Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 741123

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Колеров, Логвинов, Скрябин, Юшин

МПК: G01N 23/205

Метки: анализа, камера, кристаллов, рентгеноструктурного

...и хотя бы в одном из торцов скобы выполнены резьбовые отверстия для крепления технологической пластины,На фиг. 1 показана предложенная камера, осевой разрез; на фиг. 2 - держатель образца; .на фиг. 3 - камера, поперечный разрез; на фиг. 4 -держатель сменных диафрагм. оКамера состоит из разъемного цилиндрического корпуса 1, верхней 2 и нижней 3 крышек, между которыми установлен держатель 4 сменных диафрагм 5. Держатель выполнен в виде пластины со сквоз ным продольным пазом и выемкой для держателя 6 образца, Последний представляет собой С-образную скобу, торцы которой могут быть образованы съемными накладками 7. Плоская внутренняя поверхность 20 накладок служит для поджатия рабочей поверхности образца прижимным винтом 8. Держатель 6...

Номер патента: 742754

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Гарбер, Михайловский, Полтинин, Федорова

МПК: G01N 3/08

Метки: испытания, кристаллов, нитевидных, разрыв

...значению автоионизации газа.Способ осуществляют следующим об- .разом,На вершине нитевидного кристалласоздают сферическое утолщение эасчет его нагрева до температуры поверхностной самодиффузии и выдерживают его при этой температуре до формирования сферического утолщения диаметром Дъ(8 С (зт ), затем кристалл2Ь утолщением помещают в камеру автоионного микроскопа и в присутстниихимически активного газа, например,азота при давЛении10 тор при напряженности электрического поля, равной пороговому значению автоиониэации газа, проводят формиронание атомногладкой поверхности вершины нитевидного кристалла, Затем кристалл разрушают, прикладыная к его вершине на742754 Д Ъ(82 й где б - диаметр рабочей части кристалла;Е - пороговая напряженность...

Номер патента: 746264

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Козма, Маслов, Михайлов, Палатник, Фукс

МПК: G01N 23/207

Метки: кристаллов, неоднородностью, периодической, структуры

...Вгю) +аз + Рзсателлиты2- (8 з - 8 з) (Вз 1+В 1 з+Ви Аг 1) (Ви Вгг - Аи А 1 г)+(А 1 г Ви+Аи В 1 г) (Аз - Аэ 1+Аи Ви)14 Третьи Л;(а ) Зо (ак) З;Ог ) оф е8 и 8 - интенсивность 1-тых сателлитов, распоЛоженных со стороны меньших и большихуглов относительно основного рефлекса,Здесь а Ь, и ак, Р, коэффициенты Фурьеразложения периода решетки и структурной амплитуды соответственно, а 1; иЭо - фукнцииБесселя 1-го и нулевого порядка,Из решения системы уравнений находят коэффициенты Фурье-разложения структурной амплитуды а, 1 Зи периода решетки о Ь и,зная концентрационную зависимость структурной50амплитуды и периода решетки, независимо определяют профиль изменения концентрации какпо коэффициентам а, ф, так и по коэффициентам Ь.При упругой...

Номер патента: 753891

Опубликовано: 07.08.1980

Авторы: Иванов, Лосев, Рощин, Трифонов, Фадеев

МПК: C10G 73/34, G05D 27/00

Метки: кристаллов, парафина, процесса, формирования

...например 38 ОС,В регуляторе б температуры, сигнал, приходящийот термоэлемента 4,сравнивается с заданием, В результате сраннения этих сигналов на выходерегулятора б температуры Формируетсяуправляющий сигнал, который подаютна исполнительный механизм 7. Последний принимает при этом такое положение, при котором изменением потокаохлажденного растворителя стабилизируютзаданную температуру в первойсекции.Поддержание температуры смеси впервой секции на уровне. температурынасыщения способствует фазовому переходу смеси из жидкого состояния всуспензию, в которой твердой фазойявляются, зарождающиеся кристаллы парафина.Сигнал от термоэлемента 5 вводятв регулятор 8 перепада температуры,В регуляторе 8 перепада температуры результат...

