 1 а типа в другой, поэтому 11 ала вероятность фиксации определенного типа ЦО с их максимальной концентрацией. При достижении максимальной температуры (Т) атжи-а, например 285 С, температуру образцов с 1 вкают до комнатной естественным образам, т,е. Не контролируя скорость их Ох "аждения, При максимальной Т Об;1 аэцы выдерживались не более 2-3 мин, так как более длительная гыдержка Образцов при максимальной Т приводит к преобразовани 1 о К-ЦО и к снижению их концентрации,На фиг. 2 показан процесс преобразования К-ЦО с ПП...

Номер патента: 1775510

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Гриднев, Попенков, Пушкарев

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, группового, кристаллов

...4, а нэ нем - дополнительный теплоиэолятор, состоящий иэ колпака 5 и керамического, например; алундового, стакана 6. На дно стакана помещен графит 7, имеющий коэф 5 10 15 20 25 30 35 40 50 55 фициент черноты излучения, близкий к единице. Последовательно за нагревателем 1 установлен холодильник 8.Устройство работает следующим образом.Включают нагреватель 1, разогревают блок 2 додостижения температуры на уровне фронта кристаллизации, равной температуре плавления сплава, Эту температуру контролируют с помощью пирометра излучения типа АППИР-С, визируемого на графит, находящийся на дне стакана 6, После приплавления нагреватель 2, теплоизоляторы и электропроводной блок 2 синхронно перемещают вдоль образующих контейнеров с заданной скрростью....

Номер патента: 1775597

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Артемьев, Боцов, Дмитриева, Синай, Ушкало

МПК: G01B 9/10

Метки: геометрических, кристаллов, оптических, прибор, свойств, характеристик

...3 с параболическим отражателем 2, а также конструкция 5 10 15 20 25 30 35 40 шарнира, а второе - со второй пластиной посредством шарового шарнира, винтов с шаровыми наконечниками, установленных в торцевой стенке второго цилиндра параллельно его оси,На фиг,1 представлен прибор, общий вид; на фиг.2 - кристаллодержатель, вид сбоку; на фиг,3 - то же, вид сверху.Прибор для определения геометрических характеристик и оптических свойств кристаллов состоит иэ основания 1, параболического отражателя 2, осветителя 3, кассеты 4, кристаллодержателя 5, установленного по ходу пучка лучей осветителя 3 в центральном отверстии кассеты 4, фотопленки 6, Кристаллодержатель 5 выполнен в виде полого цилиндра 7, скрепленного с кассетой 4 так, что его ось...

Номер патента: 1605587

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Бороденко, Кухтина, Лисецкая, Носачев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...режим, при котором проводят кристаллизацию шихты при скорости протагивания тигля через температурное поле 30 - 50 мм/ч. Затем, воэвра1605587 40 Таблица 1 тив тигель с помощью механизма перемещения в исходное положение, полученный слиток протягивают через температурное поле со скоростью 3 мм/ч. Коэффициент поглощения выращенного кзоисталла на длине волны 10,6 мкм 5,1 10 см,Выращенный кристалл загружают в кварцевую ампулу, сделанную по типу "песочных часов", засыпают металлическим селеном квалификации ос.чвакуумируют до 10мм рт.ст. и эапаивают, Ампулу помещают в шахтную печь и отжигают при 600 С в течение 120 ч. Селен переливают в свободный обьем ампулы, ампулу с кристаллом охлаждают в режиме 100 С в час.Коэффициент поглощения полученного...

Номер патента: 1580884

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Бобырь, Михайлов, Смирнов, Чиненов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

...температуры. Печь выводят на режим, при котором температура в камере плавления достигает на 100 С выше температуры плавления вещества в ампуле температура йодида натрия 651 С).В дальнейшем процесс осуществляется автоматически, При достижении в камере плавления заданной температуры происходит плавление помещенного в ампулу 11 вещества 12 по асей высоте ампулы. Образующийся расплав за счет различия плотностей расплава и исходного вещества заполняет только нижнюю половину ампулы 11. За счет того, что выделяемая мощность нагревателем 5 нижней секции 2 локализована, ее становится достаточно для поддержания необходимой температуры в нижней части нагревателя 4 верхней секции 1,В результате система регулирования температуры нагревателя...

Номер патента: 1783394

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Занадворов, Лебедева, Норматов, Пирозерский, Серебряков

МПК: G01N 21/88

Метки: качества, кристаллов, оптический

...лазерного излучения. сталлом. Измерение сигнала разности поЭОДиФГЭеозникаютвследствиеквад- тенциалов на обкладках конденсатора приратичной нелинейности, допускаемой 20 воздействии светом в различных кристаллокристаллическими классами, в которых от10 20 результаты конкретных примеров контроля, 25 30 на вход стробЬскопического осциллографа 357; на другой его вход поступает сигнал от днюю грань кристал а (у-срез) устанавлива определяется для разных кристаллографи ческих направлений, 0 качественных характеристиках кристаллов судят по.эталонным зависимостям в сравнении с полученными кривыми, форма зарегистрированного сигграфических направлениях дает возможность определить все компоненты тензора нелинейной восприимчивости, что позволяет судить...

