Мартынович

Номер патента: 786574

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Григоров, Мартынович

МПК: G02F 2/02

Метки: апконверсии, излучения, оптического, спектральной

Способ спектральной апконверсии оптического излучения, включающий облучение активного элемента, выполненного из люминесцентного материала, конвертируемым и вспомогательным излучениями, отличающийся тем, что, с целью снижения порога чувствительности и расширения динамического диапазона, активный элемент непрерывно перемещают и пространственно разделяют потоки конвертируемого и вспомогательного излучений.

Номер патента: 893102

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Григоров, Мартынович

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерных, монокристаллов, окраски, основе, приготовления, содержащих, фторидов, центры, щелочных

1. Способ приготовления лазерных материалов на основе монокристаллов щелочных фторидов, содержащих центры окраски, включающий выращивание монокристалла из расплава соли щелочного фторида и создание в монокристалле рабочих центров окраски путем его облучения ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью устранения сопутствующих центров окраски, поглощающих и испускающих излучение в спектральной области лазерной генерации рабочих центров окраски перед выращиванием монокристалла, расплав соли выдерживают в контакте с графитом.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что расплав соли выдерживают в течение 3-5 час в контакте с графитом.

Номер патента: 807960

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Григоров, Мартынович

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерного

1. Способ получения лазерного материала на основе монокристаллов LiF, включающий создание в них центров путем облучения монокристаллов, отличающийся тем, что, с целью смещения спектров генераций каждого типа центров, при одновременном изменении отношений коэффициентов оптического поглощения в максимумах центров в интервале от 0,01 до 1,03, облучают монокристаллы -излучением с экспозиционными дозами от 3·106 до 1,68·108 рентген.2. Способ по п.1,...

Номер патента: 1227078

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Григоров, Мартынович, Назаров, Токарев

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, лазерных, окраски, сред, центрах

Способ получения лазерных активных сред на центрах окраски на основе монокристаллов путем их облучения ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона лазерных активных сред, облучают нейтронным излучением дозой от 3 1017 до 1,2 1019 нейтрон/см2 монокристалл окиси алюминия.

Номер патента: 1322728

Опубликовано: 27.03.1999

Автор: Мартынович

МПК: C30B 29/20, C30B 31/20

Метки: кристаллов, лазерной, основе, среды

Способ получения лазерной среды на основе кристаллов Al2O3 с центрами окраски путем облучения выращенного кристалла потоком быстрых нейтронов с последующей дезактивацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентрации центров окраски с полосой оптического поглощения в области длин волн 0,74 - 0,95 мкм и снижения оптических потерь в спектральной области генерации 0,92 - 1,15 мкм облучение ведут при плотности потока 1 1018 - 4 1024 нейтрон/см2 и после дезактивации кристалл нагревают до 600 - 830 К с...

Номер патента: 1435118

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Алешкин, Барышников, Григоров, Коломиец, Мартынович, Назаров, Скобкин, Червяцов, Южалин

МПК: H01S 3/16

Метки: аl2о3, кристалла, лазерных, окраски, основе, центрами

Способ изготовления лазерных материалов на основе кристалла Al2O3 с центрами окраски, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации рабочих центров окраски, дополнительно облучают кристалл лазерным излучением с длиной волны 0,4 - 0,63 мкм и плотностью мощности 3 - 280 МВт/см2.

Номер патента: 1550953

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Барышников, Колесникова, Мартынович, Щепина

МПК: C30B 29/20, C30B 31/20

Метки: алюминия, оксида

Способ обработки оксида алюминия для электронно-оптического излучателя, включающий нейтронное облучение и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью расширения спектра малоинерционного излучения при длительности импульсов свечения под действием электронного облучения < 5 нс, флюенс нейтронов выбирают в интервале 1 1019 - 1 1020 н/см2, а термообработку проводят при 1300 - 2200 К.

Номер патента: 1658631

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Барышников, Колесникова, Мартынович, Щепина

МПК: C09K 11/55, C09K 11/64, C09K 11/77 ...

Метки: излучателя, катодолюминесцентный, малоинерционный, материал, твердотельного, электронно-оптического

1. Малоинерционный катодолюминесцентный материал для твердотельного электронно-оптического излучателя на основе оксида металла, отличающийся тем, что, с целью повышения интенсивности свечения в области 155 - 250 нм, он состоит из оксида магния или бериллия, или алюминия, или алюминия и иттрия с содержанием оптически активных примесей в количестве не более 1 105 мас.%.2. Материал по п.1, отличающийся тем, что он содержит в качестве оптически активных примесей металлы из группы, включающей титан, хром, никель, марганец, ванадий, кальций, барий, европий, церий.

