Способ выращивания кристаллов

Номер патента: 100124

Опубликовано: 01.01.1955

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллизатор, кристаллов, способа, этого

...заканчивается отростком 2, сияружи которого рзсио- ЛОЖЕН ЭЛЕКтрИЧЕСКИй ИЯГрСВатепп. о, иагреваюший раствор в отростк, до температуры, прсвышающс и тс 1 иср- туру раствор в кристяллизаторс. С помощью электроиягреватс;1 я т и терморегулиру 1 оиего устройств (и 1 чертеже ис ио 1 сяз 11 и) достигается и поддерживается иужиая тсмперятура раствора и кристаллизаторс. сс)ез к 1 зыпку 1 с 1)истяллизятор 11 Грс 1 ходит ось б кристллоиосця, которая имеет постояисюс или рсвсрсивиос вр;нцси ис. Кристаллизуемос всцсство вводится в кристаллизатор чсрсз трубку б, проходяпую сквозь крышку.Вводмыс в кристаллизятор чстицы кристаллизусмого вссцсств, п- дая на диище, скатываются ио сго коиичсской повсрхиости вниз и иои- дают в отросток, гдс происходит их...

Номер патента: 220959

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Никитин, Штернберг

МПК: C30B 7/10

Метки: выращивания, кристаллов

...камеры растворения в камеру роста, ось автоклава будет смещаться относительно горизонтали. Скорость роста кристалла, соответствующую скорости переноса вещества в автоклаве, можно определить, подвешивая к соответствующей отсчетной точке груз, необходимый для установления прикрепленной к коромыслу стрелки в нулевое положение, при котором ось автоклава горизонтальна.Наблюдение за перемещением стрелки осуществляется через отсчетный микроскоп 13. ываемая устафиг, 2 - то же,оклав 1, помещенционированным наорого регулируютасположен в полоцевой подставки 5, а жестко прикрепосей б ножевых на расположена в На фиг. 1 изображена о новка, поперечный разрез; продольный разрез.Установка включает авт ный в полость печи 2 с сек гревателем 3, секции 4...

Номер патента: 72182

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Штернберг

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...исключает необходимость тратить время на рсгенергцшо затравкиКрпсталлик, вырастая под восковой сумочкой, охватывает тонкуюшпильку и, развиваясь во все стороны, укрепляется на кристаллоьосцс, врастая в пазы.При пепрсрывном вращении кристалла со скоростью 30 - 60 аб/иин происходит его рост при снижении температуры раствора.Вначале устанавливается температура на 1,5 ниже температуры насыщения раствора; при этом кристаллы растут со скоростью 10,ил 1 в сутки по оси 7. тля поддержания этого псресыщения суточный спад темпера гуры рассчитан по формуле;= / 2 где Р и - искомая температура; х - длительность роста в сутках; Р - объем раствора; Рв - исходная температура.72182 Предмет изобретения 1. Способ для выращивания кристаллов сегнетовой соли,...

Номер патента: 72801

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Шефталь

МПК: C30B 7/02

Метки: аппаратах, выращивания, кристаллов, пересыщения, раствора, устранения

...в кристаллизатора и ра в аппа применени сенного вн ля устранения пересыщения раств ния кристаллов, о т л и ч а ю щ е е с де сосуда с растворителем, распол единенного с ним трубкой. При выращивании кристаллов в аппаратах, обычно примендля этой цели, часто наблюдается местное пересыщение расвызывающее образование паразитических кристаллов.Для предупреждения возможности подобных псресыщенийбретения предложил специальное приспособление - увл ажнлажнитель представляет собой сосуд с растворителем; он расн вне кристаллизатора и соединен с ним трубкой.Аппарат для выращивания кристаллов и расположение увлтеля показано на чертеже.Температура растворителя в увлажнителе 1 поддерживаетсядушным термостатом 2 постоянной, что обеспечивает...

Номер патента: 96144

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Штернберг

МПК: C30B 7/02

Метки: выращивания, кристаллов, способа, этого

...1 НИ 51 кристаллов. Непрерывная работа установки обеспечивается тем, что каждая из форм снабжена охлддителем для переохлаждения раствора внутри этой формы при неизменной темперд гуре раствора в баке. На сертеже схематически предслч 1 всена конструкция предлагаемой установки в двух проекциях,Выращивание кристаллов осуществляется в разборных формах 1, погруженных в бак 5 с ненасыщенным раствором 3. Для выращивания блоков заданного размера или пластинок определенной толщиныЛ" 9 б 144 11 р од к сн зобретения тв. редактор Г. А, Лапушки тандартгиа. Подп, к печ, 4/1-1957 г. Объем 0,125 и. л, Тираж 250. Цена 25 коп Гор. Алатырь, типография2 Министерства культуры Чувашской АССР. Зак. 3998 формы 1 могут бьп ь разделены редкими нли частыми пг...