Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 418211

Опубликовано: 05.03.1974

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова

МПК: C30B 15/36, C30B 29/06

Метки: выращивания, границами, двойниковыми, кремния, кристаллов, плоскостям

...роста уменьшаются, а ниже плоскостей двойниковаиия растет кристалл с ориентацией 100. ии кристаллов ава ца затраво плоскостям ост кристаллов 10 еющего в попепо площади лографической двойникованиявсегда может 15 выращивание ю затравку с выми границаектора 122 в 20направлению орого она изгозводимо полущие в поперечделенных двой т изобретения ре ащивают вы ральскому на ения разме противопокристаллов кремния с и ио плоскостям (111), сечениях изменяющиес различной кристалСпосоо выращивания войниковыми граница меющих в поперечных я по площади у.астки Изобретение может быть испполучения сложных кристаллдвойниковыми границамиимеюречных сечениях изменяющиесяучастки с различной кристалориентацией.Известно, что при выращиванкремния кристаллизацией...

Номер патента: 421073

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Артынов, Бичев, Золотаревский

МПК: H01L 21/00

Метки: загрузки, кассету, кристаллов, полупроводниковых, приборов

...ца цих для повторения цикла. вакуумцые присосы каждой из рабочих поверхцостей лотка выполцецы автоцомцыми,На чертежике изображена предлагаемое устройство.5 На столе 1 устройства расположены направляющие решетки 2 с отверстиями и прцемциком для кассет 3. Между решетками ца оси 4 укреплен вибролоток 5, с двух стороц которого имеются канавки с гнездами 6, че рез отверстия в которых происходит вакуумцый присос кристаллов. К корпусу вцбролотка через гибкие штапгц 7 ц трехпозцциоццый распределитель 8 присоедццец форвакуумцый цасос 9. Кристаллы насыпаются ца верхшою 15 сторону вибролотка 5. Вибратор включается,ц детали начинают двигаться по поверхности лотка, заполнял гнезда 6. Как только все гнезда заполнятся деталями, распределителем...

Номер патента: 424621

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Зыков, Куликов, Севрук

МПК: B07C 5/12

Метки: кристаллов, сортировки, форме

...сортировки кристаллов по формам, например алмазов, заклочающийся в том, что сравнивают соргируемые кристаллы алмаза с образцами-эталонами и описаниями формы соответствующих подгрупп.Цель изобретения - повышение точности сортировки.Это достигается тем, что измеряют поверхность и объем кристаллов и распределяют их по числам формы, равным отношениао куба полной поверхности к квадрату объема кристалла.Например, для шара число формы Ф=113,04, для ромбододекаэдра Ф=128,88,для октаэдра Ф=137,064, для куба Ф=216, для тетраэдра Ф=373,844 и т. д. Таким образом, форма кристалла с любой скульптурой граней может быть выражена числом формы 5 большим Ф=113,04. Предмет изобретенияСпособ сортировки кристаллов по форме,например алмазов, о тл и ч а ю щп й...

Номер патента: 430877

Опубликовано: 05.06.1974

Авторы: Бел, Всесоюзный, Дунин, Зуева, Лисицына, Шапошников

МПК: C30B 29/18, C30B 7/10

Метки: изменения, кварца, кристаллов, непрозрачного, окраски, природного

...мариона по 15 лучают 100 кг цитрина и 117 кг раухтопаза.Экономический эффект по осветлению217 кг мориона равен 45000 руб. (с вычетом1000 руб. на переработку и 4000 руб, на огранку).20 Предмет изобретения Способ изменения окраски кристаллов непрозрачного природного кварца при высоких температурах и давлениях, отличающийся тем, что, с целью улучшения ювелирных качеств и повышения ценности камня, кристаллы кварца нагревают в 0,2 - 2%-ном растворе карбонатов щелочных металлов до температуры 230 - 320 С и давления 150 - 200 атм,Изобретение относится к способам изменения окраски природных минералов, например кварца (дымчатый кварц, морион и др,) в гидротермальных условиях.Известны способы изменения окраски природных минералов при...

