Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 493305

Опубликовано: 30.11.1975

Авторы: Андреева, Кокорина, Южин

МПК: B23K 1/12

Метки: кристаллов, пайки, серебром, соединений, фтористых

...П Х СП 51 СХ 11 11 П,) С 1- 1)(С Г 3(П( .", 1 К;С) П; 1"1 ":, ГР 03 С 111; ПЫХ Р 11(;СВ.3 1 3 (. С 1. 1с: 1С ) С ( ) (с 1 1. 1 с ):с3 С1 ( 111 (сс) к ; 1 1; с Г с,1, 3 с к3 с к (1( ) 1 11: 3(, 1 ) 1 с ,: ( ) х ( 1,(.СГОр(СТОГО С, р3 ерС 3 СС рс (р.1 СО,СВ(1 Кг 1 Х(.Од 11 с 1 КО С)КЛ, 11 ТО 1351 СП:ЫС:1,) ,(, (. ПОС 001 1 1.1 Г Зсс 1 ПЖС П ПО П р 1 3 3 1,)3 с ОР с 1.3 11 О 1 1(1гВ П Р О 1 С С (. С Е1: К3 Г с 1.К.(рПСтСС р 1 рс. 31( трСО д:(,(ГС,(1,- П О(11 Р 311ПГ 1(О В К 1 С) ГВС) ГК;, 1 Р 1 Э 01 ПРОЗР(10 С 11 13)СС Гс(сГ 11 В(3 ТС 51 П, 111- 1О ( 1 1 (. А .1С :31 ( ) 11 5 11: )1 1: ) С Г 1с; 1 1,",, 3 1 ; 1 , 1( - о(с 0 с,051 111 пс ГГ ссрсОрс к 1)1 р(с;1;1 К РС Г , 1,13 11,1 ,1: О 3 31 Ж С П ( С Р1 г 1(с с,О1,) 1 ПСК С 1 К К 1, С г ,(...

Номер патента: 495525

Опубликовано: 15.12.1975

Авторы: Бродичко, Мушинский

МПК: G01B 9/02

Метки: констант, кристаллов, одноосных, оптических

Номер патента: 496042

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Крылов, Лужковский, Налетов

МПК: B01J 17/06

Метки: висмут-сурьма, висмута, кристаллов, сплавов

...таллов висмут предлагаемому спос .в направлении, при скостью совершенноправлением роста .с но установлено, чтиях затравки, наприм Эксперименталкоторых положеплоскость (Ш)роста, вообще нные кристаллы,ер, когд рпендикулярна к нудается получить равлени оноблочавка не играет ентир ания монокристаллических материалов. расного Знамени государственный. И. Герцена ющей роли, ни один из блоков не повторяет е ориентации,Известно, что для получениянокристаллических материаловходимо располагать определеннэти способы не применимы примонокристаллов системы висмуткак они не отражают особеннос ния выхода моноблочных криа и сплавов висмут-сурьма пообу затравку ориентируют котором угол между плой спайности (Ц.1) и наоставляет 0 о о. Этот способ позволяет...

Номер патента: 501444

Опубликовано: 30.01.1976

Авторы: Берберова, Бородин, Проскуряков, Шпитальник

МПК: H01V 41/00

Метки: ват, кристаллов, стабилизации, униполярности

...интерес с точки зрения создания пьезо- и пироэлементов, обладающих стабильными характеристиками, а также нелинейных элементов.Существует два способа усиления и стабилизации естественной униполярности; па одну из поверхностей кристалла наносится электрод из одного материала (например, жидкий, либо Ад, Сп, Ап), а на вторую - из другого (например С, А 1, Лп, Ад), униполярность, создаваемая таким образомне обусловлена валент 1 ностью металлов, используемых в качестве электродов; одну из пов(1 рхностей кристалла шлифуют.Существенным недостатв(ом описанных выше способов является нестабильность характористик полученных образцов тепловым, электрическим и механическим воздействиям.Целью изобретения является повышение стабилизации у 1...