Номер патента: 767181

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Демишев, Клеменченок, Лобанова, Назарова, Окатов, Силаева, Стальнов

МПК: C10M 3/02

Метки: жидкость, кристаллов, механической, смазочно-охлаждающая

...Остальное.Лейкосапфир подвергают резке и шлифованию по плоскости. Время резки були на пластрны с суммарной площадью поверхности, равной 100 см 7"8 мин, количество правок инструмента на одну резку 5-6Съем"при шлифовании пластин с суммарной площадью поверхности, равной 50 ммг, 0,1 мм/мин, поверхность по шероховатости относится к классам 8 б 9 а, правка инструмента не требуется. П р и м е р 2, Готовят состав, вес.В:Сополймер акриловойкислоты с тетраллилпентаэритритом 0,75 Гидроксид натрия 0,5 Глицерин 0,05 Вода Остальное Ортоалюминат подвергают полированию по плоскости. При шлиФовании пластин с суммарной площадью поверхности, равной 50 мм , съем20,2 мм/мин, поверхность по шероховатости относитс-.; к классам 8 ба,правка инструмента не...

Номер патента: 768455

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Жижейко, Жмурова, Хаимов-Мальков

МПК: B01J 17/34

Метки: кристаллов, окрашивания, ювелирных

...1. Для того, чтобы бесцветным . исталлам лейкосапфира придать голу)о окраску, соответствующую цвету алю" -кобальтовой шпинели, наносят на ниж:ото часть кристалла полубриллиантовойранки известным способом термического ;пыления слой металлического кобальта ", тщиной 0,3 мм. Затем кристалл подвергаа термообработке на воздухе при темпера)уре 1100 С в течение 30 мин, В результатвердофазной химической реакции)зОз + СО+ /0-.СОА 104 на по- )1)хности кристалла лейкосапфира обра устся слой алтомокобальтовой шпинели, ) торый окрашивает кристалл в голубой ц)тебе. Полученный окрашенный слой устой)цц в ооычных условиях (твердость по 4 оосу - 3, це растворяется в бытовых35)т)слотах и щелочах).Пример 2. Для получения ювелирного :)мня зеленого цвета...

Номер патента: 769415

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Гордиенко, Орлов, Самойлович, Хаджи, Цинобер

МПК: G01N 21/17

Метки: качества, кристаллов, оценки

...измерения оптических и механических характеристик образцов, вырезанных из одного и того же кристалла из основной пирамиды роста кварца - пинакоида и неосновных (вторичных) пирамид роста (например, (+х),- х), (+з) ) показали следующее. Вторичные пирамиды роста обладают большей чувствительностью к условиям роста, а именно изменения любого параметра (пропускание в ультрафиолете или в инфракрасной области, добротность и т. д.) происходят в большем интервале, чем для аналогичных параметров основной пирамиды роста. Это приводит к тому, что оценка качества кристаллов, выросших в разных, но близких условиях, становится невозможной, так как существующие методы оценки (посредством измерения добротности, тангенса угла диэлектрических потерь,...

Номер патента: 780082

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Балюра, Рейнштейн, Шанин, Шатохин

МПК: H01L 21/00

Метки: загрузки, кассету, кристаллов, полупроводниковых, приборов

...предлагаемое устройство; на фиг, 2 - разрезустройства по оси эксцентрикового 6вала (ближний левый стакан с магнитного захвата условно снят)", на Фиг. 353 - увеличенное изображение возможных положений кристаллов на плоскости кассеты,Устройство состбит из,корпуса 1, на котором смонтированы дна эксцентриковых вала 2Платформа 3 с помощью кронштейнов 4 установлена на эксцентриковых валах, На платформе смонтированы шесть магнитных захватов 5, на которые устанавливаются стаканы б. 4 Привод эксцентриковых валов осуществляется электродвигателем 7 через клиноременную передачу 8,9,10 и зубчатые пары 11,12. Кассета 13 с помощью заглушки 14 устанавливается в 50 стакане б,в который навалом насыпаютя переходы 15, 16, 17, В кассете имеются сквозные,...