Номер патента: 434952

Опубликовано: 05.07.1974

Авторы: Анохина, Маль, Фетисова

МПК: B01D 9/02

Метки: аппарат, веществ, кристаллов, особо, чистых

...с высокой степенью чистоты, а также создает герметизацию аппарата в рабочем цикле за счет запорного конуса,На чертеже изображен предлагаемый аппарат, продольный разрез.Аппарат имеет фторпластовую термостатированную емкость 1, днище 2, выполоненное в сталк при Преддмет изобретенияАппарат для получения кристаллов особо 30 чистых веществ выпариванием, содержащийтермостатированный корпус с коническим виде конуса, переходящего в отверстие для выгрузки. емкость 1 и крышка 3 стянуты шпильками атосредством фланцев 4. В крылышке смонтированно устройство для выгрузки про дукта. Оно выполнено из фторопласта и состоит из стержня 5 с запорным конусом б, скребка 7 с хвостовиком 8, направляющей втулки 9, тайники 10, фиксатора 11 и ручки 12, Форма...

Номер патента: 435945

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Златкин, Манухин

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, послойного, разделения, слюды

...муфту 2 б - 2 приводит во вращение вал Ь, сланец которого движется по окружносги, описаннои из центра стола 1, 1 ри этом штырь 17, передвигающийся по паЪу в диске 1 о, приводит его во вращение, в результате которого ролики 22 подходят под выступы копира о. Штоки 20, преодолевая сопротивление пружины 19, освобождают прижимы 6, которые под воздеиствием пружин 23 опускаются и прижимают в непосредственной близости от ножа пододвигаемый упором о кристалл к столу 1,3 а промежуток времени, который протекает между началом движения упоров 10 и поджиманием кристалла прижимами 18, упоры продвигая к ножу 3 кристалл, одновременно ориентируют его по отношению к лезвию ножа 3 благодаря имеющейся в передней части упора выемке. 1 ри подходе кристалла к...

Номер патента: 436875

Опубликовано: 25.07.1974

Авторы: Гурин, Козлова, Корсукова, Попов, Терентьева

МПК: C22C 21/00

Метки: алюминидах, кристаллов, металлов, неметаллов, переходных, растворов, твердых, шихта

...Корректор Т, Добровольская Редактор Л, Лашкова Заказ 3475/3 Изд. Уо 83 Тираж б 51 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 3А 1)58 ат. %; Т 1 - А 1 - Я, А 1)63 ат. /о Т 1 - А 1 - С, А 1 ) 74 ат, о/о, Ч (К 1) - А 1 - Я, А 1 - 75 ат. %).П р и м е р 1. Шихта для получения твердого раствора Я с содержанием более 1 вес. /о в ЪА 1 з и 75 ат, /о А 1.Нижние пределы содержания переходного металла и неметалла в шихте на 100 вес. ч.1 А 1 з соответствуют 6 вес, ч. и 0,16 вес, ч. Нижний предел переходного металла 1 Ч - И 1 группы соответствует точке ликвидуса на диаграмме состояния переходный металл - алюминий при применяемой...

Номер патента: 445462

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Бодячевский, Каган, Климовицкий, Липов, Рейтеров, Рубин, Симун, Соколов, Фельдман, Хазанов

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, кристаллов

...устанонне на всей внутренней поверхности печи установлены сенциониронанные нагреватели.На чертеже изображена схема описываемой устанонни, нид сверху.Устанонна содержит нагренатели 1-4 с наждой торионой стороны3тигля и несколько например,три)боковых нагревателей б, тепло-.изоляцив 8 и неподвижный тигель 9Боковые нагреватели управляютормой Фронта кристаллизации засчет регулирования соотношениярадиального и осевого тепловыхпотоков в вристаллизуемом материале. Осевой градиент температуры создают тепловым потоком междуверхним 1,2 и нижними 3,4 торцовыми нагревателями.Установка работает следующимобразом,После загрузки тигля и расплавления материала температурунагревателей 1-7 подбирают так,чтобы обеспечить необходимыйтемпературный...

