Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 1013155

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Зверев, Кузнецов, Мурашов, Петрова, Цывин

МПК: B23K 1/20

Метки: корпусами, кристаллов, пайки, полупроводниковых, приборов

...толщине слой стекла, который вдальнейшем выполняет роль припояпри соединении кристалла с основанием корпуса.. Процесс изготовления слоя стеклав этом случае прост, технологичен,универсален, исключает отходы, егопродолжительность не превышает 1020 с и определяется толщиной слоя,концентрацией суспензии и напряжением на электродах,На чертеже показана электро-химическая ячейка для нанесения слоястекла на пластине полупроводника,снабженного сильнолегированным слоем р+ или и+ типа./П р и м е р. В процессе изготовления. структур на пластине 1 из кремния и+ типа с р =7,5 Ом см на обРатной стороне одним из известных методов (диффузия, ионное легирование)создают сильнолегированный слой 2 р+типа с поверхностной концентрациейй =1101...

Номер патента: 1014727

Опубликовано: 30.04.1983

Авторы: Вайнблат, Ерин, Кузаков, Хохлов

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслоения, слюды

...кристаллаи свободного удара их о броневуюплиту 2 .Недостатком этого устройства является невозможность обеспечениядля мелких кристаллов слюды точной ориентации при.их полете и,соответственно, строгого торцовогоудара об отбойную плиту, 40Цель изобретения - повышение качества расслоения кристаллов слюды.Поставленная цель достигаетсятем, что устройство для расслоениякристаллов слюды, гдержащее опорную плиту и размещенные на ней загрузочный лоток, ускоряющее приспособление в виде ротора, установленные за ним направляющие, отбойную плиту и разгрузочный лоток, оно 50снабжено упором, установленным наплите с возможностью его перемещения относительно оси вращения ротора, и фиксатором положения кристаллов слюды, установленным между нижним...

Номер патента: 1017445

Опубликовано: 15.05.1983

Авторы: Веселов, Вьюшкин

МПК: B23K 3/00

Метки: кристаллов, пайки

...содержит нагревательный блок 1, механизм пайки 2, механизм монтажа 3, грейферный механизм 4 и механизм сборки 5. Нагревательный блок содержит направляющие б, между которыми выполнены паэ 7, гребенка 8, и выступ 9, выполненный с внешней стороны направляющих б. Гребенка 8 и 1 леет зубья в виде односто-. ронних двухступенчатых выступов 10 и двустороннего трехступенчатого выс тула 11, а нагревательный блок имеет нагревательний элемент 12. Иеханизкл пайки 2 состоит иэ вертикального полэуна с прижимом 13, а механизм монта.жа 3 включает в себя инструмент 14, который захватывает кристалл 15 из кассеты 16 и монтирует его на керамическую подложку 17.Устройство работает следующим образом.Из механизма загрузки 18 подлож" ки 17 по лотку 19...

Номер патента: 1032376

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Барышевский, Данилов, Феранчук, Шадыро

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, кристаллов, рентгеноструктурного

...при двух различных его ориентациях от" носительно пуаса, и по измеренным 76 2интенсивностям определяют величинуи фазу структурных амплитуд,Способ осуществляют следующимобразом,На исследуемый кристалл направляют пучок заряженных частиц, привзаимодействии которых с периодической решеткой кристалла образуетсяинтенсивное рентгеновское излучение.При этом испускаемое частицами из"лучение имеет пики интенсивности какв угловом,.так и в спектральном распределении, образуя дифракционныйспектр кристалла, Интенсивность излучения в каждом пике пропорциональна квадрату соответствующей, структурной амплитуды, Частота излучения,сосредоточенного в этих пинах, зависит от одного из периодов решеткии угла влета цастиц...

