Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 1272205

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Зарембо, Карпачев

МПК: G01N 27/82

Метки: величины, внутреннего, кристаллов, магнитного, магнитоупорядоченных, неоднородности, поля, структуры

...точностью до ЛН. Изменение амплитуды прошедшего импульса А - А(НЦ. аН ь 2, где А, амплитуда вдали от резонанса, А(Н) амплитуда при данном значении поля. Если Р(2) - функция распределения внутреннего поля в направлении распространенна звука, то у(Н) 1 1 А, -А1 с 1 = 2(Н). Обратная функция 2 (Н) дает одномерное распределение внутреннего поля в направлении распространения звука. Таким образом, способ заключается в определении с помощью акустической волны и линейно меняющегося магнитного поля спектра магнитоакустического резонатора (зависимости амплитуды прошедшего импульса от внешнего поля А(Н), интегрировании этого спектра и определении обратной функции, представляющей собой распределение внутреннего поля на половине длины кристалла....

Номер патента: 257479

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Лунченкова, Савченко

МПК: B01D 9/02, C01F 7/34

Метки: алюминия, гидроокиси, кристаллов

...способом получают кристаллы требуемого дисперсного состава.30Резкое изменение дисперсного состава начинается с появления в определенный, сравнительно короткий промежуток времени большого числа мелких частичек (зародышей). 35Предпосылкой этому служит постепенное снижение содержания фракций - 10 мк - в затравке, Обладая в момент образования незначительным весом (практически не улавливаемым при ве совых методах анализа), мелкие частицы быстро растут и вызывают изменение весового соотношения между всеми фракциями. Для стабилизации этого 2соотношения необходимо при недостатке числа частиц размером меньше 10 мквводить в затравку или в головнойдекомпозер специально полученные мелкие кристаллы, а при избытке - выводить,П р и м е...

Номер патента: 1274889

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Зак, Лепешкин, Нижник, Соловьев

МПК: B23K 31/02

Метки: гибридно-интегральных, кристаллов, монтажа, платы, полевых, схем, транзисторов

...площадке затвора 1 наемкостях С и С индуцируется заряд, практически равный по величи 5 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 не напряжению сварочного импульса,т.е. на контактных площадках стока4 и истока 5 появляется заряд обратной полярности по отношению к затвору. При последующей сварке истокового или стокового выводов наличиена контактных площадках истока илистока потенциала обратной полярности снижает уровень итогового потенциала области исток - сток, эа счетчего снижается вероятность пробояпереходов исток - затвор и стокзатвор,П р и м е р, Проводили монтажкристаллов СВЧ полевых транзисторовна полосковую плату иэ поликора толщиной 0,5 мм с нанесенными на нее методами тонкопленочной технологии полосковыми линиями, контактными площадками и...

Номер патента: 1276965

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Вацеба, Клим, Романюк, Федорив

МПК: G01N 22/00

Метки: кристаллов, сегнетоэлектрических, униполярности

...в следующем.11 рикладывают вдоль сегнетоэлектрического направления сегнетоэлектрических кристаллов квазистационарное электрическое поле одного направления, регистрируют интенсивность собственного электромагнитного излучения, воэникакяцего при переполяриэации всех доменов, ориентированных противоположно приложенному квази- стационарному электрическому полю, затем изменяют направление квазистационарного электрического поля, регистрируют интенсивность собственного электромагнитного излучения, возникающего при переполяризации всех доменов и по величине отношения первого сигнала к второму определяют степень униполярности и знак преимущественного направления поляризации, который соответствует направлению первого из приложенных...