Номер патента: 1784669

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Бороденко, Бурачас, Кухтина, Пирогов, Рыжиков

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Метки: висмута, германата, кристаллов, термообработки

...сцинтилляцион- сцинтилляционного уровня кристаллов ных характеристик сцинтилляторов, вцре- ВОО. Сурьма, имея меньший атомный радизанных из одного кристалла, характерен ус,являетсяизовалентныманалогом висмубольшой разброс, Так, сцинтилляторы сли та, и поэтому может быть внедрена в нейными размерами 25 х 10 х 3 мм имеют све- подрешетку его оксида. Известно также, что товой выход от 11,2 до 16,3; а многие соединения сурьмы - хорошие люэнергетическое разрешение от 13,7 до минофоры, Пятиоксид сурьмы ЯЬ 205 - сое,5 О/о. динение устойчивое ниже 357 ОС, переходящееПредлагаемый способ принципиально 45 при более высоких температурах через отличается от аналогов составом кислород- ЯЬо 012 в ЯЬ 206 и далее в ЗЬ 20 з. Температусодержащей...

Номер патента: 1382052

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, группового, кристаллов, профилированных

...каждый Формообразовательхотя бы в одной точке Затравку доводят до соприкосновения с основныминаиболее высокими Формообраэователями 4 и оплавляют ее до контакта сдополнительным более низким Формообразователем 5. Образовавшийся расплав стекает по капиллярам в тигель.Затем включают механизм подъема вытягивающего устройства (на чертеже 1не показана) и начинают кристаллизацию При этом одновременно с основными изделиями, Форма которых задается основными формообразователямирастет монокристаллический отражательный экран, Форма которого задается дополнительным Формообраэователем 5, Отражательный экран повышает температуру внутренней стенки изделия, выравнивает ее по сечению иэ"делия, тем самым улучшает качествоиэделия за счет снижения...

Номер патента: 1443488

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Бутинев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 15/36

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных

...вытягиваюший ме"ханиэи.Повышают температуру тигля 1 по заданной программе до начала планле ния прокладок 8. По мере оплавления последних поверхность затравки 4, свободно установленной на них, плав-.но и медленно сближают с Формообразователем 7. После полного оплавления прокладок 8 затравка 4 ложится на формообразователь 7 и полки 3, После контакта затравки 4 сполками 3 делают выдержку для стабилизации тепловых условий на Фронте кристаллизации и начинают вытягивание кристалла известным способом. При этомтяги 2 самоцентрируются на затравке4 за счет смещенного центра тяжестии наличия шарниров 5, фиксируя затравку 4 и растущий кристалл в заданном положении.П р и м е р. Выращивание сапфировых (А 10 з) тиглей цилиндрическойформы с наружным...

Номер патента: 1787589

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Горшков, Решетняк

МПК: B07C 5/342, B07C 5/346

Метки: алмаза, кристаллов, синтетического, сортировки

...полосы ФЛ 69010 нм. Появление красной полосы ФЛ 690 + 10 нм связано с неазотными дефектами кристаллической решетки алмаза, которые в значительной мере определяют его прочность, Однако, при сравнении абсолютной интенсивности ФЛ возникают ошибки, обуслов 5 10 15 20 25 30 35 40 ленные сложностью учета ряда трудноконтролируемых факторов (характера поверхности образцов, их формы, цвета, размеров, качества юстировки оптики и т,п.).Для предупреждения этих ошибок абсолютные измерения заменяют относительными, используя в качестве реперной линию пика полосы КР в диапазоне 1330 чсм, которая высвечивается в процессе отклика кристалла на монохроматическое возбуждение наряду с ФЛ, С этой целью и вводится безразмерный параметр К, отмеченный...

Номер патента: 1787805

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Медведев, Фролов

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов

...определение фактического углового расположения плоских граней относительно крлсталлографических плоскостейс обоих сторон пластины, сравнивают этивели юнц, выблрают плоскую грань с меньц:ей Величиной углового расположения ст 20заданного, сошлифовьвают с этой грани угловой припуск до заданного углового расположения и за.гем шлифуот Вторую плоскуюгрань В параллельность исправленной,На фиг, 1, 2, 3 представ.лен способ в 25последовательности по переходам обработки, При этом фиг, 1, 2 представляют поперечные контуры заготовок в исходномсостоянии; фиг, 3контуры Готовых изДелий. 30ПО способу на первом переходе фиг.1после выбора плоской грани с меньшей величиной у.ловаго расположения от заданного (грань А И) грань Р, И обрабатываетсядо...

