Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 1116100

Опубликовано: 30.09.1984

Автор: Степанцов

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, сращивания

...бо"лее легкоплавкого из них с последующей выдержкой при этой температуре.П р и м е р 1. Иэ кристаллов фторидов лития и натрия. вырезают. эагоО 2товки в форме цилиндров диаметром 30 мм и высотой 25 мм, полируют их торцовые поверхности до 12 класса частоты, совмещают по торцам и нагревают в атмосфере азота со скоростью 100 град/мин до 860 С (0,99 температуры плавления фтористого лития), нагружая со скоростью 10 г/си с до давления 10 г/си (0,99 предела упругости фтористого лития). Производят выдержку под нагрузкой приданной температуре (860 С) в течение 1 с, затем разгружают со скоростью 1 О г/см с и охлаждают до комнатной температуры со скоростью 100 град/мин. Прочность композиции по границе раздела, измеренная методом четырехточечного...

Номер патента: 1116368

Опубликовано: 30.09.1984

Авторы: Касяненко, Матвеева, Скропышев

МПК: G01N 21/64

Метки: желтых, исландского, кристаллов, отбора, природных, термообработки, шпата

...спектры поглощения (зависимости оптической плотности от длины волны падающего света) светлеющих при термообработке кристаллов, на фиг.4 оптические спектры поглощения темнеющих при термообработке кристаллов.На фиг, 1-4 приняты следующие обозначения: кривая 1 - спектр возбуждения желтого, светлеющего при термообработке, кристалла;кривая 2 - спектр .возбуждения желтого, темнеющего при термообработке,кристалла, кривая 3 - спектр люминесценции желтого, светлеющего при термообработке, кристалла; кривая 4- спектр люминесцении желтого, темнеющего при термообработке кристалла, кривая 5 - спектр оптического поглощения желтого, светлеющего при термообработке, кристалла в исходном состоянии; кривая 6 - спектр оптического поглощения того же...

Номер патента: 1121059

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Беленцов, Кузаков, Литвинов, Палагин

МПК: B07B 1/46

Метки: выборки, кристаллов, руды, сито, слюды

...4 из конически х балок-стержней 3, толстые концы которых скреплены с вертикальной пластиной 1, а тонкие концы с помощью стоек 5 скреплены с горизонтальной пластиной 6, Далее, в нижний ряд отверстий 2 вертикальной пластинызакреплены (приварены) цапфы 7 с пазами 8, к которым с помощью шарниров 9 закреплены балки-стержни 10 (нижней колосниковой просеивающей поверхности), также с переменным поперечным сечением конической формы. Оси балок- стержней 1 О расположены в одной плоскости с шагом 1 и представляют собой нижнюю колосниковую просеивающую поверхность 11, цри этом нижний ряд балок-стержнеи 10 смещен относительно верхнего ряда балок- стержней 3 на полшага ф,а между просеивающими поверхностями 4 и 11 организован угол о(, но плоскости...

Номер патента: 1134960

Опубликовано: 15.01.1985

Авторы: Павлов, Седов

МПК: G11B 7/24

Метки: излучению, кристаллов, металла, сенсибилизации, ультрафиолетовому, хлорида, щелочного

...25нескольких часов.Наиболее близким к предлагаемомупо технической сущности являетсяспособ сенсибилизации к ультрафиолетовому излучению кристаллов хлоридащелочного металла, легированных редкоземельным металлом, путем обработкиих парами этого же щелочного металла в течение 1-3 ч при те;птературе720-740 С и давлении 1-4 атм и послеО35дующего охлаждения до комнатной температуры с режимом скорости 6580 С/ч 2.Недостатком данного способа является сложность операции охлаждения,требующей соблюдения заданной скорости охлаждения,Цель изобретения - упрощение способа.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу сенсибилизациик ультрафиолетовому излучению крис-таллов хлоридз щелочного металла,легированных редкоземельным металлом,путем...