Номер патента: 446305

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Бабанский, Строителев, Чернышев

МПК: B01J 17/06

Метки: кристаллов, сфалерита

...кристаллов сфалерита из раствора суль фида цинка В расплаве при высокой температуре.Недостатком известного способа является недостаточная интенсив.- ность процесса и несовершенство получаемых кристаллов.Цель изобретения - интенсификация процесса и получение более совершенных кристаллов. Это достигается тем, что по предлагаемому способу процесс ведут из расплава суль ида олова при 980-880 С.азработанныИ способ позволяет получать совершенные кристаллыЯ кубической модификации, что обеспечивает его преимущество перед известным. П р и и е р . В кварцевую .ампулу помещают шихт сульфида оловаи сульфида цинка. улу откачивают до давления 1 О -1 О- мм рт.ст.,5 отпаивают, устанавливают в печь инагревают до 900-95 О С. Охлаждениеампулы ведут со...

Номер патента: 447383

Опубликовано: 25.10.1974

Авторы: Власов, Киселева, Куликова, Рябов, Узикова, Чернышева

МПК: B28D 5/00, C03C 25/68

Метки: кристаллов, поверхности, просветления, рубина

...изобрет ости кристалм травленияотличаюышения степе- осуществляют агревая твернными в него в 1 град/час ерживая при час, а охлажры ведут со Известен способ просветления поверхности рубина, лейкосапфира путем травления при повышенной температуре,Для,повышения степени просветления травление осушествляют расплавом бисульфата калия, нагревая твердый бисульфат калия до 600-1-50 С, выдерживая при данной температуре в течение 1 - 2 час, после чего охлаждают до комнатной температуры со скоростью 60 - 70 град/час, вынимают из печи, промывают кристаллы теплой водой и сушат.После обжига кристаллов рубиновых заготовок в вакууме с их поверхности снимают непрозрачный слой (шубу) толщиной 0,4 - 0,8 мм, Затем в платиновой ,подвеске кристаллы...

Номер патента: 449923

Опубликовано: 15.11.1974

Авторы: Бабенко, Махотило, Онищенко, Тищенко, Фетисова

МПК: C09K 3/00

Метки: жидких, композиция, кристаллов, основе, термохромная, типа, холестерического

...таких составов на какую- либо поверхность образуется термохромпое покрытие, окраска которого меняется вслед за изменением температуры поверхности, проходя весь спектр цветов до полного обесцвечивания, когда температура поверхности становится ниже или выше температурного интервала цветовой гаммы данной смеси,Однако в ряде случаев необходимо сохранить на какое-либо- время цветовую картину поверхности неизменной при изменении температуры подложки, Для этого в холестери. 449923 Составитель И. Горина Редактор В, Новоселова Корректор А, Галахова Техред М, Семенов Заказ 1574(3 Изд,1183 Тираж 678 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография,...

Номер патента: 450587

Опубликовано: 25.11.1974

Авторы: Безматерных, Мащенко, Шварцман

МПК: B01J 17/06

Метки: затравочных, кристаллов, кристаллодержатель

...плоскости спомощью изогнутых теплоотводящихстержней, расположенных ниже плоскости расположения кольца. Такойкристаллодержатель позволяет избежать образования паразитных кристаллов, что обеспечивает его преимущество перед известным.На чертеже изображен предлагаемый кристаллодержатель затравочных кристаллов.Кристаллодержатель состоит иэ о вала 1, изогнутых теплоотводящихстержней 2, кольца 9 с затравочными кристаллами и теплового экранаФе .ЛКристаллодержатель с затравоч ными кристаллами, закрепленными45031 а кольце, вводят в раствор-распгав с неоднородным температурным полем (температура поверхности ниже чем у дна). Так как кольцо укреплено на изогнутых теплоотводящих стерж,нях, выведенных из более горячей области раствора, оно...

Номер патента: 451460

Опубликовано: 30.11.1974

Авторы: Александрова, Липовка

МПК: B01J 17/04

Метки: выращивания, кристаллов, растворов

...образованию паразнтных кристаллов.С целью изменения проходного сеченияв процессе выращивания в предлагаемомустройстЪе крышка снабжена дополнительным подвижным диском, закрепленным соосно с первым, причем оба диска имеютпрорези.Это обеспечивает возмния процесса прн постоян ся конденсата и о ыщенираствора с получе ысого качества.На фиг. 1 изображено предлагаемое 5 устройство; на фиг. 2 - сечение по А-Ана фиг, 1.Устройство держит корпус 1 с крышкой 2, в котор закреплен кристаллодержатель 3, На кристаллодержателе с по мощью втулок крепятся диски 4 и 5. Кор-.пус в верхней части имеет кольцо 6 длясбора конденсата и трубопровод 7 для вывода конденсата из кристаллизатора.Доски 4 и 5 закреплены соосно с воз-.15 мажностью перемещения их...