Номер патента: 502304

Опубликовано: 05.02.1976

Автор: Бройде

МПК: G01N 27/72

Метки: гальвано-магнитных, исследования, кристаллов, свойств

...параллельно соединенными силовыми полупроводниками вентилями, вклю 20енными параллельно соленоиду,Когда напряжение достигает нулевого значения в первый полупериод разряда конденсаторов, вентили открываются, соленоид закорачивается, и ток, протекающий через соленоид,25 спадает по экспоненциальному закону, Таким образом, магнитное поле, создающеесявнутри соленоида и камеры, расположеннойв нем, изменяется по экспоненциальному закону с удлинением периода и не меняет зна 30 ка, поэтому глубина проникновения магнитно. Орловска еда Изд.247 И Государственного ком по делам изобрет 113035, Москва, Ж, Заказ 736/19ЦН Тираж 1029Совета Министроткрытийая наб., д. 4/5 ПодписноеССР тетийауш пография, пр, Сапунова, 2 го поля в образец увеличивается...

Номер патента: 502433

Опубликовано: 05.02.1976

Авторы: Войтович, Метельский, Прокопов

МПК: H01S 3/12

Метки: кристаллов, направления, одноосных, оптической, оси

...излучение, прошедшее черезанализатор, регистрируют фотоприемником,15 сигнал с которого подают на регистрирующийприбор, Вращая анализатор, определяют направление колебаний электрического векторагенерируемой волны, Если в качестве отражателя используют одноосный кристалл, ко 20 торый имеет в области частот генерации ОКГкоэффициент отражения для обыкновенноголуча больший, чем для необыкновенного, тонаправление колебаний электрического вектора генерируемого излучения всегда будет пер 25 пендикулярно плоскости, в которой лежит оптическая ось кристалла,Если же используют кристалл, для которого коэффициент отражения для обыкновенного луча меньше коэффициента отражения30 для необыкновенного луча, то колебания562433 Формула...

Номер патента: 502651

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Алавердян, Белабаев, Саркисов, Фарштендикер

МПК: B01J 17/00

Метки: кристаллов, лития, метаниобата, термообработки

...электрическом поле и охлаждение, о т л и ч а ю щ и й ся тем, что, с целью улучшения динамическиххарактеристик модуляторов, выдержку кристаллов проводят при 225 в 2 С в течение 10 - 30 мин при напряженности электрического поля 1960 в 20 В/см.25 2. Способ по п. 1, отличающийся тем,что подъем температуры проводят со скоростью 150 - 200 град/ч.3. Способ по п. 1, ючто снижение темпе ос.30 ботки проводят со с 5 отл ич а ратуры п кор остью щиися тем, че термообра - 100 град/ч,Изобретение относится к способу термообработки кристаллов метаниобата лития, широко применяемых в квантовой электронике.Известен способ термообработки кристаллов метаниобата лития, включающий нагрев, выдержку в постоянном электрическом поле и охлаждение. Однако...

Номер патента: 505057

Опубликовано: 28.02.1976

Авторы: Медведев, Назаров, Салахутдинов, Соколов, Царьков, Шанов

МПК: H01L 25/10

Метки: кассета, кристаллов, полупроводниковых

...загрузка, так как поршень фиксируется в любом положении за счет магнитных сил притяжения,При поштучной выдаче деталей поршень также перемещается (например, под воздействием импульса сжатого газа) до упора, например до устройства поштучной выдачи, и при этом толщина детали не влияег на работу кассеты. Выполнение одной или нескольких стенок прозрачными позволяет визуально контролировать загрузку и выдачу деталей, а также состояние деталей при переносе кассеты с операции на операцию.На фиг. 1 схематически изображена предлагаемая кассета, общий вид; на фиг. 2 - разрез по А - Л на фиг, 1.Кассета состоит из магазинного накопителя 1 с внутренним отверстием 2 по форме детали, магнитного поршня 3, выполненного по форме внутреннего отверстия...

