Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 270015

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бадаль, Вители, Казанцев

МПК: G01R 35/00

Метки: кристаллов, линий, образцов, парамагнитного, парамагнитных, резонанса, сдвига, электронного, эпр

...образца, тем, что сдвиг линий электронного парамагнитного резонанса осуществляется путем воздействия на исследуемый образец ультразвуковых колебаний,Это улучшает условия создания в образце механических напряжений и упрощает выполнение сдвига линий ЭПР.Предлагаемый способ заключается в созда нии в образце механических ультразвуковых напряжений, которые обеспечивают модуляцию сигнала. Способ, позволяет существенно уменьшить величину помех, отказаться от мощного генератора модуляции и упростить 1 схему апектрометра. Кроме того, он позволяет по измерению амплитуды модуляции одновременно с измерением ширины линии;измерять константы спин-фононного взаимодействия. Для проведения этих измеренийсущественно меньшие (в 100 - 1000плитуды...

Номер патента: 270900

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Онегин, Рубенчик, Черкасов

МПК: H01L 21/00

Метки: корпусам, кристаллов, полупроводниковых, приборов, присоединения

...11, рабочая часть которой находится в плоскости движения инструмента 12, Установка снабжена механизмом 19, который подает ленту припоя 20, намотанную на катушку 21, и отрезает необходимую дозу. На оси привода 22 имеется профильный кулачок 23, с которым соприкасается через ролик 24 подпружиненный рычаг 26. Рычаг 25 осью 26 соединен с кронштейном 6. Профильный кулачок 27 через толкатель 28 с роликом 29 воздействует через планку 30 на каретку 8. Тол270900 Л297О 24 г 22 2 г ге юз асимова Техреду А. А. Камышникова Корректор Н. А. Митрохин;.актор Л. гиип аказ 2240/7 Тираж 480 Подписио ипогра 1 ьип, пр. Сапунова, 2 катель 31 с роликом 32 через кулачок 33 связан с ручкой 34. Корпус установки закреплен на основанииУстановка может работать в двух...

Номер патента: 273175

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Золотухин, Цветков, Шустов

МПК: C30B 29/22, C30B 7/00

Метки: вырашивания, искусственных, кальцита, кристаллов, оптического, шихты

...искусственных кристаллов оптического кальцита путем использования всех отходов от обогащения и обработки естественных кристаллов оптического кальцита, полученных из одного месторождения.Основным недостатком известного способа является невозможность обеспечения химической и оптической однородности выращиваемого кристалла.Для устранения этого предложено исходную шихту обогащать материалом из пирамид роста граней одной простой формы,П р и м е р. Из кристаллов месторождения Крутое вырезают, пластины, нормальные к оптической оси, плоскости пластин полируют. Пластины просматривают при помощи люминоскопа, в котором ультрафиолетовые лучи, образованные лампой БУВ, пропускают через фильтр из стекла УФС, поглощающий видимое излучение.Объем...

Номер патента: 273183

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Голосова, Рожанский

МПК: C01G 23/047

Метки: кристаллов, рутила

...рас- С/мик до темвоздухе, Приз способствует х кристалл 25 мк; повер Способ получения кристаллов рутил створа Т 1 О в расплаве буры, отлика тем, что, с целью получения кристал средним диаметром 15 - 20 мк и отно длины к диаметру более 30, процесс ве концентрации Т 1 О 2, равной 10 - 20 вес. пературе 1000 - 1100 С с последующим дением до температуры 400 в 5 С со стью 5 - 10 С/мик. а из раюи 1 ийся лов со шением дут при %, тем- охлаж- скороИзобретение относится к области получения кристаллов рутила.Известен способ получения кристаллов рутила из раствора Т 10 в расплаве буры при повышенной температуре, концентрации Т 10 ь 5 равной 10 - 15 вес. %, с последующим охлаждением со скоростью 0,5 С/час и более.Целью изобретения является получение...