Номер патента: 451505

Опубликовано: 30.11.1974

Авторы: Никулин, Смирнов

МПК: B23K 1/06

Метки: автомат, кристаллов, напайки

...19 находящиеся в зацеплении в одном случае с зубчатой шестерней 20, а вдругом - для обеспечения вращения магазинов в .противоположных направлениях - с паразитной шестерней 21, На распределительном валу 18 закреплены четыре кулачка 22, которые кинематически связаны с захватами 12, обеспечивающими встречное перемещение ленточных кассет через нагреватель 23 к позиции 24 пайки. При установке магазинов 4 и 5 одно гнездо у каждого остается не заполненным кассетой 7, и эти гнезда устанавливаются так, чтобы в гнездо магазина 4 поступала кассета, прошедшая через нагреватель 23 и позицию 24 пайки из загруженного магазина 5, а в свободное гнездо магазина 5 также 1д через позицию 24 поступала кассета 7. Кожух 25 магазинов предохраняет приборы...

Номер патента: 462120

Опубликовано: 28.02.1975

Автор: Кузнецов

МПК: G01N 21/26

Метки: кристаллов, натяжения, поверхностного, удельной, энергии

...жесткость кристалла и радиус кри- з 0 где Е - жесткость образца,/г - толщина откалываемой пластп Л - радиус кривизны откалываемо стиики.Известный способ является разруша трудоемким, и его нельзя применять к цам малых размеров.С целью ускорения определения снимается ИК-спектр отражения с подобных граней эталонного и исследуемого кристаллов, определяются максимальные коэффициенты отраже. ния кристаллов и рассчитывается удельцая энергия поверхностного натяжения исследуемого кристалла по формуле:ВЕ = - ЕСпособ заключается в следующем.На серийном спектрометре пли спектрофо. тометре устанавливается эталонный кристалл с известной энергией поверяюстного натяжения и определяется максимальное значение коэффициента отражения относительно...

Номер патента: 463053

Опубликовано: 05.03.1975

Авторы: Кабанов, Придатко

МПК: G01N 25/30

Метки: иглообразных, кристаллов, термо-э, хрупких

...электрический контакт кристаллов с электродами обеспечивается графитовыми вкладышами.На чертеже показано предложенное устройство для измерения термо-э,д.с. кристаллов.Иглообразный кристалл 1 закрепляют в углублениях графитовых стержней 2, установленных в электродах: верхнем алюминиевом 3 и нижнем латунном 4. Электроды имеют трубчатые отводы 5 для крепления и подведения термопар к торцам кристалла. Нижний массивный сборный электрод имеет внутреннюю полость н трубчатые вводы 6 и 7 для подачи воды или другой жидкости с целью изменения перепада температур контактов. Электроды разделены цилиндрическим диэлектриком 8 нз тефлона, который является корпусом устройства и обеспечивает электро- изоляцию в любой атмосфере, даже при высокой...

Номер патента: 463467

Опубликовано: 15.03.1975

Авторы: Коневский, Кузнецов, Литвинов

МПК: B01J 17/00

Метки: кристаллов, отжига

...и поэтому при перекосня может привариваться к наружном ласти получения спользовано для аленимет изобретент чается от изстержня, соеческого регуига, жестко ром, опираю 5 Устройство для отжига кристаллов, включающее два контейнера, установленных в полости нагревателя коаксиальцо друг другу, реперцый к 1 зпсталл, служащий датчиком температуры, и стержень, соединенный с систе мой автоматического регулирования температуры отжига, перемещающийся при оплавлении реперного кристалла, отличающееся тем, что, с целью исключения приваривания стержня к внешнему контейнеру и повышения 5 вследствие этого надежности работы устройства, стержень жестко скреплен с внутренним контейнером, дно которого опирается ца реперный кристалл. ристалл...