Номер патента: 790037

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Афанасьев, Каждан, Лифлянд, Свириденко

МПК: H01L 21/00

Метки: кристаллов, присоединения

...55 40 б 5 Узел 12 нагружения выполнен разделенным, двухпозиционным и содержит переключающий механизм 33, выполненный в виде двухсторонней вилки 34 с эаходными элементами 35, закрепленной на каретке 10 вертикального хода питателя 7 и попеременно взаимодействующий с одним иэ двух кулачково-рычажных механизмов - механизм 36 при захвате кристалла из кассеты 4 и механизмом 37 при посадке кристалла на столик 2, Каждый иэ механизмов 36 и 37 состоит из пары рычагов 38 и 39, сочлененных посредством упругих элементов 40 нагружения. Регулировка усилия нагружения производится регулировочным узлом 41 и винтом 42, На рычагах 38 закреплены ролики 43 и 44, которые попеременно при сцеплении с двухсторонней вилкой 34 включают определенный режим...

Номер патента: 792099

Опубликовано: 30.12.1980

Автор: Лебедев

МПК: G01N 21/23

Метки: двупреломления, измерении, кристаллов, параметров, полной, разности, хода

...к точке потолщине слоя. Таким образом, от точки к точке изменяется интенсивностьрассеянного света. Причем период из -менения в образцах с чистым двупреломлением соответствует разности хода в один порядок, Соотношение междумаксимумом,и минимумом интенсивности 5рассеянного света определяется величиной угла между направлением регистрации рассеянного света и главнымиосями тенэора диэлектрической проницаемости, а величина интенсивности щна входе в исследуемый слой - состоянием поляризации света на входе.На чертеже приведена зависимостьинтенсивности рассеянного света 3в слое толщины Ь от координаты Е,совпадающей с направлением просвечивания,Расстояние между минимумами функции 3, (2) соответствует разностихода в один порядок,В случае,...

Номер патента: 804461

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Дерюгин, Никитников

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов, подпятниковиз

...предварительную и окончательную их обработку с получением наружной цилиндрической поверхности и шлифование плоскопараллельных торцов,перпендикулярных образующей цилиндрической поверхности, перед окончательной обработкой наружной цилиндоической поверхности заготовки склеиваютпопарно по торцам, шлифуют внешниеторцы склеенных заготовок с базированием последних по обработанной цилиндрической поверхности, разъединяютсклеенные заготовки и шлифуют необработанные торцы заготовок с базированием по шлифованным торцам.П р и м е р , Из полубулей рубинаизготовляют квадратные заготовки подпятников типа ПКС на камнерезном стан-ке, после чего производят сбивку граней. Затем заготовки склеивают попарно тугоплавкой эмалью Ти сплавляютв муфельной печи...

Номер патента: 809433

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Брюхно, Смирнов

МПК: H01L 21/00

Метки: кристаллов, отбора

...и принимает решение,к какой группе необходимо его отнести, Если кристалл годный, подключают посредством кпапана 9 вакуумк заборнику и воздух доставляет 25 кристалл в стакан 2, а затем в труб"ку 1 и бункер 8, После отключениявакуума передвигают столик, и проверяют качество следующего кристалла, Если кристалл бракованный, ва кумм не подключают и кристалл оста809433 10 Формула изобретения Составитель Л. Гришкова Мермелштайн Техред С.Мигунова Корректор С, Щомо Заказ, 444/7 Тираж 795 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 3035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Филиал ППП фПатент, г. Ужгород, ул. Проектна ется на предметном столике. Такимобразом, сортируют кристаллы на двегруппы без дополнительной...

Номер патента: 819652

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Волков, Гречушников, Севастьянов, Суходольский, Цветков

МПК: G01N 21/87

Метки: исследования, кристаллов, оптическихсвойств

...77 для него совпадало со значением (дт/йч) 77 для сапфирового хладопровода, то комнатная температура не будет достигаться при мощности нагревателя 132 В, т.е. при мощности примерно в восемь раз большей, чемв случае сапфирового хладопровода. Этосоответствует расходу жидкого азота 3 л/ч.При сапфировом же хладопроводе расходжидкого азота равен 0,4 л/ч.Приведенные цифры показывают, чтохладопровод из ионного монокристалла, например сапфира, позволяет перекрыть весьтемпературный диапазон 77 в 3 К при оптимальных условиях, т.е. позволяет получатьна образце 77 К и при сравнительно небольшом расходе жидкого азота достигать комнатной температуры.П р и м е р. Было проведено исследованиеспектров поглощения кристалла александрита (ВеА 1 г...