Номер патента: 280449

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Сабуренков, Штернберг

МПК: B01J 3/04, C30B 7/10

Метки: автоклав, выращивания, гидротермальныхусловиях, кристаллов, синтеза, соединений, химических

...изображено предложенное устройство, общий вид. Автоклав состоит из многослойного корпуса, собраннного из конических, впрессованных друг в друга втулок (1 - .т) 1-1 а наружной поверхности внутренней втулки Л нарезана винтовая канавка для прохождения охлаждающей установку воды. В центральном канале втулки 8 помещен нагреватель 4 (вкладыш). В нижней части автоклава имеется обтюратор затвора 5 с резиновым и медным уплотнительным кольцами. Через этот оотюратор пропущена опаянная серебрянымприпоем термопара б.Обтюратор 5 подпирается нажимной гайкой 7, Автоклав легко поворачивается вокруг5 своей Оси.Автоклав поворачивают обтюратором 5вверх, отвинчивают нажимную гайку 7 и извлекают обтюратор. В нагреватель 4 помещаюттермопару б с...

Номер патента: 284981

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Акуленок, Багдасаров, Байков, Говорков, Ильин, Институт, Классен, Лобачев, Рогов, Специальное, Федоров, Хаимов, Чернышева, Яшин

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: корунда, кристаллов, механически, обработанных, повышения, прочности

...из них изделий.Однако во время дальнейшего иапользования полученных изделий, например в качестве часовых камней, наблюдается большой покол их вследствие образования на поверхности при механической обработке аморфного наклепанного,слоя, содержащего царапины и микротрещины, которые значительно снижают ,прочность изделий из кристаллов корунда.Для повышения выхода качественньох механически обработанных изделий из кристаллсв корунда предлагается термообработку последних проводить в замкнутом объеме жаростойкого контейнера, например из лейкосапфира при 1200 - 1300 С в течение 0,5 - 1 час со скоростью нагрева и охлаждения 400 - 500 град/час при вакууме приблизительно 5 10 з мм рт. ст.П р и м е р. Механически обработанные изделия из...

Номер патента: 286284

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Глазов, Ленинградский

МПК: G01B 9/10, G01C 11/02

Метки: граней, координат, кристаллов, фотогониометрическое

...на торце кристаллодержатсля б кристалла 8 с фокусом зеркала 8.Центрировка и юстировка кристалла 8 осу ществляются либо перемещением зеркала, либо приспособлением б. Для обеспечения точного совмещения кристалла с фокусом зеркала на оптической схеме 1 предусмотрен стопор 9, На фотопленку Р попадают только пзоб раисения граней после отражения от зеркала8. Все другие отражения, в частности после отражения от граней с тупыми утлами, попадают на заслонку 7,Если в случае использования только одно го параболического зеркала 8 на фотопленкуР попадают отражения от граней с полярным расстоянием 0 - 45-, то при использовании двух параболических зеркал Зи Т на светочувствительные покрытия Р и Р попадают отра жения от граней в пределах...

Номер патента: 302891

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Геррит, Иностранна, Иностранцы, Филипс

МПК: C01B 31/36

Метки: карборунда, кристаллов

...51 С + 2 СО5 Коаксиальные зоны силиконового карбидас внутренним диаметром 2 м формируются в смеси вокруг нагревательного элемента в течение нескольких часов при повышении температуры до 1900 С. Поскольку смесь не 10 превращается в карборунд в процессе нагрсвания, она служит в качестве теплоизоляции и может быть использована повторно в следующей операции.Опилки в исходной смеси вызывают образо ванне пористой массы карборунда так, чтоокись углерода, образующаяся во время реакции и служащая в качестве защитного газа, может циркулировать сквозь эту массу и, в случае необходимости, может быть удалена, 20 чтобы не допустить повышения давления газа до очень большой величины, В смесь добавляют некоторое количестзо обычной соли для стимулирования...

Номер патента: 303678

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Голубовский, Лифл, Онегин, Салей

