Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 1220475

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Бураков, Михнов, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич

МПК: G02F 1/35

Метки: затворах, коэффициента, кристаллов, окраски, основе, остаточного, пассивных, поглощения, центрами

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ОСТАТОЧНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В ПАССИВНЫХ ЗАТВОРАХ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ LIF С F-2 -ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ в спектральной области 0,9 1,15 мкм, включающий просвечивание кристалла излучением, измерение пропускания, отличающийся тем, что, с целью упрощения и удешевления способа, просвечивают кристалл излучением от стабилизированного источника, измеряют пропускание на длине волны 1,15 1,04 мкм, а коэффициент остаточного поглощения Kн определяют по формулеKн Al-1lnT-1,где l длина кристалла;A эмпирический коэффициент;T период.

Номер патента: 1264604

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Брюквина, Иванов, Фигура, Хулугуров

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, основе, фторида

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ФТОРИДА ЛИТИЯ для лазерных элементов из расплава, содержащего фторид и гидроксид лития, в тигле, отличающийся тем, что, с целью удешевления процесса при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих F+2-центры в кристаллах, процесс проводят в тигле из никеля или стеклографита в атмосфере инертного газа при добавлении в расплав оксида бора в количестве 0,001 0,100 г/см2 поверхности расплава.

Номер патента: 1743314

Опубликовано: 25.07.1995

Автор: Варламов

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, микросборку, полупроводниковых, сборки

СПОСОБ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ В МИКРОСБОРКУ, включающий нанесение термопластичного адгезива на металлический носитель, формирование сборки из полупроводниковой пластины, адгезива и металлического носителя, надрез сборки со стороны полупроводниковой пластины для разделения на полупроводниковые кристаллы, съем кристаллов с носителя и приклеивание кристаллов на предварительно разогретую плату микросборки, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, адгезив наносят слоем толщиной 0,05 0,25 мм, надрез сборки осуществляют на глубину адгезива, равную 60 92% его толщины при съеме каждого кристалла осуществляют разогрев соответствующего участка носителя до температуры на 10 50oС, превышающей температуру плавления...

Номер патента: 828726

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Тарасов

МПК: C30B 7/14

Метки: выращивания, кристаллов, раствора

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА по методу химических реакций, включающее емкости для исходных растворов, кристаллизационную камеру со смесителем на входе, соединенную с емкостями для растворов стационарными трубопроводами, и подвижный резервуар с гибким трубопроводом, для приема отработанного раствора, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности и стабильности подачи растворов в течение всего процесса и обеспечения постоянства состава раствора, поступающего в камеру, последняя размещена наклонно и имеет вход в нижней части, на выходе камеры установлен отстойник, соединенный капилляром с подвижным резервуаром, а под ним установлен стационарный резервуар, соединенный с емкостями для исходных растворов...

Номер патента: 1651602

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Горбунов, Классен, Махонин

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: кристаллов, оптических, щелочногалоидных, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗ ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ, включающий механическую обработку исходного образца до формы, близкой к требуемой, и прессование его при повышенной температуре между пуансонами соответствующей формы, чистота поверхности которых соответствует требованиям к чистоте поверхности элемента, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптического качества, увеличения производительности и выхода годных элементов, исходный образец берут в виде монокристалла, после механической обработки проводят снятие механически упрочненного слоя химическим травлением и прессование ведут до степени 1,5-5,0% со скоростью 0,02-0,10 мм/мин.

Номер патента: 1119402

Опубликовано: 20.02.1996

Автор: Бредихин

МПК: G01B 11/02

Метки: анизотропных, кристаллизаторе, кристаллов, оптических, прироста

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПРИРОСТА ОПТИЧЕСКИХ АНИЗОТРОПНЫХ КРИСТАЛЛОВ В КРИСТАЛЛИЗАТОРЕ, заключающийся в том, что кристалл освещают в направлении, не совпадающем с направлением оптической оси кристалла, исходным линейно поляризованным пучком света, плоскость поляризации которого составляет 45o с главной плоскостью в кристалле, регистрируют компоненту прошедшего пучка света с поляризацией, перпендикулярной первоначальной, отличающийся тем, что, с целью обеспечения измерений прироста кристаллов в условиях вибраций кристаллизатора и кристалла, обусловленных интенсивной циркуляцией питающей среды, кристалл в области его роста в направлении, перпендикулярном к направлению роста, освещают немонохроматическим коллимированным пучком света с...

