Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 1329502

Опубликовано: 23.07.1993

Автор: Лифанов

МПК: G01M 7/00, G01R 31/26, H01L 21/66 ...

Метки: долговечности, кристаллов, однотипных, полупроводниковых

...контра"лируеиой полупроводниковой пластины .3 последняя подвергается осесимметричиой иэгибной деформации. Величинуформируемой нагрузки определяют иподдерживают по уроннкс отклонения луча на экране осцилографа 7, причемс моиента цачяла перемещения цагруО 1)е( ОПОРЫ П)1)В(1)111 Г В ПЕ Т(С" тап ра Гяж)(ь)1 кгх а) (13 м е м( п 1 ц(" пд 8(блок ПЛ прибора Х 1-4( цапасят метки времени через каждые О,с, Брсмцв)1)(ержн 1 контролируемой полупрОГ)ад)Тиковой пластины 3 псл ко)СГрольО)1 нагрузкой до разрушения Определяют путем суммирования метан времени пл протяжении существана)пся линии уровня иагрузки ца ленте гамоп)(сцен 8.11 а этапе формирования цс ра.)рушающпх нагрузок проволочные связи 9 плести)сы, помещенной н цпгрузочцоеустройство,с...

Номер патента: 1828882

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Бороденко, Бурачас, Кухтина, Пирогов, Рыжиков

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Метки: висмута, германата, кристаллов, термообработки

...разрешения согласно ГОСТ 17038-079 и ГОСТ17038.7 79. Затем их помещают в ампулы иэоптического кварца вместе с навесками порошка В 20 з квалификации ос,ч, иэ расче.та 3,3-5,3 г на 1 м объема ампулы. Ампулы-3вакуумируют до остаточного давления 10мм рт.ст, запаивают и помещают в электропечь сопротивления. Печь нагревают в режиме 75-200 град/ч, После достижения1000 + 80" С температуру печи стабилизируют. В изотермическом режиме ампулы выдерживают 0,5-1,0 ч, Охлаждение печиосуществляют, как и в прототипе, сначала соскоростью 50-100 град/ч до 930 + 30 С идалее со скоростью 100-200 град/ч. Прикомнатной температуре ампулы извлекаюти вскрывают. Поверхности сцинтилляторовснова полируют, после чего проводят измерения сцинтилляционных...

Номер патента: 1834921

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Колобов, Юдин

МПК: C30B 29/18, C30B 7/10

Метки: кварца, кристаллов, окрашенных

...красно-фиолетовый оттенок, что приближает кристалл по ювелирной ценности к лучшим сортам природного аметиста. Во втором случае одновременно присутствуют два типа центров желтой окраски. Оттенок в обоих случаях можно варьировать, изменял концентрацию галлия в растворе и дозу облучения.Уменьшение концентрации Ге(ЙОз)з менее 0,5 г/л снижает окислительный потенциал раствора, что приводит к образованию вышеуказанной тоуднорастворимой сили 3+катной фазы и Оэ выводится из раствора. Увеличение концентрации азотнокислого железа свыше 1,5 г/л приводит к тому, что насыщение Оа затрудняется из-за интенз+сивного вхождения железа в кристалл. При концентрации Оа(ИОз)з менее 10 мг/л влияние центров желтой окраски становится малозаметным, а при...

Номер патента: 1834922

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Булавин, Залетаева, Колобов, Юдин

МПК: C30B 29/18, C30B 7/10

Метки: кварца, кристаллов, окрашенных

...1 табл. верхности кристалла, Одновременное вхождениев состав кристалла двухвалентных ионов железа и ионов кобальта обеспечивает сине-зеленую окраску кристаллов кварца. Поскольку указаннь(е ионы входят в состав растущего кристалла кварца неструктурно, то обеспечивается возможность варьированияоттенка кристалла путем изменения концентрации раствора и количественного содержания добавок, Добавки окиси кобальта менее 0,02 г/л не дают ощутимого изменения оттенка зеленого цвета, а при концентрации более 2 г/л окись кобальта перестает растворяться в водном растворе карбоната калия с добавкой карбоната натрия.Получение кристаллов кварца сине-зео цвета возможно при концентрации з от 5 до 10%, Ма 2 СОз от 5 до 15 г/п.зо вводили в виде опилок....