МПК: H01L 21/00

Метки: кристаллов, микросхем, подложкам, полупроводниковых, присоединения

...когорьх раз)сща)отс 5 и зякрсп 5)Отся в Опрс;с.П 01 Иоложснии подложки 5. Число сбо(очш(х гисзд раио числу позиций стола. Ня ;(сподиижпом Основании 6 расположспы .(сха- ПИЗМЬ ПОШТУ 11)ОЙ ИОДаИ И ИРИСОСДИПСНИ 5) К,) ИГгалс)ОВ Е ПОДЛ)ОЖКЯ, Ка)(ДЫП 3 К 1 ОРЬ(Х (; сдста 3 ляст сооой кс 1 рстк 3 7, псрс) сща)ощу 10- 51 1303 БРс 1 ТНО-ПОТУаТСЛЬНО и Рс 1 ДИЯ 1 Ы 10.,1 Пс)- ПряиЛС 13 И. Нс 3 Крои(ПТСЙПС 8 Кс 1 рСТКИ унрСПЛС- .Ы и ОПОраХ 9 Кас)СПИЯ ДВЕ рабОЧИС ГОЛОГКИ Иинструментами (1, осуцсствляющис захват ) рИСТс 3 ЛЛОВ, ПСрСИОС И.( и рябо)710 30 у И Ирнсосдипсппс к под,)ож)(ям. Псрссщспис карстки осуществлястся от привода 2. Г 1 одложки : агру)кяотся и соорочпыс гиездя из иякошпстя 1 э. Сьс)1 подложск с присос;псиными ериТаллс)1) И ОСМЩССТВЛ...

Номер патента: 305135

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Блинова, Матусевич

МПК: C01F 7/76

Метки: алюмоаммониевых, квасцов, кристаллов

...продукт, что затрудняет фильтрацию, центрифугирование, промывку и сушку, кроме того, он слеживается при хранении, пылит.С целью получения крупнокристаллического продукта, предлагается в горячий раствор квасцов вводить моющее средство ОКН. Последнее вводят в количестве )0,01%. Способ позволяет укрупнить кристаллы в 1,79 раза.П р и м е р. В раствор алюмоаммониевых квасцов, насыщенный при 50 С и нагретый до 60 С, вводят моющее средство ОКН в количестве 0,01 с/с. Раствор охлаждают при перемешивании до 25 С. Выпавшие кристаллы алюмоаммопиевых квасцов отделяют от маточного раствора, сушат. Средний размер кристаллов составляет 1,03 лл. В табл. 1 приводится гранулометрический состав получаемых кристаллов. Для сравнения проводят кристаллизациюпо...

Номер патента: 310522

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Артемов, Вишневский, Ордена, Павликов, Тресв

МПК: C01F 7/38

Метки: алюминия, кристаллов, окиси

...порошок имеет пластинчатое строение с толщпоной пла. стин 15 - 150 лк.П р п.м е р 2. Шигсту, состоящую пз 60 вес. 0 АзОз, 30 вес. % СаГ и 10 вес % СгОз, подвергают аналоп 1 чной (как в призсаре 1) терхообработке прн техпературах дс 1700 С, дроблени 0 и кислотной обработке в концентрированной соляной кислоте в тече. ние 48 час при 100 оС. Полученный продут представляет сооой хонокристальные пласти310522 Составитель С. Розенфельд Техред 3. Тараненко Рсдактор Н. Корченко Кооректор А. Васильева Заказ 1943/2 Изд.829 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 ны рубина с характерной окрамской. Толщина пластин колеблется от 10 до 100...

Номер патента: 314254

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Зеньков, Лифл, Муп, Онегин

МПК: H01L 21/00

Метки: кассета, кристаллов, полупроводниковых

...для а5 сборки.Цель изобретения - и иориентации кристаллов.Эта цель достигается тем, что плита с гнез.дами выполнена из основания с плоской ра 10 бочей поверхностью и рамки со сквознымигнездами, подвижной относительно основания, перемещение которой ограничено упорами; на двух взаимно перпендикулярных гранях рамки укреплены плоские пружины, под 15 жимающие рамку к граням основания.Благодаря этому кристалл базируется посвопм двум взаимно пересекающимся боковымграням, которые прижимаются к базовым боковым поверхностям гнезд, что значительно20 увеличивает точность ориентации кристаллов.На фиг. 1 и 2 изображена кассета; нафиг, 3 показаны гнезда с кристаллами до ихокончательной ориентации; на фиг. 4 - гнезда с кристаллами после их...

Номер патента: 324219

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Изо

МПК: C01F 11/22

Метки: кристаллов, оптических, флюорита

...получения оптически.; кристаллов флюорита В вакууме и фторировднной атмосфере. При этом в качестве исходно- ГО СЫ)ЬЯ ИСИОЛЬЗУ)ОТ фТО)ИСТЫЙ КДЛЬЦпй С СО- держанием основ)юго всцсствт) 99,98%.Основными нсдостдткдми известного способа я 13 л 5110 тс 51 нс 111 сокйс к 11 Сство 1)лчсннь 1 к кристаллов, д также невозможность использовать в качестве сводного сырья м;исрдлы г)1 дротсрмяльн 1)к 3 с тэрождсний.По предлагаемому способу процесс Ведут В присутствии 1 - -2 всс. % фтористого свпщд. Это позволяет получить качественны кристаллы, снизить стоимость сырья и рдсширить сырьевую базу.П р им с р. В качестве нскодюг;) сырья 1 спользу)от синтетический фторпстый кальций и природныйлдвиковый шпдт с новыиСнным содержанием Г) ВС 1 ЦССТВ 1311 Р...