Номер патента: 1140967

Опубликовано: 23.02.1985

Авторы: Вайнблат, Кузаков, Тарасов

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслоения, слюды

...цилиндрических тел и отбойной плитой, расположенной против линии касания цилиндрических тел, и разгрузочное приспособление 1).Однако в известном устройстве все кристаллы слюды, поступающие на расколку, независимо от своих физических параметным участком направляющего лотка 2 расположен узел 5 сортировки кристаллов слюды по толщине, содержащий бесконечный ленточный транспортер 6 с перфорацией 7, ведущий шкив 8 и ведомый шкив 9, выполненный с перфорацией 10, пневмокамерой 11 и затвором 12. Внутри сортировочного узла 5 расположена пневмокамера 13, разделенная на секции 14 - 16, имеющие различную степень разряжения, обеспечиваемую регуляторами 17 - 19. Дно 20 пневмокамеры 13 выполнено с перфорациями 21 и сопряжено с бесконечным...

Номер патента: 1157412

Опубликовано: 23.05.1985

Авторы: Дубовский, Романов, Семенов, Фотченков, Шапошников

МПК: G01N 21/00

Метки: добротности, искусственного, кварца, кристаллов

...является способопределения добротности Й кристалловискусственного кварца, включающий рризмерение поглощения кристалломИК-излучения и определение добротности по результатам измерений Я .Недостатком известного способаявляется низкая точность определения р 5добротности кристалловЦель изобретения - повышение точности определения добротности кристал.лов искусственного кварца,Поставленная цель достигается темчто согласно способу определениядобротности кристаллов искусственного кварца, включающему измерениепоглощения кристаллом ИК-излучения и определение добротности крис 35талла по результатам измерений,измеряют площадь диффузной полосыпоглощения кристалла с Максимумомв области 3400 см.Независящий от температуры уровеньакустических потеоь Й...

Номер патента: 946186

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Иващенко, Лазарева, Плюснина, Прудникова, Румянцев

МПК: C07D 233/88, C09B 29/46

Метки: 2-азоимидазола, дихроичные, жидких, красители, кристаллов, производные

...спектри данные элементного анализа приведены в таблице.П р и м е р 2, К раствору 55,3 гаминогуанидина солянокислого в 125 млводы прибавляют и-этоксибенэальдегидв количестве 75,1 г. Реакционную массу нагревают до 80 С и выдерживаютпри этой температуре 1 О мин, послечего охлаждают до 60 .С и прибавляютммВщФСщщъ моФ сФи 3при перемешивании раствор 22 г едко го натра в 75 мл воды. Охлаждают докомнатной температуры, осадок отфильтровывают, промывают 50 мл холоднойводы и сушат. Получают 99 г й -эноксибензальдегидгуанилгидразона, который используют в последующей стадиии примерах без дополнительной очистки, 29,7 г в-бром-о-гептилацетофенона и 3,4 г о -эпоксибензальдегидгуа рнилгидразона подвергают взаимодействию, как в примере 1. Получают...

Номер патента: 1172946

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Багдасаров, Затуловский, Мунчаев, Цивинский

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: кристаллов, налета, поверхности, профилированных, сапфира, удаления

...- 0,2 ч приводит к растворению осевших из пара металлов, 20основных и атмосферных окислов,Прополаскивание в концентрированном растворе ИНОН при комнатнойтемпературе 0,5 - 0,7 ч способствуетрастворению кислотных и атмосферныхокисловОтжиг на воздухе при 800-1000 С соответственно в течение 1,5-0,5 ч приво"дит к возгонке летучих соединений,которые, в частности, могут образоваться при взаимодействии налетас воздухом.Химический состав налета практически не исследован, однозначно определить химические и физические про- З 5цессы, происходящие при этих обработках, в наст.вящее время не представляется возможным.Вне указанных режимов обработкане приводит к получению поверхности 40нужного качества, Увеличение темпе 6 гратуры травления выше 80 С,...

Номер патента: 1174052

Опубликовано: 23.08.1985

Авторы: Горелик, Емельянов, Клочин, Кожевников, Маринин

МПК: B01D 9/02, B01J 4/00

Метки: аппарата, выгрузки, кристаллов

...технологии дальнейшей обработки выгружаемого продукта путем уменьшения его влагосодержания..На чертеже представлено устройство для выгрузки кристаллов иэ аппарата, общий вид. Устройство содержит шнек 1, расположенный внутри корпуса 2, снабженного штуцером 3, посредством которо- . го устройство соединено с аппаратом 20 4, приспособление для вывода кристаллов с насадком 5, выходное отверстие 6 которого закрыто крышкой 7, прижимаемой к насадку с помощью пружин 8. 25Устройство работает следующим образом. Кристаллы под действием силы тя- жести опускаются из аппарата 4 через ЗО штуцер 3 в корпус 2 шнека 1. Внутри .корпуса кристаллы шнеком 1 транспортируются в насадок 5, накапливаются в нем и прессуются. При этом из образующегося слоя...