Номер патента: 841826

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Иваш, Крошинский, Лепетило, Филиппов

МПК: B23K 3/00

Метки: коснованиям, кристаллов, полупроводниковых, приборов, припайки

...2 подачи (Фиг.1) с шагом, кратным шагу перемещения оснований полупроводниковых приборов перед позицией присоединения кристаллов, устройство подачи проволочного припоя состоит из привода 11 шаговых перемещений нагревателя 12 предварительного нагрева, который имеет отверстие 13 для прохода проволоки 14 припоя. Проволока припоя имеет воэможность перемещения на шаг с помощью привода 11 щаговых . перемещений, включающего в себя ролики 15 и 16, установленные с возможностью реверсивного вращения, при этом ролик 15 установлен на валу 17 двигателя шаговых перемещенийа ролик 16 подпружинен к ролику 15 с помощью пружины 18.Установка работает следующим образом.Механизм 2 подачи (Фиг.1) оснований перемещает кассету с основаниями 10 на шаг соГласно...

Номер патента: 678748

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Горина, Калюжная, Киселева, Максимовский, Мамедов, Строганкова

МПК: C30B 1/00

Метки: кристаллов

...перемешинанием расплава при 840 С, выдержку в 40течение 2 ч и снижение температурысо скоростью 30 ц/ч В интервале температур 840-600 С. Затем печь ныкйперают, Йетодом рентгенодифракционного1 епиза устанонленор что синтеэиРо 4ванный материал является однофазными гомогенным по составу, Выращинаниеведут по примеру 1, но со скоростьюОр 2 мм/чо ПолУчают кРисталлыр состоящие из одного или нескольких моно- я)кристаллических блоков, часто с выходом естественных монокристаллических блоков, часто с выходом естестВенной грани (100) на поверхностькристалла, За 4-5 сут, удается вырастить кристалл длиной 20-25 мм идиаметром 15-18 ич, По окончаниипРоцесса ВьрРащинаниЯ пповоДЯт Гомогенизирующий отжиг и течение 2 сут.В той же печи при 500"С.П р и и е...

Номер патента: 860888

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Вайнблат, Воротеляк, Дубенский, Кузаков, Литвинов, Слободкин

МПК: B07B 1/40

Метки: кристаллов, плоских, сортировки

...его части размещены приемные лотки, расположенные под каждой секцией камеры, а лоток подачи сортируемой массы размещен в нижней части барабана.На фиг. 1 изображено устройство, вид сбоку в разрезе; на фиг. 2 показан вид со стороны загрузки в разрезе по оси конфузора; на фиг. 3 показан вид устройства сверху.Устройство для сортировки псталлов содержит сетчатуюверхность в виде барабана 1, вс приводом, лоток 3 подачимассы и камеру 4, соединеннуром 5 вентилятора 2. Камера 4860888 Поиск Заказ 1887/16 Изд.531 Тираж 6 Подписно ипография, пр, Сапунова 3наружной поверхности сетчатого барабана 1 и разделена на секции 6, которые имеют сообщение с каналом конфузора 5 вентилятора 2 и содержат регуляторы разрежения воздуха 7. 5У внутренней поверхности...

Номер патента: 868467

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Анисимов, Лагунов, Лукьянов

МПК: G01N 11/00

Метки: вращательной, вязкости, жидких, коэффициента, кристаллов

...и образующие акустическийканал, генератор, подключенный кизлучающему пьезопреобразователю,измерительный блок, подключенныйк выходу приемного пьезопреобразователя, и регистрирующий блок, оноснабжено дополнительной парой пьезопреобразователей, образующих, акустический канал, направление которогоперпендикулярно направлению акустического канала, образованного первой парой пьезопреобразователей идвумя катушками, установленными вкамере, ггричем оси катушек размещеныпараллельно акустическим каналам,а измерительный блок включает двафазометра, входы первого из которыхсоединены с приемными пьезопреобразователями, входы второго - с катушками и выходом первого, а регистрирующий блок соединен с выходом второго фазометра,Известно, что в...