Номер патента: 1033341

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Вайнблат, Ерин, Кузаков, Хохлов

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслоения, слюды

...пластинами слюды, которые сохранились после первого, удара, и полностью отделить пластины друг от друга, превратйв Сййббсвязанное,распушенное тело в набор отдельных слюдяных пластинок, причем направление удара 55 о первую преграду под углом 120-150 позволяет ударившиеся кристаллы удалить с пути движения новых кристаллов, летящих к этой преграде, предохраняя их тем самым от повреждения,60 и направить для повторного удара к дополнительной преграде. Дополнительная преграда расположена под углом 30-бОф к основной преграде, что позволяет осуществить дополнительный удар под углом 90 к дополнительной преграде.На чертеже изображена схема расслоения слюды по предлагаемому спо-. собу.Кристаллы 1 слюды посредством конвейера 2 и загрузочного...

Номер патента: 1038248

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Вайнблат, Кузаков, Мадорский

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслоения, слюды

...со смонтированнымина нем направляющим приспособлениемв виде параллельно расположенныхприводных цилиндрических элементов.и вертикальной отбойной плитой, размещенной напротив линии касания"последних, и разгрузбчное приспособление 2 .. Недостатком известного устройстваявляется невысокая эффективностьрасслоения,Цель изобретения - повышение эффективности расслоения кристалловслюды. фУкаэанная цель достигается тем,что устройство для расслоения кристаллов слюды, содержащее питатель,корпус со смонтированными на немнаправляющим приспособлением в видепараллельно расположенных приводныхцилиндрических элементов, и вертикальной отбойной плитой, размещеный клапан выполнен в вийе подпружиненного штока с демпфером. 2ной напротив линии касания...

Номер патента: 1038984

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Иваш, Лепетило, Мурашко, Черкасов

МПК: H01L 21/50

Метки: кристаллов, основаниям, полупроводниковых, приборов, присоединения

...10 кристаллов расположен под нагревателем 3 механизма 2 подачи основний, поэтому для защиты адгезионного носителя 1 О кристаллов от воздействия температуры нагревателя 3 на тракте механизма 2 подачи оснований между нагоевателем 3 и держателем 9 адгезионного носителя 10 кристаллов закреплен узел30 16 охлаждения адгезионного носителя10 кристаллов, выполненный в виде полого экрана 17 (фиг. 3 ) с прикрепленной к нему коышкой 18 с отверсти" яйи 19 и штуцером 20 для отбора теплого воздуха от адгезионного носителя 1 О (фиг.1 и 2 ) кристаллов 21,Для компенсации возможной температурной и усталостной деформации адгезионного носителя 10 кристаллов держатель 9 адгезионного носителя 40 содержит механизм компенсации деформации адгеэионного носителя...

Номер патента: 1039725

Опубликовано: 07.09.1983

Авторы: Вайнблат, Кузаков, Хохлов

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслоения, слюды

...деловой слюды.Цель изобретения - повышение выхода деловой слюды.Указанная цель достигается тем, что устройство для расслоения кристаллов слюды, включающее последовательно закрепленные на корпусе питатель, параллельно расположенные и вращающиеся навстречу друг другу упругие цилиндрические тела и отбойную плиту, снабжено расположенной под отбойной плитой пневмокамерой, днище которой выполнено в виде наклонной рабочей поверхности с отверстием для подачи воздуха, и классификационной камерой с фильтрами и разгрузочными бункерами, соединенной с пневмокамерой замкнутой воздуховодной системой с нагнетателем и регулятором воздушного потока, направленного от наклонной рабочей поверхности пневмокамеры к отбойной плите и классификационной...

Номер патента: 1049256

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Вайнблат, Кузаков, Леонов, Хохлов

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, линия, поточная, расслоения, слюды, сортировки

...бункером,45причем перфорированная лента верхнимконцом размещена в верхней части основного грохота-эпеватора, а нижним внижней части допопннтепьного грохотаэлеватора, в верхней части которого распопоженверхний конец отводящего лотка,при , этом сопла пневматичесхой камерыраспопожены параппепьно ппоскости пер- .форированной ленты,На фиг. 1 изображена поточная линия, 55общийвиа; на фиг. 2 - часть перфорированной транспортерной ленты с уста. новпенными вдоль ее боковых кромок 286 3воздушными соплами и ограничитепьной стенкой, вид А на фиг. 1.Поточная пиния апя расспоения и сортировки кристаппов спюды состоит иэ транспортера 1, подающего накпонного . потка 2, нижний конец которого примыка" ет к линии хасания вапов ускоряющего...