Номер патента: 1278689

Опубликовано: 23.12.1986

Автор: Рокос

МПК: G01N 21/45

Метки: кристаллов, оптических, параметров

...состояниемполяризации, при котором проходитсквозь исследуемый кристалл без изменений, Азимут с.р и эллиптичностьр соответствует собственному вектору Р, при этом выходной сигнал равен нулю (интерференционный членотсутствует). Через схему обратнойсвязи отключают модуляцию эллиптичности на кристалле 3, прекращаютвращение полуволновых пластинок 7и 8 и тем самым фиксируют параметрыЫ и ф луча а,р2. Когда известны параметры собственных векторов, определяют ко 1 о Рэффициент поглощения Х = . -- . Дляэтого включают вращение прерывателя14, который с частотой -1 поочередно прерывает оба луча интерферометра, Величину Хр определяют по ампли"туде выходного сигнала узкополосного усилителя 17, настроенного начастоту о3. Фазовое смещение луча а 1...

Номер патента: 865071

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Большаков, Зенкович, Мистейко, Сегаль

МПК: H01L 21/58

Метки: кристаллов, монтажа, основания

...способ требует затраты значительного времени и не обеспечивает однородное присоединение по всей поверхности кристалла.Известен способ монтажа кристаллов на основании, включающий способ монтажа кристаллов, нагрев основания, совмещение его с кристаллом,нагружение соединяемых элементов и их соединение с подъемно-поперечным перемещением по границе соединения,Недостатком данного способа является большое количество газовых включений и окислов в зоне соединения, что ухудшает его механические и электрические свойства. Кроме того, образование соединения требует значительного времени.Цель изобретения - повышение качества и сокращение .длительности подсоединения. 35Поставленная цель достигается тем, что в способе монтажа кристаллов на...

Номер патента: 965248

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Губич, Лифлянд, Мазаник

МПК: B05C 1/02, H01L 21/70

Метки: гибридных, интегральных, кристаллов, подложки, преимущественно, схем, установки

...механизма подачи и установки кристаллов.Устройство работает следующим образом. 40 45 50 55 На фиг.1 изображено предлагаемое устройство; на фиг.2 - узел Т на фиг.1; на фиг.3 -то же, нанесение клея; на фиг.4 - вид А на Фиг.2.Устройство содержит подвижное основание 1, на котором установлены координатный столик 2 для подложек 3 и координатный столик 4 для кристаллов 5, и механизм 6 для нанесения клея, включающий установленную с возможностью вращения при помощи привода 7 ванночку 8 для клея. Над ванночкой8 для клея неподвижно установленакрышка 9, на которой закреплен скребок 10 для формирования слоя клеяна дне ванночки, установленный с зазором относительно дна ванночки, величину которого можно регулировать. В дне ванночки выполнена кольцевая...

Номер патента: 1290092

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Мкртчян, Рашкович, Шустин

МПК: G01J 9/02

Метки: кристаллов, растворе, роста, характеристик

...на экран телевизора 11 вточке с наименьшим порядком изображения интерференционной картины. 2Сигнал с фотоприемника усиливают усилителем 13,и регистрируют самописцем 14. Сначала по сигналу с фотоприемника регистрируют период Т изменения порядка освещенности во времени и определяют нормальную скорость роста грани кристалла В из о м лы: фруВгде 9 - длина в олны св ета;- показатель преломления раствора.Затем перемещают фотоприемник с областью постоянной освещенности пер пендикулярно интерференционным полосам и регистрируют скорость Ч движения полосы, а по измерениям расстояния между полосами Й определяют наклон вицинальных холмов Р иэ формулы:Р2 пй Предлагаемый способ позволяет одновременно измерять характеристики роста кристалла твид...

Номер патента: 1291856

Опубликовано: 23.02.1987

Авторы: Лудвиг, Ортруд

МПК: G01N 23/20

Метки: кривизны, кристаллов, радиуса

...для исследования несложного устройства, предъявляющего незначительные требования к юстировке, а также простота измерений, оценки результатов, Так как для испытания всего кристалла достаточно построение одной кривой качания, скорость измерения высока, При подборе подходящих эталонных кристаллов возможно высокопроизводительное серийное испытание. Аппаратурные требования по Сравнению с известными двухкристальными дифракционными устройствами незначительны, так как испытание осуществляется только с .точностью до угловых минут (а не угловых секунд). Кривая качания неизогнутого и немозаичного (идеального кристалла) имеет ширину10,1-0,5 . Это осуществляется за счет1291856 применения пучка, расходящегося ввертикальной плоскости, что...

