Патенты с меткой «кристаллов»
Шахтная печь для выращивания кристаллов методом киропулоса
Номер патента: 151673
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Беликович, Вайданич, Кулик, Лыскович, Спитковский
МПК: F27B 1/10
Метки: выращивания, киропулоса, кристаллов, методом, печь, шахтная
...от я печь имеет киаметром 40 - 502 - 3 мм) к перином нагревателещиваемых кристдлагаемая шахтная печь предназнов люминофоров Иа 1 Те и Сз 1(Те) дропулоса. Подобно известной, онаревателями. Донный нагревательтолщина которой в центре составлшается до 12 - 15 лм. Диафрагмаметром 40 - 50 мм. Применение дианомерную скорость роста кристаллоптически прозрачные кристаллыхорошими сцинтилляционными хара ерамиче мл. Т иферии , Благо аллов. Диа- чиям выращив 0 - 130 мл ковым и ическуюи к пер альное о оляет об воз мож;30 и выс чена для иаметром 12 снабжена бо имеет керам яет 2 - 3 мм имеет центр фрагмы позв ов, что дает диаметром 1 ктеристика ми кристалл тодом Ки ным наг фрагму, рии повь стие диа чить рав получить 60 мм с анияме- дон- диа- ифе- твер-...
Кристаллодержатель для крепления затравок при выращивании кристаллов
Номер патента: 159795
Опубликовано: 01.01.1964
Авторы: Васильева, Письменный, Шевахина
МПК: C30B 15/32
Метки: выращивании, затравок, крепления, кристаллов, кристаллодержатель
...креплениятами кристаллодержатновлены гофрированнькоторых расположенытов, а выступы помещвок,Известны кристаллодержатели для крепления затравок при выращивании кристаллов, содержащие траверсу с двумя платами, на которых размещены винты, зажимающие затравку. Однако винты этих кристаллодержателей по мере увеличения веса кристаллов до нескольких десятков килограммов не удерживают затравку и кристаллы выпадают. Кроме того, при завинчивании винтов затравки скалываются,Предложен кристаллодержатель, в котором между платами и затравкой установлены гофрированные прокладки, впадины которых расположены против зажимных винтов, а выступы помещены в бороздки затравок.На чертеже изображена схема кристаллодержателя.В отличие от известных...
Способ получения щелочногалоидных кристаллов
Номер патента: 168262
Опубликовано: 01.01.1965
МПК: C30B 11/02, C30B 29/12
Метки: кристаллов, щелочногалоидных
...степени поглощения ультразвука и при достижении 250 С дальнейшее охлаждение ведут практически мгногенно. Способ получения щелочногалоидныхсталлов выращиванием их из расплаваследующей термообработки, отличаютем, что, с целью придания кристаллуства поглощать ультразвук в заданнойни, в расплав вводят примеси галоидньлей двухвалентных металлов, и охлакристалла после отжига осуществляютременной скоростью. крин поигийся свойстепегх сождениес пеПодггисная груггга3 присоединением заявкиИзвестными способами щелочногалоидные кристаллы получают из расплава следующим образом. По окончании выращивания кристаллов их охлаждают до температуры отжига, отжигают, и дальнейшее охлаждение 5 ведут с постоянной скоростью. Получаемые этими способами...
Тигель для выращивания кристаллов из расплава
Номер патента: 168639
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Алешин, Дмитриев, Песоцкий, Скаковский, Тузовский, Шнкгер
Метки: выращивания, кристаллов, расплава, тигель
...от расплава, камера, сообщающа донной части при пом штоком. вания кр тимонид целью о внутри яся с по ощи кан одписная группа М 3 ение относится к области химии ия кристаллов материалов, обрасисную пленку на поверхности расвыращиванзующих о:плава.В настоящее время для выращивания кристаллов применяют тигли без дополнительнойвнутренней камеры. В тиглях такой конструкции трудно выращивать кристаллы материалов, образующих окисную пленку расплава,препятствующую росту крпсталла, например 10кристаллов антимонида галлия.Цель изобретения - обеспечить возможность отделения окисной пленки от расплаваматериала. Достигается это тем, что предложенный тигель выполнен с дополнительной камерой, сообщающейся с полостью тигля припомощи канала, запираемого...