Номер патента: 873068

Опубликовано: 15.10.1981

Автор: Скупов

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллов, ориентировки

...кристалла на 180в собственной плоскости, фиксациювторого угла отражения исследуемогокристалла, параллельно исследуемомукристаллу на фиксированном расстоянии устанавливают с помощью подпружиненного Фиксатора эталонный крис-:талл в отражающее положение путемповорота обоих кристаллов вокруг .оси дифрактометра, Фиксируют уголотражения, затем поворачивают исследуемый кристалл на 180 в собственоной плоскости, Фиксируют второйугол отражения эталонного кристаллаи определяют угол среза исследуемого кристалла по формуле:0-о Ра. Р2 2где( и а,- углы, соответствующиеположениям отраженияисследуемого кристалладо и после поворота егона 180 в собственнойплоскостии г углы соответствующиеположениям отраженияэталонного кристалладо и после поворота...

Номер патента: 874380

Опубликовано: 23.10.1981

Авторы: Крамаренко, Люкшинов

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов, распиливания, растворимых

...5. Угол поворота, и следовательно, давление нити на кристалл отмечается стрелкой 17 на шкале 18.Нить смачивается водой, заливаемой в бачок 19.Устройство работает следующим образом.На нить 6 надевается ролик 11. В бачок 19 заливается вода. Кристалл 13 крепится на подвижной каретке 2. С помощью микровинта 15, упирающегося в изолированный кронштейн 16, устанавливается необходимое давление нити. Каретку вручную перемещают до тех пор, пока нить не коснется кристалла. К контактам 7 и 8 через реле 12 подключается исполнительный электродвигатель 4 и включается движение нити. Вследствие растворения, влажная часть проникает внутрь кристалла и угол ее наклона 6 уменьшается, Так как щуп 10 постоянно упирается в нить, то подвиж ный контакт 7 отойдет...

Номер патента: 876206

Опубликовано: 30.10.1981

Автор: Вотинов

МПК: B07B 1/22

Метки: кристаллов, отделения, породы, слюды

...а лоток установлен под углом 5-30 ко горизонту. На фиг. 1 изображено устройство,продольный разрез; на фиг.2 - разрезА-А на фиг.1,Устройство включает перфбрированный расположенный горизонтально барабан 1, загрузочный перфорированныйлоток 2, всасывающий воздуховод 3,расположенный внутри барабана 1,3 87620 имеющий сплошную 4 и перфорированную 5 части.Устррйство работает следующим образом.Руда, содержащая кристаллы слюды5 и породу, подается в перфорированный наклонный лоток 2. Перфорация в лотке выполнена с целью отделения класса 20 мм. Кристаллы слюды присасывают ся к перфорированной поверхности вращающегося барабана 1 разрежением, создаваемым всасывающим воздуховодом 3, Низняя часть воздуховода 3 выполнена сплошной, что позволяет...

Номер патента: 876340

Опубликовано: 30.10.1981

Авторы: Герман, Иваш, Лепетило

МПК: B23K 3/00

Метки: группового, кристаллов, основаниям, полупроводниковых, приборов, присоединения

...под губками 16 многопоэиционного ориентатора 17. Механизм 8 загрузки кристаллов в накопитель б выполнен в виде кронштейна 18 с присоской 19 на его конце, который имеет возможность поворота и спускания на каждую площадку 11 накопителя б. В качестве привода поворота применен четырехзвенный кривошипно-короьнсловый механизм, Механизм 7 присоединения кристаллов содержит несколько независиьих друг от друга инструментов 20, число и взаимное расположен ние которых соответствует числу и взаимному расположению площадок 11 накопителя 6. Инструменты 20 закреплены в держателях 21, которые прикреплены к кареткам 22, установ- у ленным с воэможностью вертикальногоперемещения на каретке 23,Установка работает следующимобразом.Механизм 2 подачи...