Номер патента: 1296912

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Власенко, Храмцов

МПК: G01N 24/10

Метки: исследования, кристаллов

...проводились с кристаллами чистого высокоомного р-типа с удельным сопротивлением 3000 Ом см. В кристалле создавались дефекты с помощью облучения-квантами. Доза облучениясоставляла 10 з -квантовсм,1 Измерения проводились на стандартном спектрометре ЭПР 3-сантиметрового диапазона. Образцы помещались в резонатор спектрометра, освещались через окно в резонаторе светом лампы накаливания мощностью 100 Вт. В свете лампы накаливания содержатся кванты с энергией, соответствующей ширине запрещенной зоны кремния Е - 1, 1 эВ. Поэтому при освещении образцов таким светом возникала фотопроводимость.Экспериментально было установлено, что интенсивность света следует выбирать так, чтобы обеспечить поток фотонов на образец больше, чем 10 см с , При...

Номер патента: 1318858

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Ангерт, Кальштейн, Резник, Умаров

МПК: G01N 21/41

Метки: кристаллов, показателя, преломления, сегнетоэлектрических

...преломления соотношениями, описывающими законы сохранения волновых векторов и закон сохранения энергии. Для прямолинейного рассеяния этот закон имеет вид 18858 2и ,и ,и - соответствующие им покаоезатели преломления.Рассеяние на высокочастотной поляритонной ветви в кристалле может бытьзарегистрировано при следующих геометриях рассеяния;Х(ЕУ) Х, (а)1 О или У(7 Х)У, (б),где 2 - направление оптической осикристалла.Из (а) и (б) следует, что направ 15 ление рассеяния должно совпадать сосью Х (для поляризации а ) или с осьюУ (для поляризации о). В этом случаепоказатель преломления и являетсяонеобыкновенным пе.20 Из (1) следует, чтооо Ъ + Фп, (и и)+п (2)Фгде и и п - обыкновенные показатели преломления для предельной длины волны...

Номер патента: 1325349

Опубликовано: 23.07.1987

Авторы: Баландин, Ежов, Киреев, Пасечник

МПК: G01N 29/00

Метки: жидких, кристаллов, параметров, физико-механических

...Поворачивают вектор Н на уголв плоскости измерений и измеряют изменениеА ампли- зо туды принятых колебаний. Затем поворачивают вектор Н на угол Ч ,т,е, измеряют анизотропию 8 диэлектрической проницаемости, т,е, возвращают его в исходное положение и формируют в жидком кристалле электрическое поле с вектором Е напряженности. Электрическое поле формируют так, чтобы вектор Е напряженности лежал в плоскости измерений и образовал с векто ром Н напряженности. угол Ч . После этого увеличивают напряженность электрического поля до тех пор, пока измерение амплитуды принятых УЗ колебаний не примет ранее измеренного значения вА, и измеряют значение достигаемой при этом напряженности Е Анизотропию Ю диамагнитной " восприимчивости определяют...

Номер патента: 1330524

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Магазина, Самотоин

МПК: G01N 23/04

Метки: кристаллов, энантиоморфных

...устанавливается по одинаковому зеркально-симметричному виду (узору) ступени, наблюдаемой на вершине (в центре) элементарных картин роста. Штриховой линией показано одно из возможных положений плоскости зеркальной симметрии, позволяющей совместить эти картины роста с помощью операции отражения в указанной плоскости относительных смещений и азимутальных разворотов. Относительная правизна и левизна наблюдаемых кристаллов легко определяется по четко выраженной асимметричной их форме и зеркально- симметричному расположению. Картины роста этих кристаллов могут быть совмещены друг с другом (если не учитывать незначительные различия в тонких деталях) при помощи только одной операции симметрии - зеркального отражения, т.е. каждая из них по...