Номер патента: 334653

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Григорович, Токарев

МПК: B25B 11/00, B65G 47/91, H05K 13/02 ...

Метки: выборки, кристаллов, укладки

...фиг. 2 - крестовина; на фиг. 3 - разрез вакуумного держателя; на фиг. 4 - кинематическая схема устройства.Устройство состоит из крестовины 1 с вакуумными держателями 2, станины 8, вала 4, толкателя 5, верхней пяты б и нижней 7, механизма подъема толкателя, состоящего из рычага 8 и электромагнита 9, 0 привода.При подаче кристаллов в зону выборки, оператор включает электромагнит (см. фиг, 1), 5 который через рычаг 8 и нижнюю пяту 7 воздействует на толкатель, перемещая его вверх вместе с верхней пятой б. Верхняя пята б имеет выступы, количество которых соответствует количеству опускаемых вакуумных держателей 10 (для опускания двух держателей - два выступа, для трех - три и т. д,) и через рычаг 11 (см. фиг. 1, 4) воздействует на вакуумный...

Номер патента: 336772

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бондаренко, Всесою, Колодиева, Фотченков, Шапошников

МПК: H03H 3/00

Метки: качества, кристаллов, пьезокварца

...тангенса угла диэлектрических потерь от содержания в кристаллах пьезокварца неструктурной фазы, определяющей его пьезоэлектрические и радиофизические свойства, в том 5 числе и добротность, причем значение этойтехнературы Т,;, от технологических и других факторов изготовления и обработки образцов не зависит, а определяется лишь коеством неструктурной фазы в кристаллс".0 чем больше неструктурной фазы в кристалле,тем меньше подвижность ионов-релаксаторов, тем больше время релаксации, тем выше температура положения релаксационного максимума Т5 Для определения качества кристаллов могут быть использованы образцы произвольных размеров и формы и произвольной ориентации, так как температурно-частотная диспер сия диэлектрических потерь,...

Номер патента: 340965

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Акиндинов, Даишев, Краснодарский, Люсый

МПК: G01N 33/02

Метки: кристаллов, размера, среднего, утфеле

...содержание межкрпстальнсго раствора, используя для этого цветность желтого сахара и отделенного оттека, Средний размер кристаллов определяют по фор- муле е К - константа стаканчиковои центрифуги устанавливается по результатам центрифугирования искусственных утфелей с известным средним размером кристаллов (с учетом размерностей определяемых величин); Р, - масса отфугованного сахара;р - динамическая вязкость оттека, пз; р - плотность оттека, г/с,из;т - продолжительность центрифугирования;340965 иа 10 Предмет изобретения Составитель Г. ЛошкареваТехред 3. Тараненко Редактор А. Бер Корректор В, Жолудева Заказ 1842/17 Изд.827 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская...

Номер патента: 344395

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Волков, Мельхер

МПК: G01N 15/14, G01W 1/04

Метки: «кристалл», концентрации, кристаллов, льда, облаках, прибор

...размещенным под углом 45 к оси потока, в точке пересечения каналов регистрирующей системы, расположенных взаимно перпендикулярно.На чертеже приведена оптическая схемапредлагаемого прибора.Прибор содержит источник 1 света, конденсор 2, трубу 8 для движения облачного 10 воздуха, оптическую систему 4, светоделительную призму б для формирования потока, призмы Николя б и 7, фотоумножители 8 и 9, электронный узел 10 сравнения и усиления импульсов, узел 11 регистрации.15 С помощью источника 1 света и конденсора 2 формируется световой луч, который освещает световое поле оптической системы 4.Прп движении через трубу 3 облачного воздуха (перпендикулярно к плоскости чертежа) 20 частицы аэрозоля, пролетая световое поле,обуславливают световые...