Номер патента: 507611

Опубликовано: 25.03.1976

Авторы: Даугвилла, Денис, Коган, Лонинов

МПК: C09K 3/00

Метки: жидких, композиция, кристаллов, основе

...му,г",Окси ч алклкаг)бонатные 1 Оуппы ,: еле- ьРНТ. ,1 бьгП 1 ГЮчгп: Г 18 ЛЕКОиг; Сг;Оц а-.Зь. РОННЕ;:г Дьоь;г И тгь,;11 ьгЕГгфРЗРЬ, - -,";СЬ.Ст:,:;:Ст.,аФЬг 88 Е- фвь гВЫг :,. г,".:- :. Оььг -1-пьч 1, 0 Р фс ку ю фаз.;г." 18"ОЕК ИБНОЕ ОГПРНтгрГ 0 цеь - : :. ПСВ 8 Р ,О гь-г-.ь " 1 гпоп г гт, г 18 ьРд,ьлгтЕО, , К, гп.Окристаллических ячеек в смеанном режиме возбуждения дицамическо о рассеяния,П р и м е р 1, Смеси различного качественного и количественного состава с ийгредиентамиили без них подвергают испытапю на динамическое рассеяние, Толцина жидкокр.сталлического слоя 15 мкм, температура 25 С. Б табл. 1 поиведены электрооптические характеротики следуюцей композиции: Композиция 1 ( нематическая) Композиция 2 (...

Номер патента: 510763

Опубликовано: 15.04.1976

Авторы: Ганшин, Кучерков, Лысенко, Назаров, Царьков, Шанов

МПК: H01H 21/98

Метки: газом, горячим, интегральных, кристаллов, навесных, преимущественно, присоединения, схем, элементов

...5, выполненный изнихромовой ленты в виде спирали (типа архимедовой), скрученной с межвитковым зазором в цилиндр, жестко соединен с корпусом 1 н с цилиндрическим полым токоподводом 7, 25 Межвитковый зазор ленточной спирали образует циркуляцпонцый канал, в котором происходит соприкосновение проходящего газа со всей поверхностью ленточной спирали, нагреваемой электрическим током, Две термостой кие прокладки О из кремцеземцой ленты20 25 30 служат для исключения замыкания витков спирали и образования гарантированного межвиткового зазора.Штуцер ввода газа 2 расположен у наружного витка ленточной спирали в месте соединения ее с корпусом, что обеспечивает подачу газа, поступающего в устройство, от наружного витка ленточной спирали к...

Номер патента: 198893

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Багаев, Гаврилов, Казаков, Погодин-Алексеев, Храмов

МПК: B23K 31/00

Метки: алмазных, диффузионную, кристаллов, подготовки, сварку

...окиси металла до металла и процесс диффузии, т,е, проникновения восстановленных частиц металла в тело исходного алмазного кристалла, с которым они непосредственно соприкасаются. Диффузия восстановленных частиц металла в тело исходного алмазного кристалла объясняется повыцкнной активностью веществ (в данном случае металлов) в момент их образования.Исходные алмазные частицы с нанесенным на соответствующие грани слоем металла нагревают в печи с восстановительной атмосферой я течение 6-7 час при 900 - 950 С, после чего охлаждают и вынимают из печи ванночки с исходи ми алмазны. ми кристаллами (частицами). Эти кристаллы со стороны металлизируемых граней ич н 1 т три слоя:Редактор Т. Ларина Корректор И. Гоксич Заказ 746/170 Тираж 1207...

Номер патента: 275776

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Бейлинсон, Куликов, Шлионский

МПК: B24B 9/16

Метки: алмаза, доводки, кристаллов, шлифования

...том, что для получения одина. ковой чистоты обработки на всех участках рабочей части алмазного иэделия с цилинщзической поверх. ностью, сопряженной с конической, изделию сооб. шается сложное движение относительно инструмента, состоящее из:1. Переносного перемещения по замкнутой траектории с сохранением относительного поло. жения обрабатываемого изделия параллельно заданной прямой, при этом ось вращения инструмента всегда находится внутри этой траектории (см.фиг. 1), где инструмент 1, траектория пере. мешения 2 изделия по инструменту, участок 3 обрабатываемой и зерхности, "мягкое" направление 4 на обрабатываемой поверхности, направление окружной скорости 5 инструмента в заданной точке, направление вращения 6 инструмента, направление...