Номер патента: 463692

Опубликовано: 15.03.1975

Авторы: Вистинь, Горина, Чистяков

МПК: C09K 3/00

Метки: жидких, кристаллов, нематических, стабилизации

...перемешивают расплав (3 - 5 мин) и затем охлаждают до комнатной температуры, не прекращая перемешивания. Полученные таким образом смеси наносят в виде тонкого слоя на предметное стекло и подвергают ультрафиолетовому облучению, Другую часть препаратов помещают в термостат для проведения старения при 75 С. Еще одну часть препаратов подвергают старению в объеме в закрытых сосудах при комнатной температуре на свету в присутствии воздуха.Поникение температуры просветления (Т,) нематического жидкого кристалла в процессе старения в объеме в течение 13 месяцев по сравнению со свежеприготовленным образцом приведено ниже.Понижение463692 4Действие различных добавок на процесссы старения МББА изучено также в очень жестких условиях: открытый...

Номер патента: 463694

Опубликовано: 15.03.1975

Авторы: Вистинь, Горина, Карпов, Кузнецов, Чистяков

МПК: C09K 3/00

Метки: жидких, кристаллизации, кристаллов, холестерических

...период окисления увеличивается в 10 раз по сравнению со смесью без стабилизатора. Худшим является сверхстабильный иминоксильный радикал К. При термостарении порядок следования ингибиторов в ряду активности изменяется, за исключением первого и последнего членов, о чем свидетельствуют данные табл. 2. Предмет изобретения аа 2 ат 63 1 4 уменьшение ингибиробания Таблица 2 Термостарение открытого слоя хопестерической смеси В при 75 С в течение 36 ч1 гхолиди смесь тсмпсра, турпь)й ин т н лте)ьнсртурного интервала нветовой гаммы(нижняп гранина Ойратемисратуп)ый интервал постовой гаммь,зон т. пл,г. п.) тервал постовой гаммы,Составитель Е. ГорловаТехред Т. Курилко Корректор Л, Брахннна 1 ледактор Е. Хорина Заказ 3061 Пзд.а 241 Тираж 740...

Номер патента: 469264

Опубликовано: 30.04.1975

Авторы: Людвиг, Ральф, Хельмут

МПК: C09K 3/00

Метки: жидких, кристаллов, нематических, нормальных, слоев

...-метокси-азоксцбецзола ипара-этил-пара -метоксиазоксцбецзола смешцваются с 12 мг парв-(пвра-метоксияв -фениь- взокси)-бецзойцой кислоты (температура текучести 207 оС), Одна капляэтого раствора, нагретого до температурыо80-100 С, наносится нв прямоугольнуюстеклянную пластпту площадью 50 слл 2, 9 которая покрыта проводящим слоем из двуокиси олова и также нагрета до темпераотуры 80-100 С. На две противоположныестороны стеклянной пластпы цацосятсядистанционные пленки толц 1 иной гд 15 мк 45. из пластмассы, После этого ца первуюпластину накладывают вторую имеющуюаналогичные размеры стеклянную пластину,которая такхе была нагрета . до температуры 80-100 С, а именно таким обо66 разом, чтобы проводящий слой первой пластины был...

Номер патента: 469917

Опубликовано: 05.05.1975

Авторы: Бабаянц, Бойко, Вологин, Иванов, Миренский

МПК: G01N 23/02

Метки: криостат, кристаллов, рентгенографии

...вращения 14 и с контейнером 8, В контейнере выполнена фиксирующая положение держателя 9 образца плоскость 15. Прижим держателя 9 25 к плоскости 15 осуществлен с помощью пружины 16. Для уменьшения теплопритока к образцу со стороны привода 14 держатель 9 соединен с зажимом мембранной пластиной 17. Контейнер 8 и обойма 13 окружены 30 изолирующим слоем 18, в котором выполне.на пробка 19, совпадающая с каналом обоймы 13.Корпус криостата 1 смонтирован на основании 20 с юстировочным механизмом, приспособленным для установки на стандартных дифрактометрах. Предусмотрен нагреватель 21 для предотвращения замерзания окон 2. Также предусмотрены датчики уровня хладагента, двигатель для передачи вращения обойме 13 (не показаны).Устройство работает...