Номер патента: 1175977

Опубликовано: 30.08.1985

Автор: Багай

МПК: C30B 29/02, C30B 33/00

Метки: висмута, кристаллов, травления

...вершины трещин в кристаллах висмута.Необходимо обеспечить возможность проведения металлографических исследований процесса разрушения кристал 40 лов путем изучения дислокационной структуры вершины трещин в кристаллах висмута.Целью изобретения является увеличение четкости изображения дислокационных ямок травления в вершинах трещин кристаллов висмута.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу травления кристаллов висмута в растворе, содержащем об.ч.:Азотная кислота(50%-ная) 0,02-0,16при заданной температуре и времени, травление ведут при (-5) - (+4) С в течение 30-40 мин,Травление при температуре менее -5 С и времени более.40 мин не приводйт к выявлению на вершинах трещин в кристаллах ямок травления.оПри температуре...

Номер патента: 1179173

Опубликовано: 15.09.1985

Авторы: Кузнецов, Щипцов

МПК: G01N 21/47

Метки: кристаллов, мусковита, структурной, упорядоченности

...Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к исследованию кристаллов и может быть использовано для определения структурной упорядоченности кристаллов мускозита.Целью изобретения является повышение надежности определения структурной упорядоченности.Способ основан на новой экспериментально установленной связи между изменением интенсивности полосы отражения, отвечающей антисимметричному колебанию атомов типа Е по отношению к интенсивности полосы отражения, отвечающей симметричному колебанию атомов в алюмосиликатных тетраэдрах решетки мусковита и положением плоскости оптических осей доменов относительно...

Номер патента: 1181676

Опубликовано: 30.09.1985

Автор: Денисов

МПК: B01D 9/04, C02F 5/02

Метки: кристаллов, льда, рассола, сепарации

...кристаллов льда. Конусный обтекатель 50 распределителя 12 установлен на верхней торцовой стенке плавителя с помощью опор 16, обеспечивающих зазор, сообщающий полость плавителя с внутренней полостью перфорирован ного цилиндра для рециркуляции части пресной воды на промывку ледяного пористого поршня. Вывод пресной 676воды потребителю осуществляется через регулирующий вентиль 17,В качестве примера рассмотренасепарация кристаллов льда от рассолав сепарационно-промывочной колоннепроизвоительностью 1 т/ч по преснойводе при опреснении соленой водыкристаллизацией. Льдоводяную суспен -зию в количестве 10, 1 т/ч, состоящую из 9 т/ч рассола концентрацией57 ИаС 1 и взвешенных кристаллов льдамассой 1,1 т/ч, насосом 3, развивающим перепад давления...

Номер патента: 1197860

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Вайнблат, Кузаков, Мадорский

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслоением, слюды

...22.Двухуровневый дискриминатор 18 (фиг. 4) состоит из операционных усилителей верхнего 23 и нижнего 24 уровней, источника 25 питания (опорного напряжения), логических элемента НЕ 26 и элемента И 27, генераторов верхней 28 и нижней 29 частоты, Логический элемент НЕ подключен к выходу усилителя 23 и при отсутствии сигнала последнего выделяет сигнал на вход элемента И 27, разрешая его работу при совпадающем втором сигнале.Устройство работает следующим образом,Кристаллы слюды 20, поштучно поступающие на базовую плиту 1 из выходного лотка 19 узла питания, подхватываются зубчатыми упорами 5 медленно вращающейся планшайбы 4, и огражденные буртиком 2,5 10 15 20 25 30 35 надвигаются на ножевые элементы, С касанием струны 8, выступающей над плитой...

