Патенты с меткой «кристаллов»

Страница 21

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 1059778

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Зеленин, Конюшенко, Овсянников

МПК: B23K 35/28

Метки: кристаллов, пайки, полупроводниковых, приборов, припой

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов по авт. св. 928736, отличающийся тем, что, с целью снижения склонности к трещинообразованию при пайке кристаллов больших размеров, он дополнительно содержит циркон при следующем соотношении компонентов, вес.%: Германий53-55 Иттрий0,1-2,0 Циркон4-6 АлюминийОстальное

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 928736

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Зеленин, Конюшенко, Урецкий

МПК: B23K 35/28

Метки: кристаллов, пайки, полупроводниковых, приборов, припой

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов, содержащий германий, иттрий, алюминий, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры пайки и увеличения мощности полупроводниковых приборов, припой содержит компоненты в следующем соотношении, вес.%: Германий53-55 Иттрий0,1-2,0 АлюминийОстальное

Прокладка для контактно-реактивной пайки кремниевых кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1299028

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Аседовский, Бобченок, Гурский, Зеленин

МПК: B23K 35/24

Метки: контактно-реактивной, кремниевых, кристаллов, пайки, прокладка

Прокладка для контактно-реактивной пайки кремниевых кристаллов, содержащая золото, отличающаяся тем, что, с целью снижения величины остаточных механических напряжений в кристалле, она дополнительно содержит порошок силицида гафния с размером частиц 2-7 мкм при следующем соотношении компонентов, мас.%: Силицид гафния15-30 ЗолотоОстальное