Способ выращивания пьезоэлектрических кристаллов однозамещенного фосфата аммония
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 95747
Автор: Поздняков
Текст
,;: 95747 тс(СС ) с,2 а, .) СССР с О 1(4 САИИЕ ИЗОБАТЕ ЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕ П, Г. Поздняков СПОСОБ ВЫР 4 И,(1 Вс 1 Гт ИЯ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦРг" )т 1)Г)В,тД 1.) э 5 ц 5" ЕЦЕННО О 1 к сАА Аъ)(МОР ЦН ; 0 23: ",;)1130 Г, зэЛ.115.32156 г Госте( ", СССР .;.о.:л- т. )30ст8 зя ч 33 Г,П р с ч мет изобретения Л 5 (Г С ГВГ. Д(Стс) Г)Ч 1 Ы). 1:0 .) 0 ЦНОС 111; Ч : ТВИс,: Ь;1)С ГН 111 с,(.)- -.(1;ТОЧ С 11; 1-,Т.Ч(1 1 1 с)С(1- Г 1 ОВ НС ( .Ь( КЛГ1,121.1, С)Л Н 1 ИО 11 рс 3),Ч(", 1) 1(рея .Е НО 0:1 О) О. 1 ОстПри;(В(ст : .Нсе и );1:н 1- В;(1 пс ОГН,)Н(;:;, ; Н(,;, 1;сс)ЯЛОВ (1)Ос(1)Н)151 (1)Г)с)1 Ср 1) 110- 11(Р(:;Ч)И 1 ( ) 1(1,(. И,11 с),0 301 А с) 1. 1, . 1 1: . 1ГО В( д)101 0 РЯСГВОРс -.то.1 СЛИ В 1)ОГ)СС( 1)Ос 1 Я и)1 СтсГЛОВ 11(1(.ЕГ 1(СГО явлс)И(. БЫ 1 т И 1111) Я 1)я, с)С )1(ГЧ Я:) СЕС 51 В 11 Г)с- )(1 с 111(.ИИ ХрисЯ, Ь(1;3 Гр. 5 Ы С 110 Ч 311 )с 11(Ы 11 0:,НОВ.НЯМ 1 )ИРЯ 1 ГУ.Пр(.ЛГягясмыЙ с)ос. о Вы)Г)Цива) И 51 1103 ВОГ 5(.1 СТР с)1 ИГ и ВЛ СНИЕ Способ Выращивания пьезоьлек- ТРИЧЕСКИК КР 11 СТ 11;ОВ (ДНО:)ЯЕЦЕННОГО фОСфЯТЯ с.Мл 101)и ИЗ 1)ЕРЕСЫЦЕШОГО Рс)С 1:)ОРЯ Зто. С;ЛИ, О т Л и- Ч Я ГО ЩИ Й С я тЕМ с)тс) С )ГЕЛЬ)0 ПОВЫКЛИН)Вс 111 И) В НОЦ(.ОСЕ 1). . а КРНСТЯГЛОВ.ЭГО ДОСТИГс 1 СТСЯ ОЛснОДЯ)Я ВВЕДСИИ 0 В Нс 1 СЫ 1 ЦЕ 111 ЫЙ РЯСТВ 0) )10 вс- ененного фосфата аммон-.,я добав- КИ )В(.,Зсч)ЕЦСННОГО фОСфс) 11 1О- ния 1 М 1 ) ., ЯРО, до пол с ия 1 ЕЙТРсГ 1 Ы 0 И;1 Н СЛЯОО ЦС,ОЧНОЙ реакции раствора.Введение двузамещснного фг)сфата яммОния нроце Всего 1)р1 ЗВО- дить дооавкой в раствор крис-:,ЛОВ В ГОЙ СОТИ, Я П П ОТСТСТВ)111 СС. - ПЯ- сьпцением маточного раствора аммиаком (что менее удобно).Предлагаемый способ зв 0.1 яст выращивать большие но рГ)з)срам и правильные по форме одр) ные кристаллы,л чения болыпих однороднк кристаллов правильной формы, В раствор Вводят добавку двухза мещенного фосфата аммония.
СмотретьЗаявка
432156, 26.07.1950
Поздняков П. Г
МПК / Метки
МПК: C30B 29/14, C30B 7/04
Метки: аммония, выращивания, кристаллов, однозамещенного, пьезоэлектрических, фосфата
Опубликовано: 01.01.1953
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-95747-sposob-vyrashhivaniya-pezoehlektricheskikh-kristallov-odnozameshhennogo-fosfata-ammoniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания пьезоэлектрических кристаллов однозамещенного фосфата аммония</a>
Предыдущий патент: 95746
Следующий патент: Машина для округления теста
Случайный патент: Способ определения гранулометрического состава пульп и суспензий