Номер патента: 474725

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Есельсон, Лашков, Удовидченко

МПК: G01N 25/14

Метки: исследования, кристаллов, молекулярных, расширения, теплового

...свойственную емкостным измерениям, в исследованиях теплового расширения и сжимаемости на предложенной установке.На фиг. 1 представлена общая схема предлагаемого устройства; на фиг. 2 - измерительная ячейка; на фиг. 3 графически приведены результаты эксперимента по определению зависимости коэффициента теплового расширения твердого неона с помощью предлагаемого устройства; на фиг. 4 - непосредственно получаемая зависимость частоты генератора, являющейся промежуточной величиной в схеме измерения емкости, от давления в измерительной ячейке.Устройство состоит из криостата 1, в который помещена измерительная ячейка, системы 2 создания и измерения гидростатического давления, присоединяемой к измерительной ячейке, схемы 3 термостатирования и...

Номер патента: 475661

Опубликовано: 30.06.1975

Авторы: Каменев, Лысенко, Шульга

МПК: G11C 11/155, G11C 7/00

Метки: доменами, информации, кристаллов, магнитными, считывания, цилиндрическими

...основанное на эффекте Фарадея, т. е. явлении поворота плоскости поляризации линейно поляризованного света при прохождении его через намагниченную среду. Устройство содержит источник излучения, выполненный в виде светодиода, фокусирующую систему, состоящую из линз, поляризатор, расположенные с одной стороны кристалла, и компенсатор двулучепреломл сипя, анализатор, фокусируюгцую систему пз линз, приемник излучения, выполненный в виде фотодиода, расположенные с другой стороны кристалла.Целью игабаритов у Поставленная цель достигается тем, что фкусирующие системы выполнены в виде коческих световодов (фоконов),На чертеже изображен общий вид предгаемого устройства. от я 1 попадает В2, который фот кон центра цпюзлс света на выходном конце...

Номер патента: 485761

Опубликовано: 30.09.1975

Автор: Карпов

МПК: B01J 17/06

Метки: вертикальной, выращивании, границы, кристаллизацией, кристаллов, направленной, положения, расплава, фаз

...вера кристаллизации и тепрого соответствуют темации и теплопроводности щества.(22) Заявлено 04.01.74 (21) 1982949/23-26 ата опубликования описания 24.12.75 Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано при исследовании процесса направленной кристаллизации для подбора оптитальных параметров режима,В известном устройстве, позволяющем определить положение границы фаз при помощи подвижно установленного по длине ампулы щупа, герметизация внутреннего объема ампулы при необходимости создания высоких давлений и температур затруднительна.,Целью изобретения является обеспечение ВОЗможности определения положения границы фаз в герметичной ампуле с контролируемой газовой средой.Предложенное устройство отличается...

Номер патента: 486780

Опубликовано: 05.10.1975

Автор: Удалов

МПК: B01J 17/18

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава, способу, тигель, чохральского

...с теплопроводностью при температуре, близкой к темгдературе плавления, ниже 6 вти. град, в процессе роста затравка отрывается от поверхности расплава вследствие уменьшения градиента температуры оверху вниз по высоте тигля,Целью изобретения является предотвращение отрыва затравки от расплава за счет создания по высоте тигля одинакового градиента температуры.Поставленная цель достигается выполнением тигля с полостью, имеющей форму конуса с углом между образующей и высотой, равным 22,5 - 45.На чертеже изображгель,Тигель имеет цилиндрическую внешнюю оверхность 1 ц полость .-1 в виде онуса с угом к между образующей ц высотой, равным2 5 - 45. При использовании тигля с углом ным 22,5, чолучают кристаллы СаО (т. пл. 1765 С), с углом 30...

Номер патента: 488271

Опубликовано: 15.10.1975

Авторы: Голубовский, Журавский, Лифлянд

МПК: H01L 7/68

Метки: кристаллов, монтажа, полупроводниковых

...и оппра 1 ощемся ца кулачок 18, прифецлсц электромагнит 19 с упором 20.Привод кулачков 14 и 18 осуществляется от электродвигателя 21 через червячную передачу 22.Устройство работает следующим образом.Кристаллы помещают в загрузочное устройство 23, откуда их пошту о захватывают инструментом 2 и переносят ца позицию монтажа, где сварочная головка 1, укрепленная ца каретке вертикального хода 3, уста 11 авливает кристалл на контактные площадки подложки микросхемы. Перемещение каретки 3 производится рычагом 12, опирающимся на кулачок 14.В момент коцтактирования выводов кристалла с контактными площадками подложки микросхемы на инструмент должно передаваться определенное усилие цагружения, определяемое технологическими факторами (типоразмер...