Номер патента: 1535077

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Беляева, Королихин, Котова, Рубаха

МПК: C30B 29/10, C30B 7/02

Метки: кристаллов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ - Li 103 , включающий приготовление исходного водного раствора соли Li103 с добавкой кислоты, фильтрацию раствора и рост кристаллов при выпаривании растворителя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества кристаллов, в качестве добавки кислоты берут Н3РО4 или D3РО4 и перед фильтрацией раствор выдерживают не менее 2 ч при температуре toС, определяемой из интервала t1 < t < tкип, где t1 - температура роста кристаллов; tкип - температура кипения раствора.

Номер патента: 850765

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Емельченко, Ушаковский

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ на затравку, включающее тигель для расплава с затравкодержателем внутри, выполненный в виде полого закрытого цилиндра, закрепленного в керамической оболочке, которая установлена в нагревательной камере с возможностью поворота, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока службы, тигель выполнен разъемным в виде двух одинаковых стаканов, состыкованных открытыми краями.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью исключения попадания расплава в разъем для стыковки стаканов, на их краях выполнены цилиндрические проточки, а затравкодержатель установлен на дне стакана с внутренней проточкой.

Номер патента: 1491271

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Гладыщук, Грибковский, Парашук, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, кристаллографической, неоднородности, полупроводниковых

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ, основанный на погружении кристалла в диэлектрическую жидкость, возбуждения в кристалле стримерных разрядов одиночными импульсами напряжения с помощью электродов, один из которых выполнен игольчатым, а другой плоским, и регистрации траекторий стримерных разрядов в кристалле со стороны одной из плоскостей кристалла при перемещении игольчатого электрода над его поверхностью, отличающийся тем, что, с целью повышения информативности путем определения блочной структуры кристалла, перед возбуждением стримерных разрядов ориентируют поверхности кристалла относительно его кристаллографических плоскостей, одновременно с регистрацией стримерных разрядов со стороны...

Номер патента: 1356706

Опубликовано: 27.02.1996

Автор: Яблонский

МПК: G01N 21/64

Метки: кристаллов, микроскопических, травления, фигур, характеристик

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК МИКРОСКОПИЧЕСКИХ ФИГУР ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ, основанный на воздействии излучением на кристалл, измерении структуры и угловых размеров световых фигур, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности и расширения возможностей способа, на входную поверхность кристалла воздействуют излучением, возбуждающим люминесцентное или рассеянное излучение точечного источника, дополнительно измеряют коэффициент дифракционного уширения элементов световых фигур, образованных на выходной поверхности кристалла люминесцентным или рассеянным излучением, находят форму, углы наклона граней, размеры и плотность упаковки фигур травления, по которым судят о характеристиках микроскопических фигур травления.

Номер патента: 1309621

Опубликовано: 20.03.1996

Автор: Рубаха

МПК: C30B 29/10, C30B 7/02

Метки: liio3, выращивания, кристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ -LiIO3, основанный на методе испарения, включающий испарение растворителя из исходного раствора LiIO3 и HIO3, приготовленного при температуре t0, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и снижения себестоимости кристаллов, рост кристаллов проводят при температуре t, связанной с кислотностью исходного раствора соотношением 1,5 - 0,007 (t - t0), где

Номер патента: 946266

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Бабашова, Емельченко, Ильин

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ на затравку по авт. св. N 850765, отличающееся тем, что, с целью повышения его надежности за счет исключения вытекания расплава из тигля при его переворотах, торец первого стакана с затравкодержателем в месте разъема тигля выполнен с выемкой, имеющей внутреннюю цилиндрическую и внешнюю коническую форму, высота выемки с конической формой меньше высоты выемки с цилиндрической формой, а торец второго стакана выполнен с выступом, имеющим форму, соответствующую выемке первого стакана.

