Способ выращивания кристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 98040
Автор: Поздняков
Текст
Класс 12 с, 2 Мф 98040 Поздняно ОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛ 478/А/37029 едств связи СССРаявлено 2 Министер 47 г. зяенност ва 1954 г. публикова ний об рсдм ни Способ выр неподвпж нояхстворов, о т л с целью увели сталлов, после ное движение ковой частоты направлениях,таллов изаемых ратем что роста кри- колебатель- ультразву- нескольких щпвання крп ИЛИ ПЕРЕМЕШ 1 п чаю щи й с чедия скорости дним сообщают звуковой плп в одном длп ИСАНИЕ И К АВТОРСКОМУСкорости роста кристаллов существенным образом зависят от скорости притока свежего пересыщенного раствора к поверхности растущих кристаллов, Перемещение кристалла относительно раствора способствует росту за счет отвода от его поверхностей пленки обедненного, слабо- насыщенного раствора и прдтока свежего раствора, имеющего большее пересыщ ение.Известные способы выращивания кристаллов, в целях быстрого восстановления пересыщендя вокруг растущего кристалла, предусматривают пер емешпвание раствора или вращение кристалла в растворе.Предлагаемый способ позволяет повысить скорости роста кристаллов благодаря тому, что кристаллы в процессе роста приводят в колебательное движение, причем это движение может осуществляться с большой частотой от десятков герц до десятков килогерц и сочетаться с движением раствора. ЗОБРЕТЕНИВИДЕТЕЛЬСТВУ(,илы, возникающие прп оыстрых механических колебаниях кристалла, будут интенсивно разрушать пленку потерявшего пересыщенпе раствора, обволакивающую грани кристалла, чем достдгается устранение одной из основных причин замедления его роста.Одно илп несколько одновременных колебательных движений, необходимых для ускорения его роста, можно сообщать кристаллу прп помощи механических и электромагндтных механизмов, магнитострикционных и пьезоэлектрических виб раторов.
СмотретьЗаявка
370296, 26.09.1947
Поздняков П. Г
МПК / Метки
МПК: C30B 7/00
Метки: выращивания, кристаллов
Опубликовано: 01.01.1954
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-98040-sposob-vyrashhivaniya-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания кристаллов</a>
Предыдущий патент: Способ крашения волокнистых материалов животного происхождения и их смесей с целлюлозными волокнистыми мате риалами сернистыми красителями
Следующий патент: Колонковый снаряд для дробового бурения
Случайный патент: Способ обработки цементного камня