Номер патента: 345438

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Минас, Научно, Ростовский, Ситников

МПК: G01N 33/38

Метки: давленргт, кристаллов, растущих

...полость в разрезе.Устройство состоит из тонкостенной ци. линдрической полости 1, снабженной измерп. тельной системой и выполненной со штативом 2 и индикатором 8.Тонкостенная цилиндрическая полость(фиг. 2) выполнена с цилиндром 4, стержнем б и фланцем б, укрепленным при помощи болтов 7.Цилиндр 4 и стержень 5рическую полость, в которкристаллы. Эта полость заром через полости 8 и 9. Снизу стержень 5 имеет по центру канал 10, который посредством каналов 11 соединяется с кристаллизационной полостью 12.Устройство работает следующим образом Полость 12 заполняется раствором как че. рез полости 8 и 9 сверху посредством периодической заливки раствора в полость 9, так и снизу посредством постоянного подсоса раствора из ванны подогрева...

Номер патента: 354496

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Осип, Савченко

МПК: H01L 31/16

Метки: деформирования, кристаллов, пластического, типа

...пластичностью кристаллов,Цель достигается за счет того, что на ста дии пластической деформации, осуществляемой с определенной скоростью при заданной температуре, фоточувствительный кристалл облучают двумя источниками света - первичного (с длиной волны в области собственно го поглощения), определяющего дополнительное упрочнение кристалла, и вторичного (с длиной волны в инфракрасной области), приводящего к разупрочнению, величина которого зависит от интенсивности и длины волны 20 вторичного источника.Деформирование осуществляется в закрытой камере на специальной машине. Виды деформации могут быть различными: одноосное сжатие, изгиб, растяжение и т. д, В ка мере поддерживается постоянная температура, при которой для данного...

Номер патента: 388779

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, исследования, кинетики, кристаллов, роста

...9 снабжензатворной крышкой 18 для предотвращения 10 выплескивания жидкой фазы из стакана приего вращении.Кристаллизационный стакан устанавливается на теплоизолирующей прокладке 14 на опоре 15 с ребристыми направляющими 1 б, 15 вращающейся на оси привода 17 со скоростью, достаточной для того, чтобы под действием центробежной силы жидкий расплав образовал вогнутую поверхность параболоида вращения требуемой кривизны.20 Устройство работает следующим образом.Трубчатый кристаллизатор с циркулирующим в нем хладагентом заданного расхода и температуры погружается в исследуемый расплавив. При этом выступы вилочки 7 на кор пупе кристаллизатора 2 входят в шлицы замка 8 корпуса кристаллизационного стакана, соединяя их в единый узел и одновременно...

Номер патента: 392396

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Белоногов, Сердюк, Федин

МПК: G01N 24/10

Метки: кристаллов, магнитноанизотропных, обнаружения

...поля, генератор 5 низкой частоты, питающий модуляционную петлю, ВЧ-тракт б, синхронный детектор 7, самописец 8 и осциллограф 9. ойство работает следующим образом. Катушки модуляции располагают так, чтобы магнитное поле, создаваемое проходящим по ним током, было перпендикулярно приложенному магнитному полю развертки Н. Оптимальная величина протекающего в катушках тока зависит от вида спектра ЭПР: чем шире линии спектра, тем большее модулирующее поле требуется, а, следовательно, и больший ток.С генератора низкой частоты подается опора на синхронный детектор, детектирующий сигнал ЭПР. При одновременной развертке постоянного поля и ВЧ-модуляции магнитное поле, действующее на образец, в любой момент времени является векторной суммой...

Номер патента: 393782

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кириллин, Рыдзевский

МПК: H01L 21/00

Метки: кристаллов, панки, ультразвуковой

...из роликов и соответствующей емусалазкой, затем - между другим роликом идругой салазкой. При этом паяльник 2 поворачивается вокруг осей 16 и 16. Инсгрументы 20также приподнимаются на заданное расстояние (до 5 мм) относительно поверхности ленты 21.После подъема инструментов рычаг 22, установленный на оси 23, поворачивается и черезпалец 24 поворачивает рычаг 26. Стол 17 перемещается в направляющих 26 механизма горизонтальных перемещений 1 до упора 27. Одновременно перемещаются установленная наоси 16 рама 3 и паяльник 2. При этом профильные салазки 4 прокатываются по роликам 12, а инструменты 20 устанавливаютсянад кассетой 28 с кристаллами 29, Рычаг 14перемещается вместе с корпусом 6 относитель.но пяты 13,Дальнейший поворот кулачка 9...