Номер патента: 1591535

Опубликовано: 20.04.1996

Автор: Бредихин

МПК: C30B 7/00

Метки: анизотропных, кристаллов, оптически, прироста, прозрачных

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПРИРОСТА ОПТИЧЕСКИ АНИЗОТРОПНЫХ ПРОЗРАЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ при скоростной кристаллизации из растворов, включающий освещение кристалла и прилегающей к нему области раствора коллимированным пучком света в направлении, параллельном растущей грани кристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения для кристаллов с поперечным размером более 150 мм, свет используют естественно поляризованным, освещение проводят для оптически отрицательных кристаллов со стороны острого угла между гранью и оптической осью кристалла, а для оптически положительных кристаллов со стороны тупого угла, прошедшее излучение проецируют на экран и по смещению границы тени в изображении на нем определяют величину прироста кристалла.

Номер патента: 1800854

Опубликовано: 20.06.1996

Авторы: Голышев, Гоник

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

...дна контейнера. После определения положения фронта кристаллизации начинается кристаллизация путем вытягивания контейнера вверх и сбрасывания шихты 7 из бункера 8 в количестве, равном количеству закристаллизовавшегося расплава, При необходимости кристаллизация ведется при вращении контейнера вокруг вертикальной оси. В этом случае в приведенной формуле для определения положения фронта кристаллизации вместо А, должно использоваться эффективное значение теплопроводности расплава, В процессе выращивания в зависимости от задачи и исходного распределения температур, обусловленного нагревателем ростовой установки, кристаллизация идет с изменением или без изменения мощности тепловыделения контейнера и нагревателя ростовой установки, По окончании...

Номер патента: 1428131

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Васильев, Вихров

МПК: H01L 21/68

Метки: кристаллов, присоединения

Устройство для присоединения кристаллов, содержащее инструмент захвата кристаллов, механизм перемещения инструмента с позиции снятия на позицию присоединения, выполненный в виде подпружиненных к кулачкам рычагов горизонтального и вертикального перемещения, привод механизма перемещения и механизм притирки кристаллов к корпусу, содержащий электровибратор с сердечником, отличающееся тем, что, с целью повышения точности присоединения и надежности работы устройства, механизм перемещения инструмента снабжен упорами со сферическими опорными поверхностями, причем упоры установлены с возможностью отсоединения рычагов от соответствующих кулачков на участках с наименьшим радиусом профиля, а механизм притирки кристаллов к корпусу содержит вилку,...

Номер патента: 1824953

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Бородин, Романов, Хаджи, Штеренлихт

МПК: C30B 7/10

Метки: аппарат, выращивания, гидротермального, кристаллов

...тепловой поток по стенке внутреннего сосуда из его нижней части в верхнюю по сравнению с односекционным внутренним сосудом.Другим возможным решением является использование теплоизоляционных проклалок, например, из фторопласта, устанавливаемых между секциями в зоне их соединения,На чертеже представлен аппарат впродольном разрезе.Аппарат содержит внешний сосуд 1 ивнутренний сосуд, выполненный разъемнымв виде двух секций: нижней 2 и верхней 3. 1, Аппарат для гидротермального выращивания кристаллов в агрессивных средах, содержащий внешний стальной сосуд высокого давления и внутренний сосуд цилиндрической формы, выполненный из коррозионно-стойкого материала или футерованный им, и имеющий внутри перфорированную перегородку, разделяющую его...

Номер патента: 1805700

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Андреев, Ванышев, Голенко, Полянский, Яроцкая

МПК: C30B 11/02, C30B 29/22

Метки: кристаллов, окрашенных, оксидов, тугоплавких

...3-5 мм около стенок и у дна холодного контейнера. Время выдержки зависит от химического состава шихты и объема расплава, При выдержке менее 0,1 ч возможно образование дефектных кристаллов из-за непроплавления шихты, выдержка более 0,3 ч неэффективна.Определение объема переходного слоя расплава производилось опытным путем. Установлено, что оптимальные результаты получаются при кристаллизации 50-90;4 объема расплава, В опытах с кристаллизацией более 90;4 объема расплава в зоне переходной структуры наблюдалось нарушение монокристалльного роста, При кристаллизации менее 50;4 объема расплава уменьшается количество затравочных кристаллов и увеличивается зона переходной окраски.Для получения окрашенных кристаллов тугоплавких оксидов на...