Номер патента: 684810

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Георгобиани, Котляревский, Лавров, Михаленко, Урусов

МПК: C30B 31/00

Метки: группы, кристаллов, металлоиды, полупроводниковых, содержащих, соединений, составом, стехиометрическим, цинка

...Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для управления стехиометрическим составом кристаллов полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды Ч 1 группы.Известен способ управления стехиометрическим составом кристаллов полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды Ч 1 группы, включающий отжиг кристаллов в парах металлоида при давлении 0,01-3 атм и температуре 200-1200 С.Недостатком указанного способа является то, что он не позволяет получать кристаллы полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды 71 группы, с проводимостью. дырочного типа...

Номер патента: 1346438

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Булавцев, Жидков, Каныгин

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расщепления, слюдяных

...приводятся через шестерни 17 и 18 диск 3, сидящий на оси 19, и через шестерни 20 и 2 экран 11. Вакуум-камеры 7 и 14 получают разрежение от вентилятора 22,Устройство работает следующим образом.Расщепляемые кристаллы слюды поступают в лоток 2, из которого попадают под действием скатывающей силы на диск 3, приводимый от привода 16 через шестерни 7 и 18. Далее кристаллы проходят под приспособлением 5, где нагреваются и расслабляются связи между составляющими Их пластинками. Одновременно с прохождением кристаллов под приспособлением 5 кристаллы, пройдя перегородку 1 О,отбрасываются воздухом, выходящим из отверстий цилиндра 4, к периферии диска 3. Сжатый воздух поступает в пустотелый цилиндр 4 со стороны приспособления 8 для расслоения...

Номер патента: 1350041

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Веркина, Инджиашвили, Шапельников, Шапиро

МПК: B30B 15/02

Метки: группы, инструментов, кристаллов, монтажа, одинаковой, основания, преимущественно, разностью, сторон

...изготовления группыинструментов для монтажа кристалловупомянутой группы можно пояснитьна примере. Необходимо изготовить, например,группу инструментов со следующимиразмерами сторон основанияв полости 6, мм: Разность сторон для этой группы 15 инструментов составляет 0,2 мм,следовательно, для их изготовленияможно применить одип пуансон с рабочей головкой с размерами малого основания 9 0,7 х 0,9 мм большого 20 основания 10 3,0 х 3,2 мм и угламимежду парой противоположных боковыхограней, равными 90Отпрессованную заготовку 5 послеспекания подвергают механической обчработке, а именно обтачивают хвостоВик 11 и подрезают и шлифуют торец 12до получения полости 6 с соответствующими размерами сторон основания,т.е. в зависимости от размеров сторон...

Номер патента: 1357867

Опубликовано: 07.12.1987

Авторы: Крылов, Лепарский

МПК: G01R 27/02

Метки: анизотропии, кристаллов, электропроводности

...повыбранным осям;- токи, измеренные вдольвыбранных осей;- ширина электрода. 1 2, ф 1 х Составитель Кринов Техред А.Кравчук Корр е к тор М. Шар оши Редактор О.Головач Заказ 5994/45 Тираж 730 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к техникеизмерений, квантовой электронике,и,в частности, может быть использованопри конструировании электрооптическихустройств,Целью изобретения является повьппение точности определения анизотропииэлектропроводности.10На чертеже дана схема осуществления способа.На схеме обозначены: охранная сетка 1, электроды 2 - 5, нанесенные наодну из...

Номер патента: 1370537

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Зарембо, Карпачев

МПК: G01N 27/82

Метки: величины, внутреннего, кристаллов, магнитного, магнитоупорядоченных, неоднородности, поля, структуры

...для электронов,35 50 спины начинают прецессировать резонансным образом. Это резонансное условие соответствует условию отклонения вектора внутреннего магнитного поля относительно вектора внешнего поля на угол ., величина которогоудовлетворяет условию я 1 п- НрЭта величина, особенно в условиях низкочастотного магнитоакустического резонанса, мала, и векторы Й, и О, с хорошей степенью точности можно считать коллинеарными, а с точностью. до малого резонансного поля "/ - равными по величине. Резонансная прецессия спинов вызывает увеличение поглощения звука в этой области и, следовательно, уменьшение амплитуды звука, прошедшего через образец. Размер резонансной области В 2 определяется постоянством полного поля в этой области с точностью до...

