Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 113806
Автор: Добровенский
Текст
.3РЕТ ЕНИЯЕТЕЛЬСТВУ САНИЕ ИЗО ТОРСКОМУ СВВ. В. ДобровенскийМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССААНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА СПОСОБ А ВЫРАЩявлено 2 ноября 1956 г, за560241 в Комитет по делам изобрете и открытий при Совете Министров СССРМетодом кристаллизации по Штоберу выращивают целый ряд люминесцентных монокристаллов органических и неорганических веществ, имеющих невысокую температуру плавления и употребляемых для счета ядерных излучений. Обычно кристаллизация идет со скоростью 3 - 6 мм в час по высоте кристаллизатора, и ручное регулирование этого процесса приводит к большому браку монокристаллов.Предлагается способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава, позволяющий управлять процессом распределения примесей в растущем кристалле, а значит и качеством последнего.Сущность способа заключается в изменении интенсивности радиоактивного излучения, попадающего на приемник излучения, при изменении границы раздела между жидкой и твердой фазами кристаллизуемого вещества. Способ осуществляется согласно следующей схеме (см, чертеж).Прямой пучок радиоактивного излучения от т-излучателя 1, пройдя через кристаллизатор 2 и границу раздела твердой 3 и жидкой 4 фаз кристаллизуемого вещества, попадает в приемник излучения б, сигнал усиливается усилителем б и попадает в электронный преобразо.ватель 7, где сравнивается с сигналом от эталонного устройства, состоящего из источника 8, приемника 9 излучения, клина-поглотителя 10 и усилителя 11,Скорость кристаллизации задается скоростью вращающихся от мотора 12 винтов 13, с помощью которых перемещаются источник и приемник излучения. Если скорость процесса кристаллизации изменится, то изменится положение границы раздела твердой фазы и расплава В этом случае изменится интенсивность попадающего на приемник излучения, а значит изменится разйостный сигнал на выходе электронного преобразователя. Этот сигнал, воздействуя на исполнительный механизм 14, перемещает сердечник индукционной катушки 15, являющейся задатчиком регулятора 1 б.М 113806 Регулятор будет изменять количество охлаждающей воды и сноваприведет всю систему в равновесие. Описанный способ регулированияпозволяет получать кристаллы нужного качества. Предмет изобретения Способ автоматического регулирования процес"са выращивания мо- нокристаллов из расплава (по Штоберу), о т л и ч а ю щ и й с я тем, что автоматическое регулирование указанного процесса производят по заданной (программной) желаемой скорости кристаллизации, устанавливаемой соответственным непрерывным перемещением прямого пучка радиоактивного излучения в направлении роста монокристалла, с пересечением в пути границы раздела жидкой и твердой фаз и контролируемой по положению границы раздела фаз этим же пучком с помощью измерения поглощения его в твердой и жидкой фазах и сравнения этого поглощения с эталонным, причем показатель разности в поглощении известным образом связан с устройством для измерения температурного режима кристаллизации. изобретений и открытий при Совете Министров СССР Комитет по деледактор И. В, Макар Подп. к печ, 21.7-59 Тираж 7 б 0 Цена 25 коел 53 цографпя Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14.
СмотретьЗаявка
560241, 02.11.1956
Добровенский В. В
МПК / Метки
МПК: C30B 15/26
Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава
Опубликовано: 01.01.1958
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-113806-sposob-avtomaticheskogo-regulirovaniya-processa-vyrashhivaniya-monokristallov-iz-rasplava.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава</a>
Способ контроля процесса выращивания монокристаллов из расплава
Номер патента: 552750
Опубликовано: 30.03.1977
Авторы: Багдасаров, Приходько
МПК: B01J 17/18
Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава
...мм и толщиной 1 мм), ориентированное параллельно поверхности границы.С помощью жесткого стержня 4 диск соединяется с остальными элементами устройства: индукционным датчиком 5 амплитуды колебаний, датчиком 6 положе. ния диска, магнитоэлектрическим датчиком 7 для возбуждения колебаний, упругим элементом 8.Диск 3 под действием инддатчика 5 совершает вынужденейные колебания в направленидикулярном поверхности контрграницы.Затем определяют положение границы 1 раздела фаз путем определения положения диска 3 и измерения величины од ного из параметров, характеризующих его колебания и зависящих от расстояния между телом и границей раздела фаз (например, измерения амплитуды колебаний датчиком 6). При этом измеряемый пара3метр колебаний тела,...
Способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава
Номер патента: 121237
Опубликовано: 01.01.1959
Авторы: Бутузов, Добровенский
МПК: C30B 15/22
Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава
...для его осуществления поясняются чертежом, на котором изображена блок-схема автоматического регулирования процесса кристаллизации по заданной программе.В тигле 1 находится расплав вещества 2 с температурой несколько ВьШе ТЙМПераТуры КРИСТЯЛЛИЗЯЦИИ И Поддержнвае.110 ПОСТоянной С ПО- мощью соответствующего нагревания.ГА 121237 Предмет изобретения1. Способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава путем поддержания определенного температурного режима на границе жидкой и твердой фаз (расплав - кристалл) изменением тока жидкости в холодильнике, охлаждающей верхний конец выращиваемого кристалла, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения процесса кристаллизации, границу расплав - кристалл удерживают на...
Способ контроля процесса кристаллизации из расплава
Номер патента: 1533371
Опубликовано: 15.06.1992
Автор: Лубе
МПК: C30B 15/24
Метки: кристаллизации, процесса, расплава
...положение риска по датчику 11, По мере кристаллизации расплава диск 5 перемещается внаправлении движения границы расплавкристалл со скоростью, обеспечивающейпостоянство или иэненение в заданныхпределах крутящего момента. Положение1533311 Составитель В. федоровТехред И,Дидык Корректор О, Кравцова,МР ела к тор Т. Горичева Заказ 2310 Тираж 236 Подпис ноеВНИИ 11 И Го:уларствецного комитета по изобретениям и открыгиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Рэушсквя наб., д. 4/5 роизволственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина, О 1рацицы раздл опрелелвтс в по покааццям латников 8 и 11 и цо грвдуирод гной зависимости крутяего моментаог расстояния между диском и границейраглав-кристалл. В лонце процессакгц:таллцзации диск...
Фотоэлектрическое следящее устройство для определения положения границы раздела твердой и жидкой фазы
Номер патента: 968784
Опубликовано: 23.10.1982
Автор: Муниц
МПК: G05B 11/06
Метки: границы, жидкой, положения, раздела, следящее, твердой, фазы, фотоэлектрическое
...раздела между твердой и жидкой Фазами. При этом на входах схем И не выполняются условия совпадения логических переменных. Соответственно схемз КРАТКОВРЕМЕННАЯ ПАМЯТЬ остаются в нулевом состоянии, а механизм 18 сканирования выключенЕсли оба электронно-оптических канала окажутся одновременно визи. 60 65 мзх оптической системой на чувстви- тельные элементы Фотоприемников.Для выявления и регистрации кривизны границы раздела Фотооптическая система расположена на продольной каретке 21, которая перемещается рованными на расплав, на входы схемз 14 поступят единичные сигналы отсхем 12 и 13. Схема 14 выдаст управ.ляющий потенциал, который установитв единичное состояние схему 16.5 Включается отсчетно-приводной механизм 27 и перемещает...
Способ выращивания монокристаллов сложных оксидов из расплава и устройство для его осуществления
Номер патента: 1228526
Опубликовано: 15.02.1993
МПК: C30B 15/14, C30B 29/22
Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов, расплава, сложных
...1 б в керамическом диске 15, после че.о привод вытягивающего механизма отключают. В камере 7 охлаждения монокристалл 20 выдерживают 2 ч, затем охлаждают до комнатной температуры со скоростью 50 Кч, а в области температур, в которой существует аномалия термического расширения кристаллов лантангаллиевого силиката (850- 700 К), со скоростью ЭО К/ч.При этом платиновый экран 10,крышка 17 и керамические экраны 8, 9 прорези 11, выполненные в экране 8, а также удаленный верхний виток, на указанное расстояние обеспечивают выравнивание теплового поля в камере 7 охлаждения, повышают ее инерционность при охлажчденни и обеспечивают линейный температурный градиент по длине кристалла в области аномалии термического расширения 3 град/см.Для...
Предыдущий патент: Способ очистки бензольных углеводородов-
Следующий патент: Способ фотографирования цилиндрических металлических объектов
Случайный патент: Силовая установка летательного аппарата