Номер патента: 397218

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авербах, Белов, Галицка, Гнедина, Гольдин, Зиммер, Ковальчук, Кондратенка, Левина, Лухманова, Петрова, Соболевский, Элиасберг

МПК: B01D 9/02, C01G 49/02

Метки: a-feooh, кристаллов

...обладает неудовлстворительными магнитными свойствами.Цель изобретения - получение конечного продукта в виде частиц определенного разме ра. Поставленная цель достигается тем, что процесс ведут в присутствии добавок поверхностно-активных веществ, взятьх в количестве не более 0,1% по отношению к весу образующейся кристаллической фазы. В зависимости от желаемого размера кристаллов мопогидрата окиси н(елеза, поверхностпоактивное вещество 1 ПАВ) вводится в реакр 2. Получают а-ГеООН аналогич 1, но в качестве ПАВ используетль октплового эфира сульфоянтарты, которая вводится в 1 Ма СОз в е 0,001% от веса образующегосяУвел:чепце удельной поверхности порошка прп этом составляет 43%.397218 Составитель Е. Левина Техрсд Т. Курилко Корректор Л,...

Номер патента: 404502

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C01F 7/02, C30B 25/00, C30B 29/20 ...

Метки: а-окиси, кристаллов, нитевидных

...вырастают нитевидные кристаллы окиси алюминия. 15 едмет из ения 1. Сполов а-ок0 тем вдальнейштем, что,сталловпроцесса5 зуют алю2. Спопроцесспаом теричсм0 2200 С. Изобретение относится к способу получеия нитевидных кристаллов а-окиси алюминия, которые могут быть применены для армирования металлических, полимерных и керамических материалов.Известен способ получения нитсвидных кристаллов и-окиси алюминия в атмосфере водорода путем восстановления окиси алюминия с дальсйшим охлаждеисм.Характерной особенностью этого способа является низкая производитсльность.и невысокое качество получаемых кристаллов,С целью повышения качества кристаллов и производительности процесса в качестве восстановителя используют алюминий, Процесс проводят в...

Номер патента: 364047

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Громов, Лобиков, Салон, Стрсменов, Шутилин

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, подготовки, сборке

...после разделения кремниевой пластины3, имеет вид, изображенный на фиг, 3. Каждый кристалл 9, содержащий структуру одноймикросхемы, приклеен к спутнику 1 тонкимпрямоугольным слоем 10 глифталиевого лака.Спутник 1 имеет канавки 11 глубиной0,1 - 0,2 люлс, расположенные с шагом, равньвшагу структур кремниевой пластины, в видекоординатной сетки и образуемые прп резкекремниевой пластины 3 проволочками или специально подготовленные заранее. Спутник 1вместе с приклеенными и разделенными крисгаллами 9 отмывают от продуктов разделешгясинтетическим стиральным порошком в теплойводе и сушат. Защитный слой 4 глпфталневоголака снимают ацетоном. Затем спутник 1 скристаллами 9 устанавливают на установкуавтоматического зондового контроля (фпг. 4).На...

Номер патента: 366086

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: B28D 5/00

Метки: корунда, кристаллов, ориентирования, распиловки, синтетического

...30 к опти ческой оси микротвердость не является максимальной, а алмазно-абразивный инструмент работает тем эффективнее, чем тверже оорабатываемый материал. Следовательно, инструмент,в изсвестном способе работает в тяжелых 1 условиях, что увеличивает усилие резания.Цель изобретения - уменьшить усилие резания и предотвратить сколы и трещины.Достигается это тем, что кристалл разрезают етод углом 60 к главной оптической оси, 2 н опослловалмазщего к руется чертежа го корунда, нап ким-либо изве я направления о м под углом а ивают рубин алм т.ример стным птиче= 60азномет изобретения вки крис- мощью алд углом к ем, что, с и предоталл разрееской оси, ьной тверентирования распило тческого корунда с по ного инструмента по си, отличающийся т ения...