Номер патента: 986268

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Григоров, Мартынович

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, активных, варианты, его, лазер, лазера, приготовления, элемент, элементов

1. Активный элемент лазера на основе монокристалла, содержащего центры окраски, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона изменения выходных характеристик лазерного излучения и расширения возможностей управления ими, он выполнен с изменяющейся концентрацией центров окраски в направлении, перпендикулярном к рабочей оси активного элемента.2. Активный элемент лазера на основе монокристалла, содержащего центры окраски, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона изменения выходных характеристик лазерного излучения и расширения возможностей управления ими, он выполнен в форме цилиндра, а центры окраски в нем имеют градиент концентрации по окружности.3. Способ приготовления активных элементов твердотельных лазеров,...

Номер патента: 658638

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Лобанов, Максимова, Мартынович, Парфианович, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, окг, элемент

...содержащем ионыла, хорошо растворимого в воде. ОН, выше,Известен активный элемент, на основе . Проведены испытаййя работы двух ак-.монокристалла, содержащего центры окра- тивных элементов в оптическом квантовомски. Активный элемент, изготовленный из 40 усилителе на длине волны 928 нм, Измеремонокристалла фторида лития, содержащий ны коэффициенты усиления и полученнйеэлектронные центры окраски, обладает ши- данные сопоставлены с результатами исслерокой полосой люминесценции в ближней . дования активного элемента из монокриинфракрасной области спектра и позволяет сталла фторида лития, не содержащегоплавно перестраивать частоту ОКУ и ОКГ в 45 ионы гидроксила. Испытания проведены.напределах этой полосы, установке, схема которой представлена...

Номер патента: 1676409

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Григоров, Мартынович, Миронов

МПК: H01S 3/16

Метки: алмазе, нз-центров, образования, окраски

СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ НЗ-ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В АЛМАЗЕ, включающий облучение алмаза с А-агрегатами азота ионизирующим излучением с энергией не менее 1 МэВ, отжиг алмаза в инертной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации НЗ-центров при одновременном снижении концентрации паразитных центров поглощения в полосе люминесценции НЗ-центров, облучают алмаз с однородным распределением по объему А-агрегатов и с их концентрацией не менее 1018 см-3 дозой ионизирующего излучения 100-120 част/см2 на каждый А-агрегат, воздействуют на алмаз в течение 0,1 1 ч и инфракрасным излучением с длиной волны 7 12 мкм, при этом разогревают алмаз до температуры 700 800 К и отжигают алмаз в инертной...

Номер патента: 1811304

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Карнаухов, Мартынович, Николаева, Ружников

МПК: G02B 26/00, G02B 5/00

Метки: времени, генерации, импульсов, световых, сдвинутых

...двулучепреломления, 2 - механизм вращения призмы,3 - механизм перемещения призмы вдольоптической оси, 4 - исходный импульс лазерного излучения, б - выходные импульсыс временным сдвигом, 6 - . вспомогательная 20призма для сохранения исходного направления распространения импульсов. Две боковые грани призмы отполированы,Оптическая ось с ориентирована в плоскости передней грани. Размер монокристаллв 2 б- высота призмы 3 см, основание призмы вформе прямоугольного треугольника с длиной катетов 6 и 8 см,формула изобретен ия 30УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГЕНЕРАЦИИСДВИНУТЫХ ВО ВРЕМЕНИ СВЕТО- ВЫХ ИМПУЛЬСОВ, содержащее аниэотропнцй монокристалл, отличающееся 3 тем, что, с целью плавной регулировки Устройство работает следующим образом, Электрический...

Номер патента: 1018573

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Григоров, Мартынович, Токарев

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазерная, пассивных, среда, элементов

ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ на основе монокристалла с центрами окраски, отличающаяся тем, что, с целью повышения устойчивости кристалла к действию оптического излучения и расширения спектрального диапазона, она выполнена на основе монокристалла окиси алюминия.