Номер патента: 1201307

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Кушков, Трегуб

МПК: C13G 1/06

Метки: вакуум-аппарате, кристаллов, наращивания, процессом

...способ автоматического управления процессом наращива.ния кристаллов в .вакуум-аппаратепредусматривает регулирование нересыщения межкристапьного раствора путем его измерения, сравнения с заданным значением и воздействия на подкачку сиропа или патоки, отбор пробы из аппарата в циркуляционный контур, ее охлаждение на постоянную величину и определение появления кристаллической.муки на выходе контура.При этом заданное значение пересыщения межкристального раствора устанавливают в зависимости от пересыценияраствора и содержания кристаллической муки в пробе.На чертеже показана система управления, реализукицая данный способ.Система состоит иэ вакуум-аппара"та 1, датчика 2, измеряющего пересыщение регулятора 3,...

Номер патента: 1203429

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Вацеба, Романюк

МПК: G01N 27/72

Метки: качества, кристаллов, сегнетоэлектрических

...б )1(1.ЗИЫЛС НИОХ) и 30 52 1) Х 3)е И 3 10 С.51 Т СС)СО р 5313)С ЭГСКТ 703(Ь, Об.ра 3(.11 110 е)1(3 Н)Т 13 С 3 Л ОИС рОИИ(1 с)С 110 1. О 15(.ТИ(Х),)Л 51, и,")И КЗ ЗГСК ГРОХ 3 с 3 1- НТ:)ЬХ 50,3.Р) 1;1,ОЖСНии ИОС Г 05)ННОГО 3 С К ) )иСОК) с) 30,15. К:, С КТГ)0 . 5 )С.(21 Ь"3 1 5 )С СИ . 0 1(И 01 СТ 7 3:Г) Р Ы 5)3- Н : К З (Т И 3,3(31( ,3 С и 1 ) с 3 И 3 ) : ) В О, 113, и 0 . Торос ре 3 С Ги;) )О С;Х, ) Л ЬсЛОГ: С 3)СЛС Х) ИОСТОЯ)31030 ТОКК З 32 С 1:5 с 1) ИС)1 вс 10 си) изл сзмои):спс м.О х(рктс)м кривых (;)(Г 0 ГО)(с 1 СМ,15 Т 0 КИИ С 11 КС .О 1(310:5, 0)РС.(СГ) Я 10) И с 3 Ч 3 Г) 0 И Х, (15 И Ж (.1 15) О СГ С И 0 1, 1(,- ЖИИ 51 1105151, О 1(.Н) Ь) 13)СКРЗ 1)С 3 ИБ ИХ,1 ВИ; С Н И 51,1 Г 2 К Ж С;5 с 33 И С И ОС Т 11 З 3 с Н Н Ы:. Х с 1 -...

Номер патента: 1209666

Опубликовано: 07.02.1986

Авторы: Заянчковский, Лапсинь

МПК: C04B 35/47

Метки: кристаллов, окрашивания, стронция, титаната

...4 Изобретение относится к ювелирнойпромышленности и может быть использовано при окрашивании кислородосодержащих материалов.Цель изобретений - упрощение про цесса.Кристаллические образцы размещают на подставку из угля, которая одновременно служит нагревателем. Уголь является материалом с явно выраженны ми восстановительными свойствами, что обеспечивает создание в микро- объеме вокруг образца атмосферы с сильно пониженной концентрацией кислорода. Изменение цвета кристалла 15 происходит вследствие отклонения от стехиометрического химического состава, а именно в результате потери кислорода образцом. Потеря кислорода зависит от разности парциальных 10 давлений кислорода в кристалле и окружающей среде. Пониженное парциальное давление...

Номер патента: 1212626

Опубликовано: 23.02.1986

Авторы: Беленцов, Литвинов, Мордвинов, Палагин

МПК: B07B 1/12

Метки: выборки, кристаллов, руды, слюды

...стержня, т. е. с шагом, равным 1=20.Нижний ряд стержней 5 со средним диаметром д 2 расположен ниже верхнего ряда на расстоянии 0,7 - 0,8 д и сдвинут на полшага ( - ) относительно верхнего ря 2да, т. е. расположен посредине шелей верхнего ряда. В этом случае при таком расположении рядов имеем в поперечном сечении желобки с боковыми увеличивающимися щелями 5=0,4 д.Такая компановка стержней верхнего и нижнего рядов предопределяет наклон плоских кристаллов слюды в желобок и последующее проскальзывание их в щели между верхними и нижними стержнями вниз в подрешетный класс - в тару как обогащенный промпродукт.Куски породы размером более размера щели уходят на лоток 16 и отвозятся транспортным средством (например, конвейером) в отвал или на...