Номер патента: 1253181

Опубликовано: 27.10.1996

Автор: Губенко

МПК: C30B 15/04, C30B 29/08

Метки: германия, кристаллов

1. Способ получения кристаллов германия из расплава, включающий введение в расплав основной легирующей примеси и дополнительной легирующей примеси с последующим выращиванием кристаллов, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности распределения удельного сопротивления в объеме кристаллов и снижения концентрации точечных дефектов в них, в качестве дополнительной примеси берут элементарные свинец, олово, индий или их смеси.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что олово или свинец вводят в количестве 1018 1020 см-3.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при получении кристаллов германия, содержащих основную легирующую примесь в количестве более 3

Номер патента: 1461046

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Губенко, Постникова

МПК: C30B 15/04, C30B 29/08

Метки: германия, кристаллов

Способ получения кристаллов германия выращиванием из расплава, содержащего легирующую примесь и две нейтральные примеси, одной из которых является свинец, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности свойств получаемых кристаллов, в качестве второй нейтральной примеси в расплав вводят кремний и каждую из нейтральных примесей вводят в количестве 3 1018 1 1020 см-3.

Номер патента: 1342056

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Бредихин, Быстров, Ершов, Кацман, Лавров

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных, раствора

1. Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора, содержащее герметичный кристаллизатор с крышкой, установленную внутри него камеру роста с затравочным кристаллом, погружной насос, имеющий выходное сопло, направленное на растущий кристалл, и жестко связанный с приводом, установленным на крышке, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, устройства и качества кристалла, устройство снабжено механизмами перемещения насоса и вертикального перемещения камеры роста, соединенными с индуктивными приводами, размещенными на крышке, датчиком роста кристалла, электрически связанным с приводом перемещения камеры, а выходное отверстие сопла выполнено в виде щели.2. Устройство по п. 1,...

Номер патента: 1466275

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Гончаров, Дудка, Лисовенко, Нероденко, Оболонский, Осадчий, Рейзлин, Решетько

МПК: C30B 15/00, C30B 15/14

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее камеру роста с тиглем и коаксиально установленным тепловым узлом, содержащим тепловую трубу с нагревателем, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов и выхода в годную продукцию за счет создания управляемого изотермического температурного поля вокруг кристалла, тепловой узел снабжен дополнительной тепловой трубой с нагревателем, расположенной над основной, между трубами размещена теплоизоляция, а тепловой узел установлен с возможностью вращения и осевого перемещения.

Номер патента: 1304442

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Бобырь, Иванов, Любинский, Нагорная, Смирнов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, сцинтилляционных, щелочно-галоидных

1. Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов, включающий плавление исходной соли в контейнере, имеющем коническую и цилиндрическую части, введение в расплав соли активатора, выдержку расплава при заданной температуре и выращивание конической и цилиндрической частей кристалла путем опускания контейнера из зоны плавления через водоохлаждаемую диафрагму в зону кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, после выращивания конической части вводят активатор, поднимают контейнер в зону плавления на 3 5 мм, осуществляют выдержку в течение 6 8 ч и проводят выращивание цилиндрической части кристалла.2. Способ по п.1, отличающийся тем,...

Номер патента: 1256469

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Жвирблянский, Кац-Ванхадло, Шутова

МПК: C30B 15/20

Метки: вытягивания, кристаллов, расплавов

Устройство для вытягивания кристаллов из расплавов, включающее герметичную камеру, внутри которой размещены тигель для расплава, теплоизоляция и нагреватель, соединенный с системой электропитания через токоподводы, жестко установленные в поддоне камеры, размещенном на гидродомкратах, отличающееся тем, что, с целью обеспечения безопасности обслуживания, устройство снабжено поплавковым клапаном, соединенным с гидродомкратом, и емкостями с электропроводящей жидкостью, жестко соединенными с токоподводами, при этом в емкостях установлены пальцы, соединенные с системой электропитания.

Номер патента: 1107589

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Давиденко, Карпов, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизации, кристаллов, методом, направленной

Устройство для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации, включающее ампулу и установленный на дне тигель, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет увеличения коэффициента использования тигля, ампула снабжена перегородкой в виде воронки с осевым отверстием, расположенной над тиглем.