Номер патента: 1407368

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Барышников, Григоров, Колесникова, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: активная, лазерная, среда

ЛАЗЕРНАЯ АКТИВНАЯ СРЕДА на основе монокристалла фтористого лития с F2= F+3 -рабочими и сопутствующими F3 - центрами, отличающаяся тем, что, с целью снижения порога генерации F+3 - центров при одновременном повышении оптической устойчивости F2 - центров, концентрации рабочих центров соответствуют коэффициентам оптического поглощения на длине волны 460 нм в интервале 27 - 37 см-1 для F+3 -, в интервале 33 - 99 см-1 для F2 - центров и в интервале 0,01 - 2,3 см-1 на длине волны 380 нм для F3 - центров.

Номер патента: 1403809

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Давыдченко, Мартынович, Смирнова, Смольская

МПК: G01T 1/11

Метки: вещество, дозиметра, рабочее, термолюминесцентного

РАБОЧЕЕ ВЕЩЕСТВО ДЛЯ ТЕРМОЛЮМИНЕСЦЕНТНОГО ДОЗИМЕТРА на основе иттрийалюминиевого граната Y3Al5O12, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона измеряемых доз рентгеновского и - излучений в область малых доз до I 10-9 Кл/кг и повышения чувствительности, оно содержит 0,5-5 мас.% окиси самария Sm2O3 или окиси церия Ce2O3.

Номер патента: 1597069

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Колесникова, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: аl2о3, кристалла, лазерной, окраски, основе, приготовления, среды, центрах

1. СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ЦЕНТРАХ ОКРАСКИ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА Al*002O*003, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами или ускоренными ионами, термообработку и обработку оптическим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения оптических потерь при одновременном увеличении концентрации рабочих центров, кристалл облучают во время термообработки ускоренными электронами с энергией 0,35 - 4,8 МэВ, а затем подвергают воздействию оптическим излучением с длиной волны 0,29 - 0,33 мкм.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плотность мощности оптического излучения выбирают в интервале 0,0025 - 280 МВт/см2.

Номер патента: 1538846

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Григоров, Мартынович, Перунина, Соцердотова

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерный, материал

ЛАЗЕРНЫЙ МАТЕРИАЛ, выполненный в виде неорганического соединения на основе фторидов с центрами окраски, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации рабочих центров окраски, неорганическое соединение взято в виде оптической керамики.

Номер патента: 1393290

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: активной, лазерной, лития, монокристалла, основе, среды, фторида, центрами

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АКТИВНОЙ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ по авт. св. N 1322948, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности концентрации F2-центров, облучение электронами производят в течение интервала времени от 0,1 до , где t - время жизни анионной вакансии.

Номер патента: 1447220

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерной, окраски, приготовления, среды, центрами

СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ С F+3-ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, включающий облучение монокристалла LiF потоком ускоренных частиц, отличающийся тем, что, с целью снижения порога генерации, облучение проводят в течение интервала времени от 1 10-8 до 6 с с плотностью потока не менее 2 1012 частиц/см2.

Номер патента: 1322948

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Григоров, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: f2-центрами, активная, лазерная, лития, монокристалла, окраски, основе, среда, фторида

АКТИВНАЯ ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ.1. Активная лазерная среда на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, отличающаяся тем, что, с целью снижения порога накачки и повышения оптической устойчивости центров окраски, концентрация F2-центров соответствует коэффициенту их оптического поглощения в интервале 100 - 700 см-1.2. Способ получения активной лазерной среды на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами , включающий облучение монокристалла ускоренными электродами, отличающийся тем, что, с целью снижения порога накачки и повышения оптической устойчивости центров окраски,...

Номер патента: 1829047

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Гришин, Мартынович, Пермяков

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменов, магнитных

...шина разр зания 7 полюсового магнитного домена 9 (фиг.4), Токовая шина переброса 8 размещена между тупиковой частью и самим каналом переброса,Генератор работает следующим образом,При пропускании импульса тока через шину генерации б (фиг.5), магнитное поле которого превышает критическое значение для материала пленки Нс = Фо/2 Г 21 (где Ф - квант магнитного потока, Л- глубина проникновения магнитного поля в сверх- проводник,- длина когерентности) на краю пленки возникает полосовой домен 9 с шириной 2,2 /Ь, где й - толщина пленки (фиг,4 а, домен заштрихован), который прорастает вглубь пленки. Верхушка полосового домена достигает тупиковой части канала переброса 3 и входит в нее (фиг,46). При пропускании импульса тока той же полярности через...