Номер патента: 488954

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Викман, Гулевич, Тазьба

МПК: F16H 3/00

Метки: выращивания, кристаллов, механизм, перемещения, тигля, устройстве, флюорита

...эгекта,",.тцег,; Му 11 утЕ6 ЦЗИ Этом дГДРа СВОбодного хода 13 вра.цвет гайку в 11 ротивоположном направлении, планетарный редуктор " врадается вхолостую, а винт Э с тиггем 3 быстро подним.аэ Гся.Поедмет изобретения1., Механизм переменения тигля в устройстве дгя выращивания кристаллов фгюоритавключаюгдий червячный редуктор и винтовую пару, о т л и ч а ю ы и й с я тем,. что, с целью более плавного опускания тигля и.;.Скг ючения ручных операций при его подъеме, хвостовикгайкиви 11 товой пары снабжен втулкой с зубчатым вен "омнаходяшнмса в залег:лен фи с са.егнитными ыестернями, смонтированными на червя 1 ном колесе., к втулка связана через эг.ектрома нитную муфту с опорной чавей, которая жестко соединена с хзостовиком гайк,1 эи...

Номер патента: 489025

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Вологин, Комисарин, Миренский

МПК: G01N 23/02

Метки: криостат, кристаллов, рентгенографии

...соплом, для выхода газа,Ны ныружн й поверхности насалки 14 навита электросцирип, 15 для ее подогрева.Описываемое устрой 1 во работает следукэшим образом,Пары хладагечта (эцэоты), обэ 1 эызуюшиеся в результате исп;эреция жидкого азотав сосуде 1, по змеевику 7 поступают в те 1 ъмокамеру 8, Температура газового потокатерм камеи Ь, а саедоьатс лицо, иструи газо, выходящие из двухходовог окоаксиыльного сопла 11 и 12, регулирунэтся с помсшью электроспирыли нагревателя9, помеше)ыо о в потоке газа. Темцерытуры газового потока измеряется термопарой 10, которая яв л етс и датчиком обратнсэй связи систем автоматического регулирования темперы 1 уры потока,Выхоляший из термоквмеры 8 газовыйпоток раздваивается двухходовым коаисиальным соплом...

Номер патента: 491593

Опубликовано: 15.11.1975

Авторы: Ташкер, Шапошников

МПК: C03C 3/06

Метки: выращивания, кварца, кристаллов

...не требует изготовавочных цластиц ц ащеция автоклава,ыращивания кристаллов оренця аморфного кремне та в растворе, напрцмер нця прц повышенных техс последующей крцстал е прц снижении цх, от ем, что, с целью получеьп еского кварца, крцсталлцз чных затравках цз частиц варца размером 0,001 - 0,1 ом отношении к аморфно кристобалиту от 1/100 д м перемсшцваццц. Изобретение относится к областикварца для изготовления оптического вого стекла.Известен способ выращивания монокристаллов кварца из растворов фтористого аммония.Цель изобретения - получение мелких кристаллов кварца, пригодных для непосредственного наплавлеция оптического кварцевого стекла. Достигается это тем, что в автоклав загружается аморфный кремнезем или кристобалит и кварцевые...

Номер патента: 492014

Опубликовано: 15.11.1975

Авторы: Семенов, Токарев, Ярош

МПК: H01L 7/68

Метки: кристаллов, полуавтомат, разбраковки

...направляющие 16; полую втулку 18, жестко закрепленную на столе 1; толкатель 19, расположенный внутри втулки 18; регулировочный винт 20 с контргайкой 21; пружины 22, 23 и 24.Полуавтомат для разбраковки кристаллов работает следующим образом.Перед началом разбраковки кассеты 4, гнезда 5 которых заполнены кристаллами, устаналивают на механизмах 6. В это время поворотное устройство 7 находится в исходном положении.Изображение кристалла, размещенного в гнезде 5 с помощью оптической системы 2 и осветителя 3 передается на экран или в считывающее устройство, откуда в зависимости от результата контроля может поступать сигнал Брак или сигнал Годен. Этими сигналами включаются механизм привода 9 и механизмы 6 перемещения кассет, в результате...