Приспособление для загрузки в кассету кристаллов полупроводниковых приборов
Номер патента: 170581
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Веденский, Дек, Максимюк, Суховский, Чукалин
МПК: H01L 21/00
Метки: загрузки, кассету, кристаллов, полупроводниковых, приборов
...13.Предмет изобретенияПриспособление для загрузки в кассетукристаллов полупроводниковых приборов, включающее электромагнитный вибропривод, форвакуумный насос и впбролоток с канав ками, отличаощееся тем, что, с целью механизации процесса загрузки кристаллов в кассету, установленный над кассетой вибролоток выполнен съемным и в каждой канавке сделаны гнезда с отверстием, через которое осу ществляется вакуумный присос кристаллов,заполняющих гнезда. 15 дписная группа Ло Известны загрузочные устроиства, которые имеют вибролоток с канавками.Предложенное приспособление отличается от известных тем, что установленный над кассетой вибролоток съемный и в каждой канавке имеются гнезда с отверстием, через которое осуществляется вакуумный присос...
Способ классификации кристаллов
Номер патента: 175452
Опубликовано: 01.01.1965
Метки: классификации, кристаллов
...веществ из растворов, классификации полученных в процессе кристаллизации кристаллов и улучшения их качества. Предложенный способ флотации и предусматри тореагента в раствор с в ванного газа, инертного к лам. Для осуществления способа в жидкость, поступающую на кристаллизацию, вводят соответствующие флотореагенты и подают в суспензию, находящуюся в кристаллизаторе, диспергированный воздух или какой-нибудь другой газ. На пузырьках воздуха закрепляются частицы, вес которых не превышает удерживающей силы поверхностного натяжения. Более крупные частицы оседают и выводятся в виде продукта. Поскольку скорость движения воздушных пузырьков в суспензии значительно превышает скорость оседания мелких частиц, составляя 20 - 40 сл/сек, то...
Способ получения кристаллов синтетическойслюды
Номер патента: 175480
Опубликовано: 01.01.1965
МПК: C30B 11/02
Метки: кристаллов, синтетическойслюды
...п подачи инертного газа в процессе опыта.После механической очистки внутренних стенок удаляют пыль тампоном, смоченным спиртом, и просушивают при температуре 60 - 70 С, Загружают шихту, состоящую цз ортоклаза, периклаза и фторцстого магния, с величиной зерен 0,05 - 1 лл, с содержанием окислов железа и влаги не более 0,1% 0,01% соответственно.Для удаления болыпей части имеющцхся в объеме тигля воздуха ц глагц в период загрузки шцхты производят неоднократное вакуум ировапие с последующим заполнением осушенным ц очищенным от кислорода газом (аргоном, азотом). Тигель в процессе вакуумировация прогревают до 120 в 1 С. После заполнения тигля шихт сго закрывают крышкой, цзготов де плоской тарелки с высоким верхнему краю которого процзв 5...
Способ очистки (аффинации) кристаллов сахара-сырца
Номер патента: 182074
Опубликовано: 01.01.1966
Авторы: Кот, Оиищук, Петрун, Пслищу
МПК: C13F 1/02
Метки: аффинации, кристаллов, сахара-сырца
...и п11 поступает ванин обраоаная паточная ерхности криму патрубку рывном перемеш родукта размягч ается оттеком с и родукт по сп ск на пробелку. тся бункер 8 для бок 9 для,ввода трубком 10 для 30 Известны способы очистки (аффинации) кристаллов сахара-сырца от паточной пленки путем смыва ее с поверхности кристаллов более доброкачественным раствором (аффинационным оттенком) при нагревании и переме шивании обрабатываемого продукта.Предлагаемый способ по сравнению с известными позволяет интенсифицировать процесс очистки.Это достигается тем, что нагревание осуще ствляют открытым паром, подаваемым непосредственно над обрабатываемым продуктом.Сущность предлагаемого способа,поясняется чертежами, где на фиг. 1 показано устройство для...