Номер патента: 366516

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Адоньев, Петров, Сапрыкин

МПК: H01L 21/00

Метки: групповой, загрузки, кристаллов, полупроводниковых

...ступенчатый паз. Узел снабжен неподвижным ограничите.лем, образующим при смыкании с отсекателем канал, являющцйся направляющей для подающего кристаллы шибера.5 Для загрузки кристаллов в кассету с вертикальным наполнением,на позиции загрузки установлен подпружиненный упор и толкатсль вертикального перемещения.На чертеже изображено предложенное уст ройство.Устройство снабжено отсекателсм 1 со ступенчатым пазом и неподвижным ограничителем 2, образующим при смыкании с отсекателем канал, вдоль которого движется шцбер 15 8. На позиции загрузки установлена кассета 4с вертикальным накоплением кристаллов, Определенное положение кассеты поддерживается фиксатором 5. Кассета имеет зажцмные конусы о и 7, подпружиненный пружиной 8 20 упор 9 и...

Номер патента: 374531

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Капуров, Кузнецова, Пахомов, Руссова, Сильницка

МПК: G01N 23/207

Метки: дигидрофосфата, калия, кристаллов, несовершенства, структурой

...полученных на нефильтрованном Мок излучении, увеличивается, то это свидетельствует о более высоком совершенстве из- О лучаемых кристаллов.Рассмотрение отношения интегральных интенсивностей 1 (008)/1 (0012) для 42 кристаллов КН 2 Р 04 с примесями в растворе К 1504, Мп 50.1, СцС 1 а, РеСз, К 2 С 04 и с введением в 5 раствор купферона, трилона Б, ЭДТА показывает, что введение в кристалл примесей г е+, Сг+ приводит к уменьшению отношения интегральных интенсивностей отражений (1 (008)/ /1 (0012 до 7 - 8, а более чистые совершен- О ные кристаллы дают отношение этих же пнУгол плоскости 2338 4822 7544 11 О 49 2411 3754 004 008 0012 сильныеочень сильныеслабые Составитель Е. Шульгин Техред Е. БорисоваРедактор Л. Народная Корректор Е....

Номер патента: 380344

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Бирюков, Захаров, Москвец, Мухин, Силаев, Федорук

МПК: C30B 25/16, C30B 29/38, C30B 29/62 ...

Метки: кремния, кристаллов, нитевидных, нитрида, процессом, роста

...волорола в газах на входе и вььх- Ле из реакционной зоны автоматически вы числяется количество пропана, необхолимсголля подлеркания требуемой концентрации вэ- Сп лорола в зоне. Эта величина используется сом лля управления расходом пропана в реакци-, крех онную зову. 25 ходоНа чертеже приведена "схема реализацйпот;ссс пРедлагаемогос Снс 1 еоКса - .:-;:. оптсДатчиком 1 измеряесйт конГФйтрайгиФ"войсс- ": нбцТ рола в азоте на вх;оде в реактор ивводится" вре. ее значение в суммируюсцее устройство 2,:ку 30 Лоро ла вволится также текуьцее значение концент. рации волорола в отходящих газах с помощью датчика концентрации . Суммирующее устройство 2 вычисляет текущее значение концентрации водорода в реакционной зоне, когорое...

Номер патента: 400137

Опубликовано: 25.02.1974

Авторы: Вахндопа, Вители, Лобачсв, Мельников, Триедина

МПК: C30B 29/22, C30B 31/20

Метки: кристаллов, фотохромного

...юв 1,8 0" и/с.,е сск. В тсчси;е 23 члс при 40 С исхОдцып 1:.рпс.1,1 л Окр 11 пп влетел до плотпости .0=2. р е д м с Г 11 3 0 бе т с 1 и;1 1. Способ полного солллп-л,с целПо обсспсПИЯ КРИСТЛ,ЛОВпроцесса, Образта облучлются2. Спосоо почто в кт 1 ествспользуют екесткИ 15 .3. Способ почто в качествепользуют быстр кристаллов фотохром члющцйсл тем, что Озмогкиости возбу 5 кде ., 001 с.;с и процтсци 5 стлллпчсского смилли лмОпим излучец 1 юм.Т Л И Ч: 1 О ИИ 1 С 51 ТС М эующсго излучения ис ктромлгиитие излуче 1 СЦИЛОТЛ и 1 СП 1; В во все Ц) КР 1 цоцизп и. 1, о оппзи ие эле кристалл гидросо 11 зли. а мм помеш,ают в полИзобретение отцоситсл к способам получсция кристаллов фотохромиого содалитл, которые могут использоваться в виде поликриста 1...