Номер патента: 517087

Опубликовано: 05.06.1976

Автор: Щукин

МПК: H01L 23/00

Метки: выдачи, кристаллов, ориентированных, полупроводниковых, приборов, производстве, укладки

...кассеты. Кристялдь 17 рвовмецены в ячейках кассет: выполнень:х по концентрическим Окружностям.Устройство работает следуошим образам,Операция укладки кристаллов.Кассету с пустыми ячейкахи, с надотОЙ И ЗафикСРОВЯННОй, НЯПРИМЕР, С ПОМОШЬЮ штифта 1;р 1 нкг" у.танявливают ня вертикальный вад с попс, ком, при этом упогы 8 заходят в б ко, ие нязы крышки и удерживают ее от дад.нейке о перемещения вниз вместе с 1 ассето, . .се.:а,няя Опускяе.ся ниже и д:.Нряется вс ;,д нгц вала, Штифт Вьходит из паза крышкиО .и П,.Зедохрянения уклядыВяе 35 мых кристаллов От Выпадения из ячеек и наоуш ния их рис .тяции зазор между крышкой и кассетой должен бьть установлен менеетод.,дины кристалла,КО 1 лстялл сор 1-нтРоеины 11 ня предмет 1"сЪСТт;НО М СТОЛИК Е...

Номер патента: 445364

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Ефанов, Комяк, Лютцау, Рабодзей

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллов, топограмм

...кристалла ц положение соответствующего цм акта заиси ца детекторе. Причем в зависимости от требований к съемке матрица параллельных капилляров может быть установлена как перед исследуемым кристаллом, так и перед детектором.На чертеже схематически изображен один из вариантов исполнения предлагаемого устройства.Источник излучения 1 выполнен в в",де растровой рентгеновской трубки с анодом 2, нанесенным непосредственно на выходное окно из бериллия.Непосредственно у выходного окна источника излучения расположен коллиматор 3 в виде двумерной матрицы параллельных капилляров, вплотную к которому размещен исследуемый кристалл 4. 32 ис. следуемым кристаллом перед детектором 5 размещен другой коллиматор 6, выполненный также в виде двумерной...

Номер патента: 525739

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Бородина, Григорьян, Дасоян, Доронина

МПК: C09J 1/00

Метки: затравкодержателям, затравок, искусственных, клей, крепления, кристаллов, процессе

...белого цвета.Прочность склеивания корунд - корунд при от 2рыве 55 кг/см.П р и м е р 2. В лабораторную краскотерку загружают 116 г двуокиси циркония, 18 г двуокиси кремния, 92 г борной кислоты, 184 г (156 мл) ортофосфорной кисло;ы и смесь перетирают в течение 1 - 1,5 час. Полученный продукт имеет вид вязкой пастообразной массы белого цвета.(клеевой шовне разрушает), С Клей По материалу,клей не смываетсяводой Известный клей( по авт, св. У 303308) 50-70 По материалу,клей не смывается водой Клей, содержащий 31,5 вес.%двуокиси циркония,6,0 вес. % двуокиси кремния62,1 вес. % ортофосфорнойкислоты ( 30%-ной) 1500 55,0 Когезионный,клей смывается водойбез повреждения склеиПредлагаемый клей изпримера 1 1200 55,0 ваемых материаловто же 1200...

Номер патента: 535628

Опубликовано: 15.11.1976

Авторы: Саркисян, Чубич

МПК: H01L 21/66

Метки: забракованных, кристаллов, удаления

...кристаллов, локально нагревают до размягчения пленки, прикладыва ют к этим участкам давление в направлениикристаллов, после чего пленку с прилипшими к ней забракованными кристаллами удаляют. Пленку можно нагревать одновременно с приложением давления. Полупроводни ковую пластину с готовыми микроструктурами после операции скрайбирования размещают в полиэтиленовом пакете, откачивают из него воздух и герметизируют. Затем известными способами, например валиком, разламы вают пластину на отдельные кристаллы, рас535628 Составитель О, Бочкин Техред Е, Подурушина Редактор И, Шубина Корректор Л, Брахнина Заказ 3025/14 Изд, Юа 1801 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий...

Номер патента: 540242

Опубликовано: 25.12.1976

Авторы: Авдеев, Зеленин

МПК: G02F 1/133

Метки: активации, времени, движений, жидких, кристаллов, ориентационных, релаксации, энергии

...схему 4, преобразователь частота в постоянн напряжение 5.10 Прозрачный измерительный конденсатор 1состоит, например, из двух стеклянных обкладок с прозрачным проводящим покрытием пз тонкого слоя окиси олова. Между обкладками помещен объект исследования. За одной из 15 обкладок конденсатора размещен фотодетектор 2. Генератор спнусоидального переменного по частоте напряжения подключается к ячейке 1. Фотодетектор 2 подключен к регистрирующей двухкоординатной схеме 4, на одну из 20 координат которой поступает сигнал с фотодетектором 2, а на другую координату - сигнал, пропорциональный частоте с преобразователя частота в постоянн напряжение 5, Измерительный конденсатор и фотодетектор 25 освещаются источником света.При работе устройства...