Номер патента: 1375473

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Булавцев, Жидков, Каныгин, Федоров

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, расслоения, слюды

...вдоль образующей по всейдлине выступы 2, чередующиеся с пазами 3 между ними, охватываемыми Изобретение относится к обработке легко расслаивающихся материалови может быть использовано в слюдяной промышленности для расщепленияслюды и в промышленности нерудныхстроительных материалов в качествеметателя сыпучих материалов,Целью изобретения является повышение надежности и качества расслаивания,На чертеже представлено предлагаемое устройство.Цилиндрические валки 1 имеют нацилиндрической поверхности вдоль 15образующей по всей длине выступы 2и пазы 3, чередующиеся с выступами2 и охватываемыми оболочками 4 и 5из эластичного материала Выступы2 верхнего валка 1 в зоне контакта 20расположены напротив пазов 3 нижнего валка 1. Оболочки 4...

Номер патента: 1378887

Опубликовано: 07.03.1988

Авторы: Андреев, Орлов, Смирнов

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллов, отделения, сепаратор, солей, суспензии

...1 перфорирована на верхней полуцилиндрической поверхности отверстиями с диаметром порядка 1 -2 мм. В поперечном сечении камера 2 имеет эллипсную форму (фиг. 2), Дно 3 ее полуцилиндрическое. В верхней части камеры имеются перегородки-успокопители 19, предохраняющие зону осаждения соли от турбулентных пульсаций при подаче суспензии по трубе 13.Сепаратор работает следующим образом.Суспензия из кристаллогидратного либо вымораживаюшего опреснителя под давлением 200 - 550 кПа и температуре 250- 270 К, состоящая из рассола насыщенной концентрации (напримерЧ 0 для ХаЕ) жидкого агента (например, фреона 12) и кристаллов соли, поступает через трубу3 в шелевую камеру 2 и ввиду разности плотностей разделяется на 3 фазы: внизу соль, жидкий агент,...

Номер патента: 675800

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Ковшев, Павлюченко, Смирнова, Титов

МПК: C07D 213/57, C09K 19/00, G02F 1/13 ...

Метки: 5-алкил-2-(4-цианофенил)-пиридины, жидких, качестве, кристаллов

...при(-)30 С, Осадок отфильтровывают,промывают абсолютным эфиром, и не перекристаллизовывая, применяют в следующей стадии. Выделяют 19 г (84%),в) 5-бутил-(4-бромфенил)-пиридин.В раствор 40 г уксуснокислого аммония в 150 мл ледяной уксусной кислоты помещают 19 г (0,05 мол,) перхлората 5-бутил-(4-бромфеннл)-пирнлия и кипятят 4 ч, выливают в 300 мл воды, Выпавший осадок экстрагируют бензолом. Бензольный экстракт промывают водой, сушат над сульфатом натрия и отгоняют бензол на роторном испарителе, Остаток перекристаллизовывают из гексана с актнвированным уг-" лем. Выделяют 6,7 г (46%) вещества с температурой плавления (Т) 76 н температурой перехода в смектическую мезофазу 65,5 С.(0,06 мол.) цианистой меди и 20 млН-метилпирролидона....

Номер патента: 1334924

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Алешко-Ожевский, Головинов, Коряшкин, Шишков

МПК: G01N 23/207

Метки: дифрактометрического, излучения, использованием, исследования, кристаллов, реальной, синхротронного, структуры

...(фиг.6)и высшие гармоники через такую систеВ данной установке регулировкавторой пластины 18 первого кристалла"монохроматора 1 используется также вцелях уменьшения потерь интенсивности в результате разогрева первичным пучком места попадания. Функцию исполняющего элемента несет миниатюрный электромагнит 1, который перемещает конец второй пластины на расстояние 0-20 мкм, притягивая через пружинящую прокладку 20 приклеенный к монохроматору ферритовый диск 21. При этом отклонение Ь 8 имеет значеУстановка работает следующим образом.Полихроматический (первичный) йучок синхротронного излучения, пройдя входную диафрагму Ор и коснувшись краем входного мониторного детектора 5, попадает на первый канально-прорезанный кристалл 1. После двух (или...