Способ получения кристаллов трехводного фтористого алюминия
Номер патента: 186995
Опубликовано: 01.01.1966
Авторы: Богачев, Бурова, Кононов, Семенов, Чазова, Эвенчик, Янкин
МПК: C01F 7/50
Метки: алюминия, кристаллов, трехводного, фтористого
...добавляют примерно половину полученной продукции влажных кристаллов, Однако в связи с необ ходимостью возвращать в процесс значительное количество отфильтрованных кристаллов, приходится устанавливать больтпое количество фильтровальпой аппаратуры.Кроме того, процесс кристаллизации по это му способу протекает настолько медленно, что значительная часть А 1 Г, ЗН,О не успевает выкристаллизовываться и остается в растворе.С целью устранения указанных недостат ков предлагается в качестве затравки использовать часть суспензии, полученной при непрерывной кристаллизации пересыщенпого раствора. Причем, суспензию вводят в количестве, превышающем в несколько раз, предпо чтительно в 2 раза, количество подаваемого в первый кристаллизатор...
Способ выращивания тугоплавких кристаллов из расплава
Номер патента: 178788
Опубликовано: 01.01.1966
МПК: B01D 9/00
Метки: выращивания, кристаллов, расплава, тугоплавких
...теплоносителя, например расплавленного чугуна.По предложенному способу, с целью обеспечения надежного термостатирования кристаллизуемого расплава, сокращения времени кристаллизации, в качестве расплавленного теплоносителя используют вещество, имеющее температуру плавления ниже, чем кристаллизуемое вещество, например расплавлен ное стекло, Способ состоит в том, что тигель, заполненный шихтой, погружают в расплав стекла при температуре 1200 в 12 С. Под тигель, на дно ванны, насыпают электрокорундовую крошку. Стекло находится в тигле-ванне, установленной в печи. После расплавления шихты и гомогенизации, т, е. выдержки расплава при температуре 1400 С в течение 15 -20 час, проводят кристаллизацию путем медленного понижения температуры...
Состав суспензии для полировки кристаллов йодистого цезия
Номер патента: 179646
Опубликовано: 01.01.1966
Автор: Алексеев
МПК: B24C 11/00, B24D 3/02
Метки: йодистого, кристаллов, полировки, состав, суспензии, цезия
...по делам забретений и открытий при Совете Министров СССРб ликования описания 4.1 Ч. пу Авторизобретени А. Алексее витель ТАВ СУСПЕНЗИИ ДЛЯ ПОЛИРОВКИ КРИСТАЛЛО ЙОДИСТОГО ЦЕЗИЯдмет изобретения Соста йодисто ва и см таллов абразнсссс в ме тем, чт ду реш в посода ледню Зависимое от авт. свидетельствапубликовано 08,11.1966. Бюллетень Применение известных водяных суспензий зерен абразива при полировании кристаллов йодистого цезия затруднено из-за его гигроскопичности, мягкости и разрушения отдельных участков поверхности. Особенностью предлагаемого состава суспензии, состоящего из зерен абразива и смазывающей жидкости, является включение в него спиртового раствора йода с целью создания ионного равновесия между решеткой кристалла и...
Аппарат для испарения и кристаллизации алюминатных растворов и сепарации кристаллов
Номер патента: 180173
Опубликовано: 01.01.1966
Авторы: Всесоюзный, Магниевой, Проектный, Тыртышный, Электродной
Метки: алюминатных, аппарат, испарения, кристаллизации, кристаллов, растворов, сепарации
...посредством ребер 13, которые одновременно выполняют 5 роль успокоителей пульпы.ля подаи в аппарат непосредственно вш 1 жшою часть пярлнфт 1 обрабатываемого перегретого раствора через днище аппарата внутрь него введена трубка И.0 Лппарат предназначен для осуществлениянепрерывного процесса. При раооте в нем происходит непрерывная циркуляция пульп и образуется несколько самостоятельных зон.Внутри парлифтной трубы происходит смеши ванне подаваемого в аппарат перегретого раствора с охлажденной за счет самоиспарения циркулирующей пульпои. Выделяющиеся при этом пузырьки пара, уменьшая плотность раствора, вызывают его перемещение по паро лифтной трубе вверх. Проходя через насадку,чуют ррва Составитель В. Вазилевскпй Техред Т. П. Курилко...