Номер патента: 1051479

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Богомолов, Бялельдинов, Лактионов, Пилип, Федотов, Филаткин

МПК: G01W 1/00

Метки: кристаллов, ледяных, образования, счета

...при определении количества образовавшихсякристаллов из"эа захвата их потоком 45аитиобледенительной жидкости и возможного падения кристаллов под дейст:вием силы тяжести э камеру предварительного охлаждения,2, Устройство по и, 1, о т л ич а ю ц е е с я тем, что закрылки выполнены из магнитного материала и снабжены установленным сопряженно с ними в эакуумированном кожухе магнитопроводом и установленным снаружи кожуха сопряженно с магнитопроводом электромагнитом, причем магнитопровод и электромагнит выполиены из чередующихся магнитных инемагнитных секций с возможностьюповорота. 3, Устройство по и. 1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, токопроводящие покрытия смесительной камеры выполнены в виде соосных изолированных друг от друга...

Номер патента: 1052955

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Воробьев, Кузнецов, Погребняк

МПК: G01N 23/18

Метки: дефектности, ионных, кристаллов, полупроводниковых

...65 Эти чва процесса ведут к увеличению концентрации позитрончувствительных дефектов, При последующем облучении образца позитронами и измерении параметрой аннигиляции увеличивается относительное число позитронов аннигилирующих с электронами н дефектных местах контролируемого образца. Это ведет к изменению функции импульсного распределения аннигилирующих электроннопозитронных пар, что вызынает соответствукщие изменения параметров аннигиляций. Это позволяет повысить чувствительность метода контроля дефектности материала, Энергия заряженных частиц для предварительного облучения не должна превышать порог смещения атома из регулярного узла решетки контролируемого кристалла, Для ряда бинарных полупроводниковых соединений, таких как 2 л...

Номер патента: 1058782

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Вайнблат, Ерин, Зубрев, Кузаков, Хохлов

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслоения, слюды

...ускоряющего элемента неглубокие разрезы и царапины, приводящиек микроразрывам и вырывам поверхностного слоя, увеличивая его износ,Цель изобретения - повышение надежности работы устройства,Поставленная цель достигается тем, чтов устройстве для расслоения кристалловслюды направляющее приспособление снабжено дополнительно, по крайней мере, одной парой параллельно расположенных цилиндричских тел, причем линии касанияцилиндрических тел дополнительной и основной пар равноудалены от основания корпуса, а передаточное отношение последующей парь 1 по ходу движения кристалловпревышает передаточное отношение предыдущей. 2На чертеже представлена схема устройства для расслоения кристаллов слюды.Устройство состоит из питателя 1, по которому...

Номер патента: 1060654

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Иващенко, Ивонина, Мостославский, Парамонов, Румянцев, Тарыгина, Штейнберг

МПК: C09B 1/16

Метки: 4-диаминоантрахинон-2-карбоксамида, дихроичных, жидких, качестве, красителей, кристаллов, производные

...материал с60 добавкой 1,4-диаминоантрахинон- Й(4-бутилфенил)1 -карбоксамида получают смешением точных навесок известного жидкокристаллического вещества ЗК 807 (смеси н-алкил 65 коксицианбифенилов) - 95 и крля - 5Полученный жидкокристаллический материал помещают в электрическую ячейку, состоящую из двух прозрачных стенок с прозрачными электродами и ориентирующими слоями из поливинилового спирта. Толщина жидкокристаллического материала 10 мкм,исходная ориентация планарна илизаключена на 90 ("твист-структура"),При подаче переменного напряжения5 В на ячейку, ориентация длинных 10осей молекул жидкого кристалла меняется на гомеотропную, при этом исходная ориентация ячейки меняется.Определенные в БКпараметры, ха-рактеризующие...