Номер патента: 1061533

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Бобырь, Иванов, Радкевич, Рябовол, Смирнов, Стадник

МПК: C30B 35/00

Метки: ампуле, выращивания, кристаллов, расплава

Устройство для выращивания кристаллов из расплава в ампуле, содержащее вертикальную шахтную печь, состоящую из двух камер с нагревательными элементами, охлаждаемую кольцевую диафрагму, ампулу с кристаллизуемым веществом, механизм перемещения ампулы в вертикальном направлении и приводы перемещения ампулы в горизонтальной плоскости в двух взаимно перпендикулярных направлениях, отличающееся тем, что, с целью увеличения выхода качественных кристаллов за счет обеспечения центровки ампулы относительно диафрагмы в течение всего процесса выращивания, оно дополнительно содержит дифференциальные термопары, установленные диаметрально противоположно на внутренней поверхности охлаждаемой кольцевой диафрагмы перпендикулярно направлению перемещения...

Номер патента: 928853

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Жвирблянский, Кац-Ванхадло

МПК: C30B 15/30

Метки: аппарате, вращения, вытягивания, кристаллов, перемещения, тигля

1. Устройство для вращения и перемещения тигля в аппарате для втягивания кристаллов из расплава, включающее установленный в опорах шток тигля, механизм перемещения тигля, содержащий взаимодействующую со штоком гайку с ходовым винтом, и механизм вращения тигля, снабженные приводами, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов за счет снижения вибрации расплава, механизм вращения снабжен соединенной со штоком тигля виброгасящей муфтой, валом с лысками, соосно установленным со штоком тигля, а зубчатое колесо привода снабжено жестко к нему прикрепленной втулкой с роликами, взаимодействующими с лысками вала.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что виброгасящая муфта содержит установленную на штоке тигля вилку с...

Номер патента: 1332886

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Белевич, Груцо, Маковецкая

МПК: C30B 11/00

Метки: вертикально, выращивания, кристаллизации, кристаллов, методом, направленной

Устройство для выращивания кристаллов методом вертикально направленной кристаллизации, содержащее печь, имеющую две зоны, разделенные диафрагмой, и установленную в ней с возможностью перемещения цилиндрическую ампулу с коническим концом, отличающееся тем, что, с целью исключения перегрева ампулы в верхней зоне печи и снижения температурного градиента в расплаве, нижняя часть ампулы снабжена экраном, диаметр которого равен диаметру ампулы, а его нижний торец расположен в нижней зоне печи.

Номер патента: 1783948

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, кристаллов, поверхностных, резонаторов

Способ изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах, включающий фотолитографию встречно-штыревых преобразователей и отражательных решеток, ионно-химическое травление канавок в материале подложки, напыление металла, взрывное травление фоторезиста и последующее удаление металла из канавок отражательных решеток, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных резонаторов, после напыления металла наносят второй слой фоторезиста, в котором вскрывают окна над структурами электродов встречно-штыревых преобразователей, в этих окнах вытравливают металл, затем проводят ионно-химическое дотравливание канавок под электроды встречно-штыревых преобразователей заданной глубины, напыляют второй слой металла с толщиной,...

Номер патента: 1610942

Опубликовано: 20.03.1997

Авторы: Бобырь, Илькин, Любинский, Смирнов, Чиненов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, щелочно-галоидных

Способ выращивания щелочно-галоидных кристаллов, включающий вертикальное перемещение ампулы с коническим дном, заполненной расплавом, перегретым выше температуры плавления, через охлаждаемую диафрагму, увеличение перегрева после выращивания конусной части кристалла, выращивание цилиндрической части и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса, ампулу перемещают с постоянной скоростью, конусную часть кристалла выращивают в течение временипри перегреве t1= 30-50 C, затем перегрев...

Номер патента: 1709767

Опубликовано: 10.05.1997

Авторы: Абловацкий, Калугин, Куценогий, Петров

МПК: C30B 15/00, C30B 15/20

Метки: выращивания, кристаллов, расплава

Устройство для выращивания кристаллов из расплава на затравку, содержащее охлаждаемую камеру с тиглем, нагревателем тигля и емкость для сбора пролитого расплава, отличающееся тем, что, с целью сокращения времени ремонтных работ, нижняя часть камеры снабжена сливным патрубком, соединенным с емкостью, установленной вне камеры и имеющей предохранительную мембрану.