Способ получения кристаллов солей
Номер патента: 192186
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: B01D 9/00
Метки: кристаллов, солей
...ки, от гггчаго меченых кр меняют час в количеств 5 сухой соли.лучения кристаллов солей, паприого калия, путем охлаждения их растворов с применением затравигийся тем, что, с целью получения исталлов, в качестве затравки притицы измельченного люминофора е, преимущественно, 0,2 Я, от веса Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 14.1 Ъ.1964 ( 894675/23-26 Известен способ получения кристаллов солей, например хлористого калия, охлаждением насыщенного раствора его с применением затравки в вчде кристаллов средней фракции, являющихся центрами кристаллизации.Предлагается для получения кристаллов солей в качестве затравки применять частицы измельчешюго люминофора в количестве, преимущественно, 0,2, от веса сухой соли. Полученггая таким образог...
Способ очистки (аффинации) кристаллов сахара-сырца
Номер патента: 195387
Опубликовано: 01.01.1967
Автор: Нерубальщук
МПК: C13F 1/08
Метки: аффинации, кристаллов, сахара-сырца
...которому пленку смывают с поверхности кристаллов более доброкачественным нагретым раствором при непрерывном перемешивании и поддержании заданной температуры образующейсясмеси.Предложенный способ отличается от известных тем, что заданную температуру образующейся во время очистки смеси поддер живают путем введения в раствор предварительно нагретого сахара-сырца.Это позволяет интенсифицировать процесс аффинации и увеличить выход сахара-сырца.При очистке сахара-сырца по предлагаемо му способу раствор следует нагревать до постоянной температуры 50 - 60 С.На чертеже приведена установка для осуществления описываемого способа.Установка состоит из теплообменника 1, 2 сборника 2 оттеков и аффинационной мешалки 8, На последней установлены датчик...
Способ выращивания кристаллов окиси магния
Номер патента: 197525
Опубликовано: 01.01.1967
Авторы: Гольдштейн, Карпенко, Тресв
МПК: C30B 11/02, C30B 29/16
Метки: выращивания, кристаллов, магния, окиси
...от известных тем, что в качестве исходного сырья ис. пользуют магнезию, содержащую не менее 90 вес. % активной окиси магния, в которю в процессе гидратации вводят не менее 6 мол.% избыточной воды. При расплавлении шихты наплавляют блок расплава объемом це менее 0,2 л 1 з, с отношением высоты к диаметру от 1:2 до 1:1 и перегревают расплав на 20 - 100=С выше температуры плавления окиси магния,Проведение процесса выращивания кристаллов при указанных условиях дает возможность получать друзы оптически прозрачных металлов 50 лтл длиной и 25 - 30 млт диаметром в количестве 25 - 30 вес. % закристаллизованного блока, Кристаллы могут использоваться в полупроводниковой технике, и в радиоэлектронике и расчетной технике. Прп увеличении...
Способ непрерывного отделения кристаллов сахара от патоки
Номер патента: 201247
Опубликовано: 01.01.1967
Авторы: Андреев, Гребенюк, Соколов
МПК: C13F 1/04
Метки: кристаллов, непрерывного, отделения, патоки, сахара
...предлагаемому способу разрешение создают с перепадом его значения вдоль фильтрующей поверхности,На чертеже изображена непрерывно действующая центрифуга с центробежной выгрузкой осадка, разрез, поясняющая способ,В нижнюю часть ротора 1 по трубе 2 подают утфель, который под действием центробежных сил перемещается вверх вдоль фильтрующей поверхности. По мере его перемещения из утфеля выделяется патока, а осадок промывают и пропаривают, Готовый осадок (кристаллы и сахара) попадает в кольцевой сборник 3 и поступает на следующую операцию.Патока отделяется от утфеля по зонам 4 и б под действием разрежения, создаваемого трующей поверхностью. Для этого из рывно удаляют воздух по трубам б щенным между собой регулирующим например краном 8. В...
Способ получения кристаллов основного карбоната магния
Номер патента: 202087
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: C01F 5/24
Метки: карбоната, кристаллов, магния, основного
...кристал ния имеют длину ллов ос ьзовани выдерж следую Известен способ получения криста новного карбоната магния при исполи прерывистой среды кристаллизации ской при температуре выше 27 С с по щей сушкой.Предложенный способ отличается от известного тем, что тригидрокарбонат магния отфильтровывают, сушат при температуре ниже 50"С до остаточного содержания несвязанной воды менее 3%, а затем подвергают тепловой обработке при 80 - 95 С. Указанное отличие способствует получению укрупненных кристаллов основного карбоната магния.Способ осуществляют следующим образом.Полученную водную суспензию тригидрокарбоната магния подвергают виброфильтрации до содерхкания воды 20%. Блажный порошок тригидрокарбоната магния высушивают при температуре 50 С...