Номер патента: 1402857

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Бережной, Влох, Шопа

МПК: G01N 21/21

Метки: гиротропных, кристаллов, оптической, ориентации, поляризационно, системе

...и анализатора,когда плоскости поляризации последних совпадают с главными направлениями в кристалле,Если на негиротропный кристаллпослать линейно поляризованный вдольодного из главных направлений свет;то из кристалла выйдет также линейно поляризованный свет, Если поместить такой кристалл между поляриэато. ром и анализатором, то минимуму ин-тенсивности излучения на выходе анализатора будет соответствовать такая ориентация кристалла, поляризатора и анализатора, когда плоскости поляризации последних совпадают с главными направлениями в кристалле.Если послать на гиротропный кристалл линейно поляризованный вдоль одного из главных направлений свет, то из кристалла выйдет эллиптически поляризованный свет.Однако существует такое направление в...

Номер патента: 1415051

Опубликовано: 07.08.1988

Авторы: Горохова, Любалин, Третьяков

МПК: G01B 9/10

Метки: гониометр, кристаллов

...в кристаллодержателе 7 так, чтоодна иэ его осей параллельна оси вращения столика 2. Включают осветитель9 и задают им ось вращения столика 2.Перемещая каретку 6 по двум взаимноперпендикулярным направлениям, с помощью центрирующих салазок 4 центрируют измеряемую грань, приводя ее наось столика гониометра. После чеговключают второй осветитель 1 О и приводят его световой пучок на измеряемую грань кристалла 13 перемещая дуговой сектор 8.Перемещают измерительный узел(второй осветитель 10 и экран 11)вдоль дугового сектора 8 до.тех пор,пока центр световой картины, формируемой отраженным пучком осветителя5510 от контролируемой грани кристалла5, на экране 11 не совместится с егоцентром (центром отверстия, через которое работает осветитель),Ло...

Номер патента: 1415476

Опубликовано: 07.08.1988

Автор: Бугаец

МПК: H05K 1/11

Метки: интегральных, контактирующее, кристаллов, монолитных, свч, схем

...в гнездо 8, образованное прямоугольным отверстием 3 и плоскостьюпьедестала. Кристалл накрывается элас.томерным разъемом 11 (фиг.1). При визуальном наблюдении с помощью микроскопа золотые контакты 13 совмещаютс контактными площадками на кристалле 14 и диэлектрической подложке 4,и подается разряжение (форвакуум) . Это обеспечивает надежный электрический контакт экрана кристалла 14 с металлическим основанием 1, а также замыкание с помощью контактов 13 на пленке 12 соответствующих контактных площадок на кристалле 14 и диэлектрической подложке 4, или выступом 2 на металлическом основании 1 (корпуса)После этого включаются питающие напряжения, подаются измерительные сигналы и производятся измерения соответствующих электрических...

Номер патента: 1422094

Опубликовано: 07.09.1988

Авторы: Гриднев, Даринский, Кудряш

МПК: G01N 3/24

Метки: деформации, кристаллов, образцов, остаточной, сдвиговой, сегнетоэластических

...регулирующее устройство 6 связано с датчиками 7 и регистрирующим устройством 8.Способ осуществляют следующим образом.Образец 1, например квадратного поперечного сечения с шириной а и длиной 1, одним торцем жестко закрепляют в пассивном захвате 2. На другом торце образца 1 размещают активный захват 3 и соединяют его с крутильным маятником 4, Образец 1 помещают в герметичную камеру 5. Включают программное регулирующее устройство 6, обеспечивгющее требуемую скорость нагрева (или охлаждения) образца 1, и с помощью емкостных или фотоэлектрических датчиков 7 и прибора 8 регистрируют температурную зависимость угла , спонтанного закручивания. Величину остаточной деформации Х-. определяют по формуле25 Формула изобретения Способ...

