Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава методом вытягивания (по чохральскому)

Номер патента: 885162

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Барабаш, Жужалкина, Смирнов

МПК: C03B 15/06

Метки: вытягивания, скорости, стекла

...2 из стекломассы 3,подмашинную камеру 4, задатчик 5 скорости, тахогенератор 6, элемент 7сравнения, тиристорный преобразователь 8, приводной двигатель 9,уровнемер 10, блок 11 дифференцирования,Способ осуществляется следующимобразом.3 8851С помощью тянущих валков 1 выработочной машины (или с применением лодочки) ленту стекла 2 вытигявают со свободной поверхности стекломассы 3, которая непрерывно поступает в подмашинную камеру 4.Скорость вращения тянущих валковзадают задатчиком 5 скорости,а контролируют тахогенератором 6, и в зависимости от разницы показаний последних, которую получают с помощью элемента 7 сравнения, изменяют через тиристорный преобразователь 8 напряжеюае в цепи якоря приводного двигатели 9.15Вместе с тем, в подмашинной...

Номер патента: 1534301

Опубликовано: 07.01.1990

Авторы: Голубовский, Маслюков

МПК: G01B 11/10

Метки: вытягивания, геометрических, параметров, прозрачных, процессе, труб, фотоэлектрическое

...оси, перпендикулярной плоскостипадения. Она малочувствительна, к смешениям)убы пара)лельзо своей оси. 2 С ) 5 30 40 50 Цилиндрические линзы 8, 8 и оптически сопрягают входнь)е зрачки объективов 7, 7 с фоточувствительными поверхностями фотоприемников и уменьшают длину светя- шихся дуг. Коэффициент уменьшения выбирается таким, чтобы в плоскости фотоприемника размеры светящихся дуг по их длине и размер фоточувствительной части фотоприемников ло ширине были сравнимы. В результате этого достигается пространственная неподвижность светящихся дуг относительно фотоприемников при смешении трубы в направлении, перпендикулярном плоскости падения, и происходит усреднение выходного сигнала фотоприемников по длине дуг. Фотоэлектрическое устройство для...

Номер патента: 1122014

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Васецкий, Гавриш, Даниленко, Заславский, Соломаха, Стадник

МПК: C30B 15/00

Метки: вытягивания, кристалла, процессом, расплава

...Расплав при этом вытекает по трубке 9 вдозатор 5 да восстановления контакта щупрасплав,В момент касания поверхностью расплава кончика щупа клапан 11 закрываетсяи подпитка прекращается. Расплав из дозатора б через переточное отверстие перетекает в тигель 5, но контакт щуп - расплав приэтом сохраняется за счет образования нового предельно вытянутого мениска и т,д. Таким образом, величина дозы подпитки, аследовательно, и точность поддержанияуровня расплава, определяется диаметромдоэатора 6 (оптимал ьный диаметр 25-30 мм)и величиной предельно вытянутого мениска(порядка 1 - 1,5 мм), При регулированииуровня расплава в тигле 5 подпиткойпосигналу датчика уровня расплава, работаюьц го на предельно вытянутом мениске, легка дас гигае 1 ся...

Номер патента: 1576598

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Белогуров, Маликов, Стадник

МПК: C30B 17/00

Метки: жидкой, кристалла, параметров, поверхности, раздела, фазы

...и жидкой Фазы Зизмеряют амплитуду колебаний резонансной частоты акустической системыв процессе роста кристалла и сравнивают ее с амплитудой колебаний резонансной частолы системы для кристалла, расходящегося в системе с плоской поверхностью раздела. При этомцем больше поверхность раздела кристалла и жидкой Фазы, тем меньше амплитуда колебаний. 45Для определения длины растущегокристалла измеряют резонансную частоту.акустической системы до и после перемещения поверхности разделатвердой и жидкой Фаз, При этом чем 50меньше резонансная частота системы,тем больше длийа кристалла (нижеуровень поверхности раздела твердойи жидкой фаз).Для определения Формы поверхнос- ути раздела кристалла и жидкой Фазыизмерения, амплитуды колебаний...

Номер патента: 1700112

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Аверьянов, Атаманенко, Дубинин, Евтодий, Кузьминов, Лейбович, Митин, Середа, Сухарев, Талят-Келпш, Федоров

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллов, профилированных, процессом, расплава

...сил, приложенных к затравке растущего кристалла.Кроме того, известный способ автоматического управления технически трудно осуществить в технологических установках, в которых при вытягивании кристалла трос наматывается на барабан лебедки, т,к. в этом случае для измерения сил поипоженных к затравке растущего кристалла, необходимо взвешивать большегрузную лебедку с барабаном.Целью предпа. емого изобретения является улучшение качества регулирования процесса выращивания профилированных кристаллов,Поставленная цель достигается тем, что в способе автоматического управления процессом получения профилированных кристаллов из расплава, включающем регулирование технологических переменных процесса кристаллизации, например, температуры...