Способ получения увеличенных рентгеновских рефлексограмм от изогнутых кристаллов
Номер патента: 202352
Опубликовано: 01.01.1967
Метки: изогнутых, кристаллов, рентгеновских, рефлексограмм, увеличенных
...спектрометрови опектрографов заключается в том, что исследуемый кристалл облучают пучком рентгеновских лучей, а излучение, отраженное откристалла, регистрируют пленкой в кассете.Однако при таком способе получают искаженное изображение поверхностей исследуемыхкристаллов,1Предлагаемый способ отличается от известных тем, что ренггеновскую пленку помещают в изогнутой по окружности кассете внефокального круга, на котором расположенисследуемый кристалл. Пучок рентгеновских 1лучей от источника пропускают через щель,расположенную на фокальной окружностикристалла, параллельно его образующей. Такое осуществление способа позволяет устрать искажения и добиться одинаковых увечений по высоте и ширине рефлексограммы. Гпосоо получения...
Способ получения кристаллов
Номер патента: 208688
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Гринько
МПК: B01D 9/02
Метки: кристаллов
...упаренный раствор перед спуском его на кристаллизацию предусматривает только снятие пересыщения раствора.С целью выравнивания гранулометрического состава кристаллов предлагается подавать в выпарной аппарат воду в период кристаллизации по прекращении подачи исходного раствора, при сохранении постоянной тепловой нагрузки аппарата, в том же объеме и с той же скоростью, что и исходный раствор.В период перевода выпарного аппарата на питание водой внутри него идет непрерывное растворение мелких кристаллов и рост средних, которые становятся центрами кристалли 5 П р и м е р. Упаривают дистиллерную жидкость, содержащую около 10 "хлористого кальция и около 5 хлористого натрия в аппарате с постояннон производительностью 500000 ккал/час,...
Способ изготовления кристаллов для ультразвуковых преобразователей
Номер патента: 211899
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Зандин, Мастихин, Шелопут
МПК: B06B 1/06
Метки: кристаллов, преобразователей, ультразвуковых
...от того, для какого типа волн создается преобразователь, продольных или поперечных, в вакууме 10 -мм рт, ст. испарением наносится слой меди, После 1 .этого образец прогревается в вакууме 10-емм рт. ст. до + 400 С в течение 2 - 20 мин с целью проведения диффузии меди в низкоомный кристалл. Легированный медью слой сульфида кадмия обладает высоким сопротивлением и является активным пьезоэлеприческим слоем.Известный способ обладает рядом недостатков: низкой температурной стабильностью основных параметров полученных преобразова телей из-за возможности дальнейшей диффузии меди, что ограничивает использование подобных преобразователей в различных уст. ройствах, например ультразвуковых линиях задержки, и сложно тью технологии ввиду наличия...
Способ аффинации (очистки) кристаллов сахарасырца от несахаров
Номер патента: 212892
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Иностранец, Иностранна
МПК: C13F 1/04
Метки: аффинации, кристаллов, несахаров, сахарасырца
...нерастворимые в метаноле, нагример сернистый ангидрид, подают порциями в растворитель через патрубок б. Сахар- сырец по мере его перемещения шнеком 4 сначала аффинируется смесью растворителя с 30 сернистым ангидридом, а затем одним раствоили тетрагидрофурфуриловыйрителем. Аффинированный сахар-сырец из шнека 4 по желобу 7 ссыпается в бункер 8 и затем сушится при комнатной температуре,Полученная в результате аффинации сахара-сырца смесь, состоящая из растворителя, смытого сиропа и осадка в виде кристаллов сахара, частично извлеченных из сиропа растворителем, направляется по патрубку 9 в сборник 10 и затем разделяется на компонен. ты,Вначале отделяют кристаллы сахара, суспензированные в растворителе, отстаиванием или фугованием, а затем...