Номер патента: 1064258

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Дунаев, Дунаева, Иванченко

МПК: G01R 33/18

Метки: анизотропной, исходной, кристаллов, магнитной, многоосных, образцов, стали, текстуры, ферромагнитных, холоднокатаной, электротехнической

...образце, прошедшем высокотемпературный отжиг (1473 К, 2 ч)и отжиг в магнитном поле вдоль оси001, ожидается сильная исходнаямагнитная текстура. Кривая 1 Лоо 3 0),снятая при помощи первого датчика,.показывает, что действительно возникла сильная магнитная текстура спреимущественной ориентацией спонтанной намагниченности вдоль оси 001и при . намагничивании вдоль оси1111 большой объем образца перемагнитился смешением 90 -ных стенокдоменов, что привело к большой магнитострикции.В этом же образце кривая 2 Э 3 Н),снятая при помощи второго датчика,т,е. кривая продольной магнитострикции, совпацает с осью абсцисс.Таким образом, продольная магнитострикция равна нулю. Если судить поэтой магнитострикции, то можно эаклюКчить, что смещений 90 -ных...

Номер патента: 1065507

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Клубович, Михневич, Толочко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, раствора

...пропеллеров.Кроме того, держатель установленс возможностью реверсивного вращенияНа фиг. 1 приведена схема предлагаемого устройства для выращиваниякристаллов из раствора; на Фиг 2 схема движения раствора относительнорастущего кристалла при вращениидержателя против часовой стрелкина Фиг. 3 - схема движения раствораотносительно растущего кристалла привращении держателя по часовой стрелке.Устройство .содержит кристаллнзатор 1 с раствором держатель 2, выполненный с возможностью реверсивного вращения с закрепленным на немрастущим кристаллом 3, зеркальносимметричные пропеллерные мешалки4, закрепленные на оси.держателя 2 65 по обе стороны от растущего кристаЛ ла 3.Устройство работает следующим образом.При вращении держателя 2 вместе с ним...

Номер патента: 1068798

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Варюхин, Егоров, Зубов

МПК: G01N 27/82

Метки: гальваномагнитной, дефектоскопии, кристаллов, проводящих

...по всему объему кристалла, что приводит к сложности определения размеров и расположения отдельных дефектов в кристалле.Целью изобретения является повышение надежности и точности контроля. при Сд= Е Н/е с,где Ф - заряд электрона;Н - напряженность магнитного50поля;,в - масса электрона;с - скорость света.,Причем, чем больше величина со,тем выше точность способа.55 Способ гальваномагнитной дефектоскопии проводящих кристаллов обеспечивает неразрушающий контролькристаллов в электротехнической иприборостроительной проьыаленности. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу галъваномагнитной дефектоскопии проводящих кристаллов, заключающемуся в том, что кристалл помещают в магнитное поле и определяют его электрическое...

Номер патента: 1073108

Опубликовано: 15.02.1984

Автор: Кузаков

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслоения, слюды

...взрыва, соединенное с приводом поворота в виде гидроцилиндра 15. Короб 2 вьп 1 олнен с заслонкой 16 с возможностью сопряжения ее с днигцем 13, которая соединена со стенкой короба 2 посредством шарнира 17 и пружины 18, а также имеет регулируемый ограничитель 19, короб 2 имеет лоток 20, расположенный над транспортером 21, и водосборник 22. Такое выполнение устройства дает кристаллам 7 возможность скользящего движения при выпуске их из взрывной камеры 4 и позволяет избежать ударов друг от друга.Устройство работает следующим образом, Лебедкой 1 открывают люк 12 взрывной камеры 4 и располагают в ней сосуд 5 с жидкостью 6, кристаллами слюды 7 и взрывчатым веществом 8 с инициатором взрыва 9. Для сокращения затрат времени и средств на...