Номер патента: 878753

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Балан, Евпрев, Засимчук, Козицын, Коробка, Овсиенко, Фомин

МПК: C04B 41/00

Метки: кристаллов, резки, химической

...роликами 24, имеющими на внешних цилиндрических поверхностях кольцевые капиллярпые канавки 25, прорезанные под углом к осп ролика 24.Валики 23 установлены в закрепленных на наружных поверхностях ванн 22 под. шипниках 26 под углом к горизонтальной плоскости, причем верхний торец подшип. никового узла расположен выше уровня травящего раствора в ваннах 22. На валиках 22 закреплены шкивы 27, сопряженные с прикрепленными к каретке 3 гибким тяговым элементом 28. Режущая струна 13 заводится в направляющие гребенки 20 и канавки 25 роликов 24, где она проходит на расстоянии 1 - 2 мм от наружной поверхности роликов 24, не касаясь стенок канавки 25.С помощью груза 15 задается усилие контакта режущей струны 13 и монокристалла. При этом сигнал от...

Номер патента: 882650

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Воротеляк, Вотинов, Еловская, Литвинов, Петров

МПК: B07B 1/40

Метки: кристаллов, отбора, руды, слюды

...щ а я с я тем, что, с цельюпредварительного отбора частиц покрупности, внутри перфорированногобарабана расположен колосниковый грохот,3 На Фиг, 1 изображена предлагаемая установка, вид сбоку, на Фиг. 2 - сечение А-А на фиг.Установка для отбора кристаллов слюды из руды содержит загрузочный лоток 1,перфорированные камеры 2 и 3 барабана, выполненные в виде оболочек усеченных конусов, кольцевой полочный элеватор 4, опорные ролики 5 и 6 барабана. Внутри перфорированного 10 барабана размещен колосниковый качающийся грохот 7, имеющий с одного конца качающуюся опору 8 на шарнирах 9 и 10, а с другого конца - эксцентрик11, установленный на стойке 12, ко торая закреплена на раме 13.Внутри перфорированного барабана также размещены лоток 14 для...

Номер патента: 889439

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Балан, Евпрев, Засимчук, Козицын, Коробка, Овсиенко, Фомин

МПК: B28D 5/06

Метки: кристаллов, резки, химической

...струны 13, стола4 и кристаллодержателя 2 обеспечивается воэможностью поворота стола 4в подшипниковых узлах 16 и 17, установленных на станине 1.Возможны также н другие вариантыосуществления корректировки взаимного положения струны 13 и кристаллодержателя 2. В частности тот же эффект можно получить, если Узел 17с вертикальной осью закрепить накрнсталлодержателе 2,Таким образом, при условии высокой чистоты поверхности контактнойвертикальной плиты, поверхности направляющих гребенок, точности устаковки зазора в гребенках и правильности заполнения ванн травильнымраствором, достигается повышениечистоты поверхности реза, так какпреддагаемое устройство значительноуменьшает относительные смецениямонокристалла и струны в...

Номер патента: 892292

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Анисимов, Лагунов

МПК: G01N 29/00

Метки: акустических, анизотропии, жидких, кристаллов, параметров

...излучателя ч и5 УЗК и два приемника 6 и 7 УЗК, связанных с неподвижной цилиндрическойкамерой 1, два усилителя 8 и 9, входы которых соединены соответственнос приемниками 6 и 7 УЗК, а выходы -с излучателями 4 и 5 УЗК, амплитудный детектор 10, вход которого соединен со входом усилителя 9, а выход - с регулирующим входом усилителя 8, частотомер 11, вход которогосоединен г, выходом усилителя 8, ивольтметр 12, вход которого соединен с выходом амплитудного детектора 10.Устройство работает следующимобразом.При повороте магнита 3 происходитизменение скорости распространенияи коэффициента поглощения УЗК, чтоприводит к изменению частоты автоколебаний и их амплитуды, регистрируемых частотомером 11 и вольтметром 12, Изменившееся вследствие изменения...