Номер патента: 1835504

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Аудзионис, Бальненис, Левитас, Липавичюс, Марцинкявичюс, Рубиш, Стасюкинас

МПК: G01N 21/21

Метки: активности, анизотропных, зависимости, кристаллов, оптической, температурной

...детектора 9, детектирующий сигнал второй гармоники соединен с выходом фотодетектора 7, Входы делителя 10 напряжений соединены с входом синхронного детектора 8 и с выходом синхронного детектора 9. Выходы задающего генератора 11 соединены с поляриэационным модулятором 3 и с входами опорных сигналов синхронных детекторов 8 и 9. Механизм 12 с блоком управления поворота поляризатора 2 и анализатора 6 механически соединен с поляризатором 2 и анализатором 6. Вход блока 13 выборки-хранения сигнала, пропорционального 4 с выходом делителя 10 напряжений и вход управления блока 13 соединен с одним из выходов блока 12 управления с механизмом поворота поляризатора и анализатора, Вход блока 14 выборки-х 2 оанения сигнала пропорционального(6 з 1 п С...

Номер патента: 2001467

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Астапов, Коломицкий

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых

...что и при первом никелировании,На сплошной слой никеля по обе стороны пластины наносят слой гальванического свинца, Состава ванны свинцевания: свинец борфтористоводородный 220 мл/л, кислота борфтористоводородная 50 мл/л, клей меэдровый 0,5 г/л. Режим свинцевания:температура 18 - 55 С, плотность тока 2 А/дм, напряжение 3 В, отношение поверхности анодной к катодной 2: 1, При выдержке 3 мин получают толщину свинцового покрытия 4 ммк. Пластины промывают также, как и после никелирования и сушат. Пластину с двухслойным металлическим покрытием разделяют алмазной пилой на отдельные кристаллы и обрабатывают в травителе НЕ: НИОэ - 1: 2 в течение 15 с. После снимают верхний слой свинца в растворе Н 202: СНзСООН: Н 20 = 2: 1:1, промывают в...

Номер патента: 2001468

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Астапов, Коломицкий

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых

...ГтсД)1 х и рог )е(дки Б дРО(иэовдпнОЙ БОДГ кс)чсгт 30 и 30 ьвки 10 контролировали омностью Бодн:) протока, котордл должна составлять валии у,е ме 30неа 1 1 О О(, На сплошном слое (икаля с обеих сторон плас сиы (орсл;(От необхг- димьй рисунок иэ 0)торз)стд ФП, Нд 15 ЦРЭД)ЦИ(нс.Пыа фТОГ)ЕЭПСтЕ(Ьа Пола,)Х ОСТИ НДОСЛТ Г/О Гс)л3 Д 3 ,ГСКП О СБ 111 ц д, С 0 с т д Б Р д1 ы с Б и ие Б 3 и и л: (. Б иа ц борфторисгоподород.313 220 мл/л, кислота бортористоводородндл 50 мл/л, клей аэд Г)ОВый 05 Г/л, рР)ким сви 1 ЦГБ 3 Ич тгмг)е -Ггратурд 10 - 25 С, плотность тока 2 А//)л, ндг)я)кгчиа 3 Р, 0(тцГЕе(;( и. (:( с)хнаг;ти энОДНОЙ к кдтОДОЙ 2: , 11(3 30 Рап 1 пы- деГ)жки Б Пана 3 м 11 полудот (,лип)(ОБО 3 25 Пог,ГЫ) ИР ТОЛ(ЦИНОЙ1(3(31. ПЗ);)(;Т(П Ы Пс 0...

Номер патента: 1313027

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: внутренней, выращивания, кристаллов, полостью, профилированных

...затягивается в кдпиппярный эдзар 11 между перфорираззанныл 111 кольцам 10 и кольцом 7формообразоодтеля 3. Полость 6 оказываетСЯ ИЗОПИЗОВД Н НОЙ ПЗ 1 ПО 1 лГЗЩИ ТаКОГ 0 ЖИД костного затвора, по мере роста изделия давление о ней падает, Перепад наружного и внутреннего давления приводит к изменению формы вплоть до полного здхлспывания полосги 6, после чего кольцо 10 пооорачиодется таким образом. чтобы отверстия 9 совпадали с перфорацией 12, Открыва,отся отверстия 9, при этом жидкостный затвор перестает действовать. и процесс выращивания повторяется П р и м е р. Выращивают монокристаллические пробирки из корунда наружного диаметра 8 мм, внутреннего 5 мм, длиной 40 мм, Для получения изделий используют молибденовый тигель диаметром 80 мм ц...