Номер патента: 575807

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Бирман, Иванов, Нагорная, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, расплава

...края.2. Устройство по и.1, о т л ч а ю щ е е с я тем, цто высота лодильника равна 0,2-0,3 диамето пулы. чем перемешивание расплава в ампуле имеет слабую интенсивность.Цель изобретения - повышение скорости роста и качества кристаллов вследствие улучшения условий конвективного перемешивания расплава в области фронта кристаллизации.С этой целью холодильник выполнен в виде цилиндра с внешним диаметром, равным 0,2 - 0,4 внутреннего диаметра печи, и толщиной 0,05-0,15 диаметра ампулы и установлен в зоне нагревателя на расстоянии 1-2 диаметров ампулы от его нижнего края. Высота холодильника равна 0,2-0,3 диаметра ампулы.575807 Редактор Т,Шаргано хред М.Моргентал Кор 1.Филь Заказ 1088 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по...

Номер патента: 845508

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Бындин, Литвинов, Носов, Пищик, Шоршин

МПК: C30B 15/34

Метки: кристаллов, профилированных

...окружности гнезда для затравкодержателей, в верхней цасти камера снабжена каналом для размещения затравкодержателей и подачи их на диск,в нижней части камера снабжена приемником полученных кристаллов, асредство подпитки расплава выполнено в виде бункера, установленноговне камеры и соединенного с тиглемтурбопроводомПенал для размещения затравкодержателей снабжен Фиксатором в нижнейчасти, на котором установлен наборзатравкодержателей,незда поворотного диска выполнены в виде тангенциальных газов сцентрирующими выступами, имеющими коническое углубление,На Фиг, показано устройство, продольный разрез, на Фиг,2 - сечениеА-А на Фиг,1, на Фиг,3 - сечение Б-Бна Фиг,2; на Фиг,4 - вид В на Фиг 3;на Фиг. 5 - сечение Г-Г на Фиг.1;на Фиг,б - сецение...

Номер патента: 1457463

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Балакирев, Коваленко, Промоскаль, Стрювер

МПК: C30B 11/00, C30B 29/22

Метки: выращивания, кристаллов, оксидов, сложных

...в центре, Надотверстием устанавливают трубу 11,служащую для подачи сырья иэ бункераПлавным увеличением мощности падвадимой от источника 12 идукционног(1нагрева к идукгарушихту нягре,вают и доводят пО расплавления, Необходимый уровень расплава получаютпутем дополнительной подачи шихтыиз бункера 7.После наплавления трубу11 отводят в сторону, доводят -асплавда температуры затравленил,. Онускаот .в него вращаощуюся затравку 9 и прова"дят затравление. Плавным изменением скорости опускания тигля 3 в пределах0,02-0,2 мм/ч по зависимости, представленной на фиг. 2, асущестнлиотразращиванне кристалла да заданногопоперечного размера (примерно 35 мм),После раэращивания коррекцию поперечного размера кристалла осуществляют изменением...

Номер патента: 1791777

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Дубовик, Ивченко, Непомнящий, Райхел

МПК: G01N 33/38

Метки: кристаллизации, кристаллов, линейной, максимумов, роста, скорости, температур, центров, числа

...да темпера тур(йо 5 образцов: на каждую температу- . ру), укэ 3 анных в табл, 1-3, в печис сйлитбйь 1 миЙЙРевэтелямй. Прикаждой.последу)ощей темпер; туре образцы выни-.мают иЗ"печи и "охлаж,ают на воздухе,по сле чего производят профилирование полированной поверхностй с помощью профилографэ-йрофилометра мздели 201,- - йключающее запись профилограмм и из-мерение йнтегральной шероховатости. 35 Профилограммы записывают при вертикальном увеличении 2 г 0000 и горизонталь ном - 4000 крат и оп зеделяют количествопиков на единицу длины профилограммы (по 3 участка Йа каждом "образце). После 40 профилирования образцы исследуют методом угольно-платиновой реплика ции, Предварительное травление исследуемой поверхн 6 сти осуществляют в 2,4-ном...

Номер патента: 1478680

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик

МПК: C30B 11/00, C30B 29/48

Метки: кристаллов, соединений

...снижения содержакислорода.На фиг.1 и 2 покаэаньпускания кристаллов сульи кадмия соответственно,1 - спектры кристаллов, пбез дезоксидации, кривыекристалллов, полученных,цацией. ния примеси кислорода. В графитовый тигель загружают исходную загрузку и навеску тиокарбамида или селенокарбамида в случае сульфидов и селенидов соответственно. Ростовую камеру герметизируют, вакуумируют и заполняют аргоном. Вкаочают нагрев, посл дезоксидации проводят вакуумировани и заполнение ростовой камеры инерт ным газом, После расплавления соединения проводят кристаллизацию направлепной кристаллизацией. Дезоксидация позволяет уменьшить содержание приме" си кислорода па 2 - 3 порядка и повысить коэффициент пропускания. 2 вл,Ф оксида цинка, смешивают в...