Номер патента: 1217684

Опубликовано: 15.03.1986

Авторы: Булавцев, Жидков, Капыгин

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслоения, слюды

...вид сверху; на фиг. 2 - разрез А-А 10 на фиг. 1.Устройство содержит основание 1, установленные на нем подающий лоток 2, приводной перфорированный диск 3, закрепленное на основании 1 и 15 установленное над диском 3 приспо - . собление 4 для предварительного ослабления связей между слоями кристаллов слюды, вакуумную камеру 5 с источником 6 вакуума, пневматическое приспособление для расслоения крис-таллов слюды, состоящее из сопла 7 с щелевым отверстием и подводящегоТрукава 8, обечайку 9, закрепленную на основании 1 по периферии приводно" 25 го диска 3, перегородку 10, закрепленную на основании 1 и установленную над диском 3, и приемный бункер 11. Перфорированный приводной диск 3 снабжен дополнительным пустотелым цилиндром 12,...

Номер патента: 1222451

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Грачев, Собкевич, Юртаев

МПК: B23K 3/00

Метки: кристаллов, полупроводниковых, присоединения

...причем зоны максимально отдаваемой мощности нагрева 1и максимальный теплосъем приходятся соответственно на зоны пайки элемента и его выгрузки.Инертный газ, подаваемый при неЗо большом избыточном давлении, препятствуетт попаданию в устройство воздуха. Уплотняющая графитовая вставка10, помещенная между крьппкой и поворотным кольцом 5 служит для уменьшения утечки газа через верхнюю частьзагрузочно-выгрузочного окна.Устройство для присоединенияполупроводниковых кристаллов череззолотокремниевую эвтектику методомпайки за счет контактного плавленияк основаниям локально золоченыхкорпусов СВЧ-транзисторов позволя"ют получить высококачественные соединения системы кристалл-основаниес обеспечением надлежащего внешнеговида и качества...

Номер патента: 1222569

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Вайнблат, Кузаков

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслоения, слюды

...содержит корпус 1 с отбойной плитой 2, состоящей из твердых металлических пластин 3, чередующихся с эластичными резиновыми пластинами 4, смонтированными на основании 5 посредством крепежно-регулировочных болтов 6, питатель в виде транспортера 7 и лотка 8, направляющее приспособление в виде двух цилиндрических тел 9, вращающихся навстречу одно другому с помощью привода 10, и разгрузочное приспособление - транспортер 11, посредством которого пластины 12 кристалла 13 транспортируются к месту дальнейшей обработки. Отбойная плита 2 выполнена из половин 14 и 15, составленных по продольной оси устройства и образующих между своими рабочими поверхностями 16 и 17 тупой угол. Пластины 3 и 4 различной твердости в левой половине 14...

Номер патента: 1226209

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Афанасьев, Имамов, Пашаев, Половинкина

МПК: G01N 23/20

Метки: выявления, дефектов, кристаллов, рентгенографический, структуры

...1). Падающий пучок от острофокусного источника коллимируется горизонтальной Я и вертикальной Я-гщелями. Вследствие конечного размера вертикальной щели 5, и малогоугла падения 9 на кристалле засвечивается полоска дВ , длина которойопрецеляется размером щели Е. ивеличиной угла падения , , а ширина полоски АВ определяется размеромгоризонтальной щели Е , Дифрагиро 1 О ванный пучок выходит с ВходнОЙ поверхности кристалла и фиксируетсяна фотопленке в виде штриха АВ( фиг. 2), Таким образом, по предлагаемому способу рентгеновской типографии реализуется брэгговская дифракция от лауэвских плоскостей,отклоненных на малый угол от нормалик поверхности кристалла.При дифракционном отражении рентщ геновских лучей в стандартной брэгговской дифракции...