Номер патента: 1438279

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Горшков, Ошуркова

МПК: C30B 7/12

Метки: кристаллов, раствора

...указанных концентраций готовят на прокипя,ченной дистиллированной воде для удаления растворенных газов,Для кристаллизации берут стеклянный кагя 1 аляр П-об 1 знай формь, длины 40-50 см, внутренний диаметр 0,5 - 0,8 мм, наружный 0,1 - 1,5 мм, Заполняют капилляр последовательно ведущим раствором, кристаллизуемым и сопровождающим рас .творами электролитов, Концентрация кристаллизуемого раствора может быть любой, но практически удобнее, чтобы она отличалась от концентрации ведущего не более, чем в 10 раз, Капилляр, заполненный рас- "0 творами, устанавливают концами в электродные сосудь 1 с ведущим и замыкающим растворами электролитов соответственно и пропускают постоянный электрической ток такой величины, чтобы не было локального перегрева и...

Номер патента: 1445270

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Аверин, Данько, Катрич, Качала, Мирошников, Шерафутдинова, Шлее

МПК: C30B 11/00, C30B 29/18

Метки: выращивания, корунда, кристаллов

...проплавление. для чего включают механизм 5 перемещения тигля и со скоростью 100 мм/ч передвигают тигель 4влево до положения, когда часть его носикас затравочным коисталлом окажется в 35зоне нагрева 1 (30 мм затравочного Из приведенных данных видно, что при превышении верхнего и занижении нижнего предельных значений интервала скоро стей выход годного продукта уменьшается,Производительность электропечи при использовании предлагаемого способа увеличивается с 60 кг корунда в год до 80 кг. Материалоемкость технологического про цесса при этом снижается на 25-30,. В коисталла при этом остаются в зоне 3 отжига), В этом положении тигля 4 проводят затравление. Повышают мощность нагревателя 2 до величины, при которой длина зоны расплава в тигле...

Номер патента: 1284281

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Бутинев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, корунда, кристаллов, профилированных

...соображенийвысота Ь равна 0,150радиус а плоского сечения сегмента раРк - 2 Ьвен, где Ь - ширина капиллярного2канала;2 + Ь 2радиус шара г равенУстройство работает следующим образом,Тигель 1 нагревают до температуры плавления сырья 2050 С, На затравку выращивают кристалл 6,П р и м е р, Выращивание моноблока изсапфира диаметром 14 мм.В тигель 1, выполненный из молибденадиаметр тигля 80 мм, высота 80 мм), поме щают исходное сырье в виде отходов корунда Вернейлевского производства, На верхний торец пучка капилляров 2 помещают капиллярный формообразователь в сборе, элементы которого изготовлены из 10 молибдена, Диаметр наружной обечайки 3равен 14 мм. Внутренний элемент 4 капиллярного формообразователя выполняется в виде шарового сегмента...

Номер патента: 1468023

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...полости секций 3 заполняют селенидом цинка и в горизонтальном положении контейнера 1 устанавливают одну на другую в нижнюю кристаллизационную полость 2, после чего контейнер 1 устанавливают вертикально, апитатель 4 заполняют оставшимся селени 5 дом цинка. В рабочем положении контейнера 1 цилиндрическая оськристаллизационной полости секций 3 располагается перпендикулярно направлениюкристаллизации. Загруженный контейнер 110 устанавливают в компрессионной печи нашток механизма возвратно-поступательного перемещения, компрессионную печь герметизируют, вакуумируют, заполняютаргоном. Производят оплавление загрузки15 селенида цинка из питателя 4 в кристаллизационные полости секций 3 при перегреверасплава выше...

