Будаковский

Номер патента: 1037773

Опубликовано: 20.06.1998

Авторы: Будаковский, Нагорная

МПК: G01T 1/202

Метки: n-терфенила, детекторов, монокристаллов, основе, стильбена, сцинтилляционных

Способ изготовления сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов п-терфенила и стильбена, включающий выращивание монокристалла, обработку его и контейнеризацию, отличающийся тем, что, с целью улучшения сцинтилляционных характеристик детекторов, перед контейнеризацией обработанные монокристаллы нагревают со скоростью 1 - 2 град/мин до +60 - 80oC и проводят изотермический отжиг в течение 3 - 5 ч с последующим охлаждением со скоростью 1 - 2 град/мин до комнатной температуры.

Номер патента: 1262998

Опубликовано: 20.05.1998

Авторы: Будаковский, Иванов, Петриченко

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, расплава

Устройство для выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава, включающее вертикальную печь, разделенную горизонтальной диафрагменной перегородкой на две зоны, размещенную внутри печи ампулу для расплава, выполненную в форме цилиндра с коническим дном и снабженную кожухом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов за счет стабилизации положения и формы фронта кристаллизации, устройство снабжено сосудом для хладагента, размещенным в нижней зоне печи, а нижний торец кожуха открыт и погружен в хладагент.

Номер патента: 948171

Опубликовано: 20.05.1998

Авторы: Будаковский, Крайнов, Мнацаканова, Ткаченко

МПК: C30B 11/00, C30B 29/54

Метки: монокристалла, основе, стильбена, сцинтиллятор

1. Сцинтиллятор на основе монокристалла стильбена, отличающийся тем, что, с целью повышения термической и механической прочности и улучшения структурного совершенства, он дополнительно содержит хлоранил в концентрации (0,2 - 1,2) 10-2 мол.%.2. Способ получения сцинтиллятора на основе монокристалла стильбена, включающий направленную кристаллизацию его расплава на ориентированной затравке, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости роста, в расплав дополнительно вводят хлоранил в концентрации 0,05 - 0,3 мол.%.

Номер патента: 1122012

Опубликовано: 20.10.1997

Авторы: Будаковский, Иванов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов

1. Устройство для выращивания монокристаллов направленной кристаллизацией расплава, включающий двухзонную вертикальную печь с диафрагменной перегородкой и установленную внутри печи ампулу для расплава в герметичном кожухе, выполненную в виде цилиндра с коническим дном, отличающееся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов из щелочно-галоидных материалов, дно ампулы размещено на расстоянии 0,4 0,8 ее диаметра от дна кожуха, а отношение ее диаметра к диаметру кожуха 0,8 0,95.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что кожух вакуумирован.

Номер патента: 1226799

Опубликовано: 20.10.1997

Авторы: Будаковский, Мнацаканова, Нагорная

МПК: C07C 15/14, C07C 7/14

Метки: паратерфенила

Способ очистки паратерфенила, включающий фракционирование его, перекристаллизацию из органического растворителя и последующую зонную плавку, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода целевого продукта и сокращения времени очистки, перед зонной плавкой паратерфенил дополнительно подвергают электромагнитному облучению в диапазоне волн ультрафиолетового света, рентгеновского или гамма-излучения и продукт облучения перекристаллизовывают из органического растворителя.

Номер патента: 1835935

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Будаковский, Выдай, Загарий

МПК: G01T 1/20

Метки: детектор, излучений, ионизирующих, сцинтилляционный

...слоя и улучшение адгезииэтого слоя и подложки, Температура ниже313 К.не обеспечивает необходимого механизма пленки роста паратерфенила из-занедостаточной диффузии осажденных частиц, что приводит к неравномерности светового выхода. Низкая температура подложкине обеспечивает также необходимую адгезию пленки и подложки. Температура более323 К приводит к переиспарению паратерфенила с подложки и нарушению процессаосаждения.Используемая температура испарителя353-363 К является оптимальной для испа.ряемого сырья с учетом других физико-технологических параметров напыления,Температура испарителя ниже 353 К необеспечивает необходимую скорость испарения и механизм роста пленок для получения пленок с требуемым световым выходом.Температура...

Номер патента: 1715068

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Андрющенко, Будаковский, Гершун, Грицан, Сотников

МПК: G01T 1/203

Метки: детекторов, монокристаллов, основе, паратерфенила, сцинтилляционных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ ДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПАРАТЕРФЕНИЛА, включающий шлифовку и полировку торцовой поверхности сцинтиллятора со стороны выходного окна, предварительный изотермический отжиг с последующей упаковкой сцинтиллятора в герметичный корпус, отличающийся тем, что, с целью улучшения сцинтилляционных характеристик детекторов и повышения их устойчивости к воздействию механических и климатических нагрузок, полировку поверхности производят олигоорганогидридсилоксаном, а изотермический отжиг сцинтилляторов проводят при 100 - 120oС в течение 2 - 2,5 ч с нанесенным на отполированный торец слоем высокомолекулярного полиорганосилоксанового каучука с молекулярной массой (6 - 9)

Номер патента: 1609315

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Будаковский, Нагорная

МПК: B28D 5/00, G01T 1/30

Метки: активированных, европием, иодида, лития, монокристаллов

СПОСОБ ОБРАБОТКИ АКТИВИРОВАННЫХ ЕВРОПИЕМ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИОДИДА ЛИТИЯ для изготовления сцинтилляционных детекторов, включающий распиловку монокристалла на заготовки с последующей обработкой до требуемых размеров и матировкой торцовой поверхности, отличающийся тем, что, с целью улучшения сцинтилляционных характеристик и уменьшения времени обработки, на боковой и торцовых поверхностях кристалла создают мативированную поверхность путем шлифовки абразивным материалом с величиной зерна 14 - 40 мкм.