Номер патента: 542128

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Бойко, Харченко

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, кристаллов, рентгенографического, структуры

...изобретения поясняет чертеж.10 Пучок рентгеновских лучей 1, ограниченныйщелью 2 до заданной ширины, направляют в торец образца под утлом Вульфа - Брэгга к отражающим плоскостям, которые параллельны поверхности образца 3, Отражающее положение образца, которое 15 соответствует выходу дифрагированных лучей 4из образца 3, проверяют счетчиком излученияс регистрирующим устройством, Рассеянные в направлении дифрагированного пучка лучи 4 регистрируют на фотопластинке 5, которую располагают 20 вблизи от поверхности исследуемого образца 3. Нафотопластинке получают топограмму с изображением дефектов структуры, находящихся в слое, параллельном поверхности образца, толщина которого определяется заданной шириной рентгеновского 25...

Номер патента: 543207

Опубликовано: 15.01.1977

Авторы: Мартынко, Пухов

МПК: H05B 3/42

Метки: выращивания, графитовый, кристаллов, нагревательный, установок, элемент

...т меров нагревательно дующими:=1,05 -5 Р,который выполняет роль подпорного. Другое кольцо 4, донное, примыкает к внутреннему, цилиндру и имеет центральное сквозное отверстие для прохода контейнера или штока контейнера. Если высота цилиндров будет более, чем 0,35, а толщина донного и соединительных колец более 1,1 диаметра внутреннего цилиндра, то теряются подпорные тепловые свойства нагревателя. То же самое происходит, если отношение диаметров внешнего и внутреннего цилиндров будет более 1,5. Если высоту цилиндров выбрать менее 0,25 диаметра внутреннего цилиндра, то зона нагрева становится настолько узкой, что при выборке расплава из тигля режим вытягивания становится неустойчивым, рост монокристалла прекращается. При толщине...

Номер патента: 543858

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Миренский, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/22

Метки: исследования, кристаллов, совершенства, структуры

...рентгеновских лучей 13, механизм 14 для поворота счетчика излучения 5 относительно осиглавного гониометра 6,25На чертеже обозначено:м0 - ось вращения кристалл-монохроматора;О - ось вращения главного гониометра0-0 - оптическая ось спектрометра;- рентгеновские кванты первичногоизлученияЙ - кванты флуоресцентного излучения;Е - электроны внешней фотоэммиссии,Устройство рабоает следующим образом.Рентгеновские лучи от источника 3 огра-З 5ничиваются по расходимости коллиматором 4,кристалл-монохрома 1 ором 1 и падают подуглом дифракции Ч для выбранной системы кристаллографических плоскостей на исследуемый кристалл 2. Кристалл располо Ожен в геометрии Брагг-дифракции. Дифрагированные им лучи регистрируются счетчиком излучения 5,...

Номер патента: 544458

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Бабчук, Булатов, Вишнякова, Петров, Решетников

МПК: B01J 17/04

Метки: кристаллов

...аммония - 200 час. 20Недостатком указанногзрения требований к процсталлизации солей, напримся большая длительностьроста кристаллов.Цель изобретения - получениеалюмоаммонийных квасцов раз0,6 мм.Для этого охлаждение раствора провдва этапа: на первом этапе (в период п ходного раствора составлятемпер атур а - 95 С.проводят до достижения ры в аппарате 20 С.состоит из корпуса емком быстро вращается поли- рабан, охлаждаемый изнутагентом. Последний постуал барабана, протекает по глам, расположенным зиг544458 10 Формула изобретен и я Составитель И. Ненашева Тсхрсд Е. Петрова Корректор Н, Аук Редактор Т. Пилипенко Заказ 115/4 Изд. Ме 133 Тираж 899 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий...