Номер патента: 1073648

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Дутчак, Микитюк, Федышин

МПК: G01N 23/20

Метки: жидких, исследований, кристаллов, кювета, рентгеноструктурных

...жидких кристаллов с помощью рентге новской дифракции и поляризованного сВета, которая состоит из прозрачных монокристаллических кварцевых окон, закрепленных на ,вух пластинах, которые установлены в алюминиевом кор пусе. Зазор между пластинами уплотняется резиной, смазанной высоковакуумной кремниевой смазкой и составляет 0,5 мм. Кювета имеет приспособление для вращения одной из пластин, 40 а также для жидкостного нагревания или охлаждения вещества 3 .Наиболее близкой к предлагаемой по технической сущности является кювета для рентгеноструктурных исследований жидких кристаллов, состоящая из корпуса с отверстием в верхней части и рентгенопроэрачных окон 4 .Недостаток известной кюветы состоит в том, что она не может быть применена для...

Номер патента: 1082777

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Андреев, Титов, Шварцман

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, лития, танталата, травления

...фигур травления на поверхности кристал.лов танталата лития.Цель изобретения - получение контраст.ных фигур травления при контроле степенимонодоменности кристаллов,Поставленная цель достигается тем, что вкачестве органической кислоты используютщавелевую кислоту и обработку ведут при85 - 95 С в течение 13-17 мин при следующем соотношении компонентов смеси, об.%:Блавиковая кислота 31-35Насыщенный прикомнатной температуре растворщавелевой кислотыв азотной кислоте 65 - 69Введение щавелевой кислоты благоприятно изменяет кинетику травления, вследствиечего возрастает степень контрастности фигуртравлеиия. При микроскопическом наблюдении оЭистн разноименных доменов резко отлваиотвя, видны междоменные границы и отдельные хорошо ограниченные ямки....

Номер патента: 1082874

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Баграмян, Туманьян

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, молибдата, полировки, свинца, химической

...обработке кристаллов и может быть использовано для химической полировки монокристаллов иолибдата свинца.(РЬМоО) а также при обработке изделий из кристаллов РЬМо 04,.Известен способ химической полировки,кристаллов молибдата свинца,включающий погружение образца на2-8 г в раствор хромного ангидрида 1 Ов .концентрированной ортофосфориойкислоте с соотношением 1:3 при 40100 С. Согласно данному способу проводят полировку любых граней произвольно ограненного кристалла. 15Недостатки способа - большаяпродолжительность процесса полировки(или малая скорость растворения, вуказанном интервале температур,составляющая,-2 мкм/ч), высокая тем Опература полировки (до 100 С) - приотаких температурах манипуляции собразцом нежелательны, посколькумогут...

Номер патента: 1082875

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Восканян, Геворкян, Туманьян

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, молибдата, полировки, свинца, химической

...соляную кислоту (уд. вес.1,19 г/см) при отношении ее к ортофосфорной кислоте (уд.вес.1,7 г/см,)равном 1:2 (в об.ч.) и процесс ведут при комнатной температуре втечение 3-5 мин.Комнатная температура позволяетвести процесс химического полирования в стабильных условиях, что исключает растрескивание образцовмолибдата свИнца, которое возможнопри незначительных тепловых ударах.Высокая скорость нормального растворения (60-70 мкм/ч) позволяетоперативно вести процесс полировки,время пребывания образца в растворезависит от толщины удаляемого слояс поверхности кристалла,Концентрированная соляная кислота не может быть использована в качестве травителя для кристаллов РЬМоО из-за образования на поверхности образца белого,...