Номер патента: 893566

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Булавцев, Вайнблат, Ерин, Кузаков, Федоров

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслоения, слюды

...направляющее.приспособ. ление, выполнено в виде двух параллельно расположенных и вращающихся навстречу друг друту цилиндрических тел, а отбойная плита расположена против линии касания цилиндрических тел. В устройстве плита может быть установлена с возможностью .перемещения относительно цюяндрических тел и изменения угла ее наклона относительно направления движения кристаллов слюдььВНИИПИ Заказ 11344/21Чираж 632 Подписное Филиал ППП "Патент",г,Ужгород, ул,Проектная чу друг другу с помощью привода 6, и раз. груэочное приспособление - транспортер 7. После удара пластины 8 слюды транспортируются на место расколки транспортером 7.Устройство работает следующим образом.Кристаллы 9 по транспортеру 3 и лотку 4 поступают к месту...

Номер патента: 791029

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Несруллаев, Сонин

МПК: G02F 1/13

Метки: гомеотропной, жидких, кристаллов, ориентации, смектических

...гомеотропной ориентации. Затем опорные поверхности склеиваются эпОксидной смолой или клеем ПВА, После высыхания клея плоский капилляр готов к рабо. те. При необходимости многократного получения ориентации плоский капилляр не склеивается, а закрепляется в держателе.Если в качестве опорных поверхностей используются полированные щелочногалоидные монокристаллы К 1, КС 1, КВг, необхо 5 димо их предварительно еще раз непосредственно перед использованием отполироватьсмесью алмазной пасты и глицерина нашелке.Существование гомеотропной ориента 10 ции жидкого кристалла определяется наличием коноскопической картины, наблюдаемой в поляризационный микроскоп прискрещенных поляроидах и введенной линзеБертрана, Степень упорядоченности моле 15...

Номер патента: 905106

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Иванюк, Кузнецов, Торба

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов, обточки, станок

...часть суппортэ 9 имеет шаоиковые направляюшие 10 для обеспечения радиальногоперемещения, резцедержатель 11, скристаллом-алмазом 12 и передачувинт-гайка 13 с приводом от шагового электродвигателя 11. Верхяя частьсуппорта 9 ,оединенэ г платформой8 упругими металлическими планками15. величина прогиба которых Обеспечивает требуемую величину осевогоперемешения суппортэ. Соединенныйс шаговым зле(тродвигателем 16 черезредуктор 1эксцнтри(овый кулачокВЗЭИМОДЕйгтВУЕТ С ВЫгтУПОМвнизу вевхней чэгти суппортэ 9 Об"мотки управления шаговых электродвигателей 1 ч и 16 соединены с выходом делителя частоты 20, а входпоследнего - с генератором электри- ческих колсбэний 21 который представляет собой устройство наэлектронных приборах,...

Номер патента: 910422

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Аптекман, Житницкий, Турко

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов, октаэдрической, ориентации, формы

...укрепленный на нем держатель 2 оправки 3 кристалла М.Корпус 1 имеет плиту 5,наклоненю под углом 15 к его основанию.20 формула изобретения Источники информации,3 принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРй 808330, кл, В 28 О 5/00, 1978 на которой укреплены два коллиматора 6 так, что их оптические оси па-.раллельны. На коллиматорах симметрично относительно держателя 1 кристалла 2 укреплены два отражателя 7, которые перпендикулярны плоскости плиты 5 и составляют с оптическими ося"ми коллиматоров углы 35 д 16, На каждом коллиматоре установлены светофильтр 8 и 9 (левый светофильтры 8желтого цвета, а правый 9 - зеленого цвета). Между коллиматорами наплите 5 укреплен отражатель 10, перпендикулярный основанию корпуса....

Номер патента: 912779

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Быков, Ивченко, Кузнецов

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

....выдержать кристалл без растрескивания. Недостатком . гндроэкструзии является трудность первоначального уппотнения очка матрицы, особенно при сложном профиле экструдата.Известно устройство, реализую способ получения поликристалличес сцинтилляторов иэ ионных монокристаллов 21.В этом устройстве монокристаллическую заготовку помещают в канал контейнера, имеющего на одном конце матрицу, а на другом - жесткий плуни.ер. Нагретая до высоких температур заготовка под действием жесткого плунжера выдавливается через матрицу меньшего поперечного сечения. Полученное методом горячей экструзии иэделие имеет прочность по крайней мере вдвое превышаю. щую исходную, а оптические свойстваЬ 91277гаемом устройстве под действием жидкости высокого давления,...