Способ выращивания кристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
. Г. ПоздняковИЯ КРИСТАЛЛО аявлено 2 декабря 952 г. за Ъ промышленностиПолучец 1 гая таким образом затравка помещается в щслевые отверстия в плоском крцсталлоносце, закрытые с нижней стороны и имеющие вцд карманов. Затравка должна располагаться в карманах кристаллоцосца таким образом, чтобы из щели выступала лишь ве 1 ршина затравочцой пластины, образованная пересечением быстрорастущих граней. На чертеже показано устройство кристаллоносца с щелсвыми углублениями (карманами) для размещения затравок. САНИК К АВТОРСКО К особенностям роста кристалловвин цокислого этиленди амина, используемых как материал для изготовления пьезоэлектрических резонаторов, следует отнести большое преобладание скорости роста положительных диэдрических граней - цад скоростями роста всех остальных его граней. Поэтому кристаллы винно- кислого этилендиамина из точечных затравок развиваются в виде игольчатых образований, це представля 1 ощих ценности для практических применений. Для получения кристаллов большого сечения приходится прибегать к применению затравочных кристаллов также большого сечения.Обычно в качестве затравок применяют головки кристалла, имеющие тюложитсльцые диэдрические грани.Применение такой затравки имеет существенный недостаток, заключающийся в том, что з 1 ачительцая обл 11 сть Вь 1 росц 1 его кристалла ОкОлО затравки имеет неоднородности, яв;1 яющиеся следствием явлений ее регенерации. В результате этого большой объем кристалла це может быть использован. Кроме того, на затравки расходуется большое ко,шчество кристалла.С целью устранения явлений регенерации для получения однородных кристаллов большого размера пред,.1 агается использовать пластинчатую затравку, помещаемую в щелеобразЛ/450364 в Министерстредств связи ные углубления (карманы) плоского кристаллоносца таким образом, чтобы из щели выступала лишь вершина затравочной пластины, образованная пересечением быстрорастущих граней кристалла.Для осу 1 пествленця предлагаемого способа выращивания кристаллов веществ, обладающих резко выраженным односторонним ростом, в частности, кристаллов виннокислого этилецдиамцна, головка кристалла разрезается на пластины рядом плоскостей, параллельных или почти параллельных диагональной плоскости, рассекающей кристалл по длине. Прц этом образуется несколько пластин треугольной формы, каждая цз которых может служ 1 ггь затравкой для выращивания кристалла того же сечения,10179 Предмет изобретения 1. Способ выращивания кристаллов веществ, ооладаклцих резко выОтв. редактор И. В, Макаров Л 133811 от 6/Х 1955 г. Стаидартгиз. Объем 0,125 и. сп Тираж 400, Цена 25 коп. Типография изд-ва Московская правда, Потаповский перЗ, Зак. 4978; е Из вершины такой пластинчатойзатравки развиваются криста.члы большого поперечного сечения, причем размеры поперечника выросшегокристалла определяются размерамиоснования затравочной пластины.При этом кристалл развивается как из точечной затравки, а постепенно вырастающие из щели участки кристаллических граней стимулируют рост боковых (пинакоидальных) граней, при обычных условиях практически не растущих. Рост боковых граней продолжается до тех пор, пока основание затравочной пластины не окажется вписанным в периметр поперечного сечения кристалла. раженным односторонним ростом, в частности, кристаллов виннокислсго этилендиамина, из пластинчатых затравок, отличающий ся тем, что, с целью устранения явлений регенерации, для получения однородных кристаллов большого размера затравку помещают в щелеооразные углубления (карманы) плоскосо кристаллоносца таким образом, чтобы из щели выступала лишь вершина затравочной пластины, образованная пересечением быстрорастущих граней кристалла.2, Способ по п. 1, отл и ч а ющ и й с я тем, что в качестве затравки применяют пластину, вырезанную из головки кристалла параллельно или почти параллельно диагональной плоскости, рассекающей кристалл по длине.