Номер патента: 1082876

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Генкина, Мусаев, Панков, Шитова

МПК: C30B 33/00

Метки: висмута, кристаллов, силиката

...В+ Р дозами 10"ион/смс .энергией 52-100 кэВ, при этом вимплантированном слое происходитструкторное разупорядочение, приводящее к образованию аморфного, слоя. ЗО Обработку производят для улучшенияакустических свойств кристаллов. Данные об изменении оптических характеристик,не приведены ГЗ 3., Однако для просветления кристалловизвестный способ непригоден в результате того, что дозы, которые в немиспользуются ( ф 10 "Ь ион/см), приводят к аморфизации поверхностногослоя. Образование аморфного слояне только не приводит к просветлению кристалла, но и снижает оптичес-.кое пропускание. Основные положения,просветляющей оптики требуют, чтобыглубина слоя, обеспечивающего прос 1 145 ветление, составляла - Л, что дости-,4гается выбором определенной...

Номер патента: 1087844

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Кульша, Науменко, Яковенко

МПК: G01N 21/45

Метки: жидких, кристаллов, показателей, преломления

...по ле2 сИ;где М - округленный до бшжайшего це- лого значения порядок интерференцииед - толщина слоя жидкого кристалла.Для четырех интерференционных экстре. мумов выпсаняются следующие соотнсепения между оптической разностью хода и длиной водныЭгде д р о - толщина пленки жидкого кристалла и его показатель преломления на частоте 4К -порядок интерференции,Разложение дисперсионной формулы 5 Зельмейера дпя показателя преломления в ряд по частотам имеет видргВыражая п и о,через й, и пр и О через О с точностью до 9 р получаем10, (8)Вычитая (7) иэ (8), псаучаем формулу дпяДк дК 25 30 2 Н.где дКК.-"К,- К; йКр= К -КПоястааяяя ее в уравиейие (7 и решая полученное равенство относительно, после подстановки в формулу (4) по лучаем требуемое выражение...

Номер патента: 1089178

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 7/00

Метки: блоков, виннокислого, выращивания, калия, косого, кристаллов, среза

...требуемым образом 1.Пьезоэлектрические резонаторы из крис О таллов виннокислого калия, как правило, ориентированы относительно граней кристалла под различными углами, что необходимо для достижения малого температурного коэффициента частоты. Обычно для того, чтобы вырезать нужного среза кристаллические пластины для резонаторов предварительно вырезают соответственно ориентированный прямоугольный блок, который затем распиливается на пластины. При этом способе получается много отходов кристалла, поэто О му выгодно выращивать кристаллические блоки, ориентированные под нужными углами к граням кристалла.Цель изобретения - облегчение получения кристаллов и улучшения их качества.Указанная цель достигается способом выращивания косого среза из...

Номер патента: 1089676

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Елинский, Зайцев, Приходченко, Токарев

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, носителя, полупроводниковых, растяжения, эластичного

...и фиксации обоймы относительно опорного выступа, снабжено выдвижными базирующими упорами, установленными на обойме, и упругим эле-. ментом, размещенным. между обоймой и основанием, а механизм перемещения и Фиксации обоймы выполнен в виде пневмокамеры, размещенной между обоймой и основанием, причем в обойме выполнены окна и пневмодорожки для перемещения эластичного носителя. На фиг, 1 изображено предлагаемоеустройство, разрез; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг. 3 - разрез А-А на фиг, 2 в положении загрузки на фиг. 4 - разрез Б"Б на фиг, 2.Устройство содержит основание 1 сцилиндрическим) опорным выступом 2, на котором происходит растяжение эластичного носителя 3 полупроводниковых кристаллов 4, выполненного в виде пленки,...

Номер патента: 1094745

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Стафьев, Хохлов

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расщепления, слюды

...кристаллов происходит с одной стороны.Целью изобретения является повышение эффективности расщепления.Поставленная цель достигаетсятем, что устройство для расщеплениякристаллов слюды, содержащее приспо собление для подачи кристаллов, нагреватель, сопло, соединенное посредством трубопровода с источником сжатого газа, и приемный бункер, снабжено установленным в трубопроводевоздушным клапаном и блоком управления, а приспособление для подачи выполнено в виде вертикально установленной гильзы и размещенного в нейстола с приводом вертикальных перемещений, причем сопло и нагревательвыполнены кольцевыми и смонтированына гильзе, а блок управления соединен с приводом стола и воздушным 40клапаном.На чертеже изображено предлагаемое...

