Способ динамического выращивания монокристаллов

Номер патента: 132615

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Беляев, Витовский, Добржанский, Карпенко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллизатор, кристаллов, раствора

...сосуда 1 - растворение кристаллизуемого вещества и прием конденсата; промежуточный сосуд 2 служит проводником раствора и затвором против попадания зародышей во внутренний сосуд 3, Во внутреннем сосуде происходит рост кристалла на подвешеннойг на нити 7 затравке 8,132 б 15Кристаллизатор снабжен магнитной мешалкой 9 для механического перемешивания раствора в сосуде 3.Выращивание кристаллов из раствора происходит так. Кристаллизатор заполняется насыщенным при заданной температуре раствором. Уровень заполнения кристаллизатора показан на чертеже. На дно между стенками сосудов 1 и 2 вводится избыток кристаллического вещества 6, заведомо больше веса кристалла, котоый желательно получить. За счет некоторого повышения температуры в донной...

Номер патента: 1342056

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Бредихин, Быстров, Ершов, Кацман, Лавров

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных, раствора

1. Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора, содержащее герметичный кристаллизатор с крышкой, установленную внутри него камеру роста с затравочным кристаллом, погружной насос, имеющий выходное сопло, направленное на растущий кристалл, и жестко связанный с приводом, установленным на крышке, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, устройства и качества кристалла, устройство снабжено механизмами перемещения насоса и вертикального перемещения камеры роста, соединенными с индуктивными приводами, размещенными на крышке, датчиком роста кристалла, электрически связанным с приводом перемещения камеры, а выходное отверстие сопла выполнено в виде щели.2. Устройство по п. 1,...

Номер патента: 451460

Опубликовано: 30.11.1974

Авторы: Александрова, Липовка

МПК: B01J 17/04

Метки: выращивания, кристаллов, растворов

...образованию паразнтных кристаллов.С целью изменения проходного сеченияв процессе выращивания в предлагаемомустройстЪе крышка снабжена дополнительным подвижным диском, закрепленным соосно с первым, причем оба диска имеютпрорези.Это обеспечивает возмния процесса прн постоян ся конденсата и о ыщенираствора с получе ысого качества.На фиг. 1 изображено предлагаемое 5 устройство; на фиг. 2 - сечение по А-Ана фиг, 1.Устройство держит корпус 1 с крышкой 2, в котор закреплен кристаллодержатель 3, На кристаллодержателе с по мощью втулок крепятся диски 4 и 5. Кор-.пус в верхней части имеет кольцо 6 длясбора конденсата и трубопровод 7 для вывода конденсата из кристаллизатора.Доски 4 и 5 закреплены соосно с воз-.15 мажностью перемещения их...

Номер патента: 828726

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Тарасов

МПК: C30B 7/14

Метки: выращивания, кристаллов, раствора

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА по методу химических реакций, включающее емкости для исходных растворов, кристаллизационную камеру со смесителем на входе, соединенную с емкостями для растворов стационарными трубопроводами, и подвижный резервуар с гибким трубопроводом, для приема отработанного раствора, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности и стабильности подачи растворов в течение всего процесса и обеспечения постоянства состава раствора, поступающего в камеру, последняя размещена наклонно и имеет вход в нижней части, на выходе камеры установлен отстойник, соединенный капилляром с подвижным резервуаром, а под ним установлен стационарный резервуар, соединенный с емкостями для исходных растворов...

Номер патента: 971922

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Белицкий, Ковалевский, Прилепо, Урсуляк

МПК: C30B 9/00

Метки: кристаллов, раствора, роста, скорости

...состоящий из компонентов раст-ворителя и кристаллообразующих компонентов нагревают до температуры на 30 - 100 С зОвыше температуры начала кристаллизации,при этой температуре раствор выдерживаютдо полной гомогенизации и в него вводяткапилляр, через который подают инертныйгаэ. 25Скорости подачи газа регулируют такимобразом, чтобы через раствор проходило 5 -10 пузырьков в минуту, Давление в системеподачи газа регистрируют микроманометром,Далее раствор охлаждают до температурыниже температуры кристаллизации, содаваязаданное пересыщение, При этом на внутренних стенках капилляра образуются зародыши кристаллов, которые при своем ростеизменяют его внутренний диаметр. За счет35этого происходит увеличение максимальногодавления в газовой пузырьке....