Номер патента: 2002745

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Дэвид

МПК: A61K 31/415, C07D 403/06

Метки: гидрохлорида, дигидрата, кристаллов, ондансетрона, размера, уменьшенного

...дигидратгидрохлорида ондансетрона, полученный спомощью кристаллизации, десольватируется с помощью нагревания при 50 С и при 10давлении 100 мм рт,ст, в.течение 24 ч,Процесс десольватации может осуществляться с использованием.или без механического перемешивания (встряхивания).Полученный в результате гидрохлорид 15ондансетрона с уменьшенным размеромкристаллов затем повторно гидратируется(регидратируется) например, путем помещения его в увлажненную атмосферу, например, воздуха или азота при температуре 20окружающей среды, Регидратация обычнопродолжается до тех пор, пока больше небудет увеличения веса,Согласно изобретению кристалличе.ский дигидрат гидрохлорида ондансетрона, 25полученный соответственно изобретениюотличается тем, что...

Номер патента: 2004494

Опубликовано: 15.12.1993

Автор: Лайса

МПК: C01D 3/08, C01D 3/24

Метки: калия, кристаллов, хлористого

...соли дисульфокислоты,Количество дисульфонатного поверхностно-активного вещества в качестве модификатора роста кристаллов является любым которое способствует росту более крупных кристаллов, Предпочтительно зто количество составляет по меньшей мере 25 частей на миллион от активного веса на общий обьем и по меньшей мере 50 миллионных долей. Верхний предел количества дисульфонатного поверхностно-активного вещества, полезного для целей изобретения, может быть зкономическим или функциональным, функциональным верхним пределом является количество, при котором растворимость становится проблемой. Предпочтительно верхний предел составляет не более 4000 миллионных долей, более предпочтительно не более 1000 миллионных долей и наиболее...

Номер патента: 1510411

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Горилецкий, Любинский, Проценко, Радкевич, Эйдельман

МПК: C30B 15/02

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

...обе секции б и 7 нагревателя и расплавляют сырье в тигле 2. Затем соприкасают затравку 14 с расплавом 16, разращивают кристалл 15 по диаметру и вытягивают его в вцсоту при проведении постоянной подпитки измельченным материалом через питатель 8, проходящий через отверстие 1 г экране 9, подвешенном на регулируемых Тягах 10, Подпитывающий материал расплавляется в кольцевой емкости 3, Применение экрана 9 позволяет снизить температуру перегрева расплава, который через отверстия 5 в стенке 4 перетекает в тигель 2. Поток расплава стекает вниз между стенкой тигля 2 и экраном 12 ко дну тигля 2. Преимущества устройства состоят в том, что размещение в тигле экрана позволяет направить поток расплава, текущего из кольцевой емкости, в нижнюю часть...

Номер патента: 1625068

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Загоруйко, Кобзарь-Зленко, Комар

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллов, оптически, прозрачных, селенида, цинка

...в которой показано изменение коэффициента 3 см в зависимости от условийобработки),Это достигается благодаря воздейст 30 вию на образец термических напряжений,расположенных под углом 90 к плоскостиобразца, Расположение боковых нагревателей под прямым углом к центральному обусловливает аналогичное расположение35 градиента температур в полости нагревателей и образующихся термических напряжений в материале кристалла, чтоспособствует противоположному воздействию термических напряжений на разориен 40 тированные по объему кристалласпонтанные напряжения кристаллическойрешетки образца.Проектируя эти точки в систему координат температура (Т, С) - длина (см), получаем точки а, б, в, г, д, е, и т.дсоединяя их между собой, получаем графическую...

Номер патента: 1511979

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Горилецкий, Радкевич, Федько, Эйдельман

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов, распиловки

..."Патент", г, Ужгород. ул.Гагарина 101 Произв Предлагаемое изобретение относится к обработке кристаллов, применяемых, в частности, при изготовлении активных и пассивных оптических элементов ИК-лазеров, сцинтилля цион н ых детекторов, акустических звукопроводов и других изделий, и может быть использовано в химической, электронной, электротехнической, ядерной и оптико.-механической промышленности,Целью предлагаемого изобретения являегся повышение производительности процесса распиловки и снижение потерь кристалла при его раскрое.Способ осуществляется следующим образом. Приводят в движение нить против часовой стрелки, подают воду на вращающуюся нить, сообщают нити колебательные движения с определенной амплитудой и частотой в...