Номер патента: 1094746

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Вайнблат, Кузаков, Мадорский

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслоением, слюды

...реверсивного привода, роликовыеупоры, закрепленные на базовой плите,ножевые элементы с электромагнитнымивибраторами, копиры и блок питания,причем копиры через роликовые упоры кинематически соединены с базовойплитой, введены усилитель, дискриминатор и два .тензодатчика, укрепленные на каждом ножевом элементе, каждый из которых выполнен в виде двухстоек с закрепленной на них струной,причем тенэодатчики установлены настойках ножевых элементов и черезусилитель соединены с входом дискриминатораодин выход которогосоединен с реверсивным приводом, адругой выход дискриминатора соединенс электромагнитным вибратором.На фиг. 1 изображено предлагаемоеустройство, вид сверху; на фиг, 2 -разрез по ножевому устройству, дополненный связями с...

Номер патента: 1100541

Опубликовано: 30.06.1984

Автор: Рокос

МПК: G01N 21/41

Метки: анизотропных, кристаллов, рефрактометр

...угол 45 с направлением излучения, отраженного от первого полупрозрачного зеркала, а плоскость поляризации анализатора составляет угол 45 с плоскостью, совпадающей с направлениями излучения, отраженного от первого и второго полупрозрачных зеркал, при этом выход фотоприемника соединен через узкополосный усилитель с входом нуль-индикатора.На фиг, .1 схематически изображено предлагаемое устройство, на фиг. 2 - азимуты оптических осей анизотройных элементов на фиг, 3 -чзависимостЪ сигнала на выходе узкополосного усилителя от угла падения; луча б на исследуемую кристаллическую пластину. Рефрактометр содержит источник 1монохроматического коллимированногоизлучения и расположенные по ходуизлучения поляризатор 2, первое полупрозрачное зеркало 3,...

Номер патента: 1105788

Опубликовано: 30.07.1984

Автор: Кузнецов

МПК: G01N 21/25

Метки: кристаллов, свободной, удельной, энергии

...инфракрасными лучами плошадку 1 х 1 см от осветителя инфракрасного спектрометра ИКС, измеряют отражение относительно плоскости базиса 0011 и получают спектр отражения. Так как поверхность минералане имеет 100-ной зеркальности, тодля учета несовершенства поверхностина последнюю напыляют металлическуюпленку (например, алюминия ) толщиной1-10 10см, которая в точности копирует рельеф поверхности минерала.Такой диапазон обусловлен глубинойпроникновения инфракрасного излучения в металл. При меньших толщинахбудет возрастать доля потерь в вели-.чине отраженного сигнала, Затем отэтой же геометрической площадки, но уже от металлической пленки снова измеряют отражение в том же спектральном диапазоне. После этого по отношениюсигнала в максимуме...

Номер патента: 1114560

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Вайнблат, Ерин, Кузаков

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслоения, слюды

...цель достигается тем, что отбойная плита выполнена в виде набора плоских пластин с различной твердостью, плоскости которых расположены параллельно плоскости полета кристаллов слюды,Кроме того,набор пластин выпопнен в виде чередующихся между собой металлических и резиновых пластин, а толщина последних соответствует заданной толщине получаемых кристаллов слюды.На фиг, 1 изображено устройство для расслоения кристаллов слюды, на фиг. 2 - предлагаемая конструкция отбойной плиты устройства.Устройство содержит корпус 1 с отбойной плитой 2, состоящей из твердых металлических пластин 3, чередующихся с эластич ными резиновыми пластинми 4, смонтиро. ванными на основании 5 посредством крепежно-регулировочных болтов 6, питатель в виде...