Номер патента: 1684810

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Гришин, Мартынович

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховских, вертикальных, информации, линиях, накопитель

...Т,Палий Заказ 3509 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Гатент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Через проводящий слой пропускается ток от источников переменного тока 6 и 6, сдвинутых по фазе на л/2, Суммарный ток, протекающий в слое 5, имеет постоянную амплитудуи вращается с частотой в, равной частоте переменного тока. Создаваемое током магнитное поле Н параллельно плоскости проводящего слоя и перпендикулярно направлению тока, т.е. вращается с той же частотой е. Величины Н исвязаны следующим соотношением;Н=2 л,где Н=Э, =мА/мкм - линейная плотность тока в металлическом слое.Вращающееся магнитное поле Н...

Номер патента: 1654872

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Барьяхтар, Гришин, Мартынович, Мелихов, Пащенко, Прудников

МПК: G11C 11/14

Метки: блоховских, вертикальных, верхушке, детектирования, домена, линий, магнитооптический, полосового

...Калибровка конкретного фотоприемного устройства для заданной частотыпеременного поля Н обеспечиваетнепосредственное определение числаВБЛ в верхушке ПД.П р и м е р. Иагнитооднооснаяпленка (У, В 1) (Ре, Са)0, толщиной9,8 икм с параметрами 4 Р 1 = 120 Э,Н, = 0,5 Э, 0 = 25, о = 0,3, /и =50 10 си/с содержит, полосовой домен. В верхушке ПД постоянным планарным полем Н = 12 Э, направленным вдоль ПЛ, закреплены ВБЛ, Переменное планарное ноле Н = 4,5 Э частотой 35 КГц, перпендикулярное ПД, вызьг вает колебание ВБЛ. Пленку помещают в стандартный поляризационный микроскоп К 1 Ни освещают поляризованным светом лазера ЛГ. Диаметр светового пятна в верхушке ПД 5 мкм. Сигнал- отклик регистрируют фотоприемным устройствои ОЭУи усиливают...

Номер патента: 1417669

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Барьяхтар, Гришин, Мартынович

МПК: G11C 11/14

Метки: вихрях, записи, информации, магнитных, память

...рождается .цепочка МВ и зти МВ начинают двигаться вглубь пленки под действием магнитных сил. После импульса все рожденные МВ покидают устройство под действием сил притяжения со своими изображениями на берегах джозефсоновского контакта, кроме единственного МВ, которыи закрепился на ЛФ 2 Импульс тока управления продвигает генерироваяный вихрь с ЛФ 2 к соседней Лф 2 и освобождает ЛФ 2 для генерации следующего вихря,Считывание магнитных вихрей. Устройство позволяет считывать вихри только с ближайшеи ко дну желоба 3 ЛФ 2, Через джозефсоновский переход токовая шина - изолятор - пленка пропускается импульс тока считывания. Если на ЛФ 2 закреплен вихрь, то магнитный поток вихря проникает в джозефсоновский переход и приводит к уменьшению...

Номер патента: 1417668

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Гришин, Мартынович

МПК: G11C 11/14

Метки: вихрях, магнитных, регистр

...потока по всем канале продвижения (на всех бит-позициях) про" пускают ток управления 1 у в перпендикулярном МГБ, направлении. Величина импульса и его длительность выбирают" ся достаточными для перемещения вихрей вдоль всей длины канала продви-, жения.45В начальный момент ток управления в регистре отсутствует. Находящиеся в регистре одиночные МВ стремятся занять положения, соответствующие наименьшей энергии, т.е, бит-позиции. Определенная последовательность вихрей в канале продвижения может сохраняться в отсутствие тока управления до тех пор, пока пленка находится в сверхпроводящем состоянии.Режим работы регистра задается 55 работой генератора прямоугольных импульсов тока управления. Длительность импульсов тока управления 7, ЬЧ,где Ч...

Номер патента: 1475982

Опубликовано: 30.04.1989

Авторы: Карпель, Крутикова, Леженин, Мартынович, Олейник, Рудомино, Цидлисецкий

МПК: C23G 1/06

Метки: металлической, поверхности, раствор

...металла.где 7 Определение времени появления вторичной коррозии.С поверхности испытуемых, образцов удаляли паяльный флюс и продукты коррозии. Затем образцы промывали дистиллированной водой и фиксировали время появления вторичной коррозии на поверхности образцов.Данные по определению времени удаления паяльного флюса, продуктов коррозии и скорости растворения основного металла приведены в табл.2Предложенный раствор в 48-60 раз эффективнее известного раствора, уменьшает скорость растворения меди МЗ в 60-80 раз, латуни Л 90 в 4-5,5 раза.Уменьшение скорости растворения основного металла происходит за счет эффекта синергизма между оксиэтилированным высшим жирным спиртом СпН фО(СтНеО)Н где и = 10-18, ш = 7-20 и сульфитно-спиртовой...