Номер патента: 1157889

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов, Носачев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, кристаллов, селенида, цинка

...мощности устанавливают ширину расплава в графитовом тигле по сплавившемуся порошкообразно 40 последующую повторную кристаллизацию с меньшей скоростью пропускания, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических свойств кристаллов, повторную кристаллизацию ведут при ширине эоны расплава 1,2 - 4,0 см, величине давленияинертного газа, не превышающей кристаллизационное давление, развиваемое рас тущим кристаллом. Формула и зоб рете н и я СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА, включающий плавление исходного материала, его кристаллизацию при пропускании тигля с расплавом через температурный градиент под избыточным давлением инертного газа и му селелиду цинка, которая вначале не должна быть более 2 см. Руководствуясь полученными при...

Номер патента: 1131259

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ путем вытягивания кристалла на затравку из расплава, подаваемого через систему капилляров и формообразующий элемент при контроле процесса по толщине слоя расплава с регулировкой мощности нагрева, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества кристаллов, между системой капилляров и формообразующим элементом создают демпферный слой расплава и контроль процесса ведут по его толщине.

Номер патента: 1153588

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Епифанов, Звягинцев, Коневский, Литвинов, Суздаль

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллов, отжига

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТЖИГА КРИСТАЛЛОВ, содержащее датчик предплавильной температуры, подключенный через программно-временной блок к одному из входов сумматора, к другому входу которого подключена термопара, а выход связан через измерительный и регулирующий блоки с исполнительным блоком, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов за счет более точного поддержания температуры отжига, оно дополнительно содержит блок компенсации переколебаний температуры, входы которого соединены с выходом термопары и вторым выходом программно-временного блока, а выход подключен к одному из входов сумматора.

Номер патента: 1725700

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Загоруйко, Карпова, Комар, Терейковская

МПК: H01L 21/28

Метки: aiibvi, контактных, кристаллов, оптических, поверхности, полупроводниковых, слоев, создания, типа

СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AIIBIV, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25oС, металлический слой наносят при 10 - 15oС путем осаждения серебра из смеси щелочного раствора аммиаката серебра следующего состава, мас. % :Азотнокислое серебро 1,57Гидрат окиси калия (45% -ный) 2,27Водный аммиак (25% -ный) 17,79

Номер патента: 1476980

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Захаров, Мананникова, Черпухина

МПК: C30B 29/18, C30B 33/10

Метки: кварца, кристаллов, травления

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА, включающий травление в растворе, содержащем неорганическую кислоту и нетравящие компоненты при нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения степени шероховатости поверхности, перед травлением кристалл обрабатывают в одном нетравящем компоненте или их смеси при нагреве до температуры в пределах 20oC от температуры травления.

Номер патента: 1187425

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Колесниченко, Мамаев, Михалева

МПК: C07C 257/18

Метки: 5-алкил-2-n-цианфенилпиримидинов, n-цианбензамидина, гидрохлорид, жидких, используемых, качестве, кристаллов, продукта, промежуточного

Гидрохлорид n-цианбензамидина формулыNC C HClв качестве промежуточного продукта для получения 5-алкил-2-n-цианфенилпиримидинов, используемых в качестве жидких кристаллов.

Номер патента: 1503346

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Блистанов, Гераскин, Козлова, Портнов, Розин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/02

Метки: выращивания, гексагональной, иодата, кристаллов, лития, модификации

1. СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ, включающий приготовление водного раствора иодата лития и кристаллизацию на затравку Z-среза заданной формы изотермическим испарением раствора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения объема фантомной области кристалла, затравку берут прямоугольной формы, ограниченной по периметру гранями {1010} и {1120} с соотношением сторон по плоскости {1010} и {1120} не менее 1/ . .2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов в виде пластин, затравку берут с соотношением сторон по плоскости {1010} и { 1120} более 1,5.

Номер патента: 1175186

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Валеев, Глюк, Демина, Мироненко, Михайлов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/34

Метки: берилла, кристаллов, структурой

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ СО СТРУКТУРОЙ БЕРИЛЛА на основе бериллиевого индиалита, включающий нагрев шихты, содержащей оксиды Mg, Be, Al и Si в тигле, кристаллизацию и последующее охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов, оксиды берут в соотношении, соответствующем формуле Mg2-x Be1+x Al2 Si6 O18 где x = 0,00 - 0,45, нагрев ведут до 1450 - 1500oС, а кристаллизацию проводят путем опускания тигля со скоростью 2 - 3 мм/ч через зону с температурой 1360 - 1380oС.