Устройство для автоматического взвешивания и сортировки по весовым группам кристаллов
Номер патента: 219236
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Абдулов, Специальное, Шенфельд
МПК: B07B 13/08, G01G 13/00
Метки: весовым, взвешивания, группам, кристаллов, сортировки
...механизмом 20. На коромысле весов укреплено зеркало 21, отражающее световой пучок 22 и направляющее его через систему промежуточных зеркал 23 на фотодиодный датчик 24, состоящий из фотодиодов, число которых зависит от числа групп сортировки.Таким образом, каждый фотодиод сортирует по весу только кристаллы своей группы. Для настройки исходного нулевого положения коромысла и для совпадения оптической шкалы весов с фотоэлектрической в фотодиодный датчик вмонтирован дополнительный фотодиод.Дозировочный механизм 25 состоит из приемных стаканов 2 б, желоба с воронкой 27,сидящих на одной оси 28, на нижнем конце которой расположен ротор 29, взаимодействующий с определенной парой электромагнитных катушек 80.Кулачок 81 с микровыключателями 32...
Установка для выращивания кристаллов
Номер патента: 220959
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: C30B 7/10
Метки: выращивания, кристаллов
...камеры растворения в камеру роста, ось автоклава будет смещаться относительно горизонтали. Скорость роста кристалла, соответствующую скорости переноса вещества в автоклаве, можно определить, подвешивая к соответствующей отсчетной точке груз, необходимый для установления прикрепленной к коромыслу стрелки в нулевое положение, при котором ось автоклава горизонтальна.Наблюдение за перемещением стрелки осуществляется через отсчетный микроскоп 13. ываемая устафиг, 2 - то же,оклав 1, помещенционированным наорого регулируютасположен в полоцевой подставки 5, а жестко прикрепосей б ножевых на расположена в На фиг. 1 изображена о новка, поперечный разрез; продольный разрез.Установка включает авт ный в полость печи 2 с сек гревателем 3, секции 4...
Способ получения кристаллов гидросиликатовкальция
Номер патента: 234373
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Бакшутой, Бутт, Тимашев
МПК: C01B 33/24
Метки: гидросиликатовкальция, кристаллов
...раствор извести получается при разбавленип нодон известкового теста или при гашении извести большим избытком воды, Насыщенный раствор кремнекислоты (кремнегель) получается под действием 1 - 3", концентрированной соляной кислоты на натриевое жидкое стекло, предварительно на О 50 - 75% разбавленное водой,Выпавший кремнегель отмывается водой доотрицательной реакции на С 1Эквимолярные (равные) количества полученных насыщенных растворов извести и крем некислоты сливают в крпсталлизатор, тщательно перемешивают и оставляют там на 1 - 10 суток. Полученный таким образом осадок можно применять в двух состояниях: в мокром виде (суспензии с водотвердым соот- О ношением, равным 3 - 5) и и сухом виде, какотфильтрованный и высушенный продукт с...
Устройство для измерения магнитного спектра парамагнитных кристаллов
Номер патента: 243211
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Голуб, Григорьев, Гурь, Рогачев
МПК: G01R 33/12
Метки: кристаллов, магнитного, парамагнитных, спектра
...исследуемого парамагнитного кристалла и непосредственно определять истинный угол поворота образца.На чертеже представлена схема устройства.Исследуемый кристалл 1 крепится на клейкой смазке к поршню 2 цилиндрического резонатора, вращающемуся с помощью произвольного механизма вокруг горизонтальной оси. Рядом с крышкой 3.поршня 2 жестко укреплена оптическая трубка 4 (например, от измерителя частоты поверхности типа РВП). Освещенное лампочкой б изображение крышки 3 отражается от зеркала б и проецируется оптической системой трубки 4 на предметное стекло 7 окулятора 8. На крышке 3 и предметном стекле 7 нанесено по одной риске, Предметное стекло жестко сое динено с угломерным устройством 9, например поворотным столом СТуниверсального...
Устройство для забора проб кристаллов льда
Номер патента: 245406
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Першина
Метки: забора, кристаллов, льда, проб
...2. Поршень имеет, например, восемнадцать гнезд 3, в которые вставляются предметные стекла. Гнезда расположены в шахматном порядке. Число их может быть любым, Каждое из восемнадцати стекол может быть установлено против окна 4 (см. фиг. 2) в корпусе для улавливания кристаллов. На некотором расстоянии от окна 4 находится испарительная камера 5, внутрь которой вставляется тампон из нетра, пропитанный дихлорможет закрываться заслон- тяги 7, проходящей черезвый тампон, смоченный дихлорэтаном. Поршень 2 вдвигают до упора в цилиндрический корпус 1 и закрепляют муфту 12 на корпусе винтом 18. Заслонкой б закрывают окно 4. Устройство помещают в камеру, где оно охлаждается вместе с камерой.Для взятия пробы выдвигают поршень на себя до тех пор,...