Номер патента: 1439678

Опубликовано: 23.11.1988

Авторы: Барьяхтар, Гришин, Мартынович, Прудников

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: блоховских, вертикальных, детектирования, линий, магнитооптический

...1=1 М (ЕЕ-Н,) Т,Участки ДГ, не содержащие ВБЛ, вовращающемся магнитном поле остаютсянеподвижными,40На чертеже указаны ширина ВБЛ Ламплитуда. поперечного колебания ДГамплитуда продольного смещенияВБЛ в ДГ Х. Направление намагниченности в центре ДГ указано стрелками,В центре ВБЛ намагниченность перпендикулярна плоскости ДГ,Стандартный магнитооптический способ детектирования движения ДГ обеспечивает надежное разрешение смеще 50ция ДГ ца величину большую 11 0мкм. Это требование накладывает ограничение ца амплитуду магнитчного поля Н ц период вращения Т:(И-Н ) Т -"с у55 Чтобы детектировать изолированные ВБЛ, расположенные ца расстоянии Ь друг от друга, амплитуда Х должна быть меньше Ь. Это накладывает второе ограничение на Н и Т11 2...

Номер патента: 1382877

Опубликовано: 23.03.1988

Авторы: Карпель, Коваль, Мартынович, Олейник

МПК: C23G 1/06

Метки: металлической, поверхности, состав

...мин.Сравнительные испытания известногои предлагаемых составов по определению эффективности удаления продуктовкоррозии и накипи с деталей внутреннего сгорания приведены в табл,1. Введение в средство для очистки ЗО металлической поверхности от продуктов коррозии и накипи ОЭДФ позволяет уменьшить время удаления продуктов коррозии в 3,3-4 раза, накипи в 1,8- 2 раза. Это уменьшение происходит за счет проявления эффекта синергизма между сульфаминовой кислотой и ОЭДФ по влиянию на скорость растворения основного металла. Данные, подтверждающие этот эффект, представлены в табл,2.Определение скорости растворения основного металла во время очистки предлагаемым и известным способами представлено в табл,З.Представленные в табл,З данные показывают,...

Номер патента: 1379341

Опубликовано: 07.03.1988

Авторы: Карпель, Мартынович, Олейник

МПК: C23G 1/24

Метки: меди, медных, раствор, сплавов

...перемешивают до полногоих растворения.Раствор для очистки меди и медных сплэвов от продуктов коррозиии остатков цинкосодержащих паяльных 1 О флюсов применяется беэ подогревапри 15-25 С. Метод очистки - окунание. После очистки в растворе детали следует промыть водой. Время удаления продуктов коррозии 5-20 с.15 Предлагаемый раствор для очисткимеди и медных сплавов от продуктовкоррозии н остатков цинкосодержащихпаяльных флюсов ускоряет процессочистки в 1,5-6 раз и уменьшает раст ворение меди в 157-183 раза, латуни в 63-70 раз по сравнению с известным раствором.Формула изобретения251. Раствор для очистки меди имедных сплавов, преимущественно отпродуктов коррозии и остатков цинко:.одержащих паяльных флюсов, содержащий персульфат...

Номер патента: 1304856

Опубликовано: 23.04.1987

Авторы: Вавилов, Мартынович, Миценко, Степанец, Ясуд

МПК: B01D 46/32

Метки: газов, фильтр

...общий вид в разрезе; на фиг, 2 - узел 1 на фиг. 1; на фиг. 3 - разрез А - А на фиг. 2.Фильтр для очистки газов содержит корпус 1 с патрубком 2 для подачи запыленного газа, патрубком 3 вывода очищенного газа и патрубком 4 для вывода уловлен 15 ной пыли. В корпусе 1 установлен с возможностью вращения коллектор 5 для вывода очищенного газа, выполненный, например, в виде трубы. На поверхности коллектора 5 выполнены окна 6. На коллекторе 5 жестко закреплены фильтрующие элементы 7 (показан один фильтруюгций элемент), разделенные на кассеты 8 с зернистым материалом 9. В коллекторе 5 размещена импульсная регенерационная камера 10 с соплом 1. Внутри сопла установлен клапан 2, а снаружи - плавающая уплотнительная шайба 13.Фильтр работает...