СмотретьЗаявка
450364, 02.12.1952
Поздняков П. Г, Штернберг А. А
МПК / Метки
МПК: C30B 29/56, C30B 7/00
Метки: выращивания, кристаллов
Опубликовано: 01.01.1955
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-101179-sposob-vyrashhivaniya-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания кристаллов</a>
Устройство для замены граней пластины резца
Номер патента: 1804953
Опубликовано: 30.03.1993
Авторы: Барановский, Михайлов
МПК: B23B 27/16
Метки: граней, замены, пластины, резца
...отверстии державки 3, На штифте б установлена подкладка 7, В отверстии державки установлен винт 8. на цилиндрической части которого закреплен пружинящий прижим 9, а на резьбовой части установлен штифт 10, контактирующий в момент поворота пластины с выступом а зубчатого колеса 11.На цилиндрической части прижима закреплены две пластины 12 и 13, На пластине 12 выполнен паз контактирующий с базовыми гранями режущей пластины (фиг.7), С одной стороны пластины 13 выполнен выступ 14, а с другой скос контактирующий со скосом державки.В пазу державки установлена плоская пружина 15 закрепленная клином 16, свободный конец который входит в угловой паэ Ь на цилиндрической части прижима,Резец работает следующим образом, После затупления режущей кромки...
Устройство для расщепления кристаллов слюды на пластины
Номер патента: 1433827
Опубликовано: 30.10.1988
Автор: Клишин
МПК: B28D 1/32
Метки: кристаллов, пластины, расщепления, слюды
...канал золотника 3 открыт, впускной канал закрыт, сжатый воздух от источника идет через шланг 10 в цилиндр пневмотолкателя 9, а его шток 11 подпирает кристаллы 8 к каретке 5. При этом плоскость ножа 18 располагается в плоскости каретки 5, а его кончик находится в контакте с пружинящим полозом 21, что обеспечивает натяжная пружина 16 и флюгерный выступ 15. Затем включают привод 6, после чего каретка 5 движется вниз, пружинящий полоз 21 проскальзывает по внешней плоскости кристалла 8, утопляясь в паз давлением кристалла, а лезвие ножа 18, отстоящее от полоза 21 на расстоянии, равном заданной толщине пластинки, вклинивается в торец кристалла 8.При вклинивании ножа 18 в кристалл 8 силы спайкости пластинки, преодолевая слабое усилие натяжной...
Способ выращивания монокристаллов группы дигидрофосфата калия
Номер патента: 955741
Опубликовано: 10.04.1996
МПК: C30B 29/14, C30B 7/00
Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, монокристаллов
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ из переохлажденного водного раствора на размещенную в кристаллизаторе затравку, вырезанную параллельно грани (100) или (101), отличающийся тем, что, с целью повышения скорости роста и оптической однородности кристаллов, используют затравку, соответствующую размерам дна кристаллизатора, и размещают ее на дне так, чтобы ее кристаллографическая ось Z и ось кристаллизатора лежали в плоскости осей затравки XZ или YZ и составляли между собой угол в 45 - 90o, и процесс ведут при переохлаждении раствора более 5oС.
Способ получения гранул карбамида
Номер патента: 1145924
Опубликовано: 15.03.1985
...что в случае присут" 55ствия в охлаждающем воздухе частицкристаллической мочевины значительноповышается ударная прочность частиц,причем кристаллические частицы мочевиныимеют эффективный диаметр2 - 10 мкм, их количество приблизиФтельно.8-25 мг/м охлаждающего воздуха. Полученные таким разомчастицы мочевины имеют ударную прочность до 90% (около 90% частиц остаются неразрушенными или неповрежденными в тесте на выстреливание),25 и более затравочных точек и иглообразную кристаллическую структуру (см. Фиг. 2), Кристаллическаяструктура таких частиц не показываетобщей ориентации, а ориентация продолговатых кристаллов, по-видимому,приводит к повышенной ударной прочности.Эти опыты повторяют на заводскойустановке, где смонтированы...
Подвижная система зеркального гальванометра
Номер патента: 1228019
Опубликовано: 30.04.1986
МПК: G01R 1/00
Метки: гальванометра, зеркального, подвижная
...то высота пластины 3 может быть выполнена равной высоте зеркала 4, а ширина пластины - мень" ше ширины зеркала (фиг. 4). Прямоугольная форма предпочтительна для пластин 3 из твердыххрупких материалов типа стекла, карбида кремния, ситалла, бора, которыеподдаются обработке только алмазными абразивным инструментом, Однако 35получить необходимое качество боко"вых поверхностей пластин из такихматериалов по традиционной технологии изготовления микроэеркал можнопреимущественно при толщине пластин 40не более 0,1 мм. Это связано с тем,что деление сошлифованной до нужнойтолщины заготовки на пластины нужныхразмеров производится путем раскалывания ее по предварительно нанесенным алмазным резцом прямолинеинымрискам, При этом, как...
Предыдущий патент: Суперрегенератор
Следующий патент: Газонаполненная пересчетная электронная лампа
Случайный патент: Способ производства каротиносодержащего красителя из моркови