Способ определения прочности кристаллов
Номер патента: 251241
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Всесоюзный, Корчагин
МПК: G01M 3/32
Метки: кристаллов, прочности
...сушке, охлаждении, транспортировке и хранении зависит не только от условий обработки, но и от устойчивости кристаллов к силам трения и дроблению.Предлагаемый спос прочности кристаллов, напр ска, является новым.Он позволяет получить усредненный показатель,прочности кристаллов, что,полно и объективно характеризует свойства материала, Для этого навеску продукта, имеющего заданную влажность, подвергают многократным ударам, помещая ее для этого в поле центробежных сил,с расположенным в нем неподвижным отражателем. По степени изменения гранулометрического состава навески, произошедшего под действием ударов, судят о прочности кристаллов.Сущность предлагаемого способа заключается в следующем,Навеска сыпучего материала, предварительно...
Автоклав для выращивания кристаллов в гидротермальных условиях
Номер патента: 262857
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Васенин, Икорникова, Институт, Лобачев, Сабуренков, Специальное
МПК: C30B 7/10
Метки: автоклав, выращивания, гидротермальных, кристаллов, условиях
...от паров раствора, что позволяет наблюдать за ростом кристалла,в процессе его вьтращивания.На чертеже изсбражен предложенный автоклав (разрез) и разрез по А - А.В многослойном корпусе 11 автоклава размещены кристаллизационный вкладыш 2, снабженный фторпластствым силыфоном 3, газовая камера 4 и нагревательный элемент 5. Автоклав снабжен блоком терморегулирования 6. В средней части автоклава расположены три окна 7, 8, 9, два напротив одно другого, третье под углом 90 к первым. Для регистрирования процесса, идущего в автоклаве, используют блок киносьемки 10, состоящий, например, из кинокамеры Красногорск с тремя смешанными объективами и цинтрофера, регулирую щего скорость съемки.Автоклав работает следующим образом.В кристаллизационный...
Способ эпитлксиального выращивания кристаллов
Номер патента: 268376
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Дорфман
МПК: B01D 9/00
Метки: выращивания, кристаллов, эпитлксиального
...осаждения (подложке) располага 1 от источник, газовый поток с транспортирующим агентом направляют параллельно источнику и 3 подложке, а перпендикулярно подложке ц оси потока создают градиент температур, направленный так, что перенос осуществляется от источника к подложке.П р ц м е р 1. В качестве исгочнцка,используют поликрцсталлцческцй германий, в качестве подложки - монокрцсталлцческцц герм анцц (арсенид галлпя). 1 Лсточнцк и подложку располагают на расстоянии 0,1 - 2 сл друг от друга, на источнике создают температуру 500 - 600 С, на подложке - 400 - 500 С и вдоль источника ц подложки параллельно им пропускают газ (папрцмер гелцй, аргон илц азот), содержащий цод в концентрации 0,02 - 0,5 г/л. В результате получают эпцгаксцальный...
Затравочная суспензия для образования кристаллов сахарозы в сахарном растворе
Номер патента: 269072
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Герд, Иностранна, Иностранцы, Ланген, Пфейфер, Тило, Федеративна
МПК: C13F 1/02
Метки: затравочная, кристаллов, образования, растворе, сахарном, сахарозы, суспензия
...по весу 40% раствора глюкозы и 60% насыщенного раствора сахарозы, а в добавке - 30% раствора глюкозы и 70% насыщенного раствора сахарозы,Для приготовления добавки берут насыщенный при 20 С раствор сахарозы, имеющий 66,6% сухих веществ, и раствор глюкозы, имеющий 84% сухих веществ, в количестве 5 соответственно по весу 70 и 30% и под атмосферным давлением сгущают до достижения точки кипения 116 С. Потом раствор осторожно, по возможности без движения, охлаждают до 60 С и после этого кристаллизуют при 10 интенсивном механическом перемешивании ибыстром охлаждении. Полученная таким образом добавка содержит микрокристаллы правильной формы, имеющие размер 5 - 10 мк,Для приготовления раствора-носителя бе рут по весу преимущественно 40%...