Номер патента: 1256399

Опубликовано: 15.09.1988

Авторы: Атабекян, Геворкян, Езоян, Ерицян, Саркисов

МПК: C09K 11/04

Метки: кристаллов, рубина

...понижаетквантовый выход люминесценции рубина,отжигаются,а оставшиеся температурно"устойчивые центры окраски обуславлибвают возможность дополнительной передачи энергии во 9 буждения к ионамхрома, что приводит к повышению интенсивности фотолюминесценцин,.. Выбор условий облучения .и отжига 25обусловлен необходимостью достижениямаксимального повышения интенсивности фотолюминесценции кристаллов рубина. При этом облучение электронами 29с энергией ниже 2 10 эВ и до дозы ЗОбчменьше 10 эл/смне приводит к увеличению интенсивности люминесценции,а при энергии электронов выше 5 10 эВи дозах больше 10 эл/смобразуются13сложные структурные дефекты, что при- Зводит к снижению интенсивности люминесценции.При температурах отжига ниже 300 Си времени...

Номер патента: 1433827

Опубликовано: 30.10.1988

Автор: Клишин

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, пластины, расщепления, слюды

...канал золотника 3 открыт, впускной канал закрыт, сжатый воздух от источника идет через шланг 10 в цилиндр пневмотолкателя 9, а его шток 11 подпирает кристаллы 8 к каретке 5. При этом плоскость ножа 18 располагается в плоскости каретки 5, а его кончик находится в контакте с пружинящим полозом 21, что обеспечивает натяжная пружина 16 и флюгерный выступ 15. Затем включают привод 6, после чего каретка 5 движется вниз, пружинящий полоз 21 проскальзывает по внешней плоскости кристалла 8, утопляясь в паз давлением кристалла, а лезвие ножа 18, отстоящее от полоза 21 на расстоянии, равном заданной толщине пластинки, вклинивается в торец кристалла 8.При вклинивании ножа 18 в кристалл 8 силы спайкости пластинки, преодолевая слабое усилие натяжной...

Номер патента: 1434345

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Сапронов, Сорокин, Тужилкин

МПК: G01N 27/02

Метки: концентрации, кристаллов, сахара, утфеле

...укрепленного на вращающем,ся штоке 7 и воздействующего на микропереключатель 8 с контактами 9 и 10,5автоматических электронных измерительных приборов 1 и 12, микроЭВМ13 и подключенного к ней индикатора14.При работе устройства кулачок 6 встрого определенном положении вращающегося торцового электрода 4 относительно неподвижного кольцевогоэлектрода 3 воздействует на микропереключатель 8, который замыкает контакты 9 и 10 и подключает электроды2, 3 и 4 к автоматическим электронным измерительным приборам 11 и 12.Прибор 11 измеряет электросопроФивление тонкого слоя пленки раствора 20без кристаллов в зазоре 8 междуэлектродами 3 и 4, а прибор 12 - электросопротивление утфеля. Электрические сигналы с реостатов обратной связи приборов 11 и 12...

Номер патента: 1437752

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Бершов, Ганеев, Кувшинова, Мейльман, Слицан

МПК: G01N 24/10

Метки: кристаллов, совершенства, структурного

...кварце вторая линияЗПР це дол.,ца наблюдаться. Появление второй пинии ЭПР означает присутствие индивидов в образце, а относительная интенсивность этой липин 1 о, =- 3,5/(42+3,5) = 0,08 определяет объемную долю двойниковых включений (87) в измеренном кристалле.П р и м е р 2, Методом ЭПР па частоте 9,3 ГГц проводили измерение структурного двойникования кристалла коруцда, активированного примесью хрома (рубина). Образец мог содержать двойниковые включения, ориентированные симметрично основному индивиду относительно плоскости (1012).Для измерений использовали одну из наиболее сильных линий известного спектра ЭПР хрома в рубине, достигающую максимума по полю В в параллельной ориентации при В = 3220 Гс,Исследуемый образец...