Номер патента: 725504

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: G01N 27/416

Метки: aiibvi, aiiibv, граней, двух, идентификации, крайней, кристаллов, мере, соединений

СПОСОБ ИДЕНТИФИКАЦИИ ГРАНЕЙ ПО КРАЙНЕЙ МЕРЕ ДВУХ КРИСТАЛЛОВ СОЕДИНЕНИЙ AII-BVIи AIII- BV, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, изолируют все грани кристаллов, кроме сравниваемых, поочередно опускают кристаллы вместе с угольным электродом в электролит, измеряют разность потенциалов между неизолированными гранями и угольным электродом, а об идентичности граней двух кристаллов судят по равенству измеренных разностей потенциалов.

Номер патента: 1786762

Опубликовано: 20.02.1995

Авторы: Беляев, Беляева, Кудин, Назаркин

МПК: B28D 5/02

Метки: затравочных, кристаллов

...или образца, Далее корректируют положение слитка разворотом вокруг осей У-У и Х-Х, если величина отклонения плоскости образца от КП не превышает + 3 мин, то слиток разрезают вдоль одной из плоскостей. После этого слиток с пятаком 3 разворачивают вокруг оси У-У, совмещая второ отверстие для фиксации пятака 4 с фиксатором б, Слиток режут, проверяют ориентацию контрольного реза, корректируют положение слитка, если величина отклонения плоскости образца от КП не превышает + 3 мин,1786762 то слИток разрезают вдоль второй плоскости. Разрезанный на затравочные кристаллы 8 (фиг,2) слиток снимают со станка, . отклеивают от пятака. Полученные четырехгранные затравочные кристаллы имеют разориентацию заданного кристаллографического направления от...

Номер патента: 1832913

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Дементьев, Калинин, Максимов

МПК: G01N 21/00

Метки: кристаллов, параметров, электрооптических

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ, содержащее первый оптический канал, включающий источник света, по ходу лучей которого последовательно расположены первый объектив, поляризатор, держатель исследуемого кристалла, анализатора, второй объектив и фотоприемное устройство, два источника напряжения, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и информативности, между первым объективом и поляризатором введен первый фильтр, между анализатором и вторым объектом второй фильтр, а также введены оптически связанные и образующие второй оптический канал последовательно расположенные фотозатвор, первое отражающее зеркало, третий объектив, третий фильтр, второе отражающее зеркало, полупрозрачное зеркало,...

Номер патента: 1496565

Опубликовано: 09.06.1995

Автор: Варламов

МПК: H01L 21/50

Метки: кристаллов, микросборок, монтажа, облуженные, платы

1. СПОСОБ МОНТАЖА КРИСТАЛЛОВ НА ОБЛУЖЕННЫЕ ПЛАТЫ МИКРОСБОРОК, включающий формирование из одного конца микропроволоки шариковых выводов на контактных площадках кристаллов термокомпрессионной сваркой, последующую установку и присоединение выводов кристаллов к плате, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросборок к термоциклическим нагрузкам за счет снижения механических напряжений на границе вывод плата, обрезают второй конец микропроволоки и формируют выводы булавообразной формы.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что наносят кремнеорганический или эпоксидный клей в промежутки между красталлами.

Номер патента: 1798971

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Гринев, Литичевский

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов

...каретки под действием постоянного усилия, направленного в противоположные стороны, раздвигаются помере уменьшения диаметра реза до тогомомента, пока нить не станет по прямой. нити, т,е, обе половинки гибкого замкнутогооргана не соприкоснутся. Гибкий замкнутый орган 5 проходит через водяные бункера 8, смачивается и движется по подвижным Формула изобретенияУСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ;КРИСТАЛЛОВ, включающее раму с кри-сталлодерхсателем, привод кристаллодер-;жателя, гибкий замкнутый режущий ор гэн с механизмом . его натяжения 50установленную на направляющих рамы,каретку, содержащую направляющиепривод гибкого замкнутого режущего,органа и поддерживающие ролики по-следнего, Отличающееся тем, что, с 55целью сокрэщения времени рэсплавки и...