Номер патента: 1226228

Опубликовано: 23.04.1986

Автор: Зильберман

МПК: G01N 25/02

Метки: ионных, кристаллов, превращений, температуры, фазовых

...изобретения является упрощение способа и повышение достоверности определения.Способ осуществляется следующим образом.Исследуемое вещество помещают в ячейку термостата с двумя электродами, один из которых эаземлен, нагревают с определенной скоростью, измеряют температуру нагрева и регистрируют амплитуду сигнала ионного тока, возникающего в момент образования расплава. Начало плавления вещества определяют по скачкообразному возрастанию амплитуды сигнала ионного тока.На чертеже представлена блок-схема установки.Устройство включает термостат 1 с регулируемой скоростью нагрева (охлаждения), ячейку 2 с исследуемым веществом, электрод 3 для индикациисигнала ионного тока, датчик 4 температуры, усилитель 5 сигнала, пере 226228 2 счетный...

Номер патента: 1233961

Опубликовано: 30.05.1986

Авторы: Жидков, Зуев, Марков, Яковлев

МПК: B07B 1/22, B07B 4/06

Метки: кристаллов, отбора, пневматический, руды, сепаратор, слюды

...конусными. Причем степень разряжения в камере 4 выше, чемв камере 2.Между камерами 2 и 4 расположенбарабанный смеситель в виде камеры3 активного ворошения сырья, котораяимеет одинаковую с ними форму, отличаясь большей высотой ребер длялучшего ворошения сырья и отсутствиемперфорации.С внешней стороны камер 2 и 3 расположены конфузоры 10 и 11, соединенные с всасывающей полостью вентилятора (не показан).Регулирование разряжения в конфуэорах осуществляется заслонками (не 5 показаны).Барабан сепаратора через ободы"с" опирается на ролики привода 7,два иэ которых являются ведущими,Опора "8" привода, расположенная 10 сс стороны загрузки сепаратора, регулируется по высоте с целью изменения оси наклона барабана. Транспортеры 5 и 6 имеют...

Номер патента: 1238007

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Бахтин, Киселев

МПК: G01R 31/26

Метки: биполярных, времени, кристаллов, постоянной, тепловой, транзисторов

...считать темпера туру корпуса транзистора постоянной и равной температуре окружающей среды. Тогда изменение база-эмиттерного напряжения целиком определяется изменением температуры кристалла транзистора и можно вычислить тепловую постоянную времени кристалла. В этом случае время определения х (10210 ) , что на порядок меньше, чем в известном способе. 40Данные утверждения можно пояснить следующим образом.Падение напряжения на базе-эмиттерном переходе можно записать в виде45 Р =о 1,А,1 эТР 21 О 2 е 2" кр Из трансцендентного уранения (8)с помощью электронного вычислительного устройства можно с любой наперед 55 заданной точностью вычислить значение. Однако на практике точностьопределения тепловой постоянной времени, равная 57, более...

Номер патента: 273781

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Гуляев, Замятин, Захарин, Кравченко

МПК: B01J 2/00

Метки: выращивания, кристаллов, печь

...получаемого продукта,Цель изобретения заключается втом, чтобы повысить интенсивностьработы печи и повысить качество полу.чаемого продукта. Для этого донный 15нагреватель выполнен в форме подвижной металлической пластины, на,которой помещены керамическая плитка с нагревательной спиралью, футеровка и клеммная коробка. 20На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 " донныйнагреватель.Шахтная электрическая печь состоит из корпуса 1, бокового нагрева- . 25теля 2, донного нагревателя 3, смонтированного на металлической пластине 4, легко вводимой в печь черезокно 5 в нижней части корпуса печи,регулирующих термопар бокового 6 и ЗОдонного 7 нагревателей, обеспечивающих надежное в заданных пределахрегулирование и стабилизацию...

Номер патента: 1257482

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Афанасьев, Завьялова, Имамов, Ломов, Пашаев, Федюкин, Хашимов

МПК: G01N 23/207

Метки: исследования, кристаллов, нарушений, приповерхностных, рентгенодифракционный, слоях, структурных, тонких

...де тектора 6 со щелью, линейно перемещающегося в плоскости, перпендикулярной плоскости отражения. В рассмат риваемой геометрии дифракции возникает связь между углом отворота 6 ис следуемого кристалла от точного угла Брэгга и углом выхода ф дифрагированного пучка с поверхностью кристал 2: ф=ф, -В, д =ф(В = О). Отсюда следует, что изменение угла 6 55 на несколько десятков секунд приводит к изменению угла Ф на несколько градусов. Такие изменения ф могут быть зафиксированы при помощи щели, установленной перед детектором в плоскости, перпендикулярной плоскости отражения, и видимой с поверхносо ти кристалла под углом 0,1-0,2 . На стандартных дифрактометрах это может быть осуществлено без значительных потерь в интенсивности при размерах...