Номер патента: 490388

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Аверкиева, Прочухан, Руд, Таштанова

МПК: H01L 21/205

Метки: авс, класса, кристаллов, свойствами, электрическими

...избыток элементов Ц или Г группы.Согласно предлагаемому способу берути Фкристаллы соединений класса А В Ср помещают в вакуумированную кварцевую ампулу совместно с чистым компонентом, избыток которого необходимо растворить в твердой фазе. Ампулу затем помещают в двухтемпературную электропечь и устанавливают темЗаказ 806/111 Тираж 1002 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета .Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, .Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 пературу кристалла, прн которой раствори -2 лмость взятого компонента в соециненииАВСдостаточна для наступления конверсии.Температуру источника установливают такой, чтобы обеспечить требу.емую величину д )ц . Время...

Номер патента: 546045

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Зайцев, Зенкович, Иванушко, Огер

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета, кристаллов, полупроводниковых

...кассета обеспечивает очисттку кристаллов, но ненадежна в работе, так как затрудняет операции ориентированной укладки, выборки и визуального осмотра кристаллов. Это объясняется тем, что при смыкании основной и накладной рамок и в лроцессе укладки и выборки кристаллов происходит;изменение;координат расположения ячеек относительно установочных баз вследНа фиг. 1 и 2 изображена предлагаемая кассета в двух проекциях; на фиг. 3 - узел 1 на фиг. 1; на фиг, 4 - разрез по А - А на фиг. 1.Кассета содержит основание 1, на рабочей поверхности которого, имеются ячейкиуглубления 2 для кристаллов, и крышку 3,представляющую собой,рамочку 4 с натянутыми проволоками б. Дно ячеек углубленийимеет,крестообразно расположенные угловыевыступы б, которые...

Номер патента: 546814

Опубликовано: 15.02.1977

Авторы: Дранов, Кичигин, Коневский, Литвинов, Чернина

МПК: G01N 27/78

Метки: качества, кристаллов

...линий от неэкранируемой части кристалла,Исследуемый кристалл помещают в короткозамкнутый волновод, являющийся согласованной нагрузкой резонатора, снаружи которого расположена перемещаемая ферромагнитная обойма. (ристалл ориентируют таким образом, что его главная ось совпадает с направлением внешнего магнитного поля. Исследуемую часть кристалла экранируют, при этом в кристалле создают высокочастотное поле, Резонансное поглощение в кристалле нарушает согласование системы резонатор - стержень, что приводит к изменению коэффициента отражения. Последнее фиксируется как сигнал 1 ЭПР).Измерение спектров ЭПР осуществляют в нулевой ориентации в каждом участке кристалла, последовательно экранируеыом От внешнего магнитного поля при...

Номер патента: 550527

Опубликовано: 15.03.1977

Авторы: Карелина, Круглов, Симонов, Холопов, Хоменков, Эстров

МПК: G01B 11/24, G01B 9/08

Метки: кристаллов, параметров, проектор, сечения

...содержащая последовательно расположенные объектив 12 и и отражатель 13 (например, плоское зеркало), который установлен под 45 относительно оптической оси объектива 12, и ей симметричная вторая проектирующая система, содержащая последовательно расположенные объектив 14 и отрагкатель 15 с двумя плоскими, обращенными навстречу друг другу рабочими поверхностями 16 и 17, установленными под 2230 относительно оптической оси объектива 14. Оптические оси объективов 12 и 14 первой и второй проектирующих систем совпадают. Фокусные расстояния объективов 12 и 14 одинаковы.Рабочие поверхности отрагкателей 13 и 15 ориентированы на устройство совмещения изображения частей контура сечения кристалла. Это устройство представляет собой комбинацию из...

Номер патента: 550958

Опубликовано: 15.03.1977

Автор: Ханс

МПК: B01J 17/10

Метки: бестигельной, выращивания, зонной, кристаллов, методом, плавки, процессом

...на фронте кристаллизации, угол раскрытия зоны. Сигнал диаметра зоны плавления через усилители-регуляторы 3 - 5 воздействует на механизм 6 растяжения - сжатия зоны до тех пор, пока диаметр кристалла не будет равен заданному от программника 7.На программник 7 поступает от электронного блока 2 действительный угол раскрытия зоны, сравнивается с программнозадаваемым углом раскрытия зоны плавления, и сигнал, как результат сравнения, поступает на усилитель-регулятор 8 для регулирования через частоту генератора энергиями, подводимой к зоне плавления.При выполнении конусообразного перехода между затравочным и выращиваемым кристаллами программником 7 задается диаметр зоны плавления на фронте кристаллизации согласно следующей функции1 д = г, +-...