Номер патента: 1258329

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Киндзи, Нобуюки, Тосихико, Ясунори

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06

Метки: выращивания, кремния, кристаллов

...температуры незначительны.Если сравнить сечения кристаллов, выращенных без вращения, то в сечении кристаллов, полученных без применения магнитного доля, ясно видны полосы из-за различной концентрации примесей, вызванной различиями в ско- рости выращивания из-за колебаний температуры, однако такие полосы не наблюдаются в сечении кристалла, выращенного с применением магнитного поля.В данном случае тигель 1 и затравка 5 не вращаются или вращаются сравнительно медленно со скоростью 0,1-0,2 об./мин.График на фиг. 3 показывает связь между относительной скоростью вращения тигля 2 и затравки 5 и концеиграцией кислорода в кристалле: лома ная линия А указывает на отсутствие магнитного поля, а спловная линия В- .на применение магнитного...

Номер патента: 1217079

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Булатов, Долженко

МПК: G01N 23/20

Метки: криостат, кристаллов, магнитном, поле, рентгенографии

...и напряженности магнитного поля.Цель изобретения состоит в повышении точности измерений благодаря стабилизации положения образца в условиях температурно-силового воздействия в процессе исследования и улучшения условий юстировки.На чертеже схематически изображен предложенный криостат, разрез.Внутри вакуумного корпуса 1 с основанием 2 размещены азотный 3 и гелиевый 4 сосуды Дьюара, жестко закрепленные на верхнем Фланце 5. Основание 2 вакуумного корпуса 1, повторяя по Форме углубления в верхней части корпуса б гониометра, своим конусным хвостовиком посажено в отверстие на вал 7 гониометра. Сверх- проводящий соленоид 8 смонтирован внутри корпуса и состоит иэ двух разделенных зазором катушек, которые создают магнитное поле напряженностью...

Номер патента: 1269867

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Акишева, Багаутдинова, Ольхов

МПК: B08B 11/00, B08B 3/12

Метки: кристаллов, оптических

...сущности, т.е. составу ванн, температурным режимам, времени обработки позво-.50 ляет подготовить очищенные полированные поверхности оптических деталей к последующей операции, т.е, нанесению тонкослойных 1 покрытий, обеспечивая абсолютную чистоту этих поверх 55 ностей При полном отсутствии ее электризации статистическим электричеством. 4Практический эффект обеспечиваеткомплекс параметров режима и поверхностно-активным веществом (ПАВ), возбуждаемым ультразвуком, в состав которого входят в указанном соотношениитриполифосфат натрия, метасиликатнатрия, натрий углекислый безводный,Адгезионные силы между твердой ижидкой фазами этого ПАВ больше удвоенного поверхностного притяженияжидкости, поэтому оно обладает высокой способностью преодолевать...

Номер патента: 1272196

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Виноградов, Гасанлы, Мельник, Тагиров

МПК: G01N 21/65

Метки: кристаллов, перехода, структурного, точки, фазового

...помещаютв ячейку 2 высокого давления. Затемв бомбе 3 постепенно увеличиваютдавление при его значении ниже давления,структурного перехода и прикаждой величине приложенного давления кристалл 1 освещают монохроматическим излучением 4 криптононоголазера .через окно 5. Рассеянный свет 6собирают оптической системой 7 сборарассеянного излучения и направляютн спектрометр 8, где и анализируютрассеянный свет,Анализ н спектрометре включаетвыделение односимметричных линий спектра, что осуществляют любым известным способом, например фильтрованием.По мере повьппения давления следят эавзаимным расположением выделенных однОсимметричных линий до появления устойчивого сближения этих выделенныхлиний. И н этом интервале устойчивого сближекия определяют...