Номер патента: 555085

Опубликовано: 25.04.1977

Авторы: Гладилин, Ушакова

МПК: C07C 49/75

Метки: антрахинона, кристаллов, крупных, производных

...Заказ 41111 Тирвж 553, Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ло делам изобретсний и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д, 4/5Филизл ППП " Патент ", г. Ужгород, ул. Проектнзя, 4 нике и собирают в приемник погона. Погон используют для проведения последующих операцийкристаллизации.Существенным отличием предлагаемого спо.соба от принятого является применение органичекого растворителя, не смешивающегося а жццкойфазой суспензии,Предлагаемый способ рекристаллизации ор.ганических веществ позволяет увеличить размерыкристаллов и производительность фильтровальногооборудования.В анилинокрасочной, фармацевтической и других отраслях химической промышленности прифазовых переходах органических веществ...

Номер патента: 560653

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Комаров, Никулин, Поярков

МПК: B07C 5/344

Метки: автомат, группам, кристаллов, сортировки, укладки

...при560653 сосками 2, координатный стол 3, считываю 1щее устройство 4 механизм 5 контролякристаллов по внешцел 1 у виду, механизмыперемещения 6 кассет 7, микроскоп 8 и 9тару для бракованных кристаллов,Координатный стоп (фиг, 2) содержиткорпус 10, нижнюю каретку 11 с приводом, верхнюю каретку 12 с приводом, закрепленную на верхней каретке 12 жесткую рамку 13, Г-образный кронштейн 14,один конец которого установлен в направляющих 15, закрепленных на корпусе 10,в другой конец - в направляющих 16, закрепленных на жесткой рамке 13,На жесткой рамке 13 установлены однанв другой рамки 17, 18. На верхней рамке18 установлен спутник-носитель 19 с ра 5 035 50 55 60 ломанной полупроводниковой пластиной 20,.На жесткой рамке 13 установлен такженоситель...

Номер патента: 561237

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Назаров, Сафонов, Соколов, Царьков, Шанов

МПК: H01L 21/98

Метки: выводами, интегральных, кристаллов, подложкам, присоединения, схем, шариковыми

...и нагружекия паяльныхголовок и предметный стол 111.Однако известные устройства не обеспечиввысокого качества присоединения. 10Цель изобретения - повышение качества присоединения - достигается тем, что устройство дляприсоединения кристаллов с шариковыми вывода.ми к подложкам интегральных схем, содержащеепаяльную головку, закрепленную на каретке, соединенной с приводом с возможностью перемещениядо регулируемых упоров, и механизм прижимапаяльной головки, снабжено механизмом зажимапаяльной головки, кинематически связанным с приводом, причем паяльная головка закреплена на 20каретке посредством оси, а регулируемые упорыразмещены по обеим сторонам оси.Устройство изображено на чертеже.Паяльная головка 1 с рабочим инструментом 2закреплена на...

Номер патента: 566180

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Бажал, Борисенко, Гулый, Дзюбенко, Мирончук, Михайлик, Требин, Штангеева

МПК: G01N 33/02

Метки: кристаллов, размера, среднего, утфеле

...пробы расчетным путем в зависимости от оптической плотности растворов и известного размера криСталлов контроль ной пробы.Способ заключается в следующем.Готовят контрольную пробу утфеля из кристаллов сахара известной дисперсности и межоросительной патоки исследуемого:уч15 феля,Пробы контрольного и исследуемого утфеля центрифугируйт. Полученные при этом про. бы желтого сахара разбавляют дистиллированной водой и фильтруют. Измеряют на фотоэлектроколориметре фЭКМ оптическую плотность Д и Д. Средний размер кристалов определяют по формулед:В 1,25 гце 3 - средний размер кристаллов контрольного утфеля;Э и П 1 - оптическая плотность растворовсоответственно исследуемого иконтрольного желтого сахара,.П р и м е рГотовят контрольный ут фель....